JP2016086004A - Print wiring board - Google Patents

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JP2016086004A JP2014215980A JP2014215980A JP2016086004A JP 2016086004 A JP2016086004 A JP 2016086004A JP 2014215980 A JP2014215980 A JP 2014215980A JP 2014215980 A JP2014215980 A JP 2014215980A JP 2016086004 A JP2016086004 A JP 2016086004A
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浅野 浩二
Koji Asano
浩二 浅野
康裕 川合
Yasuhiro Kawai
康裕 川合
博文 二村
Hirobumi Futamura
博文 二村
暁秀 石原
Akihide Ishihara
暁秀 石原
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent warpage of a printed wiring board.SOLUTION: A printed wiring board according to an embodiment includes a core material having a first surface and a second surface. The number of conductor layers on the first surface of the core material is different from the number of conductor layers on the second surface. A thickness of a second conductor layer on the second surface is larger than a thickness of a first conductor layer on the first surface.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、絶縁基板と上側の樹脂絶縁層と第1導体層と下側の樹脂絶縁層と第2導体層とを有するプリント配線板に関する。 The present invention relates to a printed wiring board having an insulating substrate, an upper resin insulating layer, a first conductor layer, a lower resin insulating layer, and a second conductor layer.

特許文献1は電子部品を内蔵する配線基板を開示している。特許文献1の図1に示される配線基板は、表面と裏面を有すると共に裏面側に形成されている凹部を有するコア基板とコア基板の凹部に内蔵されている電子部品とコア基板の表面上に形成されている絶縁層とコア基板の裏面上に形成されている絶縁層(ソルダーレジスト層)とを有する。そして、特許文献の図1によれば、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数は3層であり、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数は1層である。そして、コア基板の裏面上に形成されている絶縁層はコア基板の凹部や電子部品上に形成されていない。 Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228561 discloses a wiring board with a built-in electronic component. The wiring substrate shown in FIG. 1 of Patent Document 1 has a core substrate having a front surface and a back surface and a recess formed on the back surface side, an electronic component built in the recess of the core substrate, and a surface of the core substrate. It has the insulating layer formed and the insulating layer (solder resist layer) formed on the back surface of the core substrate. According to FIG. 1 of the patent document, the number of insulating layers formed on the surface of the core substrate is three, and the number of insulating layers formed on the back surface of the core substrate is one. . And the insulating layer formed on the back surface of the core substrate is not formed on the concave portion or the electronic component of the core substrate.

特開2003−046255号公報JP 2003-046255 A

特許文献1の図1に示される配線基板では、コア基板の表面上に形成されている絶縁層の数とコア基板の裏面上に形成されている絶縁層の数が異なる。そのため、配線基板の反りが大きくなると考えられる。 In the wiring substrate shown in FIG. 1 of Patent Document 1, the number of insulating layers formed on the surface of the core substrate is different from the number of insulating layers formed on the back surface of the core substrate. For this reason, it is considered that the warping of the wiring board increases.

本発明の目的は、プリント配線板の反りを小さくすることである。 An object of the present invention is to reduce the warpage of a printed wiring board.

本発明に係るプリント配線板は、第1面と前記第1面と反対側の第2面を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の前記第1面上に形成されている第1導体層と、前記第1面と前記第1導体層上に積層されているN層の上側の樹脂絶縁層と、隣接する前記上側の樹脂絶縁層間に形成されている(N−1)層の上側の導体層と、前記絶縁基板の前記第2面上に形成されている第2導体層と、
前記第2面と前記第2導体層上に積層されているK層の下側の樹脂絶縁層と、隣接する前記下側の樹脂絶縁層間に形成されている(K−1)層の下側の導体層と、を有する。そして、前記Nは2以上の整数であり、前記Kは1以上の整数であって、前記Nの数字は前記Kの数字より大きく、前記第2導体層の厚みは全ての前記上側の導体層の厚みと前記第1導体層の厚みより厚い。
A printed wiring board according to the present invention includes an insulating substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a first conductor layer formed on the first surface of the insulating substrate, The N-layer upper resin insulation layer laminated on the first surface and the first conductor layer and the (N-1) upper conductor layer formed between the adjacent upper resin insulation layers. A second conductor layer formed on the second surface of the insulating substrate;
The lower side of the (K-1) layer formed between the lower resin insulation layer of the K layer laminated on the second surface and the second conductor layer and the adjacent lower resin insulation layer And a conductor layer. The N is an integer of 2 or more, the K is an integer of 1 or more, the number of N is larger than the number of K, and the thickness of the second conductor layer is all the upper conductor layers. And the thickness of the first conductor layer.

本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on embodiment of this invention. 実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of embodiment. 実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。Process drawing which shows the manufacturing method of the printed wiring board of embodiment. 図4(A)は実施形態のプリント配線板の一部の断面を示し、図4(B)は実施形態の配線基板の一部の断面を示し、図4(C)は半田バンプを有する配線基板の断面を示す。4A shows a partial cross section of the printed wiring board of the embodiment, FIG. 4B shows a partial cross section of the wiring board of the embodiment, and FIG. 4C shows a wiring having solder bumps. The cross section of a board | substrate is shown. 図5(A)は実施形態のプリント配線板の断面の略図を示し、図5(B)は実施形態の配線基板の応用例の断面を示す図である。FIG. 5A is a schematic diagram of a cross section of the printed wiring board of the embodiment, and FIG. 5B is a diagram illustrating a cross section of an application example of the wiring board of the embodiment. 図6(A)は実施形態のプリント配線板のコア基板の第1面の平面図であり、図6(B)はコア基板の第2面の平面図である。FIG. 6A is a plan view of the first surface of the core substrate of the printed wiring board according to the embodiment, and FIG. 6B is a plan view of the second surface of the core substrate. 図7(A)は実施形態のプリント配線板の平面図であり、図7(B)は配線基板の平面図である。図7(C)は実施形態の改変例に係る配線基板の断面図である。FIG. 7A is a plan view of the printed wiring board of the embodiment, and FIG. 7B is a plan view of the wiring board. FIG. 7C is a cross-sectional view of a wiring board according to a modification of the embodiment.

図7(A)は、実施形態のプリント配線板100の平面図であり、プリント配線板100は製品エリア10Gと枠部98で形成されている。枠部98は製品エリア10Gを囲んでいる。図7(A)に示されるように、製品エリア10G内に複数の製品(配線基板)10が形成されている。製品10はマトリクス状に配列されている。1つの製品10が図7(B)に示されている。図7(B)は1つの製品(配線基板)10の平面図である。 FIG. 7A is a plan view of the printed wiring board 100 of the embodiment, and the printed wiring board 100 is formed by a product area 10G and a frame portion 98. FIG. The frame portion 98 surrounds the product area 10G. As shown in FIG. 7A, a plurality of products (wiring boards) 10 are formed in the product area 10G. The products 10 are arranged in a matrix. One product 10 is shown in FIG. FIG. 7B is a plan view of one product (wiring board) 10.

図5(A)は、実施形態のプリント配線板100の断面の略図である。図5(A)に示されるように実施形態の配線基板10やプリント配線板100は、コア基板30を有する。コア基板30は第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sを有する絶縁基板(コア材)20zと絶縁基板20zの第1面F上に形成されている第1導体層34Fと絶縁基板20zの第2面S上に形成されている第2導体層34Sを有する。 FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of the printed wiring board 100 of the embodiment. As shown in FIG. 5A, the wiring board 10 and the printed wiring board 100 of the embodiment have a core substrate 30. The core substrate 30 has an insulating substrate (core material) 20z having a first surface F and a second surface S opposite to the first surface F, and a first conductor layer 34F formed on the first surface F of the insulating substrate 20z. And a second conductor layer 34S formed on the second surface S of the insulating substrate 20z.

コア基板30はさらに第1導体層34Fと第2導体層34Sとを接続しているスルーホール導体36を有する。スルーホール導体36は絶縁基板20zを貫通している貫通孔28に形成されている。図1(B)に示されるように、貫通孔28は、第1面側に形成されている第1開口部28Fと第2面側に形成されている第2開口部28Sで形成されている。貫通孔の形状は、砂時計形状である。貫通孔28やスルーホール導体36は、例えば、US7786390に開示されている方法で製造される。US7786390の内容は本明細書に取り込まれる。第1導体層や第2導体層は図示されていない複数の導体回路とスルーホール導体36直上の導体とスルーホール導体36の周りに形成されている導体で形成されているスルーホール導体のランドと枠部内回路98F、98Sを含む。図4(B)に示されるように、第1導体層は厚みt1を有し、第2導体層は厚みt2を有する。厚みt2は厚みt1より厚い。コア基板30の第1面と絶縁基板20zの第1面は同じ面であり、コア基板30の第2面と絶縁基板20zの第2面は同じ面である。コア基板は図5(A)に示されるように、電子部品を内蔵するための開口26を有する。開口26は絶縁基板を貫通している。開口26内に電子部品80が内蔵される。 The core substrate 30 further includes a through-hole conductor 36 that connects the first conductor layer 34F and the second conductor layer 34S. The through-hole conductor 36 is formed in the through hole 28 that penetrates the insulating substrate 20z. As shown in FIG. 1B, the through hole 28 is formed by a first opening 28F formed on the first surface side and a second opening 28S formed on the second surface side. . The shape of the through hole is an hourglass shape. The through hole 28 and the through hole conductor 36 are manufactured by, for example, a method disclosed in US77786390. The contents of US77786390 are incorporated herein. The first conductor layer and the second conductor layer include a plurality of conductor circuits (not shown), a conductor immediately above the through-hole conductor 36, and a land of a through-hole conductor formed of a conductor formed around the through-hole conductor 36. In-frame circuits 98F and 98S are included. As shown in FIG. 4B, the first conductor layer has a thickness t1, and the second conductor layer has a thickness t2. The thickness t2 is thicker than the thickness t1. The first surface of the core substrate 30 and the first surface of the insulating substrate 20z are the same surface, and the second surface of the core substrate 30 and the second surface of the insulating substrate 20z are the same surface. As shown in FIG. 5A, the core substrate has an opening 26 for containing an electronic component. The opening 26 penetrates the insulating substrate. An electronic component 80 is built in the opening 26.

絶縁基板20zの第1面Fと第1導体層34F上に上側の樹脂絶縁層50F、150F、250F、350Fが積層されている。上側の樹脂絶縁層の層数はNである。Nは2以上の整数である。N番目の上側の樹脂絶縁層は最上の樹脂絶縁層である。最上の樹脂絶縁層は上側のソルダーレジスト層350Fとして機能する。
隣接する上側の樹脂絶縁層間に上側の導体層58F、158F、258Fが形成されている。N番目の上側の樹脂絶縁層と(N−1)番目の上側の樹脂絶縁層に挟まれる上側の導体層は最上の導体層258Fである。最上の導体層は、図5(B)に示される電子部品90や第2のパッケージ基板130を搭載するための上側のパッド73F(73FI、73FO)を有する。
Upper resin insulating layers 50F, 150F, 250F, and 350F are laminated on the first surface F of the insulating substrate 20z and the first conductor layer 34F. The number of upper resin insulation layers is N. N is an integer of 2 or more. The Nth upper resin insulation layer is the uppermost resin insulation layer. The uppermost resin insulation layer functions as the upper solder resist layer 350F.
Upper conductor layers 58F, 158F, and 258F are formed between adjacent upper resin insulation layers. The upper conductor layer sandwiched between the Nth upper resin insulation layer and the (N-1) th upper resin insulation layer is the uppermost conductor layer 258F. The uppermost conductor layer has upper pads 73F (73FI, 73FO) for mounting the electronic component 90 and the second package substrate 130 shown in FIG. 5B.

各上側の樹脂絶縁層は開口を有する。各上側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの上側の樹脂絶縁層を貫通している。
上側のソルダーレジスト層350Fは開口71F(71FI、71FO)を有し、開口により露出される最上の導体層258Fは上側のパッド73Fとして機能する。図5などに示されるように、開口71FIにより露出される上側のパッドは上側の第1パッド73FIである。上側の第1パッド73FIは配線基板の実装面の略中央に形成されていて、複数の上側の第1パッド73FIでC4パッド群が形成される。開口71FOにより露出される上側のパッドは、上側の第2パッド73FOである。上側の第2パッド73FOはC4パッド群の外に形成されている。図5(B)に示されるように、上側の第1パッド73FI上にICチップ等の電子部品90が搭載される。上側の第2パッド73FOを介して配線基板上に第2のパッケージ基板130が搭載される。
Each upper resin insulating layer has an opening. The opening formed in each upper resin insulation layer passes through each upper resin insulation layer.
The upper solder resist layer 350F has an opening 71F (71FI, 71FO), and the uppermost conductor layer 258F exposed by the opening functions as the upper pad 73F. As shown in FIG. 5 and the like, the upper pad exposed by the opening 71FI is the upper first pad 73FI. The upper first pad 73FI is formed substantially at the center of the mounting surface of the wiring board, and a plurality of upper first pads 73FI form a C4 pad group. The upper pad exposed by the opening 71FO is the upper second pad 73FO. The upper second pad 73FO is formed outside the C4 pad group. As shown in FIG. 5B, an electronic component 90 such as an IC chip is mounted on the upper first pad 73FI. The second package substrate 130 is mounted on the wiring substrate via the upper second pad 73FO.

1番目の上側の樹脂絶縁層から(N−1)番目の上側の樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有する。ビア導体用の開口にビア導体60F、160F、260Fが形成され、ビア導体により隣接する導体層が接続される。
各上側の樹脂絶縁層50F、150F、250F、350Fはコア基板30と電子部品80を内蔵する開口26上に形成されていて、1番目の上側の樹脂絶縁層50Fはコア基板と電子部品を内蔵する開口26を覆っている。
図5(A)では、上側の樹脂絶縁層50F、150F、250F、350Fは4層である。4番目の上側の樹脂絶縁層350Fは上側のソルダーレジスト層である。そして、ソルダーレジスト層350Fは上側のパッド73Fを露出する開口71Fを有する。
The (N-1) th upper resin insulation layer from the first upper resin insulation layer has openings for via conductors. Via conductors 60F, 160F, and 260F are formed in the opening for the via conductor, and adjacent conductor layers are connected by the via conductor.
Each upper resin insulation layer 50F, 150F, 250F, 350F is formed on the opening 26 containing the core substrate 30 and the electronic component 80, and the first upper resin insulation layer 50F contains the core substrate and the electronic component. The opening 26 to be covered is covered.
In FIG. 5A, the upper resin insulation layers 50F, 150F, 250F, and 350F are four layers. The fourth upper resin insulation layer 350F is an upper solder resist layer. The solder resist layer 350F has an opening 71F that exposes the upper pad 73F.

実施形態の配線基板10やプリント配線板100では、上側の導体層58F、158F、258Fは3層である。1番目の上側の樹脂絶縁層50Fと2番目の上側の樹脂絶縁層150Fに挟まれている上側の導体層58Fが第1の上側の導体層である。2番目の上側の樹脂絶縁層150Fと3番目の上側の樹脂絶縁層250Fに挟まれている上側の導体層158Fが第2の上側の導体層である。3番目の上側の樹脂絶縁層250Fと4番目の上側の樹脂絶縁層350Fに挟まれている上側の導体層258Fが第3の上側の導体層である。第3の上側の導体層258Fが最上の導体層であり、最上の導体層はICチップ等の電子部品90や第2のパッケージ基板130を搭載するための上側のパッド73Fを有する。上側のパッドは、上側の第2パッド73FOを有さず、上側の第1パッド73FIのみで形成されてもよい。上側のパッドは上側のソルダーレジスト層350Fの開口71Fにより露出される。 In the wiring board 10 and the printed wiring board 100 of the embodiment, the upper conductor layers 58F, 158F, and 258F are three layers. The upper conductor layer 58F sandwiched between the first upper resin insulation layer 50F and the second upper resin insulation layer 150F is the first upper conductor layer. The upper conductor layer 158F sandwiched between the second upper resin insulation layer 150F and the third upper resin insulation layer 250F is the second upper conductor layer. An upper conductor layer 258F sandwiched between the third upper resin insulation layer 250F and the fourth upper resin insulation layer 350F is the third upper conductor layer. The third upper conductor layer 258F is the uppermost conductor layer, and the uppermost conductor layer has an upper pad 73F for mounting the electronic component 90 such as an IC chip and the second package substrate 130. The upper pad may not be provided with the upper second pad 73FO but may be formed only by the upper first pad 73FI. The upper pad is exposed through the opening 71F of the upper solder resist layer 350F.

実施形態の配線基板10では、1番目の上側の樹脂絶縁層50Fと2番目の上側の樹脂絶縁層150Fと3番目の上側の樹脂絶縁層250Fは、それぞれ、ビア導体用の開口を有する。
実施形態の配線基板10では、上側の樹脂絶縁層50Fのビア導体用の開口に第1の上側のビア導体60Fが形成されている。ビア導体60Fで第1導体層34Fと導体層58Fが接続されている。ビア導体60Fで電極82と導体層58Fが接続されている。上側の樹脂絶縁層150Fのビア導体用の開口に第2の上側のビア導体160Fが形成されている。ビア導体160Fで導体層58Fと導体層158Fが接続されている。上側の樹脂絶縁層250Fのビア導体用の開口に第3の上側のビア導体260Fが形成されている。ビア導体260Fで導体層158Fと導体層258Fが接続されている。
In the wiring board 10 of the embodiment, the first upper resin insulation layer 50F, the second upper resin insulation layer 150F, and the third upper resin insulation layer 250F each have openings for via conductors.
In the wiring substrate 10 of the embodiment, the first upper via conductor 60F is formed in the via conductor opening of the upper resin insulation layer 50F. The first conductor layer 34F and the conductor layer 58F are connected by the via conductor 60F. The electrode 82 and the conductor layer 58F are connected by the via conductor 60F. A second upper via conductor (160F) is formed in the via conductor opening of the upper resin insulation layer (150F). The conductor layer 58F and the conductor layer 158F are connected by the via conductor 160F. A third upper via conductor (260F) is formed in the via conductor opening of the upper resin insulation layer (250F). The conductor layer 158F and the conductor layer 258F are connected by the via conductor 260F.

図5(A)に示されるように、絶縁基板20zの第2面Sと第2導体層34S上に下側の樹脂絶縁層50Sが積層されている。下側の樹脂絶縁層の層数はKである。Kは1以上の整数である。Kの数字はNの数字より小さい。NとKの差は、2以下であることが好ましい。プリント配線板の反りが小さくなる。上側の樹脂絶縁層の数は下側の樹脂絶縁層の数より多い。K番目の下側の樹脂絶縁層は最下の下側の樹脂絶縁層である。最下の下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層(下側の保護層)として機能する。
各下側の樹脂絶縁層はコア基板と電子部品を内蔵する開口上に形成されていて、1番目の下側の樹脂絶縁層50Sはコア基板30と電子部品80を内蔵する開口26を覆っている。
As shown in FIG. 5A, the lower resin insulating layer 50S is laminated on the second surface S and the second conductor layer 34S of the insulating substrate 20z. The number of lower resin insulation layers is K. K is an integer of 1 or more. The number K is smaller than the number N. The difference between N and K is preferably 2 or less. The warpage of the printed wiring board is reduced. The number of upper resin insulation layers is greater than the number of lower resin insulation layers. The Kth lower resin insulation layer is the lowermost lower resin insulation layer. The lowermost resin insulation layer functions as a lower solder resist layer (lower protective layer).
Each lower resin insulation layer is formed on the opening containing the core substrate and the electronic component, and the first lower resin insulation layer 50S covers the opening 26 containing the core substrate 30 and the electronic component 80. Yes.

Kが1の時、下側の樹脂絶縁層は1番目の下側の樹脂絶縁層(最下の下側の樹脂絶縁層)のみである。また、下側の導体層は存在しない。Kが1の時、最下の下側の樹脂絶縁層は下側のソルダーレジスト層として機能する。下側のソルダーレジスト層は開口51Sを有する。下側のソルダーレジスト層50Sの開口51Sにより第2導体層34Sが露出される。下側のソルダーレジスト層50Sの開口51Sにより露出される第2導体層34Sは下側のパッド53Sとして機能する。図4(C)に示されるように、下側のソルダーレジスト層50Sは電子部品の電極82を露出する開口51Sを有しても良い。下側のパッド53Sや電極82を介して配線基板はマザーボードに搭載される。
全ての下側の導体層34Sの厚みは全ての上側の導体層58F、158F、258Fの厚みより厚い。
When K is 1, the lower resin insulation layer is only the first lower resin insulation layer (the lowermost lower resin insulation layer). There is no lower conductor layer. When K is 1, the lowermost lower resin insulating layer functions as a lower solder resist layer. The lower solder resist layer has an opening 51S. The second conductor layer 34S is exposed through the opening 51S of the lower solder resist layer 50S. The second conductor layer 34S exposed through the opening 51S of the lower solder resist layer 50S functions as the lower pad 53S. As shown in FIG. 4C, the lower solder resist layer 50S may have an opening 51S that exposes the electrode 82 of the electronic component. The wiring board is mounted on the mother board via the lower pad 53S and the electrode 82.
The thickness of all the lower conductor layers 34S is larger than the thickness of all the upper conductor layers 58F, 158F, 258F.

Kが2以上であると、隣接する下側の樹脂絶縁層間に下側の導体層が形成される。K番目の下側の樹脂絶縁層と(K−1)番目の下側の樹脂絶縁層に挟まれる下側の導体層は最下の下側の導体層である。最下の下側の導体層はマザーボードと接続するための下側のパッド53Sを有する。 When K is 2 or more, a lower conductor layer is formed between adjacent lower resin insulation layers. The lower conductor layer sandwiched between the Kth lower resin insulation layer and the (K-1) th lower resin insulation layer is the lowermost lower conductor layer. The lowermost lower conductive layer has a lower pad 53S for connecting to the motherboard.

各下側の樹脂絶縁層は開口を有する。各下側の樹脂絶縁層に形成されている開口はそれぞれの下側の樹脂絶縁層を貫通している。
下側のソルダーレジスト層は開口を有し、開口により露出される最下の下側の導体層は下側のパッドとして機能する。下側のパッドを介して配線基板はマザーボードに接続される。
1番目の下側の樹脂絶縁層から(K−1)番目の下側の樹脂絶縁層はビア導体用の開口を有する。ビア導体用の開口に下側のビア導体が形成され、ビア導体により隣接する導体層が接続される。
図5(A)では、下側の樹脂絶縁層の数は1である。図5(A)に示される1番目の下側の樹脂絶縁層50Sは下側のソルダーレジスト層50Sである。そして、ソルダーレジスト層50Sは開口51Sを有する。開口51Sにより第2導体層に含まれる下側のパッド53Sや電極82が露出される。
Each lower resin insulating layer has an opening. The opening formed in each lower resin insulation layer penetrates each lower resin insulation layer.
The lower solder resist layer has an opening, and the lowermost conductive layer exposed by the opening functions as a lower pad. The wiring board is connected to the motherboard via the lower pad.
The (K-1) th lower resin insulation layer from the first lower resin insulation layer has openings for via conductors. A lower via conductor is formed in the opening for the via conductor, and adjacent conductor layers are connected by the via conductor.
In FIG. 5A, the number of lower resin insulation layers is one. The first lower resin insulation layer 50S shown in FIG. 5A is the lower solder resist layer 50S. The solder resist layer 50S has an opening 51S. The lower pad 53S and the electrode 82 included in the second conductor layer are exposed through the opening 51S.

図5(A)に示されるように、上側のソルダーレジスト層350Fの開口71Fから露出している上側のパッド73Fに半田バンプ76Fを形成することができる。
図4(C)に示されるように、下側のソルダーレジスト層50Sの開口51Sから露出するパッド53Sや電子部品の電極82に半田バンプ76Sを形成することができる。
As shown in FIG. 5A, the solder bump 76F can be formed on the upper pad 73F exposed from the opening 71F of the upper solder resist layer 350F.
As shown in FIG. 4C, solder bumps 76S can be formed on the pads 53S exposed from the openings 51S of the lower solder resist layer 50S and the electrodes 82 of the electronic component.

図5(B)は、実施形態の配線基板10の応用例1000を示す。応用例1000は、POP(Package on Package)基板である。
実施形態の配線基板10にC4パッド上の半田バンプ76FIを介してICチップ(ロジックチップ)等の電子部品90が実装される。配線基板10と電子部品90とからなる第1のパッケージ基板が完成する。そして、応用例では、第1のパッケージ基板120に第2パッド(上側の第2パッド)73FO上の半田バンプ76FOを介して第2のパッケージ基板130が搭載されている。第2のパッケージ基板130は上基板110と上基板上に実装されているメモリ等の電子部品190有する。
第1のパッケージ基板120と第2のパッケージ基板130との間にモールド樹脂102が形成されている。
上基板110上に電子部品190を封止するモールド樹脂202が形成されている。
図5(B)では、第1のパッケージ基板と第2のパッケージ基板を接続する接続体76FOは半田バンプ76FOである。半田バンプ以外に、接続体として、めっきポストやピンなどの金属ポストを例示することができる。めっきポストやピンの形状は円柱である。直円柱が好ましい。
また、配線基板10は下側のパッドにマザーボードと接続するための半田バンプ76Sを有しても良い。
FIG. 5B shows an application example 1000 of the wiring board 10 of the embodiment. The application example 1000 is a POP (Package on Package) substrate.
An electronic component 90 such as an IC chip (logic chip) is mounted on the wiring board 10 of the embodiment via the solder bump 76FI on the C4 pad. A first package substrate composed of the wiring substrate 10 and the electronic component 90 is completed. In the application example, the second package substrate 130 is mounted on the first package substrate 120 via the solder bumps 76FO on the second pad (upper second pad) 73FO. The second package substrate 130 includes an upper substrate 110 and an electronic component 190 such as a memory mounted on the upper substrate.
Mold resin 102 is formed between first package substrate 120 and second package substrate 130.
A mold resin 202 for sealing the electronic component 190 is formed on the upper substrate 110.
In FIG. 5B, the connection body 76FO that connects the first package substrate and the second package substrate is a solder bump 76FO. In addition to the solder bumps, examples of the connection body include metal posts such as plating posts and pins. The shape of the plating posts and pins is a cylinder. A right circular cylinder is preferable.
Further, the wiring board 10 may have solder bumps 76S for connecting to the motherboard on the lower pad.

図1(D)や図2(A)等に示されるように、絶縁基板20zは、電子部品収容用の開口26を有する。開口26は絶縁基板を貫通している。実施形態の配線基板の絶縁基板(コア材)20zは開口26を有するので、配線基板の強度が低下する。実施形態のプリント配線板では、コア基板の第1面上に積層されている樹脂絶縁層の数とコア基板の第2面上に積層されている樹脂絶縁層の数が異なる。そのため、実施形態の配線基板は反りやすい。そのため、プリント配線板100も反りやすい。 As shown in FIG. 1D, FIG. 2A, and the like, the insulating substrate 20z has an opening 26 for accommodating an electronic component. The opening 26 penetrates the insulating substrate. Since the insulating substrate (core material) 20z of the wiring board of the embodiment has the opening 26, the strength of the wiring board is lowered. In the printed wiring board according to the embodiment, the number of resin insulating layers stacked on the first surface of the core substrate is different from the number of resin insulating layers stacked on the second surface of the core substrate. Therefore, the wiring board of the embodiment is easily warped. Therefore, the printed wiring board 100 is also easily warped.

図5(A)は、プリント配線板100の断面の略図である。図5(A)は図7(A)中のX1−X1間に存在するプリント配線板の断面の略図である。図7(A)はソルダーレジスト層より上の位置からプリント配線板100を見ることで得られる図である。図7(A)は、上側のソルダーレジスト層350Fと上側のソルダーレジスト層の開口から露出する上側のパッド73Fとアライメントマーク258FAが示されている。図6(A)は、コア基板30の第1面Fの平面図である。図6(A)に第1導体層34Fと第1導体層34Fから露出するコア材の第1面が示されている。図6(A)に示されるように、第1導体層は製品エリア10G内に形成されている製品エリア内第1導体層34FPと枠部98(98F)内に形成されている枠部内第1導体層34FWで形成されている。枠部内第1導体層の面積を枠部内の絶縁基板の第1面の面積で割ることで得られる値は0.15以下である。図6(A)の例では、枠部内第1導体層はアライメントマーク34FAのみで形成されている。 FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of the printed wiring board 100. FIG. 5A is a schematic diagram of a cross section of a printed wiring board existing between X1 and X1 in FIG. FIG. 7A is a view obtained by viewing the printed wiring board 100 from a position above the solder resist layer. FIG. 7A shows the upper solder resist layer 350F, the upper pad 73F exposed from the opening of the upper solder resist layer, and the alignment mark 258FA. FIG. 6A is a plan view of the first surface F of the core substrate 30. FIG. 6A shows the first conductor layer 34F and the first surface of the core material exposed from the first conductor layer 34F. As shown in FIG. 6 (A), the first conductor layer is a first in-frame portion formed in the product area 10G and in the product area first conductor layer 34FP and in the frame portion 98 (98F). It is formed of a conductor layer 34FW. A value obtained by dividing the area of the first conductor layer in the frame by the area of the first surface of the insulating substrate in the frame is 0.15 or less. In the example of FIG. 6A, the first conductor layer in the frame portion is formed only by the alignment mark 34FA.

図6(B)は、コア基板30の第2面の平面図である。図6(B)に第2導体層34Sと第2導体層34Sから露出するコア材の第2面が示されている。図6(B)に示されるように、第2導体層は製品エリア10G内に形成されている製品エリア内第2導体層34SPと枠部98(98S)内に形成されている枠部内第2導体層34SWで形成されている。枠部内第2導体層34SWは枠部のほぼ全面を覆っている。枠部内第2導体層34SWはベタパターン(solid pattern)である。枠部内第2導体層の面積を枠部内の絶縁基板の第2面の面積で割ることで得られる値は0.85以上である。コア基板は、第2面Sの枠部98にアライメントマーク34SAを有する。アライメントマーク34SAは、枠部内第2導体層34SWから露出する第2面Sで形成されている。図4(A)は、図7(A)中のX3−X3間の断面図である。図4(A)に示されるように、コア基板30の第2面Sの枠部にベタパターン34SW(枠部内第2導体層)が形成されている。そして、ベタパターン34SWは、開口を有する。開口から露出する絶縁基板の第2面がアライメントマーク34SAとして機能する。 FIG. 6B is a plan view of the second surface of the core substrate 30. FIG. 6B shows the second conductor layer 34S and the second surface of the core material exposed from the second conductor layer 34S. As shown in FIG. 6 (B), the second conductor layer is the second conductor layer 34SP in the product area formed in the product area 10G and the second in-frame part formed in the frame part 98 (98S). It is formed of a conductor layer 34SW. The second conductor layer 34SW in the frame part covers almost the entire surface of the frame part. The second conductor layer 34SW in the frame portion has a solid pattern. A value obtained by dividing the area of the second conductor layer in the frame by the area of the second surface of the insulating substrate in the frame is 0.85 or more. The core substrate has an alignment mark 34SA on the frame portion 98 of the second surface S. The alignment mark 34SA is formed on the second surface S exposed from the second conductor layer 34SW in the frame portion. FIG. 4A is a cross-sectional view taken along the line X3-X3 in FIG. As shown in FIG. 4A, a solid pattern 34SW (second conductor layer in the frame portion) is formed on the frame portion of the second surface S of the core substrate 30. The solid pattern 34SW has an opening. The second surface of the insulating substrate exposed from the opening functions as the alignment mark 34SA.

図4(A)に示されるように、1番目の上側の樹脂絶縁層50Fと2番目の上側の樹脂絶縁層150Fと3番目の上側の樹脂絶縁層250Fは枠部98を有する。そして、1番目の上側の樹脂絶縁層50Fの枠部上に枠部内の第1の上側の導体層58FWが形成されている。2番目の上側の樹脂絶縁層150Fの枠部上に枠部内の第2の上側の導体層158FWが形成されている。3番目の上側の樹脂絶縁層250Fの枠部上に枠部内の第3の上側の導体層258FWが形成されている。
枠部内の第1の上側の導体層58FWの面積を枠部内の1番目の上側の樹脂絶縁層50Fの面積で割ることで得られる値は0より大きく0.15以下である。
枠部内の第2の上側の導体層158FWの面積を枠部内の2番目の上側の樹脂絶縁層150Fの面積で割ることで得られる値は0より大きく0.15以下である。
枠部内の第3の上側の導体層258FWの面積を枠部内の3番目の上側の樹脂絶縁層250Fの面積で割ることで得られる値は0より大きく0.15以下である。
枠部内の第1の上側の導体層と枠部内の第2の上側の導体層と枠部内の第3の上側の導体層はアライメントマークのみで形成されることが好ましい。
As shown in FIG. 4A, the first upper resin insulation layer 50F, the second upper resin insulation layer 150F, and the third upper resin insulation layer 250F have a frame portion 98. A first upper conductor layer 58FW in the frame is formed on the frame of the first upper resin insulation layer 50F. A second upper conductor layer 158FW in the frame is formed on the frame of the second upper resin insulation layer 150F. A third upper conductor layer 258FW in the frame portion is formed on the frame portion of the third upper resin insulation layer 250F.
A value obtained by dividing the area of the first upper conductor layer 58FW in the frame by the area of the first upper resin insulation layer 50F in the frame is greater than 0 and 0.15 or less.
A value obtained by dividing the area of the second upper conductor layer 158FW in the frame by the area of the second upper resin insulation layer 150F in the frame is greater than 0 and 0.15 or less.
A value obtained by dividing the area of the third upper conductor layer 258FW in the frame by the area of the third upper resin insulation layer 250F in the frame is greater than 0 and 0.15 or less.
The first upper conductor layer in the frame portion, the second upper conductor layer in the frame portion, and the third upper conductor layer in the frame portion are preferably formed only by alignment marks.

実施形態のプリント配線板100では、絶縁基板20zの第1面F上の上側の樹脂絶縁層50F、150F、250F、350Fの数は4であって、絶縁基板20zの第2面S上の下側の樹脂絶縁層50Sの数は1である。Nの数はKの数より大きい。両者の差は3である。また、プリント配線板100では、絶縁基板20zの第1面上の導体層34F、58F、158F、258Fの数が、絶縁基板20zの第2面上の導体層34Sの数より多い。プリント配線板100では、コア材の表裏で樹脂の体積や導体の体積が異なる。プリント配線板100は非対称な構造である。ここで、表は第1面であり、裏は第2面である。プリント配線板100では、Nの値がKの値より大きいので、第1面F上の導体の体積は第2面S上の導体の体積より大きくなりやすい。しかしながら、プリント配線板100では、第2導体層34Sの厚みが第1導体層34Fの厚みや全ての上側の導体層の厚みより厚い。図4(A)では、第1の上側の導体層58Fと第2の上側の導体層158Fと第3の上側の導体層258Fが上側の導体層に属する。第2導体層34Sの厚みが第1面F上の導体層34F、58F、158F、258Fの厚みより厚いので、第1面F上に存在する導体の体積と第2面S上に存在する導体の体積の差が小さくなる。そのため、実施形態のプリント配線板100によれば、反りが小さくなる。さらに、上側の導体層58F、158F、258Fの内、最上の導体層258Fの厚みが最も厚い。厚い厚みを有する導体層34S、258Fが上側の樹脂絶縁層50F、150F、250Fと絶縁基板20zを挟むので、プリント配線板100の強度が高くなる。そのため、プリント配線板100は非対称に起因する応力に対抗することができる。反りが小さくなる。
図4(B)中に各導体層の厚みt1、t2、t3、t4、t5が示される。例えば、第1導体層34Fの厚みt1は14μmである。第2導体層34Sの厚みt2は16μmである。第1の上側の導体層58Fの厚みt3は7.5μmであり、第2の上側の導体層158Fの厚みt4は7.5μmであり、第3の上側の導体層258Fの厚みt5は10μmである。即ち、第2導体層34Sの厚みt2が、第1導体層34Fの厚みt1、及び、導体層58F、158F、258Fの厚みt3、t4、t5より厚い。また、上側の導体層58F、158F、258Fの中で第3の上側の導体層(最上の上側の導体層)の厚みが最も厚い。絶縁基板の表裏で導体の体積の均衡が図られ、反りが小さくなる。
In the printed wiring board 100 according to the embodiment, the number of the upper resin insulating layers 50F, 150F, 250F, and 350F on the first surface F of the insulating substrate 20z is four, and the lower surface on the second surface S of the insulating substrate 20z. The number of the resin insulation layers 50S on the side is one. The number of N is larger than the number of K. The difference between the two is 3. In the printed wiring board 100, the number of conductor layers 34F, 58F, 158F, 258F on the first surface of the insulating substrate 20z is larger than the number of conductor layers 34S on the second surface of the insulating substrate 20z. In the printed wiring board 100, the volume of the resin and the volume of the conductor are different between the front and back of the core material. The printed wiring board 100 has an asymmetric structure. Here, the front is the first surface, and the back is the second surface. In the printed wiring board 100, since the value of N is larger than the value of K, the volume of the conductor on the first surface F tends to be larger than the volume of the conductor on the second surface S. However, in the printed wiring board 100, the thickness of the second conductor layer 34S is larger than the thickness of the first conductor layer 34F and the thickness of all upper conductor layers. In FIG. 4A, the first upper conductor layer 58F, the second upper conductor layer 158F, and the third upper conductor layer 258F belong to the upper conductor layer. Since the thickness of the second conductor layer 34S is thicker than the thickness of the conductor layers 34F, 58F, 158F, 258F on the first surface F, the volume of the conductor existing on the first surface F and the conductor existing on the second surface S The volume difference between the two becomes smaller. Therefore, according to the printed wiring board 100 of the embodiment, warpage is reduced. Furthermore, among the upper conductor layers 58F, 158F, and 258F, the uppermost conductor layer 258F is the thickest. Since the conductive layers 34S and 258F having a large thickness sandwich the upper resin insulating layers 50F, 150F and 250F and the insulating substrate 20z, the strength of the printed wiring board 100 is increased. Therefore, the printed wiring board 100 can resist stress due to asymmetry. Warpage is reduced.
FIG. 4B shows the thicknesses t1, t2, t3, t4, and t5 of each conductor layer. For example, the thickness t1 of the first conductor layer 34F is 14 μm. The thickness t2 of the second conductor layer 34S is 16 μm. The thickness t3 of the first upper conductor layer 58F is 7.5 μm, the thickness t4 of the second upper conductor layer 158F is 7.5 μm, and the thickness t5 of the third upper conductor layer 258F is 10 μm. is there. That is, the thickness t2 of the second conductor layer 34S is thicker than the thickness t1 of the first conductor layer 34F and the thicknesses t3, t4, and t5 of the conductor layers 58F, 158F, and 258F. In addition, among the upper conductor layers 58F, 158F, and 258F, the third upper conductor layer (the uppermost upper conductor layer) has the largest thickness. The conductor volume is balanced between the front and back sides of the insulating substrate, and the warpage is reduced.

プリント配線板100では、枠部の面積に占める枠部内第2導体層34SWの面積の比率R2が枠部の面積に占める枠部内第1導体層34FWの面積の比率R1より大きい。枠部はプリント配線板の外周に形成されているので、枠部の強度を高くすることでプリント配線板の反りを小さくすることがでる。プリント配線板100は非対称な構造なので、絶縁基板20zの第1面F上の枠部の強度と第2面S上の枠部の強度が同じであると、非対称に起因する応力を小さくすることができない。しかしながら、プリント配線板100では、枠部内第2導体層34SWの面積が枠部内第1導体層34FWの面積より大きいので、枠部内第2導体層34SWによる第2面Sの強化は枠部内第1導体層34FWによる第1面Fの強化より強い。そのため、プリント配線板100は非対称な構造であっても、反りが小さい。また、枠部の面積に占める枠部内の第1の上側の導体層58FWの面積の比率は比率R3である。枠部の面積に占める枠部内の第2の上側の導体層158FWの面積の比率は比率R4である。枠部の面積に占める枠部内の第3の上側の導体層258FWの面積の比率は比率R5である。そして、比率R2は、比率R3より大きい。比率R2は、比率R4より大きい。比率R2は、比率R5より大きい。その場合、絶縁基板20zの第2面上の枠部の強度は、絶縁基板20zの第1面上に存在する各枠部の強度より強い。非対称に起因する応力を効果的に小さくすることができる。プリント配線板100では、比率R2が0.85以上であって、比率R1、R3、R4、R5が0.15以下である。両者の差が大きいので、プリント配線板100の反りが小さくなる。例えば、R2は0.89であり、R1は0.1であり、R3は0.06であり、R4は0.12であり、R5は0.15である。絶縁基板の第1面の枠部上に存在している枠部内の導体層の内、枠部内の最上の上側の導体層258Fの面積の比率が最も大きい。絶縁基板20zの第1面上に形成されている枠部内の導体層の面積は小さいが、枠部内の最上の上側の導体層の面積を大きくすることで効果的にプリント配線板の強度を高くすることができる。反りが小さくなる。 In the printed wiring board 100, the ratio R2 of the area of the second conductor layer 34SW in the frame occupying the area of the frame is larger than the ratio R1 of the area of the first conductor layer 34FW in the frame occupying the area of the frame. Since the frame portion is formed on the outer periphery of the printed wiring board, the warp of the printed wiring board can be reduced by increasing the strength of the frame portion. Since the printed wiring board 100 has an asymmetric structure, if the strength of the frame portion on the first surface F of the insulating substrate 20z and the strength of the frame portion on the second surface S are the same, the stress due to asymmetry is reduced. I can't. However, in the printed wiring board 100, since the area of the second conductor layer 34SW in the frame portion is larger than the area of the first conductor layer 34FW in the frame portion, the reinforcement of the second surface S by the second conductor layer 34SW in the frame portion is the first in the frame portion. It is stronger than the reinforcement of the first surface F by the conductor layer 34FW. Therefore, even if the printed wiring board 100 has an asymmetric structure, warpage is small. The ratio of the area of the first upper conductor layer 58FW in the frame to the area of the frame is the ratio R3. The ratio of the area of the second upper conductor layer 158FW in the frame to the area of the frame is the ratio R4. The ratio of the area of the third upper conductor layer 258FW in the frame to the area of the frame is the ratio R5. The ratio R2 is larger than the ratio R3. The ratio R2 is larger than the ratio R4. The ratio R2 is greater than the ratio R5. In that case, the strength of the frame portion on the second surface of the insulating substrate 20z is stronger than the strength of each frame portion existing on the first surface of the insulating substrate 20z. The stress due to asymmetry can be effectively reduced. In the printed wiring board 100, the ratio R2 is 0.85 or more, and the ratios R1, R3, R4, and R5 are 0.15 or less. Since the difference between the two is large, the warp of the printed wiring board 100 is small. For example, R2 is 0.89, R1 is 0.1, R3 is 0.06, R4 is 0.12, and R5 is 0.15. Of the conductor layers in the frame portion existing on the frame portion of the first surface of the insulating substrate, the ratio of the area of the uppermost conductor layer 258F in the frame portion is the largest. Although the area of the conductor layer in the frame portion formed on the first surface of the insulating substrate 20z is small, the strength of the printed wiring board is effectively increased by increasing the area of the uppermost upper conductor layer in the frame portion. can do. Warpage is reduced.

実施形態の製品エリア10Gの面積に占める各導体層の面積の比率の例が以下に示される。製品エリア内第1導体層の面積の比率は比率r1である。製品エリア内第2導体層の面積の比率は比率r2である。製品エリア内の第1の上側の導体層の面積の比率は比率r3である。製品エリア内の第2の上側の導体層の面積の比率は比率r4である。製品エリア内の第3の上側の導体層の面積の比率は比率r5である。比率r1、r3、r4、r5は、0.54〜0.58である。比率r1、r3、r4、r5の中で最も比率r5が最も大きい。比率r2が比率r1、r2、r3、r4、r5の中で最も大きく、0.60〜0.9である。比率R1、R2、R3、R4、R5は各枠部内の導体層の面積を枠部の面積で割ることで得られる。比率r1、r2、r3、r4、r5は各製品エリア内の導体層の面積を製品エリアの面積で割ることで得られる。 An example of the ratio of the area of each conductor layer to the area of the product area 10G of the embodiment is shown below. The ratio of the area of the first conductor layer in the product area is the ratio r1. The ratio of the area of the second conductor layer in the product area is the ratio r2. The ratio of the area of the first upper conductor layer in the product area is the ratio r3. The ratio of the area of the second upper conductor layer in the product area is the ratio r4. The ratio of the area of the third upper conductor layer in the product area is the ratio r5. The ratios r1, r3, r4, r5 are 0.54 to 0.58. Among the ratios r1, r3, r4, r5, the ratio r5 is the largest. The ratio r2 is the largest among the ratios r1, r2, r3, r4, r5, and is 0.60 to 0.9. The ratios R1, R2, R3, R4, and R5 are obtained by dividing the area of the conductor layer in each frame by the area of the frame. The ratios r1, r2, r3, r4, and r5 are obtained by dividing the area of the conductor layer in each product area by the area of the product area.

実施形態のプリント配線板では、上側のソルダーレジスト層350Fと下側のソルダーレジスト層50Sの材質が異なる。上側のソルダーレジスト層は光硬化タイプの樹脂絶縁層であり、下側のソルダーレジスト層は熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。そのため、樹脂絶縁層の数が異なっても、実施形態のプリント配線板の反りが小さくなる。上側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子で形成され、下側のソルダーレジスト層は樹脂と無機粒子で形成される。下側のソルダーレジスト層はガラスクロスやアラミド繊維等の補強材を有することができる。上側のソルダーレジスト層は補強材を有していない。 In the printed wiring board of the embodiment, the materials of the upper solder resist layer 350F and the lower solder resist layer 50S are different. The upper solder resist layer is a photocurable resin insulating layer, and the lower solder resist layer is a thermosetting resin insulating layer. Therefore, even if the number of resin insulating layers is different, the warp of the printed wiring board of the embodiment is reduced. The upper solder resist layer is formed of resin and inorganic particles, and the lower solder resist layer is formed of resin and inorganic particles. The lower solder resist layer can have a reinforcing material such as glass cloth or aramid fiber. The upper solder resist layer does not have a reinforcing material.

[実施形態のプリント配線板の製造方法]
実施形態のプリント配線板100の製造方法が図1〜図3に示される。
ガラスクロスと樹脂と無機粒子を含む絶縁基板(コア材)20zが準備される。絶縁基板20zは図1(A)に示されるように、製品エリア10Gと製品エリアを囲む枠部98を有する。出発基板は、絶縁基板20zと絶縁基板20zの両面に積層されている銅箔22F、22Sで形成されている(図1(A))。絶縁基板の第1面F上の銅箔は第1銅箔22Fであり、絶縁基板の第2面S上の銅箔は第2銅箔22Sである。
[Method for Manufacturing Printed Wiring Board of Embodiment]
A method of manufacturing the printed wiring board 100 of the embodiment is shown in FIGS.
An insulating substrate (core material) 20z containing glass cloth, resin, and inorganic particles is prepared. As shown in FIG. 1A, the insulating substrate 20z has a product area 10G and a frame portion 98 surrounding the product area. The starting substrate is formed of copper foils 22F and 22S laminated on both surfaces of the insulating substrate 20z and the insulating substrate 20z (FIG. 1A). The copper foil on the first surface F of the insulating substrate is the first copper foil 22F, and the copper foil on the second surface S of the insulating substrate is the second copper foil 22S.

第1銅箔22FにCO2レーザが照射される。絶縁基板20zの第1面F側にスルーホール導体用の貫通孔を形成するための第1開口部28Fが絶縁基板20zに形成される。第2銅箔22SにCO2レーザが照射される。第1開口部28Fに繋がる第2開口部28Sが形成される。スルーホール導体用の貫通孔28が形成される(図1(B))。第1開口部28Fは第1面Fから第2面Sに向かってテーパーしている。第2開口部28Sは第2面Sから第1面Fに向かってテーパーしている。 The first copper foil 22F is irradiated with a CO2 laser. A first opening 28F for forming a through hole for a through-hole conductor is formed in the insulating substrate 20z on the first surface F side of the insulating substrate 20z. The second copper foil 22S is irradiated with a CO2 laser. A second opening 28S connected to the first opening 28F is formed. A through hole 28 for the through hole conductor is formed (FIG. 1B). The first opening 28F tapers from the first surface F toward the second surface S. The second opening 28S tapers from the second surface S toward the first surface F.

第1銅箔と第2銅箔、貫通孔28の側壁上に無電解めっき膜が形成される。その後、無電解めっき膜上に電解めっき膜25F、25Sが形成される。電解めっき膜25Fは第1面F上に形成されている電解めっき膜であり、電解めっき膜25Sは第2面S上に形成されている電解めっき膜である。第2面上の電解銅めっき膜25Sを形成するための電流密度は第1面上の電解銅めっき膜25Fを形成するための電流密度より大きい。そのため、電解めっき膜25Sの厚みは電解めっき膜25Fの厚みより厚い。貫通孔内に無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなるめっき膜24が形成される。同時に、絶縁基板の第1面と第2面上にめっき膜24が形成される。電解めっき膜で貫通孔28が充填される。めっき膜24上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出するめっき膜24と銅箔22F、22Sが除去される。エッチングレジストが除去される。絶縁基板の第1面に第1導体層34Fが形成される。絶縁基板の第2面に第2導体層34Sが形成される。図1(C)に示されるように、第1導体層34Fは製品エリア内第1導体層34FPと枠部内第1導体層34FWを有し、第2導体層34Sは製品エリア内第2導体層34SPと枠部内第2導体層34SWを有する。製品エリア内導体層や枠部内導体層の面積はエッチングレジストのパターンで調整される。貫通孔28に第1導体層と第2導体層を接続するスルーホール導体36が形成される。第1導体層34Fの厚みt1は14μmである。第2導体層34Sの厚みt2は16μmである。貫通孔28を有する絶縁基板20zと貫通孔28に形成されているスルーホール導体36と絶縁基板の第1面上に形成されている第1導体層34Fと絶縁基板の第2面上に形成されている第2導体層34Sとを有する回路基板3000が得られる(図1(C))。回路基板3000はUS7786390に開示されている方法で製造される。 An electroless plating film is formed on the side walls of the first copper foil, the second copper foil, and the through hole 28. Thereafter, electrolytic plating films 25F and 25S are formed on the electroless plating film. The electrolytic plating film 25F is an electrolytic plating film formed on the first surface F, and the electrolytic plating film 25S is an electrolytic plating film formed on the second surface S. The current density for forming the electrolytic copper plating film 25S on the second surface is larger than the current density for forming the electrolytic copper plating film 25F on the first surface. Therefore, the thickness of the electrolytic plating film 25S is thicker than the thickness of the electrolytic plating film 25F. A plating film 24 composed of an electroless plating film and an electrolytic plating film on the electroless plating film is formed in the through hole. At the same time, the plating film 24 is formed on the first surface and the second surface of the insulating substrate. The through hole 28 is filled with the electrolytic plating film. An etching resist is formed on the plating film 24. The plating film 24 and the copper foils 22F and 22S exposed from the etching resist are removed. The etching resist is removed. A first conductor layer 34F is formed on the first surface of the insulating substrate. A second conductor layer 34S is formed on the second surface of the insulating substrate. As shown in FIG. 1C, the first conductor layer 34F has a first conductor layer 34FP in the product area and a first conductor layer 34FW in the frame portion, and the second conductor layer 34S is a second conductor layer in the product area. 34SP and 2nd conductor layer 34SW in a frame part. The area of the conductor layer in the product area and the conductor layer in the frame part is adjusted by the pattern of the etching resist. A through-hole conductor 36 that connects the first conductor layer and the second conductor layer is formed in the through hole 28. The thickness t1 of the first conductor layer 34F is 14 μm. The thickness t2 of the second conductor layer 34S is 16 μm. The insulating substrate 20z having the through hole 28, the through hole conductor 36 formed in the through hole 28, the first conductor layer 34F formed on the first surface of the insulating substrate, and the second surface of the insulating substrate are formed. A circuit board 3000 having the second conductor layer 34S is obtained (FIG. 1C). The circuit board 3000 is manufactured by the method disclosed in US77786390.

回路基板3000にCO2ガスレーザにより電子部品収容用の開口26が形成される(図1(D))。図6(A)は、プリント配線板100のコア基板30の第1面Fの平面図である。図1(D)は、図6(A)中のX2−X2間の断面図である。但し、製品エリア内の製品は簡略化されている。略1つの製品が描かれている。枠部内第1導体層34FWはアライメントマーク34FAのみで形成されている。図6(B)は、プリント配線板100のコア基板30の第2面Sの平面図である。枠部内第2導体層34SWはベタパターンで形成されている。開口26は第1導体層34Fに含まれるアライメントマーク34FAまたは第2導体層34Sに含まれるアライメントマーク34SAを用い形成される。尚、アライメントマーク34SAは枠部内第2導体層34SWに形成されている開口である。図1(C)にアライメントマーク34SAは描かれていない。
回路基板3000に電子部品収容用の開口26を形成することでコア基板30が完成する。コア基板30の第1面Fと絶縁基板20zの第1面は同じ面であり、コア基板30の第2面Sと絶縁基板20zの第2面は同じ面である。
An opening 26 for accommodating electronic components is formed in the circuit board 3000 by a CO2 gas laser (FIG. 1D). FIG. 6A is a plan view of the first surface F of the core substrate 30 of the printed wiring board 100. FIG. 1D is a cross-sectional view taken along the line X2-X2 in FIG. However, the products in the product area are simplified. Approximately one product is depicted. The first conductor layer 34FW in the frame part is formed of only the alignment mark 34FA. FIG. 6B is a plan view of the second surface S of the core substrate 30 of the printed wiring board 100. The second conductor layer 34SW in the frame portion is formed in a solid pattern. The opening 26 is formed using the alignment mark 34FA included in the first conductor layer 34F or the alignment mark 34SA included in the second conductor layer 34S. The alignment mark 34SA is an opening formed in the second conductor layer 34SW in the frame portion. The alignment mark 34SA is not drawn in FIG.
The core substrate 30 is completed by forming the opening 26 for accommodating electronic components in the circuit board 3000. The first surface F of the core substrate 30 and the first surface of the insulating substrate 20z are the same surface, and the second surface S of the core substrate 30 and the second surface of the insulating substrate 20z are the same surface.

コア基板が反転され、コア基板30の第1面にPETフィルム94が貼られる(図1(E))。PETフィルム94で開口26が塞がれる。 The core substrate is inverted, and a PET film 94 is attached to the first surface of the core substrate 30 (FIG. 1E). The opening 26 is blocked by the PET film 94.

電子部品収容用の開口26により露出するPETフィルム上に積層セラミックコンデンサ等の電子部品80が置かれる。電子部品80が開口26内に収容される(図2(A))。電子部品80は図4(A)に示されるアライメントマーク34SAを用いて置かれる。電子部品80は、PETフィルム94の粘着力により、PETフィルム94上に保持される。コア基板30の第1導体層34Fの上面と電子部品80の電極82の上面は略同一平面上に位置する。 An electronic component 80 such as a multilayer ceramic capacitor is placed on the PET film exposed through the opening 26 for accommodating the electronic component. The electronic component 80 is accommodated in the opening 26 (FIG. 2A). The electronic component 80 is placed using the alignment mark 34SA shown in FIG. The electronic component 80 is held on the PET film 94 by the adhesive force of the PET film 94. The upper surface of the first conductor layer 34F of the core substrate 30 and the upper surface of the electrode 82 of the electronic component 80 are located on substantially the same plane.

コア基板30の第2面と電子部品上に下側の樹脂絶縁層50S用の樹脂フィルムが積層される。下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム(下側の樹脂フィルム)はエポキシ等の樹脂とシリカ等無機粒子を含む。下側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。実施形態の下側の樹脂フィルムは、ガラスクロスとシリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。
下側の樹脂フィルム上に銅箔等の金属箔48Sが積層される。金属箔48Sの厚みは3μm〜5μmである。
加熱プレスを行うことで、下側の樹脂フィルムから下側の樹脂絶縁層(最下の下側の樹脂絶縁層)50Sがコア基板30の第2面Sと電子部品80上に形成される。同時に、下側の樹脂絶縁層50S上に銅箔48Sが接着される。この際、下側の樹脂フィルムに含まれる樹脂と無機粒子が開口26の側壁と電子部品80との間の隙間に流れ込む。隙間中の樹脂を硬化することで隙間を充填する充填剤50SSが形成される。充填剤により電子部品はコア基板に内蔵される(図2(B))。充填剤50SSにより電子部品80はコア基板30に固定される。充填剤50SSと下側の樹脂絶縁層50Sは同時に形成される。下側の樹脂絶縁層は樹脂と無機粒子と補強材を含む。充填剤は樹脂と無機粒子を含む。充填剤に含まれる樹脂と下側の樹脂絶縁層に含まれる樹脂は同じである。充填剤に含まれる無機粒子と下側の樹脂絶縁層に含まれる無機粒子は同じである。
下側の樹脂絶縁層50Sは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
A resin film for the lower resin insulating layer 50S is laminated on the second surface of the core substrate 30 and the electronic component. The resin film for the lower resin insulating layer (lower resin film) includes a resin such as epoxy and inorganic particles such as silica. The lower resin film may further include a reinforcing material such as a glass cloth. The lower resin film of the embodiment includes glass cloth, silica particles, and an epoxy resin.
A metal foil 48S such as a copper foil is laminated on the lower resin film. The thickness of the metal foil 48S is 3 μm to 5 μm.
By performing the heat press, the lower resin insulating layer (the lowermost lower resin insulating layer) 50S is formed on the second surface S of the core substrate 30 and the electronic component 80 from the lower resin film. At the same time, the copper foil 48S is bonded onto the lower resin insulating layer 50S. At this time, the resin and inorganic particles contained in the lower resin film flow into the gap between the side wall of the opening 26 and the electronic component 80. The filler 50SS that fills the gap is formed by curing the resin in the gap. The electronic component is built in the core substrate by the filler (FIG. 2B). The electronic component 80 is fixed to the core substrate 30 by the filler 50SS. The filler 50SS and the lower resin insulating layer 50S are formed simultaneously. The lower resin insulating layer includes a resin, inorganic particles, and a reinforcing material. The filler includes a resin and inorganic particles. The resin contained in the filler and the resin contained in the lower resin insulation layer are the same. The inorganic particles contained in the filler and the inorganic particles contained in the lower resin insulating layer are the same.
The lower resin insulation layer 50S is a thermosetting resin insulation layer.

コア基板30からPETフィルム94が除去される(図2(C))。中間基板300が得られる(図2(C))。中間基板300は、コア基板30とコア基板30に内蔵されている電子部品80と電子部品とコア基板間の隙間を充填している充填剤50SSとコア基板の第2面と電子部品上に形成されている下側の樹脂絶縁層50Sと下側の樹脂絶縁層50S上の銅箔48Sとを有する。 The PET film 94 is removed from the core substrate 30 (FIG. 2C). An intermediate substrate 300 is obtained (FIG. 2C). The intermediate substrate 300 is formed on the core substrate 30, the electronic component 80 built in the core substrate 30, the filler 50SS filling the gap between the electronic component and the core substrate, the second surface of the core substrate, and the electronic component. The lower resin insulation layer 50S and the copper foil 48S on the lower resin insulation layer 50S are provided.

中間基板300のコア基板の第1面と電子部品上に1番目の上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルム(上側の樹脂フィルム)はエポキシ等の樹脂とシリカ等の無機粒子を含む。上側の樹脂フィルムは、さらに、ガラスクロス等の補強材を有しても良い。実施形態の上側の樹脂フィルムは、シリカ粒子とエポキシ樹脂を含む。加熱プレスにより、上側の樹脂フィルムから1番目の上側の樹脂絶縁層50Fが形成される(図2(D))。1番目の上側の樹脂絶縁層50Fは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。 A resin film for the first upper resin insulation layer is laminated on the first surface of the core substrate of the intermediate substrate 300 and the electronic component. The upper resin insulating layer resin film (upper resin film) includes a resin such as epoxy and inorganic particles such as silica. The upper resin film may further include a reinforcing material such as a glass cloth. The upper resin film of the embodiment includes silica particles and an epoxy resin. The first upper resin insulation layer 50F is formed from the upper resin film by heating press (FIG. 2D). The first upper resin insulation layer 50F is a thermosetting resin insulation layer.

次に、CO2ガスレーザにて樹脂絶縁層50Fにビア導体用の開口51Fが形成される。開口51Fは電極82と第1導体層34Fに至る。
樹脂絶縁層50F上と開口51Fの内壁に無電解銅めっき層52が形成される。
無電解銅めっき層52上にめっきレジストが形成される。
めっきレジストから露出する無電解銅めっき層52上に、電解銅めっき層56が形成される。
めっきレジストが除去される。電解銅めっき層56間の無電解銅めっき層52がエッチングで除去される。1番目の上側の樹脂絶縁層50F上に第1の上側の導体層58Fが形成される。上側の第1導体層は製品エリア内の第1の上側の導体層58FPと枠部内の第1の上側の導体層58FWを有する。枠部内の第1の上側の導体層58FWはアライメントマークのみで形成されることが好ましい。同時に、1番目の上側の樹脂絶縁層を貫通し、第1導体層34Fや電極82に至る上側の第1のビア導体60Fが形成される(図3(A))。導体層58FP、58FWの面積はめっきレジストのパターンで調整される。
Next, an opening 51F for a via conductor is formed in the resin insulating layer 50F with a CO2 gas laser. The opening 51F reaches the electrode 82 and the first conductor layer 34F.
Electroless copper plating layer 52 is formed on resin insulating layer 50F and on the inner wall of opening 51F.
A plating resist is formed on the electroless copper plating layer 52.
Electrolytic copper plating layer 56 is formed on electroless copper plating layer 52 exposed from the plating resist.
The plating resist is removed. The electroless copper plating layer 52 between the electrolytic copper plating layers 56 is removed by etching. A first upper conductor layer 58F is formed on the first upper resin insulation layer 50F. The upper first conductor layer has a first upper conductor layer 58FP in the product area and a first upper conductor layer 58FW in the frame. The first upper conductor layer 58FW in the frame is preferably formed of only alignment marks. At the same time, an upper first via conductor 60F that penetrates the first upper resin insulation layer and reaches the first conductor layer 34F and the electrode 82 is formed (FIG. 3A). The areas of the conductor layers 58FP and 58FW are adjusted by the pattern of the plating resist.

1番目の上側の樹脂絶縁層50Fと第1の上側の導体層58F上に2番目の上側の樹脂絶縁層150Fが形成される。2番目の上側の樹脂絶縁層に第2の上側のビア導体用の開口が形成される。2番目の上側の樹脂絶縁層の形成方法は、1番目の上側の樹脂絶縁層の形成方法と同様である。上側の樹脂絶縁層150Fは第2の上側のビア導体用の開口を有する。2番目の上側の樹脂絶縁層150Fは熱硬化タイプの樹脂絶縁層である。
2番目の上側の樹脂絶縁層上に第2の上側の導体層158Fが形成される。第2の上側の導体層158Fは製品エリア内の第2の上側の導体層158FPと枠部内の第2の上側の導体層158FWを有する。枠部内の第2の上側の導体層158FWはアライメントマークのみで形成されることが好ましい。第2の上側の導体層の形成方法は、第1の上側の導体層の形成方法と同様である。導体層158FP、158FWの面積はめっきレジストのパターンで調整される。
第2の上側の導体層158Fの厚みt3は7.5μmである。
第2の上側のビア導体用の開口に第2の上側のビア導体160Fが形成される。第2の上側のビア導体の形成方法は、第2の上側のビア導体の形成方法と同様である。
A second upper resin insulation layer 150F is formed on the first upper resin insulation layer 50F and the first upper conductor layer 58F. An opening for the second upper via conductor is formed in the second upper resin insulation layer. The method for forming the second upper resin insulation layer is the same as the method for forming the first upper resin insulation layer. Upper resin insulation layer 150F has an opening for a second upper via conductor. The second upper resin insulation layer 150F is a thermosetting resin insulation layer.
A second upper conductor layer 158F is formed on the second upper resin insulation layer. The second upper conductor layer 158F has a second upper conductor layer 158FP in the product area and a second upper conductor layer 158FW in the frame. The second upper conductor layer 158FW in the frame is preferably formed of only alignment marks. The method for forming the second upper conductor layer is the same as the method for forming the first upper conductor layer. The areas of the conductor layers 158FP and 158FW are adjusted by the pattern of the plating resist.
The thickness t3 of the second upper conductor layer 158F is 7.5 μm.
A second upper via conductor 160F is formed in the opening for the second upper via conductor. The method for forming the second upper via conductor is the same as the method for forming the second upper via conductor.

前の段落に示されている方法と同様な方法で3番目の上側の樹脂絶縁層250Fと第3の上側の導体層258Fと第3の上側のビア導体260Fが形成される。第3の上側の導体層258Fは製品エリア内の第3の上側の導体層258FPと枠部内の第3の上側の導体層258FWを有する。枠部内の第3の上側の導体層258FWはアライメントマークとダミーパターンで形成されることが好ましい。アライメントマーク以外にダミーパターンを形成することで、枠部内の第3の上側の導体層(最上の導体層)158FWの面積が増える(図3(B))。第3の上側の導体層の厚みt5は10μmである。導体層258FP、258FWの面積はめっきレジストのパターンで調整される。 A third upper resin insulation layer 250F, a third upper conductor layer 258F, and a third upper via conductor 260F are formed in a manner similar to that shown in the previous paragraph. The third upper conductor layer 258F includes a third upper conductor layer 258FP in the product area and a third upper conductor layer 258FW in the frame. The third upper conductor layer 258FW in the frame is preferably formed of an alignment mark and a dummy pattern. By forming a dummy pattern other than the alignment mark, the area of the third upper conductor layer (uppermost conductor layer) 158FW in the frame portion is increased (FIG. 3B). The thickness t5 of the third upper conductor layer is 10 μm. The areas of the conductor layers 258FP and 258FW are adjusted by the pattern of the plating resist.

3番目の上側の樹脂絶縁層250Fと第3の上側の導体層258F上に4番目の上側の樹脂絶縁層350Fが形成される。4番目の上側の樹脂絶縁層は光硬化タイプの樹脂絶縁層である。4番目の上側の樹脂絶縁層に露光処理と現像処理により開口71F(71FI、71FO)が形成される(図3(B))。開口71Fにより第3の上側の導体層が露出される。開口71Fにより露出される導体部分は上側のパッド73F(73FI、73FO)として機能する。また、4番目の上側の樹脂絶縁層は上側のソルダーレジスト層350Fとして機能する。 A fourth upper resin insulation layer 350F is formed on the third upper resin insulation layer 250F and the third upper conductor layer 258F. The fourth upper resin insulation layer is a photo-curing resin insulation layer. Openings 71F (71FI, 71FO) are formed in the fourth upper resin insulation layer by exposure and development (FIG. 3B). The third upper conductor layer is exposed through the opening 71F. The conductor portion exposed through the opening 71F functions as the upper pad 73F (73FI, 73FO). The fourth upper resin insulation layer functions as the upper solder resist layer 350F.

下側の樹脂絶縁層50S上の金属箔48Sがエッチングにより除去される。下側の樹脂絶縁層50Sは下側のソルダーレジスト層として機能する。この時、上側のパッドがエッチングで溶解されないように、上側のソルダーレジスト層上に保護フィルムが貼られている。上側のパッドが露出しない。保護フィルムは図に示されていない。また、金属箔48Sの除去により、金属箔の粗面が下側のソルダーレジスト層50Sに転写される。下側のソルダーレジスト層は粗面を有する。 The metal foil 48S on the lower resin insulating layer 50S is removed by etching. The lower resin insulating layer 50S functions as a lower solder resist layer. At this time, a protective film is stuck on the upper solder resist layer so that the upper pad is not dissolved by etching. The upper pad is not exposed. The protective film is not shown in the figure. Further, by removing the metal foil 48S, the rough surface of the metal foil is transferred to the lower solder resist layer 50S. The lower solder resist layer has a rough surface.

下側の樹脂絶縁層50Sにレーザで開口51Sが形成される(図3(C))。金属箔48Sにレーザを照射することで、開口51Sが形成されてもよい。開口51Sにより、下側のパッド53Sが露出される。下側のパッドは第2導体層34Sに含まれる。電子部品の電極82を露出する開口51Sを下側のソルダーレジスト層に形成することができる(図3(C))。 An opening 51S is formed by laser in the lower resin insulating layer 50S (FIG. 3C). The opening 51S may be formed by irradiating the metal foil 48S with a laser. The lower pad 53S is exposed through the opening 51S. The lower pad is included in the second conductor layer 34S. An opening 51S exposing the electrode 82 of the electronic component can be formed in the lower solder resist layer (FIG. 3C).

上側のパッド73F(73FI、73FO)と下側のパッド53S上に保護膜を形成することができる。開口51Sから露出している電子部品の電極82上に保護膜を形成することができる。保護膜は、パッドや電極の酸化を防止するための膜である。保護膜は、例えば、Ni/Au、Ni/Pd/Au、Pd/AuやOSP(Organic Solderability Preservative)膜で形成される。 A protective film can be formed on the upper pad 73F (73FI, 73FO) and the lower pad 53S. A protective film can be formed on the electrode 82 of the electronic component exposed from the opening 51S. The protective film is a film for preventing oxidation of the pad and the electrode. The protective film is formed of, for example, a Ni / Au, Ni / Pd / Au, Pd / Au, or OSP (Organic Solderability Preservative) film.

上側のパッド73FI、73FO上に半田バンプ76FI、76FOが形成される。半田バンプ76FIはC4パッド(上側の第1パッド)73FI上に形成されていて、半田バンプ76FOは上側の第2パッド73FO上に形成されている。プリント配線板の下側のパッド53Sに半田バンプ76Sを形成することができる。図4(C)に示される半田バンプ76FI,76FO、76Sを有する配線基板が完成する。 Solder bumps 76FI and 76FO are formed on the upper pads 73FI and 73FO. The solder bump 76FI is formed on the C4 pad (upper first pad) 73FI, and the solder bump 76FO is formed on the upper second pad 73FO. Solder bumps 76S can be formed on the pads 53S on the lower side of the printed wiring board. A wiring board having the solder bumps 76FI, 76FO, and 76S shown in FIG. 4C is completed.

プリント配線板の各製品10に半田バンプ76FIを介して電子部品90が実装される。第1のパッケージ基板120が完成する。この際、リフローの熱が加えられるが、プリント配線板100では第2導体層の厚みが第1導体層の厚みより厚い。枠部内第2導体層の面積が枠部内第1導体層の面積より大きい。そのため、第1面Fの導体の体積と第2面の導体の体積の差が小さくなる。リフロー前後の配線基板や第1のパッケージ基板の反りが小さい。半田バンプ76FOを介して第2のパッケージ基板130が第1のパッケージ基板120に搭載される。パッケージ基板10と第2のパッケージ基板130との間にモールド樹脂102が形成される(図5(B))。POP基板1000が完成する。その後、個々のPOP基板に分割される。 An electronic component 90 is mounted on each product 10 of the printed wiring board via solder bumps 76FI. The first package substrate 120 is completed. At this time, heat of reflow is applied, but in the printed wiring board 100, the thickness of the second conductor layer is larger than the thickness of the first conductor layer. The area of the second conductor layer in the frame portion is larger than the area of the first conductor layer in the frame portion. Therefore, the difference between the volume of the conductor on the first surface F and the volume of the conductor on the second surface is reduced. Warpage of the wiring board and the first package board before and after reflow is small. The second package substrate 130 is mounted on the first package substrate 120 via the solder bumps 76FO. Mold resin 102 is formed between package substrate 10 and second package substrate 130 (FIG. 5B). The POP substrate 1000 is completed. Then, it is divided into individual POP substrates.

[実施形態の改変例]
図7(C)は実施形態の改変例に係る配線基板を示す。
実施形態の改変例に係る配線基板では、コア基板30に形成されている電子部品80を収容するための開口26は、テーパーを有する。それ以外、改変例の配線基板と実施形態の配線基板は同様である。枠部に関わる構成は実施形態と改変例で同様である。従って、開口26の形状以外、改変例のプリント配線板と実施形態のプリント配線板は同様である。
開口26は、第2面Sから第1面Fに向けてテーパーしている。第1面上の開口26のサイズは第2面上の開口26のサイズより小さい。開口の側壁は図7(C)に示されるように、第2面Sから第1面Fに向かってテーパーしている。開口26のサイズは第2面から第1面に向かって小さくなっている。
絶縁基板20zは補強材を有するので、絶縁基板20zの剛性は高い。そのため、絶縁基板20zは、絶縁基板20z上に形成されている樹脂絶縁層の変形を抑えることができる。
改変例によれば、1番目の上側の樹脂絶縁層50Fとコア基板30の第1面との接触面積は、下側の樹脂絶縁層50Sとコア基板30の第2面Sとの接触面積より大きい。
改変例では、コア基板の第1面上の上側の樹脂絶縁層の数はコア基板の第2面上の下側の樹脂絶縁層の数より多い。そのため、上側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力は、下側の樹脂絶縁層がコア基板に与える力より大きい。
コア基板の第1面の面積は大きく、コア基板の第1面に働く力は大きい。それに対し、コア基板の第2面の面積は小さく、コア基板の第2面に働く力は小さい。そのため、コア基板の第1面と第2面で単位面積当たりの力が比較されると、両者の差は小さくなる。もしくは、両者は略同等である。従って、コア基板に形成されている電子部品収容用の開口が、第2面から第1面に向かうテーパーを有し、さらに、コア基板の表裏で樹脂絶縁層の数が異なっても、反りの小さなプリント配線板やPOP基板を提供することができる。電子部品を内蔵する配線基板の接続信頼性が高くなる。
[Modification of Embodiment]
FIG. 7C shows a wiring board according to a modification of the embodiment.
In the wiring board according to the modification of the embodiment, the opening 26 for accommodating the electronic component 80 formed in the core substrate 30 has a taper. Other than that, the wiring board of the modified example and the wiring board of the embodiment are the same. The configuration related to the frame is the same in the embodiment and the modified example. Accordingly, except for the shape of the opening 26, the modified printed wiring board and the printed wiring board of the embodiment are the same.
The opening 26 tapers from the second surface S toward the first surface F. The size of the opening 26 on the first surface is smaller than the size of the opening 26 on the second surface. The side wall of the opening is tapered from the second surface S toward the first surface F as shown in FIG. The size of the opening 26 decreases from the second surface toward the first surface.
Since the insulating substrate 20z has a reinforcing material, the rigidity of the insulating substrate 20z is high. Therefore, the insulating substrate 20z can suppress deformation of the resin insulating layer formed on the insulating substrate 20z.
According to the modification, the contact area between the first upper resin insulation layer 50F and the first surface of the core substrate 30 is greater than the contact area between the lower resin insulation layer 50S and the second surface S of the core substrate 30. large.
In the modified example, the number of the upper resin insulation layers on the first surface of the core substrate is larger than the number of the lower resin insulation layers on the second surface of the core substrate. Therefore, the force that the upper resin insulation layer gives to the core substrate is larger than the force that the lower resin insulation layer gives to the core substrate.
The area of the first surface of the core substrate is large, and the force acting on the first surface of the core substrate is large. On the other hand, the area of the second surface of the core substrate is small, and the force acting on the second surface of the core substrate is small. Therefore, when the force per unit area is compared between the first surface and the second surface of the core substrate, the difference between the two becomes small. Or both are substantially equivalent. Therefore, the opening for housing the electronic component formed in the core substrate has a taper from the second surface to the first surface, and even if the number of resin insulating layers on the front and back surfaces of the core substrate is different, the warp does not occur. A small printed wiring board or POP board can be provided. The connection reliability of the wiring board incorporating the electronic component is increased.

[実施形態の改変例のプリント配線板の製造方法]
実施形態の改変例では、絶縁基板の第2面側から絶縁基板にレーザを照射することで電子部品収容用の開口26が形成される。それ以外、図7(C)の改変例の製法は実施形態の製法と同様である。
レーザで開口26が形成されるため、開口の側壁は図7(C)に示されるように第2面から第1面に向かってテーパーしている。レーザの例はUVレーザやCO2レーザである。
[Method of Manufacturing Printed Wiring Board of Modified Example of Embodiment]
In the modification of the embodiment, the opening 26 for accommodating electronic components is formed by irradiating the insulating substrate with laser from the second surface side of the insulating substrate. Otherwise, the manufacturing method of the modified example in FIG. 7C is the same as the manufacturing method of the embodiment.
Since the opening 26 is formed by the laser, the side wall of the opening is tapered from the second surface toward the first surface as shown in FIG. 7C. Examples of lasers are UV lasers and CO2 lasers.

実施形態と各改変例のプリント配線板で、Nの数字が2であって、Kの数字が1であることが好ましい。もしくは、Nの数字が3であって、Kの数字が1であることが望ましい。反りが小さくなる。 In the printed wiring board of the embodiment and each modified example, it is preferable that the number of N is 2 and the number of K is 1. Alternatively, it is desirable that the number of N is 3 and the number of K is 1. Warpage is reduced.

100 プリント配線板
10 製品
20z 絶縁基板
28 貫通孔
30 コア基板
34F 第1導体層
34S 第2導体層
34SW 枠部内第2導体層
50F、50S 樹脂絶縁層
58F、58S 導体層
60F、60S ビア導体
80 電子部品
98 枠部
10G 製品エリア
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Printed wiring board 10 Product 20z Insulation board 28 Through-hole 30 Core board 34F 1st conductor layer 34S 2nd conductor layer 34SW 2nd conductor layer in a frame part 50F, 50S Resin insulation layer 58F, 58S Conductor layer 60F, 60S Via conductor 80 Electron Parts 98 Frame 10G Product area

Claims (8)

第1面と前記第1面と反対側の第2面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記第1面上に形成されている第1導体層と、
前記第1面と前記第1導体層上に積層されているN層の上側の樹脂絶縁層と、
隣接する前記上側の樹脂絶縁層間に形成されている(N−1)層の上側の導体層と、
前記絶縁基板の前記第2面上に形成されている第2導体層と、
前記第2面と前記第2導体層上に積層されているK層の下側の樹脂絶縁層と、
隣接する前記下側の樹脂絶縁層間に形成されている(K−1)層の下側の導体層と、からなるプリント配線板であって、
前記Nは2以上の整数であり、前記Kは1以上の整数であって、前記Nの数字は前記Kの数字より大きく、前記第2導体層の厚みは全ての前記上側の導体層の厚みと前記第1導体層の厚みより厚い。
An insulating substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
A first conductor layer formed on the first surface of the insulating substrate;
A resin insulation layer above the N layer laminated on the first surface and the first conductor layer;
An upper conductor layer of the (N-1) layer formed between adjacent upper resin insulation layers;
A second conductor layer formed on the second surface of the insulating substrate;
A resin insulation layer below the K layer laminated on the second surface and the second conductor layer;
A printed wiring board comprising a lower conductive layer of the (K-1) layer formed between adjacent lower resin insulating layers,
The N is an integer of 2 or more, the K is an integer of 1 or more, the number of N is larger than the number of K, and the thickness of the second conductor layer is the thickness of all the upper conductor layers. And thicker than the thickness of the first conductor layer.
請求項1のプリント配線板であって、前記プリント配線板は製品エリアと前記製品エリアを囲む枠部で形成されていて、前記第1導体層は前記製品エリアに形成されている製品エリア内第1導体層と前記枠部に形成されている枠部内第1導体層で形成され、前記第2導体層は前記製品エリアに形成されている製品エリア内第2導体層と前記枠部に形成されている枠部内第2導体層で形成され、各前記上側の導体層は前記製品エリアに形成されている製品エリア内の上側の導体層と前記枠部に形成されている枠部内の上側の導体層で形成され、各前記下側の導体層は前記製品エリアに形成されている製品エリア内の下側の導体層と前記枠部に形成されている枠部内の下側の導体層で形成され、前記枠部内第2導体層の面積は前記枠部内第1導体層の面積より大きく、前記枠部内第2導体層の面積は、各前記枠部内の上側の導体層の面積より大きい。 The printed wiring board according to claim 1, wherein the printed wiring board is formed by a product area and a frame portion surrounding the product area, and the first conductor layer is formed in the product area. One conductor layer and a first conductor layer in the frame part formed in the frame part, and the second conductor layer is formed in the second conductor layer in the product area and the frame part formed in the product area. Each upper conductor layer is formed in the product area, and each upper conductor layer is formed in the product area and each upper conductor in the frame part formed in the frame part. Each lower conductor layer is formed of a lower conductor layer in the product area formed in the product area and a lower conductor layer in the frame part formed in the frame portion. The area of the second conductor layer in the frame portion is the first conductor in the frame portion. Larger than the area of the area of the frame portion second conductor layer is larger than the area of the upper conductive layer of each said frame portion. 請求項1のプリント配線板であって、全ての前記下側の導体層の厚みは全ての前記上側の導体層の厚みより厚い。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the thickness of all the lower conductor layers is greater than the thickness of all the upper conductor layers. 請求項1のプリント配線板であって、さらに、前記絶縁基板を貫通する電子部品内蔵用の開口と前記電子部品内蔵用の開口に収容されている前記電子部品を有する。 2. The printed wiring board according to claim 1, further comprising an electronic component built-in opening penetrating the insulating substrate and the electronic component housed in the electronic component built-in opening. 請求項2のプリント配線板であって、前記枠部内第2導体層の面積を前記第2面内の枠部の面積で割ること得られる値は0.85以上であって、前記枠部内第1導体層の面積を前記第1面内の枠部の面積で割ること得られる値は0.15以下である。 3. The printed wiring board according to claim 2, wherein a value obtained by dividing the area of the second conductor layer in the frame by the area of the frame in the second surface is 0.85 or more, A value obtained by dividing the area of one conductor layer by the area of the frame portion in the first plane is 0.15 or less. 請求項5のプリント配線板であって、前記枠部内第1導体層はアライメントマークのみで形成されている。 6. The printed wiring board according to claim 5, wherein the first conductor layer in the frame portion is formed only with alignment marks. 請求項1のプリント配線板であって、前記Nは3であり、前記Kは1であって、前記下側の導体層は存在しない。 2. The printed wiring board according to claim 1, wherein the N is 3, the K is 1, and the lower conductor layer does not exist. 請求項2のプリント配線板であって、前記Nは3であり、前記Kは1であって、前記下側の導体層は存在しない。 3. The printed wiring board according to claim 2, wherein the N is 3, the K is 1, and the lower conductor layer does not exist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019145824A (en) * 2016-06-21 2019-08-29 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Fan-out semiconductor package

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897558A (en) * 1994-09-27 1996-04-12 Matsushita Electric Works Ltd Inner-layer circuit board and multilayer copper-clad laminated printed board using the circuit board
JP2003229661A (en) * 2001-11-30 2003-08-15 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and its manufacturing method
JP2008277776A (en) * 2007-03-30 2008-11-13 Ngk Spark Plug Co Ltd Method of manufacturing wiring board
WO2009118950A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 イビデン株式会社 Method for manufacturing multilayer printed wiring board
JP2012033528A (en) * 2010-07-28 2012-02-16 Kyocer Slc Technologies Corp Aggregate wiring board
WO2012133038A1 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 イビデン株式会社 Wiring board and manufacturing method therefor

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897558A (en) * 1994-09-27 1996-04-12 Matsushita Electric Works Ltd Inner-layer circuit board and multilayer copper-clad laminated printed board using the circuit board
JP2003229661A (en) * 2001-11-30 2003-08-15 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and its manufacturing method
JP2008277776A (en) * 2007-03-30 2008-11-13 Ngk Spark Plug Co Ltd Method of manufacturing wiring board
WO2009118950A1 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 イビデン株式会社 Method for manufacturing multilayer printed wiring board
JP2012033528A (en) * 2010-07-28 2012-02-16 Kyocer Slc Technologies Corp Aggregate wiring board
WO2012133038A1 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 イビデン株式会社 Wiring board and manufacturing method therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019145824A (en) * 2016-06-21 2019-08-29 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Fan-out semiconductor package

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