JP2016079423A - 圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板、電子機器及び圧延銅箔の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な折り曲げ性及びハンドリング性を有し、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板の生産性が良好となる圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板、電子機器及び圧延銅箔の製造方法を提供する。【解決手段】最終圧延後、且つ、再結晶前の圧延銅箔であって、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ａに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が１．５°以上２．０°未満である前記測定点ａを中心とし、前記測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、前記面積Ａの合計を面積ＡＴとしたとき、前記ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上４５％以下である圧延銅箔。【選択図】図１

Description

本発明は、圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板、電子機器及び圧延銅箔の製造方法に関する。

電子機器は、通常複数の電子基板で構成されており、これら電子基板同士を電気的に接続するフレキシブルプリント配線板が電子基板間に設けられている。フレキシブルプリント配線板は、通常、絶縁基板と、該基板表面に形成された銅製の配線とを備えている。電子基板同士を接続するフレキシブルプリント配線板には、両基板の熱膨張や収縮の違いにより引張応力や圧縮応力が加わるため、良好な屈曲性等が求められる。このようなフレキシブルプリント配線板に求められる特性としては、ＭＩＴ屈曲性に代表される良好な折り曲げ性、及び、ＩＰＣ屈曲性に代表される高サイクル屈曲性があり、従来、このような特性を備えた銅箔や銅−樹脂基板積層体が開発されている（特許文献１〜３）。

特開２０１０−１００８８７号公報 特開２００９−１１１２０３号公報 特開２００７−２０７８１２号公報

フレキシブルプリント配線板に使用される銅箔は年々薄くなってきており、現状は１８μｍ以下が主流となっていて、シングルμｍの厚みを持つ銅箔も商品化されている。圧延銅箔の場合、厚みを薄くしていくと必然と圧延の加工度は高くなり、内部にひずみが蓄積された状態となっている。また、薄くすることでせん断帯が導入されやすくなり、ひずみの蓄積がさらに大きくなる。

ひずみの蓄積が大きくなると、銅箔が硬くなり、すぐに折れるため、ハンドリング性が低下してしまう。また、ひずみの蓄積が大きくなると、銅張積層板を作製するときにかかる熱で蓄積されていたひずみが解放されるが、このときに銅箔にシワが入りやすくなる。

また、せん断帯が導入されると再結晶後にせん断帯の場所で、圧延面に{１１１}面が平行な結晶粒が出現しやすくなる。これはヤング率を上げてフレキシブル性を損なったり、屈曲試験や折り曲げ試験で割れの起点となったりするため好ましくない。また、Ａｇ等の元素を微量添加した銅箔とすると、屈曲性等が向上することが知られているが、銅以外の元素が銅箔に含まれることでひずみは蓄積しやすくなり、上記問題が顕著になってしまう。

そこで、本発明は、良好な折り曲げ性及びハンドリング性を有し、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板の生産性が良好となる圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板、電子機器及び圧延銅箔の製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、鋭意検討の結果、圧延銅箔の結晶内における結晶方位の角度差を制御することで、折り曲げ性及びハンドリング性、及び、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板に用いたときの生産性を向上させることができることを見出した。

以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、最終圧延後、且つ、再結晶前の圧延銅箔であって、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ａに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が１．５°以上２．０°未満である前記測定点ａを中心とし、前記測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、前記面積Ａの合計を面積ＡＴとしたとき、前記ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上４５％以下である圧延銅箔である。

本発明の圧延銅箔は一実施形態において、前記ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上３０％以下である。

本発明の圧延銅箔は別の一実施形態において、最終圧延後、且つ、再結晶前の圧延銅箔であって、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ｂに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．３°以上０．９°未満である前記測定点ｂを中心とし、前記測定点ｂと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、前記面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたとき、前記ＢＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上５０％以下である圧延銅箔である。

本発明の圧延銅箔は更に別の一実施形態において、前記ＢＴが銅箔の表面面積に対し３０％以上５０％以下である。

本発明の圧延銅箔は更に別の一実施形態において、厚みが３μｍ以上１５μｍ以下である。

本発明の圧延銅箔は更に別の一実施形態において、Ａｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で１０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下含む。

本発明は更に別の一側面において、本発明の圧延銅箔を使用して作製された銅張積層板である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の銅張積層板を使用して作製されたフレキシブルプリント配線板である。

本発明は更に別の一側面において、本発明のフレキシブルプリント配線板を使用して作製された電子機器である。

本発明は更に別の一側面において、最終圧延後に温度Ｔ（Ｋ）及び時間ｔ（秒）が、
Ｔ＝４７３ｔ^-C （但し、−０．０３≦Ｃ≦−０．０２）
を満たすＴ及びｔにて熱処理を行う圧延銅箔の製造方法である。

本発明によれば、良好な折り曲げ性及びハンドリング性を有し、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板の生産性が良好となる圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板、電子機器及び圧延銅箔の製造方法を提供することができる。

圧延銅箔の結晶方位の測定態様を表す模式図である。 実施例に係る１８０°曲げ試験の説明図である。

（圧延銅箔の構成）
本発明に用いることのできる圧延銅箔の材料としては、タフピッチ銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００ Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００ Ｃ１０２０、ＪＩＳ−Ｈ３５１０ Ｃ１０１１）が使用可能である。
さらには、タフピッチ銅及び無酸素銅をベースとした銅合金箔も使用可能である。タフピッチ銅及び無酸素銅をベースとした銅合金箔は、具体的には、Ａｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で１０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下含む銅合金箔が挙げられる。
なお、本明細書において「銅箔」には銅合金箔も含まれ、「タフピッチ銅」及び「無酸素銅」で形成した銅箔には、タフピッチ銅及び無酸素銅をベースとした銅合金箔も含まれる。

本発明の圧延銅箔は、最終圧延後、且つ、再結晶前の圧延銅箔であり、厚みは３μｍ以上１５μｍ以下であるのが好ましい。最終圧延後、且つ、再結晶前の圧延銅箔の厚さが３μｍ未満であると銅箔のハンドリングが悪くなり、１５μｍ超であるとファインピッチ性が低下する。また、銅箔の厚さが薄くなると、回路幅４０μｍ以下のファインピッチが直線性良く形成できる傾向にあり、特に厚さが１２μｍ以下でその傾向が顕著となる。このため、当該圧延銅箔の厚さは、３〜１２μｍであるのがより好ましい。

本発明の圧延銅箔は、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ａに電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が１．５°以上２．０°未満である測定点ａを中心とし、測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、面積Ａの合計を面積ＡＴとしたとき、ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上４５％以下に制御されている。

本発明の圧延銅箔は、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ｂに電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．３°以上０．９°未満である前記測定点ｂを中心とし、測定点ｂと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたとき、ＢＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上５０％以下に制御されているのが好ましい。

上記測定点ａについては、具体的には、まず、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ａを決定する。この測定点ａは、電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する６点の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が１．５°以上２．０°未満である。なお、測定点と隣接測定点の結晶方位との方位角度差が２．０°以上である隣接測定点は結晶粒界であると判定し、上記方位角度差の平均値の算出においては考慮しない。そのため、例えば６点の隣接測定点の内、２点が結晶粒界であると判定された場合、測定点の電子線を照射して得られた結晶方位と結晶粒界以外の残りの４点の隣接測定点の結晶方位との方位角度差の平均値が、測定点の電子線を照射して得られた結晶方位と隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値となる。

上記測定点ｂについては、具体的には、まず、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ｂを決定する。この測定点ｂは、電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する６点の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．３°以上０．９°未満である。

図１に、本発明の圧延銅箔の結晶方位の測定態様を表す模式図を示す。まず測定点を決定する。図１では、測定点ａ又はｂを、Ｎｏ．１（以下、測定点１という）と記載している。また、測定点１を中心とし、測定点１と各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形を決定する。隣接測定点（測定点２〜７）は、この測定点１を中心にして、周囲に２００ｎｍ離間して位置する。そして、測定点１〜７について電子線を照射して得られた結晶方位を測定し、測定点１と、測定点２〜７の方位角度差をそれぞれ求める。このようにして求めた方位角度差の平均値が１．５°以上２．０°未満であるとき、その測定点１を測定点ａとし、測定点ａを中心とする正六角形の面積を面積Ａとする。また、方位角度差の平均値が０．３°以上０．９°未満であるとき、その測定点１を測定点ｂとし、測定点ｂを中心とする正六角形の面積を面積Ｂとする。

さらに、これらの隣接測定点（測定点２〜７）について、測定点１と同様に、それぞれを中心として各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形を決定する。このように正六角形を順に決定していくと、図１に示すように互いに接し合う複数の正六角形で銅箔の金属組織が埋められていく。そして、各測定点についても上述と同様にして測定点ａかｂかを判定し、面積Ａ又はＢを求める。このようにして得られた各測定点における面積Ａの合計を面積ＡＴとしたとき、ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上４５％以下である。また、各測定点における面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたとき、ＢＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上５０％以下であるのが好ましい。

上述の結晶方位の測定は、ＥＢＳＰ（Electron Backscattering Pattern）のいわゆるＫＡＭ（Kernel Average Misorientation）値で２００ｎｍステップによるものが挙げられる。方位角度差が２°以上ある場所は結晶粒界としたため省いている。ＫＡＭ値はＥＢＳＰを測定するステップ間隔により大きく変化するが、ステップ間隔を短くしていくと徐々に変化しなくなり、本発明の圧延銅箔では２００ｎｍ以下であればほぼ一定の値となる。このため、２００ｎｍステップで測定したＫＡＭ値を用いることができる。

面積ＡＴの割合は、小さい方が、銅箔におけるひずみの蓄積が少ない。ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％未満であると、ひずみ蓄積量が少なくハンドリング性が良くなるが、銅張積層板を作る工程で再結晶せず、さらに再結晶しても結晶径が不均一となる。一方、ＡＴが銅箔の表面面積に対し４５％を超えると、ひずみの蓄積が大きすぎてハンドリング性が著しく悪くなる。また、面積ＡＴの割合は、銅箔の表面面積に対し２０％以上３０％以下であるのが好ましい。面積ＡＴの割合が３０％以下であると、ハンドリング性向上の効果が大きくなる。

面積ＢＴの割合は、小さい方が、銅箔におけるひずみの蓄積が少ない。ＢＴが銅箔の表面面積に対し２０％未満であると、ひずみ蓄積量が少なくハンドリング性が良くなるが、銅張積層板を作る工程で再結晶せず、さらに再結晶しても結晶径が不均一となる。一方、ＢＴが銅箔の表面面積に対し５０％を超えると、再結晶し難くなったり、再結晶粒径が不均一になったりする。また、面積ＢＴの割合は、銅箔の表面面積に対し３０％以上５０％以下であるのが好ましい。面積ＢＴの割合が３０％以上であると、ハンドリング性向上の効果が大きくなる。

本発明の圧延銅箔は、Ａｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で１０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下含むことが好ましい。Ａｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で１０質量ｐｐｍ以上含むことで、銅箔の屈曲性が向上する。また、銅以外の元素が含まれることでひずみが蓄積しやすくなり、ハンドリング性が劣化するおそれがあるため、Ａｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で５００質量ｐｐｍ以下とするのが好ましい。

（圧延銅箔の製造方法）
圧延銅箔の製造プロセスは、電気銅を純銅の原料に使用し、必要に応じて合金元素を添加した後、鋳造して厚み１００〜３００ｍｍのインゴットを製造する。このインゴットを熱間圧延して厚み５〜２０ｍｍ程度とした後、冷間圧延と焼鈍を繰り返して、冷間圧延で所定の厚みに仕上げる。このとき、最終圧延加工度が９０％以上になるように圧延する。最終圧延加工度とは、再結晶を伴う焼鈍後、製品の板厚まで加工する圧延の総加工度である。最終圧延加工度が９０％以上であると、銅箔の屈曲性及び折り曲げ性が良好となる。続いて、最終圧延後に、温度Ｔ（Ｋ）及び時間ｔ（秒）が、
Ｔ＝４７３ｔ^-C （但し、−０．０３≦Ｃ≦−０．０２）
を満たすＴ及びｔにて熱処理を行う。当該熱処理は再結晶を伴わず、再結晶温度の１／２〜３／４の温度にて行われている。熱処理時間は１〜３０時間であるのが好ましい。当該熱処理の温度が高い方が銅箔におけるひずみの蓄積を小さくする効果があり、ハンドリング性向上の効果は大きいが、温度が高すぎると部分的に再結晶してハンドリング性が逆に悪くなってしまう。すなわち、このような熱処理を行うことで、本発明の圧延銅箔の面積ＡＴ及びＢＴの割合を制御することができる。

（銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器）
本発明の銅張積層板は、本発明の圧延銅箔に対し、必要であれば再結晶等の処理を行った後、絶縁基板を貼り合わせることで構成されている。また、本発明に係るフレキシブルプリント配線板は、本発明の銅張積層板の圧延銅箔部分を加工して配線パターンを形成することで作製することができる。すなわち、本発明に係るフレキシブルプリント配線板は、絶縁基板と、この絶縁基板の表面に形成された配線パターンとを備えている。ここで用いられる絶縁基板は、フレキシブルプリント配線板に適用可能な良好な屈曲性及び折れ曲げ性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、ポリエチレンナフタレート等が挙げられる。絶縁基板の厚さは、１２〜５０μｍが好ましい。厚さが１２μｍ未満であるとハンドリングが悪くなり、５０μｍ超であるとフレキシブル性が低下する。配線パターンは、上述のフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔を用いて形成されている。配線パターンの形状は特に限定されず、どのようなものであってもよい。

銅張積層板は、圧延銅箔と、良好な屈曲性及び折れ曲げ性を有するポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム等の絶縁基板とを貼り合わせて製造することができる。

貼り合わせの方法は、ポリイミドフィルムの場合、熱硬化性ポリイミドフィルムに熱可塑性のポリイミド接着剤を塗工、乾燥した後、銅箔と積層させ、熱圧着させる。圧着方法としては真空熱プレスする方法や熱ロールによってラミネートする方法がある。またポリイミドフィルムの場合、銅箔にポリイミドの前駆体を塗工、乾燥、硬化させることで銅張積層板を作製する。

銅張積層板からフレキシブルプリント配線板を作製する工程は当業者に周知の方法を用いればよい。例えば、エッチングレジストを銅張積層板の銅箔面に配線パターンとして必要となる部分だけに塗工し、エッチング液を銅箔面に噴射することで不要銅箔を除去して回路パターンを形成する。次いでエッチングレジストを剥離・除去して配線パターンを露出することで、フレキシブルプリント配線板を作製する。

このフレキシブルプリント配線板を２つの電子基板間に設けて、それらを電気的に接続させることで、種々の電子機器を作製することができる。電子機器としては、特に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、ＣＤプレイヤー、デジタルカメラ、テレビ、ＤＶＤプレイヤー、電子手帳、電子辞書、電卓、ビデオカメラ、プリンター等が挙げられる。

以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。

タフピッチ銅：ＴＰＣ（実施例１〜３、１６、比較例２、４）（ＪＩＳ−Ｈ３１００ Ｃ１１００）、無酸素銅：ＯＦＣ（実施例４〜１５、１７〜２９、比較例１、３、５）（ＪＩＳ−Ｈ３１００ Ｃ１０２０）に表１に記載の元素を添加してインゴットを作製した。なお、実施例１〜７は添加元素を使用せず、タフピッチ銅、無酸素銅をそれぞれそのまま用いてインゴットを作製した。次に、作製したインゴットを熱間圧延で厚さ７ｍｍの板に加工し、表面研削で酸化物を取り除いた後、冷間圧延、焼鈍、酸洗を繰り返した。この後、表１に記載の厚さまでの冷間圧延を実施した。このとき、最終圧延加工度が９０％以上になるように圧延した。最終圧延後に、再結晶を伴わない熱処理として、温度Ｔ（Ｋ）及び時間ｔ（秒）が、
Ｔ＝４７３ｔ^-C （Ｔ、ｔ、Ｃは表１に記載）
を満たすように熱処理を行った。

（ＡＴ及びＢＴの割合の測定）
上述のようにして作製した各銅箔に対して、電子顕微鏡ＪＥＯＬ ＦＥ−ＳＥＭを用い、ＴＳＬ社製の解析ソフトを用いてＥＢＳＰをとってＫＡＭ値を算出した。これによって銅箔表面の５００μｍ×５００μｍの範囲を測定し、当該測定面における上述の面積ＡＴ及び面積ＢＴを求め、銅箔の表面面積に対する割合を算出した。なお、当該面積ＡＴ及び面積ＢＴは、銅箔表面の５００μｍ×５００μｍの範囲において、結晶粒数で６２５個程度の測定を行い、その平均を算出して求めた。

（ハンドリング性）
３００℃に加熱した２つのロールを１００ｋｇｆ／ｃｍのニップ圧にてニップさせ、その間に銅箔を、テンションフリー且つ２ｍ／分の速度で通箔させた。このときにシワが消えないものを×、ライン張力の調整でシワが少なくなったものを○、シワが発生しなくなるものを◎とした。

（折り曲げ性）
各銅箔に対して、圧延方向が長手方向となるように試験片を１２．７ｍｍ×１００ｍｍ短冊状に切り出した。この試験片Ｓ１を長手方向の両端同士が合うように中央部でＵ字状に曲げ、長手方向が水平になるように横に向けて逆Ｃ字状にした状態で、圧縮試験機（島津製作所製の万能試験機 ＡＧＳ−５ｋＮ）にセットした（図２（ａ））。具体的には、試験片Ｓ１を圧縮試験機の台座１２上に載置し、試験片Ｓ１の上方のクロスヘッド１１を荷重９８ｋＮ（１０ｋｇｆ）、５０ｍｍ／分の速度で下降させ、荷重を加えてから５秒保持して試験片Ｓ１を完全に潰した（試験片Ｓ１を完全に潰す回数を折り曲げ回数とした。）その後、クロスヘッド１１を上昇させ、Ｕ字部が潰れた試験片Ｓ２を取り出し、長手方向が上下になるよう向きを変えて試験片Ｓ３とした（図２（ｂ））。試験片Ｓ２、Ｓ３は、Ｕ字部が潰れた突状の曲げ部Ｃを有する。曲げ部Ｃ外面を観察し割れの有無を確認した。割れが見つかなかったら、曲げ部Ｃが上向きになるようにして試験片Ｓ３を上記圧縮試験機の台座１２上に載置し、曲げ部Ｃの上方のクロスヘッド１１を上記と同様の荷重及び速度で下降させ、荷重を加えてから５秒保持して試験片Ｓ３を完全に潰した（図２（ｃ）、（ｄ））。その後、クロスヘッド１１を上昇させ、曲げ部Ｃが潰れてほぼ平坦になった試験片Ｓ４を取り出した。試験片Ｓ４を試験片Ｓ１として折り曲げ回数が３回になるまで続け、割れの有無をＣＣＤカメラで確認する。３回曲げても割れないものを○、割れるものを×とした。
測定条件及び結果を表１に示す。

（評価）
実施例１〜２９は、ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上４５％以下であり、ハンドリング性及び折り曲げ性が良好であった。
比較例１、３、５は、ＡＴが銅箔の表面面積に対し４５％超であり、ハンドリング性が不良であった。
比較例２、４は、ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％未満であり、折り曲げ性が不良であった。

１１ クロスヘッド
１２ 台座
Ｓ１ 試験片
Ｓ２ 試験片
Ｓ３ 試験片
Ｓ４ 試験片
Ｃ 曲げ部

Claims (10)

1. 最終圧延後、且つ、再結晶前の圧延銅箔であって、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ａに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が１．５°以上２．０°未満である前記測定点ａを中心とし、前記測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、前記面積Ａの合計を面積ＡＴとしたとき、前記ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上４５％以下である圧延銅箔。
2. 前記ＡＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上３０％以下である請求項１に記載の圧延銅箔。
3. 最終圧延後、且つ、再結晶前の圧延銅箔であって、銅箔表面において結晶の金属組織の測定点ｂに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．３°以上０．９°未満である前記測定点ｂを中心とし、前記測定点ｂと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、前記面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたとき、前記ＢＴが銅箔の表面面積に対し２０％以上５０％以下である請求項１又は２に記載の圧延銅箔。
4. 前記ＢＴが銅箔の表面面積に対し３０％以上５０％以下である請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧延銅箔。
5. 厚みが３μｍ以上１５μｍ以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧延銅箔。
6. Ａｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で１０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧延銅箔。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧延銅箔を使用して作製された銅張積層板。
8. 請求項７に記載の銅張積層板を使用して作製されたフレキシブルプリント配線板。
9. 請求項８に記載のフレキシブルプリント配線板を使用して作製された電子機器。
10. 最終圧延後に温度Ｔ（Ｋ）及び時間ｔ（秒）が、
    Ｔ＝４７３ｔ^-C （但し、−０．０３≦Ｃ≦−０．０２）
    を満たすＴ及びｔにて熱処理を行う圧延銅箔の製造方法。

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