JP2016096310A5 - - Google Patents
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Description
本発明にかかる半導体光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板と、前記ｎ型ＩｎＰ基板上に設けられた、半導体レーザ部と、前記ｎ型ＩｎＰ基板上における前記半導体レーザ部の隣に設けられ、前記半導体レーザ部からのレーザ光を受ける光変調器と、前記ｎ型ＩｎＰ基板上における前記光変調器の隣に設けられ、前記光変調器から出射する光を受けるスポットサイズ変換器と、前記ｎ型ＩｎＰ基板上における前記スポットサイズ変換器の隣に設けられ、前記スポットサイズ変換器から出射する光を受ける埋込窓と、前記ｎ型ＩｎＰ基板と前記スポットサイズ変換器との間および前記ｎ型ＩｎＰ基板と前記埋込窓との間に設けられ、前記光変調器の出射光が前記スポットサイズ変換器および前記埋込窓で曲がらないように前記スポットサイズ変換器および前記埋込窓の下層において屈折率を調整する光出射角調整層と、を備える。
Claims (6)
- ｎ型ＩｎＰ基板と、
前記ｎ型ＩｎＰ基板上に設けられた、半導体レーザ部と、
前記ｎ型ＩｎＰ基板上における前記半導体レーザ部の隣に設けられ、前記半導体レーザ部からのレーザ光を受ける光変調器と、
前記ｎ型ＩｎＰ基板上における前記光変調器の隣に設けられ、前記光変調器から出射する光を受けるスポットサイズ変換器と、
前記ｎ型ＩｎＰ基板上における前記スポットサイズ変換器の隣に設けられ、前記スポットサイズ変換器から出射する光を受ける埋込窓と、
前記ｎ型ＩｎＰ基板と前記スポットサイズ変換器との間および前記ｎ型ＩｎＰ基板と前記埋込窓との間に設けられ、前記光変調器の出射光が前記スポットサイズ変換器および前記埋込窓で曲がらないように前記スポットサイズ変換器および前記埋込窓の下層において屈折率を調整する光出射角調整層と、
を備えた半導体光素子。 - 前記半導体レーザ部が、ｎ型ＩｎＰクラッド層を含み、
前記光出射角調整層が、前記ｎ型ＩｎＰクラッド層よりも不純物ドーピング密度が小さいｎ型ＩｎＰ層を含む請求項１に記載の半導体光素子。 - 前記光出射角調整層が、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体光素子。
- 前記光出射角調整層が、前記ｎ型ＩｎＰ基板と前記半導体レーザ部との間および前記ｎ型ＩｎＰ基板と前記光変調器との間にも設けられた請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体光素子。
- 前記光出射角調整層が、前記ｎ型ＩｎＰ基板と前記半導体レーザ部との間および前記ｎ型ＩｎＰ基板と前記光変調器との間には、設けられていない請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体光素子。
- ｎ型ＩｎＰ基板上に光出射角調整層を成長させる工程と、
前記光出射角調整層の上に、半導体レーザ部を形成するための複数の半導体層を成長させる工程と、
前記複数の半導体層の上に前記半導体レーザ部の形成領域を覆うマスクを設け、前記複数の半導体層をエッチング除去し、前記光出射角調整層を露出させる工程と、
前記エッチング除去により露出した前記光出射角調整層の上に、前記光出射角調整層の平面方向に並べて光変調器、スポットサイズ変換器、および埋込窓を成長させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。
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