JP2016105154A - 光ファイバ - Google Patents

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Abstract

【課題】アルカリ金属元素を含みレーリー散乱損失を低くすることができる光ファイバを提供する。【解決手段】光ファイバ1は、シリカガラスからなるコア11と、コアを取り囲み、コアの屈折率より低い屈折率を有し、フッ素を含むシリカガラスからなるクラッド12と、を備える。さらに、コア11が、Na,Kおよびこれらの化合物のうちの何れかからなる第1ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含み、シリカガラスの粘性を下げるドーパントであって温度2000℃〜2300℃のいずれかの温度での拡散係数が1×10−12cm2/s以上かつ第1ドーパント群の拡散係数より小さい第2ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含む。【選択図】図1

Description

本発明は、光ファイバに関するものである。
レーリー散乱損失が低く伝送損失が低い光ファイバとして、コアがアルカリ金属元素を含む石英ガラス系の光ファイバが知られている(例えば特許文献1〜9を参照)。光ファイバ母材のコア部にアルカリ金属元素が含まれていると、この光ファイバ母材を線引きするときにコア部の粘性を下げることができ、石英ガラスのネットワーク構造が均一化するので、構造の不均一に由来するレーリー散乱損失を低くすることができる。
アルカリ金属元素を石英ガラス中に添加する方法としては拡散法が知られている(例えば先行文献1,2)。拡散法は、原料となるアルカリ金属元素又はアルカリ金属塩などの原料蒸気をガラスパイプ内に導入しながら、ガラスパイプを外部熱源により加熱したり、ガラスパイプ内にプラズマを発生させたりすることで、アルカリ金属元素をガラスパイプの内表面に拡散添加するものである。
このようにしてアルカリ金属元素をガラスパイプの内表面近傍に添加した後、このガラスパイプを加熱して縮径させる。縮径後、アルカリ金属元素の添加の際に同時に添加されてしまうNiやFeなどの遷移金属元素を除去する目的で、ガラスパイプの内表面を或る厚みでエッチングする。アルカリ金属元素は遷移金属元素より拡散が速いので、ガラス表面を或る厚みでエッチングして遷移金属元素を除去しても、アルカリ金属元素を残留させることが可能である。エッチング後、ガラスパイプを加熱して中実化することで、アルカリ金属元素を含むコアロッドを製造する。このアルカリ金属元素を含むコアロッドはその外側に第2のコアとなるガラスを付与し、全体を光ファイバのコアとしても良い。
アルカリ金属元素を含有するコアロッドを含むコア部より屈折率の低いクラッド部をコア部の外側に合成することで、光ファイバ母材を製造する。そして、この光ファイバ母材を公知の方法で線引きすることで光ファイバを製造することができる。
特表2005−537210号公報 米国特許出願公開第2006/0130530号明細書 特表2007−504080号公報 特表2008−536190号公報 特表2010−501894号公報 特表2009−541796号公報 特表2010−526749号公報 国際公開第98/002389号 米国特許第5146534号明細書
本発明者は、アルカリ金属元素を含み伝送損失が低い光ファイバを製造するに当たり以下のような知見を得た。アルカリ金属元素としてNaやKなど拡散速度が速い元素を用いた場合、これらのアルカリ金属元素が線引工程においてコア部の外まで拡散してしまい、十分にガラス粘性を下げることができず、レーリー散乱損失を下げることができなかった。一方で、アルカリ金属元素としてCsやCaなど拡散速度が遅い元素を用いた場合、これらのアルカリ金属元素が線引工程においてコア中心部にとどまり、コア外周やクラッド部の粘性が下がらず、大きな歪が発生し、レーリー散乱損失を低減することができなかった。また、線引工程の際の温度や炉内の滞在時間は、光ファイバ母材のサイズや線引速度により決まるので、これらの条件を使って元素拡散状態をコントロールすることはできない。
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、アルカリ金属元素を含みレーリー散乱損失を低くすることができる光ファイバを提供することを目的とする。
本発明の光ファイバは、シリカガラスからなるコアと、前記コアを取り囲み、前記コアの屈折率より低い屈折率を有し、フッ素を含むシリカガラスからなるクラッドと、を備える。さらに、前記コアが、Na,Kおよびこれらの化合物のうちの何れかからなる第1ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含み、シリカガラスの粘性を下げるドーパントであって温度2000℃〜2300℃のいずれかの温度での拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ前記第1ドーパント群の拡散係数より小さい第2ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含む。
本発明の光ファイバは、アルカリ金属元素を含み、レーリー散乱損失を低くすることができる。
光ファイバ1の構成を示す図である。 光ファイバ母材および光ファイバそれぞれにおけるK濃度の径方向分布を示す図である。 光ファイバ母材および光ファイバそれぞれにおけるCs濃度の径方向分布を示す図である。 光ファイバのコアにおけるCs平均濃度と伝送損失との関係を示すグラフである。 Na、K、Cs、Caそれぞれの拡散係数を纏めた表である。 本実施形態の光ファイバを製造するための各工程を説明するフローチャートである。 光ファイバの伝送損失とコア中の第1ドーパントの平均濃度との関係を示すグラフである。
本発明の光ファイバは、シリカガラスからなるコアと、前記コアを取り囲み、前記コアの屈折率より低い屈折率を有し、フッ素を含むシリカガラスからなるクラッドと、を備える。さらに、前記コアが、Na,Kおよびこれらの化合物のうちの何れかからなる第1ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含み、シリカガラスの粘性を下げるドーパントであって温度2000℃〜2300℃のいずれかの温度での拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ前記第1ドーパント群の拡散係数より小さい第2ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含む。ここで、「ppm」とは、100万ユニットのSiO中のドーパント原子の個数である。第1ドーパント群の平均濃度は10ppm以下であってもよく、第2ドーパント群は、温度2000℃〜2300℃での拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ前記第1ドーパント群の拡散係数より小さくてもよい。
本発明の光ファイバは、前記コアおよび前記クラッドのうちモードフィールド径の3倍までの領域において前記第1ドーパント群の平均濃度が0.2ppm以上10ppm以下であり、前記コアにおいて前記第2ドーパント群の平均濃度が前記第1ドーパント群の平均濃度より高いのが好適である。前記コアにおいて前記第2ドーパント群の平均濃度が0.2ppm以上100ppm以下であるのが好適である。また、前記コアが、前記第2ドーパント群としてRb、Cs、Mg、Ca、Srのうちの何れか1以上を平均濃度0.2ppm以上100ppm以下含むのが好適である。
本発明の光ファイバ母材は、シリカガラスからなり、光ファイバのコアとなるコア部と、前記コア部を取り囲み、前記コア部の屈折率より低い屈折率を有し、フッ素を含むシリカガラスからなり、前記光ファイバのクラッドとなるクラッド部と、を備える。さらに、前記コア部が、Na,Kおよびこれらの化合物のうちの何れかからなる第1ドーパント群を平均濃度20ppm以上100ppm以下含み、シリカガラスの粘性を下げるドーパントであって温度2000℃〜2300℃のいずれかの温度での拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ前記第1ドーパント群の拡散係数より小さい第2ドーパント群を平均濃度0.2ppm以上100ppm以下含む。
本発明の光ファイバ母材において、第2ドーパント群は、温度2000℃〜2300℃の全域で、拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ前記第1ドーパント群の拡散係数より小さくてもよい。また、第1ドーパント群の濃度が最大となる位置が、光ファイバにおいてモードフィールド径の1/3倍以下となる円筒領域内にあってもよい。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本発明は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本実施形態の光ファイバ1は、図1に示されるように、シリカガラスからなるコア11およびクラッド12を備える。クラッド12は、コア11を取り囲み、コア11の屈折率より低い屈折率を有し、フッ素を含む。コア11は、Na,Kおよびこれらの化合物のうちの何れかからなる第1ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上10ppm以下含む。また、コア11は、シリカガラスの粘性を下げるドーパントであって温度2000℃〜2300℃での拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ第1ドーパント群の拡散係数より小さい第2ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含む。
本実施形態の光ファイバ母材は、線引することで上記のような光ファイバを製造するためのものであって、シリカガラスからなるコア部およびクラッド部を備える。光ファイバ母材のコア部は、光ファイバのコアとなるものである。光ファイバ母材のクラッド部は、光ファイバのクラッドとなるものである。クラッド部は、コア部を取り囲み、コア部の屈折率より低い屈折率を有し、フッ素を含む。コア部は、Na,Kおよびこれらの化合物のうちの何れかからなる第1ドーパント群を含む。拡散係数の大きい速い第1ドーパント群は、線引の工程で拡散し濃度が1/10程度に低減してしまう。そこで、光ファイバのコアにおける第1ドーパント群の平均濃度を0.2ppm以上10ppm以下の範囲にするためには、光ファイバ母材における第1ドーパント群の平均濃度を20ppm以上100ppm以下とする必要がある。また、コア部は、シリカガラスの粘性を下げるドーパントであって温度2000℃〜2300℃での拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ第1ドーパント群の拡散係数より小さい第2ドーパント群を平均濃度0.2ppm以上100ppm以下含む。
図2は、光ファイバ母材および光ファイバそれぞれにおけるK濃度の径方向分布を示す図である。図3は、光ファイバ母材および光ファイバそれぞれにおけるCs濃度の径方向分布を示す図である。これらの図は、光ファイバ母材のコア部の径を縮小して光ファイバのコア径に一致させて、各元素の径方向分布を示している。
光ファイバ母材のコア部に含まれる第1ドーパント群(NaまたはK)は、拡散係数が大きいので、図2に示されるように、線引の際の高温加熱により光ファイバのコア全体に(さらにクラッドまで)拡散して広がる。光ファイバのコア中の第1ドーパント群の濃度は光ファイバ母材状態での1/10程度まで低下し、コアのレーリー散乱損失を十分に下げることができない。しかし、第1ドーパント群がクラッドまで拡散することにより、クラッドの粘性を下げ、コアとクラッドとの間の粘性差による歪を緩和し、コア外周およびクラッドのレーリー散乱損失を低減する効果が期待される。クラッドを含めてレーリー散乱損失が低減することで、Kを含んだ場合の伝送損失は0.154dB/kmとなる。
光ファイバ母材のコア部が第1ドーパント群を含まず第2ドーパント群を含む場合、第2ドーパント群の拡散係数は第1ドーパント群の拡散係数の1/2程度であるので、図3に示されるように、光ファイバにおいても第2ドーパント群の殆どはコア中に留まる。第1ドーパント群の濃度と同じ濃度の第2ドーパント群をコア部が含む場合、光ファイバのコアのレーリー散乱損失をより低減することができる。一方で、第2ドーパント群はクラッドまでは広がらないことから、クラッドの粘性が下がらず、コアとクラッドとの界面に粘性差が発生することで歪が発生し、この部分のレーリー散乱が高くなる。それ故、第1ドーパント群を含まず第2ドーパント群を含む場合、光ファイバの損失は全体として0.156dB/kmと増加する。
本実施形態の光ファイバは、拡散係数が大きい第1ドーパント群を含むとともに、拡散係数が小さい第2ドーパント群をも含むことにより、レーリー散乱損失を充分に低くすることができる。
光ファイバのコア中の第1ドーパント群の平均濃度と伝送損失の関係は、図7に示されるように高濃度ほど損失が低減する傾向であるが、10ppm以上では損失の増加がみられる。これは、光ファイバ中の第1ドーパント群の濃度を高濃度にする為には母材での第1ドーパント群の平均濃度を高濃度(たとえばピーク値で10,000ppm)にする必要があり、ガラス欠陥や結晶化の発生により損失増加が発生する為である。
第1ドーパント群は、コアの外側まで広がることによってコアだけではなくクラッドのレーリー散乱損失を低減し、それにより伝送損失を低減することができる。このとき拡散により第1ドーパント群が広がる範囲は、モードフィールド径(MFD)の3倍の範囲が良い。MFDは、光ファイバ中を伝搬する光がある分布を持って伝わるのに対して、光強度がピークの1/eとなる実効的なコア径のことをいう。99.99%の光パワーは、MFDの3倍以内の位置でファイバ中を伝搬するので、それより外側は伝送光のロスにとって無視できる。その為、MFDの3倍の範囲まで第1ドーパント群が広がり、この範囲のレーリー散乱を低減することが損失低減には重要である。
クラッドは、屈折率を下げるためのドーパントとしてFを含んでいるので、Fによる粘性低減効果もある。それ故、クラッドでの第1ドーパント群の平均濃度が0.2ppm程度で十分な粘性低減によるレーリー散乱損失低減がみられる。
Kを0.2ppm含むクラッド部に対してコア部の粘性を同程度に下げるためには、拡散速度が遅くファイバ化時の濃度低減の小さい第2ドーパント群をKと同程度のコアの平均で10ppm以上の濃度で含むことが良い。このようにすることで、光ファイバ母材のコア部におけるドーパントの濃度を上げずに、ファイバ化後のコアにおけるドーパントの濃度を確保することが出来る。このとき、第2ドーパント群の平均濃度も0.2ppmより低い場合はロス低減の効果は見られない為、0.2ppm以上添加する必要がある。第2ドーパント群を100ppmより高濃度とした場合、K同様に欠陥によると推測される損失増加が発生する。
第2ドーパント群として好適に用いられる得るRb、Cs、Mg、Ca、Srは、線引温度(2000℃〜2300℃)での拡散係数がKの拡散係数に対して1/2から1/10であり、線引工程での拡散による広がりがコア径より小さいので、コアの粘性を低減し、レーリー散乱損失を低減するのに有利である。
また、これらの元素の拡散係数は、温度2000℃で1×10−12cm/s以上であることから、FeやNiといった不純物より十分に早いといえる。これにより、拡散後のエッチングにより不純物を多く含む表面層を除去しても、第2ドーパント群をガラス中に残すことができる。
また、第2ドーパント群の平均濃度については10ppm以上とすることでクラッドと同程度に粘性を低減することができ、コアへの引っ張り歪が解消され、損失が低減する。一方、第2ドーパント群の平均濃度が100ppm以上である場合、K同様に欠陥によると推測される損失が増加した。
第1ドーパント群としてカリウムを単独で含む場合、Kは、拡散によりファイバ全体に広がり、濃度は1/10以下に低減する。一方、第2ドーパント群としてCsのような拡散速度の遅い元素を含む場合、Csは、コア全体に広がらず、コアでの濃度は添加時の濃度と同じに保たれたが、コア外周部まで届かない。
図4は、光ファイバのコアにおけるCs平均濃度と伝送損失との関係を示すグラフである。ここでは、光ファイバのコアにおけるK平均濃度が10ppmとなるように第1ドーパント群としてKを添加し、第2ドーパント群としてCsを添加した。コアにおけるCs平均濃度が10ppmより低い場合、Kを単独で添加した場合と損失は異ならなかった。コアにおけるCs平均濃度を10ppmより高濃度にしていった場合、平均濃度50ppmまでは損失が低減したが、それ以上の濃度で損失が増加に転じ、平均濃度100ppm以上ではKを単独で添加したときより損失が増加した。
分子動力学計算により線引温度(2300℃)における濃度100ppmでの各元素の拡散係数を計算したところ、Na、K,Cs、Caそれぞれの拡散係数は図5のようになった。この結果により、Cs、Caの拡散係数はKの拡散係数の1/2以下であり、線引後のK濃度分布はコア径の倍まで広がることから推測すると、これらCs、Caはコアの径の内におさまると予想される。
一方で、FeやNiといった光ファイバの伝送損失に影響を与える不純物の拡散係数は1×10−12cm/s程度であることから、これと比較してCs、Caの拡散係数は十分大きい。拡散添加後に不純物を除去する目的で行うエッチング工程において、第2ドーパント群と不純物との間で拡散距離に十分な差をつけることができ、エッチングにより不純物を含む層を削り取ったとしても、第2ドーパント群をガラス中に残すことができると考えられる。
第1ドーパント群は拡散速度が速く、コアからクラッドに向けて広がってしまう為、MFDの3倍の範囲に拡散範囲を抑える為には、光ファイバ母材において第1ドーパント群の濃度が最大になる位置(第1ドーパント群を添加する位置)をコア部中心に限定することが良い。具体的には、光ファイバ母材において第1ドーパント群の濃度が最大になる位置を光ファイバにおけるMFDの1/3に対応する位置に留めることで、線引後の拡散範囲をMFDの3倍程度とすることができる。第2ドーパント群は拡散速度が遅く、コア中心をふくまない領域にリング状に添加した場合であっても拡散後の範囲がコア内部に留めることが可能である。
図6は、本実施形態の光ファイバを製造するための各工程を説明するフローチャートである。以下の説明では、具体的な条件の一例についても記載している。
準備工程(ステップS1)では、アルカリ金属元素(ドーパント)を拡散させるべき石英系ガラスパイプを準備する。この石英系ガラスパイプは、100atomic ppmの塩素(Cl)および6,000atomic ppmのフッ素を含み、その他のドーパント及び不純物の濃度が10molppm以下である。この石英系ガラスパイプの外径は直径35mmであり、内径は直径20mm程度である。
添加工程(ステップS2)では、ドーパントとしてカリウムおよびセシウムを石英系ガラスパイプの内表面に添加する。原料として臭化カリウム(KBr)および臭化セシウム(CsBr)を用いる。外部熱源で原料を温度800℃に加熱して原料蒸気を発生させる。1SLM(標準状態に換算して1リットル/min)の流量の酸素からなるキャリアガスと共に原料蒸気を石英系ガラスパイプに導入しながら、外部から酸水素バーナによって石英系ガラスパイプの外表面が温度2150℃となるように石英系ガラスパイプを加熱する。このとき、40mm/minの速さでバーナをトラバースさせて合計15ターン加熱し、カリウム金属元素とセシウム金属元素とを石英系ガラスパイプの内表面に拡散添加させる。
縮径工程(ステップS3)では、カリウムが添加された石英系ガラスパイプを縮径する。このとき、石英系ガラスパイプの内部に酸素を0.5SLM流しながら、外部熱源によって石英系ガラスパイプの外表面が2250℃となるように石英系ガラスパイプを加熱する。外部熱源をトラバースさせて合計6ターン加熱し、石英ガラスパイプを内直径が5mmになるまで縮径する。
エッチング工程(ステップS4)では、石英系ガラスパイプの内面をエッチングする。このとき、SF(0.2SLM)および塩素(0.5SLM)の混合ガスを石英ガラスパイプの内部に導入しながら、外部熱源で石英ガラスパイプを加熱して気相エッチングを行う。このようにすることで、目的のドーパントと共に添加された不純物を高濃度に含むパイプ内面を削ることができ、この不純物を除去することができる。
中実化工程(ステップS5)では、石英系ガラスパイプを中実化する。中実化工程では、酸素(0.1SLM)およびHe(1SLM)の混合ガスを石英ガラスパイプ30の内部に導入しながら、石英ガラスパイプ内の絶対圧を97kPa以下に減圧しながら表面温度を2150℃として石英ガラスパイプ中実化する。この中実化により、コア部(外径25mm)を得る。このロッドの外側にOVD法やコラプス法といった公知の方法でドーパントを含まないコア層を付与しても良い。
延伸研削工程(ステップS6)では、コア部を延伸して直径24mmとし、更に外周部を研削して直径17mmとする。
ロッドインコラプス工程(ステップS7)では、コア部の外側に第1クラッド部を設ける。このとき、フッ素が添加された石英系ガラスパイプの内部にコア部を挿入して、外部熱源によって両者を加熱し一体化するロッドインコラプス法を用いる。コア部と第1クラッド部との相対比屈折率差は最大で0.34%程度である。このロッドインコラプス法による合成の結果、コア部及びその近傍の第1クラッド部の水分量は十分に低く抑制することが可能である。
OVD工程(ステップS8)では、コア部10および第1クラッド部が一体化されてなるロッドを延伸して所定径とした後、そのロッドの外側にフッ素を含む第2クラッド部をOVD法により合成して、光ファイバ母材を製造する。
線引工程(ステップS9)では、以上の光ファイバ母材製造方法により製造された光ファイバ母材を線引することで光ファイバを得ることができる。線引速度は2,300m/minであり、線引張力は0.5Nである。線引後のファイバ中のドーパント濃度を測定したところ、K濃度はコアの平均で10ppmであった。またCsはコアの平均で20ppmであった。得られた光ファイバの伝送損失は波長1550nmで0.150dB/kmであった。
光ファイバ母材においてコア部での第1ドーパント群の平均濃度が5ppm以上であることで、線引工程での拡散によりクラッド部へドーパントが広がった状態でコアの平均K濃度を0.2ppm以上にすることができる。また、ファイバ化後のコア平均濃度が10ppmであった光ファイバについては母材状態で50ppmの平均濃度であった。一方で、第2ドーパント群については、線引によりコア外に拡散しないので、ファイバ状態での平均濃度がそのまま母材状態での平均濃度となることから、母材状態での第2ドーパント群の濃度はファイバ状態での平均濃度と同じ0.2ppm以上100ppm以下であることが必要であった。
1…光ファイバ、11…コア、12…クラッド。

Claims (7)

  1. シリカガラスからなるコアと、
    前記コアを取り囲み、前記コアの屈折率より低い屈折率を有し、フッ素を含むシリカガラスからなるクラッドと、
    を備え、
    前記コアが、
    Na,Kおよびこれらの化合物のうちの何れかからなる第1ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含み、
    シリカガラスの粘性を下げるドーパントであって温度2000℃〜2300℃のいずれかの温度での拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ前記第1ドーパント群の拡散係数より小さい第2ドーパント群を平均濃度で0.2ppm以上含む、
    光ファイバ。
  2. 前記第1ドーパント群の平均濃度が10ppm以下である請求項1に記載の光ファイバ。
  3. 前記コアおよび前記クラッドのうちモードフィールド径の3倍までの領域において前記第1ドーパント群の平均濃度が0.2ppm以上10ppm以下であり、
    前記コアにおいて前記第2ドーパント群の平均濃度が前記第1ドーパント群の平均濃度より高い、
    請求項1または2に記載の光ファイバ。
  4. 前記コアにおいて前記第2ドーパント群の平均濃度が0.2ppm以上100ppm以下である、
    請求項1〜3の何れか1項に記載の光ファイバ。
  5. 前記コアが、前記第2ドーパント群としてRb、Cs、Mg、Ca、Srのうちの何れか1以上を平均濃度0.2ppm以上100ppm以下含む、
    請求項1〜4の何れか1項に記載の光ファイバ。
  6. シリカガラスからなり、光ファイバのコアとなるコア部と、
    前記コア部を取り囲み、前記コア部の屈折率より低い屈折率を有し、フッ素を含むシリカガラスからなり、前記光ファイバのクラッドとなるクラッド部と、
    を備え、
    前記コア部が、Na,Kおよびこれらの化合物のうちの何れかからなる第1ドーパント群を平均濃度20ppm以上100ppm以下含み、シリカガラスの粘性を下げるドーパントであって温度2000℃〜2300℃の何れかの温度での拡散係数が1×10−12cm/s以上かつ前記第1ドーパント群の拡散係数より小さい第2ドーパント群を平均濃度0.2ppm以上100ppm以下含む、
    光ファイバ母材。
  7. 前記第1ドーパント群の濃度が最大となる位置が、光ファイバにおいてモードフィールド径の1/3倍以下となる円筒領域内にある請求項6記載の光ファイバ母材。
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