JP2016081998A - 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 - Google Patents
量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016081998A JP2016081998A JP2014210063A JP2014210063A JP2016081998A JP 2016081998 A JP2016081998 A JP 2016081998A JP 2014210063 A JP2014210063 A JP 2014210063A JP 2014210063 A JP2014210063 A JP 2014210063A JP 2016081998 A JP2016081998 A JP 2016081998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light source
- pair
- resonant
- quantum interference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract description 51
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract description 40
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 125000004436 sodium atom Chemical group 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 4
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の原子発振器1は、アルカリ金属が封入されている原子セル2と、互いに同方向に円偏光していてアルカリ金属を共鳴させる共鳴光対LL1を含む光を出射する第1光源部31と、共鳴光対LL1とは逆方向に円偏光していて共鳴光対LL1よりも線幅の大きい調整光LL2を含む光を出射する第2光源部32と、原子セル2を通過した共鳴光対LL1を受光する受光部4と、を備える。
【選択図】図4
Description
本発明の量子干渉装置は、金属が封入されている原子セルと、
互いに同方向に円偏光していて前記金属を共鳴させる共鳴光対を含む第1の光を出射する第1光源部と、
前記共鳴光対とは逆方向に円偏光していて前記共鳴光対よりも線幅の大きい第2の光を出射する第2光源部と、
前記原子セルを通過した前記共鳴光対を受光する受光部と、
を備えることを特徴とする。
本発明の量子干渉装置では、前記第2の光は、前記金属を共鳴させる共鳴光を含むことが好ましい。
これにより、金属原子の磁気量子数の分布を効率的に調整することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記共鳴光対は、D1線を含み、
前記共鳴光は、D2線を含むことが好ましい。
これにより、EIT信号の強度を効率的に向上させることができる。
本発明の量子干渉装置では、前記共鳴光対の波長帯域は、前記第2の光の波長帯域の外側にあることが好ましい。
これにより、調整光による不要な信号の発生を低減することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記第2光源部は、前記第2の光を生成するための発光ダイオードを有することが好ましい。
これにより、比較的簡単な構成で、線幅の広い調整光を生成させることができる。
本発明の量子干渉装置では、前記第2光源部は、非偏光の光を出射する光源と、前記光源からの光が入射する偏光子と、を有することが好ましい。
これにより、比較的簡単な構成で、線幅の広い調整光を生成させることができる。
本発明の量子干渉装置では、前記第1光源部は、直線偏光成分を含む光を出射する第1光源を有し、
前記第2光源部は、直線偏光成分を含む光を出射する第2光源を有し、
前記第1光源部および前記第2光源部は、前記第1光源および前記第2光源からの双方の光が通過する共通のλ/4波長板を有することが好ましい。
これにより、装置構成を簡単化することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記原子セル内において前記第2の光の強度が前記第1の光の強度よりも小さいことが好ましい。
これにより、金属の磁気量子数の偏りを効果的に低減することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記第1の光と前記第2の光との互いの光軸が交差していることが好ましい。
これにより、装置構成を簡単化することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記原子セルは、1対の窓部と、前記1対の窓部の間に配置されていて前記1対の窓部とともに前記金属が封入されている内部空間を構成している胴体部と、を有し、
前記第2の光は、前記胴体部を透過して前記内部空間に入射することが好ましい。
これにより、受光部が調整光を受光してしまうのを防止または低減することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記原子セル内において前記第2の光の通過領域内に前記第1の光の通過領域があることが好ましい。
これにより、金属の磁気量子数の分布の偏りを効率的に低減することができる。
本発明の量子干渉装置は、金属に、互いに同方向に円偏光している共鳴光対と、前記共鳴光対とは逆方向に円偏光していて前記共鳴光対よりも線幅の大きい共鳴光を含む光と、をそれぞれ照射することにより、前記金属の磁気量子数の分布の偏りを調整し、磁気誘起透過現象を発生させることを特徴とする。
本発明の原子発振器は、本発明の量子干渉装置を備えることを特徴とする。
本発明の電子機器は、本発明の量子干渉装置を備えることを特徴とする。
本発明の移動体は、本発明の量子干渉装置を備えることを特徴とする。
まず、本発明の原子発振器(本発明の量子干渉装置を備える原子発振器)について説明する。なお、以下では、本発明の量子干渉装置を原子発振器に適用した例を説明するが、本発明の量子干渉装置は、これに限定されず、例えば、磁気センサー、量子メモリー等のデバイスにも適用可能である。
まず、本発明の第1実施形態に係る原子発振器を簡単に説明する。
図1に示すように、原子発振器1では、光源部3が原子セル2に向けて光LLを出射し、原子セル2を透過した光LLを受光部4が検出する。
[ガスセル]
原子セル2内には、ガス状のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金属が封入されている。また、原子セル2内には、必要に応じて、アルゴン、ネオン等の希ガス、窒素等の不活性ガスが緩衝ガスとしてアルカリ金属ガスとともに封入されていてもよい。
光源部3は、原子セル2内のアルカリ金属原子を共鳴させる共鳴光対を構成する前述した第1共鳴光および第2共鳴光を含む光LLを出射する機能を有する。
受光部4は、原子セル2内を透過した光LL(特に、第1共鳴光および第2共鳴光で構成された共鳴光対)の強度を検出する機能を有する。
ヒーター5(加熱部)は、前述した原子セル2(より具体的には原子セル2中のアルカリ金属)を加熱する機能を有する。これにより、原子セル2中のアルカリ金属を適切な濃度のガス状に維持することができる。
温度センサー6は、ヒーター5または原子セル2の温度を検出する機能を有する。
温度センサー6としては、それぞれ、特に限定されず、サーミスタ、熱電対等の公知の各種温度センサーを用いることができる。
磁場発生部7は、原子セル2内のアルカリ金属に磁場を印加する機能を有する。これにより、ゼーマン分裂により、原子セル2内のアルカリ金属原子の縮退している異なる複数のエネルギー準位間のギャップを拡げて、分解能を向上させることができる。その結果、原子発振器1の発振周波数の精度を高めることができる。
制御部8は、光源部3、ヒーター5および磁場発生部7をそれぞれ制御する機能を有する。
このような制御部8は、例えば、基板上に実装されたICチップに設けられている。
以上、原子発振器1の構成を簡単に説明した。
図4は、図1に示す原子発振器が備える光源部を説明するための概略図である。図5は、図4に示す光源部の第1光源部および第2光源部からそれぞれ出射される光を説明するための図、図6は、図5に示す原子セルの横断面図、すなわち1対の窓部が並ぶ方向に垂直な断面図である。
また、調整光LL2の幅W2は、原子セル2内の幅Wよりも小さい。
図10に示すように、共鳴光対LL1および調整光LL2の双方をセシウム原子に同時に照射した場合(repump on)、共鳴光対LL1のみをセシウム原子に照射した場合(repump off)に比べて、半値全幅をほぼ同等としつつ、EIT信号の信号強度を3倍程度に高めることができる。
図11は、本発明の第1実施形態の変形例に係る光源部の第1光源部および第2光源部からそれぞれ出射される光を説明するための図である。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
光源部3Aは、共鳴光対LL1を出射する第1光源部31と、調整光LL2を出射する第2光源部32Aと、を備えている。
以上説明したような原子発振器は、各種電子機器に組み込むことができる。
図14は、GPS衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。
基地局装置300は、例えば電子基準点(GPS連続観測局)に設置されたアンテナ301を介してGPS衛星200からの測位情報を高精度に受信する受信装置302と、この受信装置302で受信した測位情報をアンテナ303を介して送信する送信装置304とを備える。
図15は、本発明の移動体の一例を示す図である。
1A‥‥原子発振器
2‥‥原子セル
3‥‥光源部
3A‥‥光源部
4‥‥受光部
5‥‥ヒーター
6‥‥温度センサー
7‥‥磁場発生部
8‥‥制御部
21‥‥胴体部
22‥‥窓部
23‥‥窓部
31‥‥第1光源部
32‥‥第2光源部
32A‥‥第2光源部
81‥‥温度制御部
82‥‥光源制御部
83‥‥磁場制御部
100‥‥測位システム
200‥‥GPS衛星
211‥‥貫通孔
300‥‥基地局装置
301‥‥アンテナ
302‥‥受信装置
303‥‥アンテナ
304‥‥送信装置
311‥‥第1光源
312‥‥λ/2波長板
313‥‥λ/4波長板
321‥‥第2光源
322‥‥偏光子
323‥‥λ/4波長板
324‥‥ミラー
400‥‥GPS受信装置
401‥‥アンテナ
402‥‥衛星受信部
403‥‥アンテナ
404‥‥基地局受信部
821‥‥周波数制御部
822‥‥電圧制御型水晶発振器
823‥‥位相同期回路
1500‥‥移動体
1501‥‥車体
1502‥‥車輪
a‥‥軸線
a1‥‥光軸
a2‥‥光軸
LL‥‥光
LL1‥‥共鳴光対
LL1a‥‥第1光
LL1b‥‥共鳴光対
LL2‥‥調整光
LL2a‥‥第2光
LL2b‥‥共鳴光
P‥‥交点
S‥‥内部空間
W‥‥幅
W1‥‥幅
W2‥‥幅
ΔE‥‥エネルギー差
θ‥‥傾斜角度
θ1‥‥傾斜角度
θ2‥‥傾斜角度
ω0‥‥周波数
ω1‥‥周波数
ω2‥‥周波数
Claims (15)
- 金属が封入されている原子セルと、
互いに同方向に円偏光していて前記金属を共鳴させる共鳴光対を含む第1の光を出射する第1光源部と、
前記共鳴光対とは逆方向に円偏光していて前記共鳴光対よりも線幅の大きい第2の光を出射する第2光源部と、
前記原子セルを通過した前記共鳴光対を受光する受光部と、
を備えることを特徴とする量子干渉装置。 - 前記第2の光は、前記金属を共鳴させる共鳴光を含む請求項1に記載の量子干渉装置。
- 前記共鳴光対は、D1線を含み、
前記共鳴光は、D2線を含む請求項2に記載の量子干渉装置。 - 前記共鳴光対の波長帯域は、前記第2の光の波長帯域の外側にある請求項1ないし3のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 前記第2光源部は、前記第2の光を生成するための発光ダイオードを有する請求項1ないし4のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 前記第2光源部は、非偏光の光を出射する光源と、前記光源からの光が入射する偏光子と、を有する請求項1ないし5のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 前記第1光源部は、直線偏光成分を含む光を出射する第1光源を有し、
前記第2光源部は、直線偏光成分を含む光を出射する第2光源を有し、
前記第1光源部および前記第2光源部は、前記第1光源および前記第2光源からの双方の光が通過する共通のλ/4波長板を有する請求項1ないし6のいずれか1項に記載の量子干渉装置。 - 前記原子セル内において前記第2の光の強度が前記第1の光の強度よりも小さい請求項1ないし7のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 前記第1の光と前記第2の光との互いの光軸が交差している請求項1ないし8のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 前記原子セルは、1対の窓部と、前記1対の窓部の間に配置されていて前記1対の窓部とともに前記金属が封入されている内部空間を構成している胴体部と、を有し、
前記第2の光は、前記胴体部を透過して前記内部空間に入射する請求項1ないし9のいずれか1項に記載の量子干渉装置。 - 前記原子セル内において前記第2の光の通過領域内に前記第1の光の通過領域がある請求項1ないし10のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
- 金属に、互いに同方向に円偏光している共鳴光対と、前記共鳴光対とは逆方向に円偏光していて前記共鳴光対よりも線幅の大きい共鳴光を含む光と、をそれぞれ照射することにより、前記金属の磁気量子数の分布の偏りを調整し、磁気誘起透過現象を発生させることを特徴とする量子干渉装置。
- 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする原子発振器。
- 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする移動体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014210063A JP6442969B2 (ja) | 2014-10-14 | 2014-10-14 | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 |
CN201510648184.7A CN105515580B (zh) | 2014-10-14 | 2015-10-09 | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 |
US14/881,475 US9503021B2 (en) | 2014-10-14 | 2015-10-13 | Quantum interference device, atomic oscillator, electronic device, and moving object |
US15/295,261 US9735733B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-10-17 | Quantum interference device, atomic oscillator, electronic device, and moving object |
US15/489,856 US10027335B2 (en) | 2014-10-14 | 2017-04-18 | Quantum interference device, atomic oscillator, electronic device, and moving object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014210063A JP6442969B2 (ja) | 2014-10-14 | 2014-10-14 | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016081998A true JP2016081998A (ja) | 2016-05-16 |
JP2016081998A5 JP2016081998A5 (ja) | 2017-11-24 |
JP6442969B2 JP6442969B2 (ja) | 2018-12-26 |
Family
ID=55959062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014210063A Active JP6442969B2 (ja) | 2014-10-14 | 2014-10-14 | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6442969B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107800431A (zh) * | 2016-09-07 | 2018-03-13 | 精工爱普生株式会社 | 发光元件模块、原子振荡器和电子设备 |
US10133095B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-11-20 | Seiko Epson Corporation | Quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object comprising FM-modulated adjustment light |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070076776A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-04-05 | Honeywell International Inc. | Technique for optically pumping alkali-metal atoms using cpt resonances |
JP2007527994A (ja) * | 2004-02-18 | 2007-10-04 | プリンストン ユニバーシティ | 交互偏光光で原子時計を動かすための方法およびシステム |
US20120212298A1 (en) * | 2009-09-04 | 2012-08-23 | Csem Centresuisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Device for an atomic clock |
JP2013125767A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | 原子発振器、原子発振器の制御方法及び量子干渉装置 |
-
2014
- 2014-10-14 JP JP2014210063A patent/JP6442969B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007527994A (ja) * | 2004-02-18 | 2007-10-04 | プリンストン ユニバーシティ | 交互偏光光で原子時計を動かすための方法およびシステム |
US20070076776A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-04-05 | Honeywell International Inc. | Technique for optically pumping alkali-metal atoms using cpt resonances |
US20120212298A1 (en) * | 2009-09-04 | 2012-08-23 | Csem Centresuisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Device for an atomic clock |
JP2013125767A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Seiko Epson Corp | 原子発振器、原子発振器の制御方法及び量子干渉装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10133095B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-11-20 | Seiko Epson Corporation | Quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object comprising FM-modulated adjustment light |
CN107800431A (zh) * | 2016-09-07 | 2018-03-13 | 精工爱普生株式会社 | 发光元件模块、原子振荡器和电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6442969B2 (ja) | 2018-12-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10027335B2 (en) | Quantum interference device, atomic oscillator, electronic device, and moving object | |
JP2015231053A (ja) | 原子セル、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6682885B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 | |
JP6287169B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6484922B2 (ja) | 原子セル、量子干渉装置、原子発振器および電子機器 | |
JP2015119443A (ja) | ガスセル、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6347101B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
US20160126965A1 (en) | Atomic cell manufacturing method, atomic cell, quantum interference device, atomic oscillator, electronic device, and moving object | |
US9577652B2 (en) | Atomic resonance transition device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object | |
JP6520039B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 | |
US9935642B2 (en) | Quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object | |
JP6361129B2 (ja) | ガスセル、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6442969B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 | |
JP6743410B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 | |
JP2018137397A (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP6264876B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 | |
JP6565397B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 | |
JP6627335B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、および電子機器 | |
JP6662061B2 (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP2017022653A (ja) | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 | |
JP2015185984A (ja) | 原子セル、原子セルの製造方法、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171012 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6442969 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |