JP2016096679A - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】単電源の基準電位以下になる負の電位を発生できるゲート駆動回路を提供する。【解決手段】電源は単電源とし、ダイオードと抵抗とコンデンサで構成する回路により、ゲート駆動信号に負の電位を発生させる。加えて、回路素子の定数によって信号を制御でき、負電圧を発生する電源回路を省略でき、回路を簡素化できる。【選択図】図1
Description
本開示は、ワイドギャップ半導体のゲート駆動に関するものである。
従来のゲート駆動回路として、負電源を持つ駆動回路によりゲート駆動電位を負の電位に制御し、ターンオフを高速化する回路は、特開2013−042612号公報によって知られている。
しかしながら、従来のゲート駆動回路では、ゲート駆動信号を得るために、負電位を用意する必要があり、回路規模が大きくなるという問題がある。
上記課題を解決するために、本開示は、電源は単電源とし、ダイオードと抵抗とコンデンサで構成する回路により、ゲート駆動信号に負の電位を発生させる。
本開示によれば、ゲート駆動信号に単電源の基準電位以下になる負の電位を、単電源のみで発生させることができる。
(実施の形態1)
本開示の実施の形態1におけるゲート駆動回路について図面を参照しながら説明する。図1は本開示の実施の形態1におけるゲート駆動回路の回路図である。
本開示の実施の形態1におけるゲート駆動回路について図面を参照しながら説明する。図1は本開示の実施の形態1におけるゲート駆動回路の回路図である。
制御信号1は、ゲートG100を駆動して、Q200をターンオン、ターンオフするための信号であって、制御信号1がハイレベルのときにQ200をターンオン、制御信号1がローレベルのときにQ200をターンオフする。
制御信号1は、インバータG100に接続され、Q100とQ110からなるインバータ回路の、Q100とQ110のゲートの双方へ接続される。Q100はPchMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、Q110はNchMOSFETとしているが、同じ論理出力をする回路であれば、他の種類のトランジスタを用いても良い。
Q100のドレインとR1を介してR3とC1を直列に接続した回路と、D1とD2とD3を直列に接続した回路のD1のアノードと、R4とD4のカソードの接続になる直列に接続した回路と、R2を介してQ110のドレインと接続し、D4のカソードとR5とD5の並列接続した回路をD4のアノードと接続している回路構成をとる。
以上の回路は、ブロック200である。D5のカソードは、Q200のゲートと接続している。Q200は、GaNFETである。Q200のゲート電位は、制御信号1がハイレベルになったときに、Q100がオン、Q110がオフすることにより、電源E1からVDD1の電圧がQ100のドレインに生じる。
そのときの電位がR1に印加されると、Q110はオフであり、D4の逆方向の電位のため、R1からR3を介してC1へ電荷として充電され、C1の電位は、D1とD2とD3を直列接続され、R1とR3とR5の直列抵抗で確定した電流値に見合った順方向電圧の合計の電位まで充電されるとともに、VDD1からその電位を引いた図2で示す電位1100の電圧が生じ、Q200をオンさせる電圧を発生させる。
次に、制御信号1がローレベルになったときに、Q100がオフ、Q110がオンすることにより、GNDレベルVSS1の電圧が、Q110のドレインに生じる。
そのときの電位がR2に印加されると、C1に充電されていた電圧は、R3とC1の接続点の電圧をVSS1にしようとするため、C1とQ200のゲートの接続点の電圧、つまり、Q200のゲート電圧は、D5の順方向電圧で制限されたVSS1よりも低い、図2で示す電位900となる。
上記電圧は、Q110がオンしている間は、R5とD4とR4とR2の回路により放電されて、最終的にはVSS1レベルになる。この動作により、図2に示す信号が発生し、Q200のターンオンを犠牲にせずに、ターンオフを速めることが可能になる。
(実施の形態2)
図3は、本開示の実施の形態2におけるゲート駆動回路の回路図であり、公知のハーフブリッジ回路である。ブロック201は、ブロック200と同じ回路構成をとる回路である。ブロック101には、ブロック100と、レベルシフタ3と、ゲートG100と逆の論理になる正論理のゲートG101と、VDD2の電位になる電源E2と、電圧生成器2を追加で具備している。
図3は、本開示の実施の形態2におけるゲート駆動回路の回路図であり、公知のハーフブリッジ回路である。ブロック201は、ブロック200と同じ回路構成をとる回路である。ブロック101には、ブロック100と、レベルシフタ3と、ゲートG100と逆の論理になる正論理のゲートG101と、VDD2の電位になる電源E2と、電圧生成器2を追加で具備している。
電圧生成器2は、Q201のソースおよび、Q111のソースと接続されていて、ソースの電圧からチャージポンプとレギュレータによりQ101のドレイン電圧をQ201のドレイン電圧より高電圧にし、Q101のドレインとG101へ印加して、Q201のゲートドライブ電位を得るための回路である。
レベルシフタ3は、制御信号1をG101の動作レベルへシフトするための回路である。制御信号1とQ200の関係は、実施形態1で述べたものと同じ動作になる。
図3に新しく追加されている制御信号1とQ201の関係を説明する。制御信号1は、レベルシフタ3を介してインバータG101に接続され、Q101とQ111からなるインバータ回路の、Q101とQ111のゲートの双方へ接続される。Q101はPchMOSFET、Q111はNchMOSFETとしているが、同じ論理出力をする回路であれば、他の種類のトランジスタを用いても良い。
Q101のドレインとR10を介してR30とC10を直列に接続した回路と、D10とD20とD30を直列に接続した回路のD10のアノードと、R40とD40のカソードの接続になる直列に接続した回路と、R20を介してQ111のドレインと接続し、D40のカソードとR50とD50の並列接続した回路をD40のアノードと接続している回路構成をとる。
以上の回路は、ブロック201である。D50のカソードは、Q201のゲートと接続している。Q201は、GaNFETである。Q201のゲート電位は、制御信号1がハイレベルになったときに、Q101がオフ、Q111がオンすることにより、電圧生成器2からQ201のソース電位にQ201を駆動するための電圧を生成された電圧がQ101のドレインに生じる。
そのときの電位がR10に印加されると、Q101がオフ、Q111がオンすることにより、GNDレベルVSS1の電圧が、Q111のドレインに生じる。
そのときの電位がR20に印加されると、C10に充電されていた電圧は、R30とC10の接続点の電圧をQ201のソース電位にしようとするため、C10とQ201のゲートの接続点の電圧、つまり、Q201のゲート電圧は、D50の順方向電圧で制限された、Q201のソース電位よりも低い、図4で示す電位901となる。
上記電圧は、Q111がオンしている間は、R50とD40とR40とR20の回路により放電されて、最終的にはQ201のソース電位になる。
次に、制御信号1がローレベルになったときには、Q101はオンであり、D40の逆方向の電位のため、R10からR30を介してC10へ電荷として充電され、C10の電位は、D10とD20とD30を直列接続され、R10とR30とR50の直列抵抗で確定した電流値に見合った順方向電圧の合計の電位までで充電されるとともに、電圧生成器2で生成された電位から生成され、Q101のドレインと接続されている電位を引いた図4で示す電位1101の電圧が生じ、Q201をオンさせる電圧を発生させる。
この動作により、図2に示す信号が発生し、Q200のターンオンを犠牲にせずに、ターンオフを速めることが可能になる。
図4に、制御信号1と、Q200のゲートとソース間の電位および、Q201のゲートとソース間の電位の関係を示す。図3の回路により、ハーフブリッジ回路の、Q200および、Q201のターンオン時間を犠牲にせずに、ターンオフを高速化する。
以上のように、本開示によれば、ゲート駆動信号に単電源の基準電位以下になる負の電位を、単電源のみで発生させることができる。加えて、回路素子の定数によって信号を制御でき、負電圧を発生する電源回路を省略でき、回路を簡素化できる。
100 ブロック
101 ブロック
200 ブロック
201 ブロック
101 ブロック
200 ブロック
201 ブロック
Claims (1)
- 単電源の回路から、抵抗とコンデンサとダイオードを用いてゲート駆動信号に負の電圧を発生させるゲート駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014232202A JP2016096679A (ja) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | ゲート駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014232202A JP2016096679A (ja) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | ゲート駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016096679A true JP2016096679A (ja) | 2016-05-26 |
Family
ID=56070919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014232202A Pending JP2016096679A (ja) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | ゲート駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016096679A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7457951B2 (ja) | 2018-02-28 | 2024-03-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スイッチング回路 |
-
2014
- 2014-11-14 JP JP2014232202A patent/JP2016096679A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7457951B2 (ja) | 2018-02-28 | 2024-03-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スイッチング回路 |
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