JP2016081529A - タッチパネル、電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルの構成例について説明する。
図1(B)は、情報入力装置11に搭載されたタッチセンサ13の拡大図である。また、図2(A)は、図1(B)の一点鎖線A−A’間の断面図である。また、図2(B)は、タッチセンサ13が有する導電層の位置関係を明瞭に説明するための上面図の一例である。なお、明瞭化のため、一部の要素を省略している。
図4(A)、(B)、(C)に本発明の一態様のタッチパネル10、情報入力装置11、表示パネル20の上面図を示す。タッチパネル10は、図1(B)で記載したタッチセンサ13を搭載した情報入力装置11と、表示パネル20とが重ねて配置された構成を有する。
図1(B)の領域28、領域29を拡大した図を図6(A)、図6(B)に示す。図6(A)に示すように、導電層14は、遮光層18と重なって配置されており、例えばサブ画素(赤)22、サブ画素(緑)23、サブ画素(青)24を組み合わせた一つの画素33を囲うように配置することができる。また、導電層14は、隣接した導電層との間隔を1画素分以上の幅を空けることが望ましく、図6(B)のように画素近傍に導電層14がない領域があってもよい。また、導電層14はメッシュ状に配置することができる。なお、メッシュ状とは、網目のように導電層14が配置されている構造を言う。図7(A)、図7(B)、図7(C)にメッシュ状の配列の一例を示す。図7(A)のように四角形のみではなく、図7(B)のような六角形、図7(C)のような円状、その他複雑な多角形の形状を有することができる。また、導電層15についても同様の配置とすることができる。
また、隣接する導電層14の間隔は、画素の幅が例えば30μmであれば、30μm以上離れていることが望ましい。また、画素の幅が5μmであれば、5μm以上離れていることが望ましい。これにより、配線間、電極間で生じる寄生容量を小さくすることができる。導電層15、導電層16を含めた導電層間の間隔は、同様の配置とすることができる。
なお、画素の配置は、図12(A)、図12(B)、図12(C)、図12(D)、図12(E)、図12(F)に示すように、様々な配置をとることができ、1画素あたりのサブ画素数は3つに限定されず、例えばサブ画素(赤)22、サブ画素(緑)23、サブ画素(青)24、サブ画素(黄)26、などを組み合わせてもよく、サブ画素(白)をサブ画素(黄)26と入れ替えてもよい。また、図12(F)のように画素がずれた配置をとることもあってもよい。いずれにおいても、画素を囲うように導電層14、15、16が配置されていることが望ましい。
《検知方法》
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器に適用可能なタッチパネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
図13(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図13(A)では、パルス電圧出力回路601、電流検出回路602を示している。なお、図13(A)では、パルス電圧が与えられる電極621、電流の変化を検知する電極622をそれぞれ、X1−X6、Y1−Y6のそれぞれ6本の配線として示している。また、図13(A)は、電極621および電極622が重畳することで形成される容量603を図示している。なお、電極621と電極622とはその機能を互いに置き換えてもよい。
また、図13(A)ではタッチセンサとして配線の交差部に容量603のみを設けるパッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。図14にアクティブマトリクス型のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
本実施の形態では、実施の形態1および2で説明したタッチパネルの詳細について図を用いて説明する。
図15(B)では、表示パネル20として、有機ELパネルを例として示す。
基板100の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有している必要がある。透光性が高いことが望ましい。
トランジスタ50は、導電層120、絶縁層130、半導体層140、導電層150、160、絶縁層170,180で構成することができる。また、トランジスタ52についても同様に構成することができる。
下地膜としての機能を有する絶縁層110は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等を用いて形成される。なお、絶縁層110として、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化アルミニウム等を用いることで、基板100から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の半導体層140への拡散を抑制することができる。絶縁層110は基板100上に形成される。また、絶縁層110は形成されなくてもよい。
ゲート電極としての機能を有する導電層120は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成される。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いて形成されてもよい。また、導電層120は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、マンガンを含む銅膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層し、さらにその上にマンガンを含む銅膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
絶縁層130は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。絶縁層130には、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層130は上記材料の積層であってもよい。なお、絶縁層130に、ランタン、窒素、ジルコニウムなどを、不純物として含んでいてもよい。
半導体層140は、少なくともIn若しくはZnを含む金属酸化物で形成される。半導体層140の上面の面積は、導電層120の上面の面積と同一、あるいは小さいことが好ましい。
上記半導体層140として用いる酸化物半導体として、例えば、In−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、In−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物、In−Ga系酸化物を用いることができる。
導電層150、および導電層160は、ソース電極層または、ドレイン電極層としての機能を有する。導電層150、および導電層160は、導電層120と同様の材料を用いることができる。
絶縁層170は、トランジスタのチャネル領域を保護する機能を有する。絶縁層170は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等の酸化物絶縁膜、窒化シリコン、窒化アルミニウム等の窒化物絶縁膜を用いて形成される。絶縁層170は、単層構造または積層構造とすることができる。
絶縁層180として、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する絶縁膜を設けることで、半導体層140からの酸素の外部への拡散と、外部から半導体層140への水素、水等の侵入を防ぐことができる。例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層180は上記材料の積層であってもよい。なお、絶縁層180に、ランタン、窒素、ジルコニウムなどを、不純物として含んでいてもよい。
導電層200は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成される。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いて形成されてもよい。また、導電層200は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、マンガンを含む銅膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層し、さらにその上にマンガンを含む銅膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
容量素子60は、導電層120と、絶縁層130と、導電層160と、を有する。導電層120は、容量素子60の一方の電極としての機能を有する。導電層160は、容量素子60の他方の電極としての機能を有する。導電層120と、導電層160との間には、絶縁層130が設けられる。容量素子62についても、容量素子60と同様に構成することができる。
絶縁層210は、平坦化膜としての機能を有する。絶縁層210は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性を有する有機材料を用いて形成される。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層210を形成してもよい。
絶縁層350は、平坦化膜としての機能を有する。絶縁層350は、絶縁層210と同様の材料を用いることができる。また、絶縁層350を設けない構成としてもよい。
遮光性を有する材料を遮光層18に用いることができる。例えば、顔料を分散した樹脂、染料を含む樹脂の他、黒色クロム膜等の無機膜を遮光層18に用いることができる。カーボンブラック、無機酸化物、複数の無機酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光層18に用いることができる。
着色層360は、特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。また、白色の画素では、発光素子と重ねて透明又は白色等の樹脂を配置してもよい。また、着色層360は、遮光層18と接して設けてもよい。
絶縁性の材料を隔壁245に用いることができる。例えば、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料が積層された材料などを用いることができる。具体的には、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を含む膜、アクリルまたはポリイミド等もしくは感光性樹脂等を適用できる。
絶縁性の材料をスペーサー240に用いることができる。例えば、無機材料、有機材料または無機材料と有機材料が積層された材料などを用いることができる。具体的には、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を含む膜、アクリルまたはポリイミド等もしくは感光性樹脂等を適用できる。
発光素子70としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。例えば、下部電極、上部電極ならびに下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層(以下、EL層250とも記す)を備える有機EL素子を発光素子70に用いることができる。
発光素子70は、微小共振器構造を発光素子に組み合わせた例である。例えば、発光素子70の下部電極および上部電極を用いて微小共振器構造を構成し、発光素子から特定の光を効率よく取り出してもよい。
また、可視光を透過する導電層260としては、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛(ZnO)、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
可視光を反射する導電層220としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金(Al−Ni−La)等のアルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金(Ag−Pd−Cu、APCとも記す)、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とITOの積層膜、銀とマグネシウムの合金とITOの積層膜などを用いることができる。
接着層370は、情報入力装置11と表示パネル20を貼り合わせる機能を有する。
導電層14、導電層15、導電層16は、可視光に対して透光性のある材料としては、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)の中から選ばれた一種以上を含む材料を用いるとよい。また、アルミニウム、銀、銅、パラジウム、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成されてもよい。また、マンガン、ジルコニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いて形成されてもよい。また、導電層14、15、16は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、マンガンを含む銅膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造、マンガンを含む銅膜上に銅膜を積層し、さらにその上にマンガンを含む銅膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
絶縁層330は、平坦化する機能を有する。絶縁層330は、無機系材料、あるいは有機系材料を用いることができる。たとえば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等の酸化物絶縁膜、窒化シリコン、窒化アルミニウム等の窒化物絶縁膜、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の耐熱性を有する有機材料を用いて形成される。
FPC42は、異方性導電膜410を介して導電層411と電気的に接続される。また、導電層411は、トランジスタ50等の電極層を形成する工程で形成することができる。画像信号等は、FPC42からトランジスタ52および容量素子62等を有する駆動回路に供給することができる。また、FPC41も、同様に異方性導電膜410を介して導電層14、15と電気的に接続される。
また、有機EL素子は、図18に示すように塗り分け方式を用いて作製することも可能である。導電層220上にEL層250が塗り分け方式で形成されている点が図15(B)とは異なる。
また、タッチパネルは、図19に示すように可撓性を有する基板101、301上に作製することも可能である。
ここで、可撓性を有するタッチパネルを作製する方法について説明する。
タッチパネルに搭載する表示パネルとして、図20に示すように液晶パネルを用いることもできる。図20に示すタッチパネルは、表示素子として液晶素子80が適用されている。また、タッチパネルは、偏光板103、偏光板303、及びバックライト104を有しており、それぞれ接着層373、374、375で接着されている。また、偏光板303よりも視認側には保護基板302が設けられており、接着層376で接着されている。
液晶層390は、導電層190と、導電層380の間に挟まれており、導電層190と、導電層380からの電界を受けることで、液晶層390が有する液晶分子の配向を制御することができ、液晶素子80として機能を有する。
容量素子61は、導電層190と、絶縁層180と、導電層400と、を有する。導電層190は、容量素子61の一方の電極としての機能を有する。導電層400は、容量素子61の他方の電極としての機能を有する。導電層190と、導電層400との間には、絶縁層180が設けられる。導電層190は、トランジスタ50と接続される。容量素子63についても同様の構成とすることができる。
導電層190は、可視光に対して透光性のある導電膜を用いて形成される。可視光に対して透光性のある導電膜としては、例えば、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。また、可視光に対して透光性のある導電膜としては、代表的には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物などの導電性酸化物を用いることができる。
導電層380は、可視光に対して透光性のある導電膜を用いて形成される。可視光に対して透光性のある導電膜としては、例えば、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。また、可視光に対して透光性のある導電膜としては、代表的には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物などの導電性酸化物を用いることができる。
実施の形態4では、実施の形態3で説明したトランジスタ構造の変形例を示す。
なお、半導体層140は、金属元素の原子数比の異なる酸化物半導体膜が複数積層されていてもよい。例えば、トランジスタ51において、図26(A)に示すように、絶縁層130上に酸化物半導体層141、142が順に積層されてもよい。または、図26(B)に示すように、絶縁層130上に酸化物半導体層142、141、143が順に積層されてもよい。酸化物半導体層142、143は、酸化物半導体層141と金属元素の原子数比が異なる。
図15(B)において図示するトランジスタ50等は、ボトムゲート構造のトランジスタを図示しているが、これに限らない。トランジスタ50の変形例として、図27(A)にトランジスタ53、図27(B)にトランジスタ54を示す。図15(B)ではトランジスタ50はチャネルエッチ型を図示しているが、図27(A)の断面図に示すように絶縁層165を設けたチャネル保護型のトランジスタ53でも良いし、図27(B)の断面図に示すようにトップゲート構造のトランジスタ54にすることもできる。
トランジスタ50の変形例であるトランジスタ55を、図28を用いて説明する。図28に示すトランジスタは、デュアルゲート構造であることを特徴とする。
導電層420は、可視光に対して透光性のある導電膜、または可視光に対して反射性のある導電膜を用いて形成される。可視光に対して透光性のある導電膜としては、例えば、インジウム(In)、亜鉛(Zn)、錫(Sn)の中から選ばれた一種を含む材料を用いるとよい。また、可視光に対して透光性のある導電膜としては、代表的には、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物などの導電性酸化物を用いることができる。可視光に対して反射性のある導電膜としては、例えば、アルミニウム、または銀を含む材料を用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成例について図29を用いて説明する。
図29(A)は、本発明の一態様の表示装置の上面図であり、図29(B)は、本発明の一態様の表示装置の画素に液晶素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。また、図29(C)は、本発明の一態様の表示装置の画素に有機EL素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。
また、画素の回路構成の一例を図29(B)に示す。ここでは、一例としてVA型液晶表示装置の画素に適用することができる画素回路を示す。
画素の回路構成の他の一例を図29(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示装置の画素構造を示す。
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。
酸化物半導体膜は、非単結晶酸化物半導体膜と単結晶酸化物半導体膜とに分けられる。または、酸化物半導体は、例えば、結晶性酸化物半導体と非晶質酸化物半導体とに分けられる。
[電子機器の説明]
本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置を適用することのできる電子機器の一例について、図30、図31を用いて説明する。
11 情報入力装置
12 容量素子
13 タッチセンサ
14 導電層
15 導電層
16 導電層
17 開口部
18 遮光層
19 配線
20 表示パネル
21 表示部
25 周辺回路
28 領域
29 領域
33 画素
41 FPC
42 FPC
50 トランジスタ
51 トランジスタ
52 トランジスタ
53 トランジスタ
54 トランジスタ
55 トランジスタ
60 容量素子
61 容量素子
62 容量素子
63 容量素子
70 発光素子
80 液晶素子
81 液晶素子
91 ソース線
92 ゲート線
100 基板
101 基板
103 偏光板
104 バックライト
110 絶縁層
112 絶縁層
120 導電層
130 絶縁層
140 半導体層
141 酸化物半導体層
142 酸化物半導体層
143 酸化物半導体層
150 導電層
160 導電層
165 絶縁層
170 絶縁層
180 絶縁層
190 導電層
200 導電層
210 絶縁層
220 導電層
230 層
240 スペーサー
245 隔壁
250 EL層
260 導電層
300 基板
301 基板
302 保護基板
303 偏光板
312 絶縁層
330 絶縁層
350 絶縁層
360 着色層
370 接着層
371 接着層
372 接着層
373 接着層
374 接着層
375 接着層
376 接着層
380 導電層
390 液晶層
400 導電層
410 異方性導電膜
411 導電層
420 導電層
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
611 トランジスタ
612 トランジスタ
613 トランジスタ
621 電極
622 電極
700 基板
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 信号線駆動回路
710 容量配線
712 ゲート配線
713 ゲート配線
714 データ線
716 トランジスタ
717 トランジスタ
718 液晶素子
719 液晶素子
720 画素
721 スイッチング用トランジスタ
722 駆動用トランジスタ
723 容量素子
724 発光素子
725 信号線
726 走査線
727 電源線
728 共通電極
7101 筐体
7102 筐体
7103 表示部
7104 表示部
7105 マイク
7106 スピーカー
7107 操作キー
7108 スタイラス
7302 筐体
7304 表示部
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
7501 筐体
7502 表示部
7503 操作ボタン
7504 外部接続ポート
7505 スピーカー
7506 マイク
7701 筐体
7702 筐体
7703 表示部
7704 操作キー
7705 レンズ
7706 接続部
7801 筐体
7802 表示部
7803 操作ボタン
7804 スピーカー
7921 電柱
7922 表示部
8121 筐体
8122 表示部
8123 キーボード
8124 ポインティングデバイス
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 ダッシュボード
9704 ライト
9710 表示部
9711 表示部
9712 表示部
9713 表示部
9714 表示部
9715 表示部
9721 表示部
9722 表示部
9723 表示部
Claims (7)
- 情報入力装置と、表示パネルと、を有するタッチパネルであって、
前記情報入力装置と、前記表示パネルは重畳する領域を有し、
前記情報入力装置は、遮光層と、第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、絶縁層と、着色層とを有し、
前記遮光層と、前記第1の導電層は重畳する領域を有し、
前記遮光層と、前記第2の導電層は重畳する領域を有し、
前記遮光層と、前記第3の導電層は重畳する領域を有し、
前記第1の導電層と、前記第3の導電層は重畳する領域を有し、
前記第2の導電層と、前記第3の導電層が重畳する領域を有し、
前記第2の導電層と、前記第3の導電層は電気的に接続され、
前記第1の導電層、前記第2の導電層および前記第3の導電層の幅は、前記遮光層の幅よりも狭く、
前記第1の導電層、前記第2の導電層および前記第3の導電層は、上面形状がメッシュ状となるように配置され、
前記第1の導電層、前記第2の導電層および前記第3の導電層は、前記表示パネルの画素を囲うように配置されていることを特徴とするタッチパネル。 - 情報入力装置と、表示パネルと、を有するタッチパネルであって、
前記情報入力装置は第1の基板を有し、
前記表示パネルは第2の基板を有し、前記第1の基板および前記第2の基板は可撓性を有し、
前記情報入力装置と、前記表示パネルは重畳する領域を有し、
前記情報入力装置は、遮光層と、第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、絶縁層と、着色層とを有し、
前記遮光層と、前記第1の導電層は重畳する領域を有し、
前記遮光層と、前記第2の導電層は重畳する領域を有し、
前記遮光層と、前記第3の導電層は重畳する領域を有し、
前記第1の導電層と、前記第3の導電層は重畳する領域を有し、
前記第2の導電層と、前記第3の導電層が重畳する領域を有し、
前記第2の導電層と、前記第3の導電層は電気的に接続され、
前記第1の導電層、前記第2の導電層および前記第3の導電層の幅は、前記遮光層の幅よりも狭く、
前記第1の導電層、前記第2の導電層および前記第3の導電層は、上面形状がメッシュ状となるように配置され、
前記第1の導電層、前記第2の導電層および前記第3の導電層は、前記表示パネルの画素を囲うように配置されていることを特徴とするタッチパネル。 - 請求項1または2において、
前記表示パネルは、有機EL素子を有することを特徴とするタッチパネル。 - 請求項1または2において、
前記表示パネルは、液晶素子を有することを特徴とするタッチパネル。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記第1の導電層、前記第2の導電層および前記第3の導電層のそれぞれにおいて、隣接する前記第1の導電層、前記第2の導電層または前記第3の導電層との間隔は、1画素分以上の幅をもって配置されていることを特徴とするタッチパネル。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記第1の導電層、前記第2の導電層および前記第3の導電層としてアルミニウム、銀、銅、パラジウム、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、マンガン、ジルコニウムから選ばれた金属元素、または前記金属元素を成分とする合金か、前記金属元素を組み合わせた合金を有することを特徴とするタッチパネル。 - 請求項1乃至6のいずれか一に記載のタッチパネルと、
マイクおよびスピーカー
を有することを特徴とする電子機器。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018109768A (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | インセルタッチ有機発光表示装置 |
US10579174B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-03-03 | Samsung Display Co., Ltd | Touch sensor including touch sensing electrodes and display device having the same |
US10644083B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-05-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Input sensing unit and display device having the same |
US10866664B2 (en) | 2017-05-12 | 2020-12-15 | Japan Display Inc. | Display device |
US10976878B2 (en) | 2017-08-14 | 2021-04-13 | Japan Display Inc. | Display device |
US11056546B2 (en) | 2018-08-22 | 2021-07-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing display device |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017010726A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6067790B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-25 | 日本写真印刷株式会社 | 複合タッチパネル |
US10978489B2 (en) * | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
KR102467806B1 (ko) * | 2015-10-23 | 2022-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US10558265B2 (en) | 2015-12-11 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input device and system of input device |
WO2017103737A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel |
KR102496913B1 (ko) * | 2016-03-24 | 2023-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102365490B1 (ko) | 2016-07-13 | 2022-02-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 입출력 패널, 입출력 장치, 반도체 장치 |
TWI599801B (zh) * | 2016-07-26 | 2017-09-21 | Au Optronics Corp | 影像感測裝置及其光學膜片 |
JP6756538B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2020-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102614333B1 (ko) * | 2016-09-08 | 2023-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP2018063669A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2018077600A (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN106782094A (zh) * | 2017-01-12 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种母板及其制备方法、盖板及其制备方法、显示装置 |
WO2018131554A1 (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
TWI621049B (zh) * | 2017-06-08 | 2018-04-11 | 友達光電股份有限公司 | 觸控面板 |
CN107393421A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 走线结构、显示基板及显示装置 |
CN107634085B (zh) * | 2017-09-15 | 2020-11-17 | 业成科技(成都)有限公司 | 触控显示装置及其制造方法 |
CN107634086B (zh) * | 2017-09-15 | 2020-03-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置 |
JP7293190B2 (ja) | 2018-03-16 | 2023-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN108490666B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-06-16 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置及其阵列基板 |
US11073955B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-07-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR102573313B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2023-08-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액츄에이터 및 이를 포함하는 햅틱 표시장치 |
KR20200096357A (ko) | 2019-02-01 | 2020-08-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110034168B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-07-30 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR20230021196A (ko) | 2021-08-04 | 2023-02-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013141056A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | シャープ株式会社 | カラーフィルター一体型タッチパネル |
WO2013157532A1 (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | シャープ株式会社 | カラーフィルター一体型タッチパネル |
US20130341651A1 (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Sensor substrate and sensing display panel having the same |
JP2014056564A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Samsung Display Co Ltd | センサ基板、その製造方法及びそれを含むセンシング表示パネル |
US20140168540A1 (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Touch control liquid crystal display device |
US20140176490A1 (en) * | 2012-12-25 | 2014-06-26 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | In-cell touch display device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5495924B2 (ja) * | 2010-04-27 | 2014-05-21 | 京セラ株式会社 | ラインスキャン方式の静電容量タッチパネル、およびこれを備えた表示装置 |
WO2012096210A1 (ja) * | 2011-01-11 | 2012-07-19 | アルプス電気株式会社 | 座標入力装置 |
-
2015
- 2015-10-02 KR KR1020150139161A patent/KR20160044414A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-10-12 JP JP2015201661A patent/JP2016081529A/ja not_active Withdrawn
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-
2020
- 2020-03-16 JP JP2020044984A patent/JP2020109686A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-12-20 JP JP2021205755A patent/JP7225362B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013141056A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | シャープ株式会社 | カラーフィルター一体型タッチパネル |
WO2013157532A1 (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | シャープ株式会社 | カラーフィルター一体型タッチパネル |
US20130341651A1 (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Sensor substrate and sensing display panel having the same |
JP2014056564A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Samsung Display Co Ltd | センサ基板、その製造方法及びそれを含むセンシング表示パネル |
US20140168540A1 (en) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | Touch control liquid crystal display device |
US20140176490A1 (en) * | 2012-12-25 | 2014-06-26 | Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. | In-cell touch display device |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10579174B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-03-03 | Samsung Display Co., Ltd | Touch sensor including touch sensing electrodes and display device having the same |
JP2018109768A (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | インセルタッチ有機発光表示装置 |
US10541281B2 (en) | 2016-12-30 | 2020-01-21 | Lg Display Co., Ltd. | In-cell touch organic light-emitting display device |
US10866664B2 (en) | 2017-05-12 | 2020-12-15 | Japan Display Inc. | Display device |
US11782542B2 (en) | 2017-05-12 | 2023-10-10 | Japan Display Inc. | Display device |
US10644083B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-05-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Input sensing unit and display device having the same |
US10976878B2 (en) | 2017-08-14 | 2021-04-13 | Japan Display Inc. | Display device |
US11056546B2 (en) | 2018-08-22 | 2021-07-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing display device |
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Publication number | Publication date |
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