JP2016078023A - Laser processing device, manufacturing device for light-emitting device, and method for manufacturing light-emitting device - Google Patents

Laser processing device, manufacturing device for light-emitting device, and method for manufacturing light-emitting device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing device which can suppress adhesion of processed powder to a light-emitting device.SOLUTION: A manufacturing device 200 for a light-emitting device 10 is equipped with: an irradiation part 210 which processes a light-emitting device 10 by irradiation of laser beam 230; a suction part 40 which sucks processed powder generated by said processing; and an attraction part 50 which performs electrostatic attraction of the processed powder sucked by the suction part by electrical charging. The attraction part 50 has a cylindrical shape which forms an opening 51 for passing laser beam 230, and an area of the opening 51 at an end on the light-emitting device 10 side of the attraction part 50 is smaller than an area of the opening 51 at an end on the irradiation part 210 side of attraction part 50.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、レーザ加工装置、発光装置の製造装置、および発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus, a light emitting device manufacturing apparatus, and a light emitting device manufacturing method.

白色光を発する発光装置(発光デバイス)として、青色LEDチップを、蛍光体を含む透光性樹脂で封止した発光装置が知られている。   As a light emitting device (light emitting device) that emits white light, a light emitting device in which a blue LED chip is sealed with a translucent resin containing a phosphor is known.

このような発光装置は、青色LEDチップの性能のばらつきと、蛍光体の量とによる白色光の色度のばらつきが生じることが課題である。   Such a light-emitting device has a problem that variations in the performance of the blue LED chip and variations in the chromaticity of white light due to the amount of the phosphor occur.

このような課題を解決するために、特許文献1には、蛍光体を含む蛍光層をレーザ光の照射によって除去することにより発光装置の発光色の色度調整を行う技術が開示されている。   In order to solve such a problem, Patent Document 1 discloses a technique for adjusting the chromaticity of the emission color of a light emitting device by removing a fluorescent layer containing a phosphor by laser light irradiation.

特開2002−344029号公報JP 2002-344029 A

上述したような発光装置の色度の調整においては、レーザ照射時に発生する加工粉が発光装置に付着することで色度の調整量にずれが生じてしまうことが課題である。   In adjusting the chromaticity of the light emitting device as described above, there is a problem that a deviation occurs in the amount of adjustment of chromaticity due to the processing powder generated during laser irradiation adhering to the light emitting device.

そこで、本発明は、加工対象物への加工粉の付着を抑制することができるレーザ加工装置等を提供する。   Then, this invention provides the laser processing apparatus etc. which can suppress adhesion of the processing powder to a workpiece.

本発明の一態様に係るレーザ加工装置は、レーザ光を照射することにより対象物を加工する照射部と、前記加工により生じる加工粉を吸引する吸引部と、帯電することにより、前記吸引部に吸引される加工粉を静電吸着する吸着部とを備え、前記吸着部は、前記レーザ光を通す開口を形成する筒状であり、前記吸着部の前記対象物側の端部における前記開口の面積は、前記吸着部の前記照射部側の端部における前記開口の面積よりも小さい。   A laser processing apparatus according to an aspect of the present invention includes an irradiation unit that processes an object by irradiating a laser beam, a suction unit that sucks processing powder generated by the processing, and a charging unit that charges the suction unit. A suction portion that electrostatically attracts the processed powder to be sucked, and the suction portion has a cylindrical shape that forms an opening through which the laser beam passes, and the opening at the end portion on the object side of the suction portion. The area is smaller than the area of the opening at the end of the suction part on the irradiation part side.

本発明の一態様に係る発光装置の製造装置は、発光装置の製造装置であって、前記発光装置は、蛍光体を含有する透光性樹脂によって発光素子の少なくとも一部が覆われることにより形成され、前記発光装置の製造装置は、レーザ光を照射することにより前記透光性樹脂を加工する照射部と、前記加工により生じる加工粉を吸引する吸引部と、帯電することにより、前記吸引部に吸引される加工粉を静電吸着する吸着部とを備え、前記吸着部は、前記レーザ光を通す開口を形成する筒状であり、前記吸着部の前記発光装置側の端部における前記開口の面積は、前記吸着部の前記照射部側の端部における前記開口の面積よりも小さい。   A light-emitting device manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention is a light-emitting device manufacturing apparatus, which is formed by covering at least part of a light-emitting element with a light-transmitting resin containing a phosphor. The light emitting device manufacturing apparatus includes: an irradiation unit that processes the translucent resin by irradiating a laser beam; a suction unit that sucks processing powder generated by the processing; and the suction unit that is charged. An adsorption part that electrostatically adsorbs the processing powder attracted to the cylinder, and the adsorption part has a cylindrical shape that forms an opening through which the laser beam passes, and the opening at the end of the adsorption part on the light emitting device side Is smaller than the area of the opening at the end of the suction part on the irradiation part side.

本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、吸着部を用いた発光装置の製造方法であって、前記発光装置は、蛍光体を含有する透光性樹脂によって発光素子の少なくとも一部が覆われることにより形成され、前記発光装置の製造方法は、レーザ光を照射することにより前記透光性樹脂を加工し、前記加工により生じる加工粉を吸引し、吸引される加工粉を、前記吸着部を帯電させることによって静電吸着し、前記吸着部は、前記レーザ光を通す開口を形成する筒状であり、前記吸着部の前記発光装置側の端部における前記開口の面積は、前記吸着部の前記照射部側の端部における前記開口の面積よりも小さい。   A method for manufacturing a light-emitting device according to one embodiment of the present invention is a method for manufacturing a light-emitting device using an adsorption portion, and the light-emitting device includes at least a part of a light-emitting element made of a light-transmitting resin containing a phosphor. The manufacturing method of the light-emitting device is formed by being covered, and the light-transmitting resin is processed by irradiating a laser beam, the processing powder generated by the processing is sucked, and the sucked processing powder is absorbed by the suction The adsorption part is electrostatically adsorbed by charging the part, and the adsorption part has a cylindrical shape that forms an opening through which the laser beam passes, and the area of the opening at the end of the adsorption part on the light emitting device side is the adsorption part It is smaller than the area of the opening at the end of the portion on the irradiation part side.

本発明の一態様に係るレーザ加工装置等は、加工対象物への加工粉の付着を抑制することができる。   The laser processing apparatus or the like according to one embodiment of the present invention can suppress the adhesion of the processing powder to the processing object.

図1は、発光装置の外観斜視図である。FIG. 1 is an external perspective view of the light emitting device. 図2は、図1のA−A線における断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図3は、図1のB−B線における断面図である。3 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 図4は、実施の形態1に係る発光装置の製造装置を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing the light emitting device manufacturing apparatus according to the first embodiment. 図5は、照射部の外観斜視図である。FIG. 5 is an external perspective view of the irradiation unit. 図6は、吸着部の外観斜視図である。FIG. 6 is an external perspective view of the suction portion. 図7は、実施の形態1に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 図8は、発光装置に対するレーザ加工を説明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining laser processing for the light emitting device. 図9は、受け止め部が設けられた吸着部の構造を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of the suction portion provided with the receiving portion. 図10は、内壁が曲面の吸着部の構造を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating the structure of the suction portion having a curved inner wall. 図11は、内壁に凸部が設けられた吸着部の構造を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of the suction portion having a convex portion on the inner wall. 図12は、内壁が階段状の吸着部の構造を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing the structure of a suction portion whose inner wall has a stepped shape. 図13は、吸引部が吸着部の側方から吸引を行う例を示す模式図である。FIG. 13 is a schematic diagram illustrating an example in which the suction unit performs suction from the side of the suction unit. 図14は、角筒状の吸着部の外観斜視図である。FIG. 14 is an external perspective view of a rectangular tube-shaped adsorption portion.

以下、実施の形態に係る発光装置の製造装置および発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。   Hereinafter, a light emitting device manufacturing apparatus and a light emitting device manufacturing method according to embodiments will be described with reference to the drawings. It should be noted that each of the embodiments described below shows a comprehensive or specific example. The numerical values, shapes, materials, constituent elements, arrangement positions and connection forms of the constituent elements, steps, order of steps, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. In addition, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims indicating the highest concept are described as optional constituent elements.

なお、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化される場合がある。   Each figure is a schematic diagram and is not necessarily shown strictly. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the substantially same structure, and the overlapping description may be abbreviate | omitted or simplified.

(実施の形態1)
実施の形態1では、本発明のレーザ加工装置の一例として、発光装置の製造装置(製造方法)について説明する。
(Embodiment 1)
In Embodiment 1, a light emitting device manufacturing apparatus (manufacturing method) will be described as an example of the laser processing apparatus of the present invention.

[発光装置の構成]
まず、実施の形態1に係る製造装置のレーザ加工の対象物である発光装置について説明する。図1は、発光装置の外観斜視図である。図2は、図1の発光装置をA−A線で切断した断面図である。図3は、図1の発光装置をB−B線で切断した断面図である。
[Configuration of light emitting device]
First, a light-emitting device that is an object of laser processing in the manufacturing apparatus according to Embodiment 1 will be described. FIG. 1 is an external perspective view of the light emitting device. FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 cut along line AA. FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 cut along the line BB.

図1〜図3に示されるように、発光装置10は、基板20と、複数のLEDチップ110からなる発光素子列115と、色変換部120とを備える。また、発光装置10は、基板20上に設けられた配線155と、複数のLEDチップ110を電気的に接続するボンディングワイヤ160とを備える。   As shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting device 10 includes a substrate 20, a light emitting element array 115 including a plurality of LED chips 110, and a color conversion unit 120. The light emitting device 10 also includes wiring 155 provided on the substrate 20 and bonding wires 160 that electrically connect the plurality of LED chips 110.

発光装置10は、例えば、ダウンライト等に用いられる、基板20上にLEDチップ110が直接実装されたCOB(Chip On Board)型の発光モジュールである。   The light emitting device 10 is a COB (Chip On Board) type light emitting module in which the LED chip 110 is directly mounted on the substrate 20 used for, for example, a downlight.

基板20は、例えば、メタルベース基板またはセラミック基板である。また、基板20は、樹脂を基材とする樹脂基板であってもよい。   The substrate 20 is, for example, a metal base substrate or a ceramic substrate. The substrate 20 may be a resin substrate having a resin as a base material.

セラミック基板としては、酸化アルミニウム(アルミナ)からなるアルミナ基板または窒化アルミニウムからなる窒化アルミニウム基板等が採用される。また、メタルベース基板としては、例えば、表面に絶縁膜が形成された、アルミニウム合金基板、鉄合金基板または銅合金基板等が採用される。樹脂基板としては、例えば、ガラス繊維とエポキシ樹脂とからなるガラスエポキシ基板等が採用される。   As the ceramic substrate, an alumina substrate made of aluminum oxide (alumina), an aluminum nitride substrate made of aluminum nitride, or the like is employed. As the metal base substrate, for example, an aluminum alloy substrate, an iron alloy substrate, a copper alloy substrate, or the like having an insulating film formed on the surface is employed. As the resin substrate, for example, a glass epoxy substrate made of glass fiber and epoxy resin is employed.

なお、基板20として、例えば光反射率が高い(例えば光反射率が90%以上の)基板が採用されてもよい。基板20として光反射率の高い基板が採用されることで、LEDチップ110が発する光を基板20の表面で反射させることができる。この結果、発光装置10の光取り出し効率が向上される。このような基板としては、例えばアルミナを基材とする白色セラミック基板が例示される。   As the substrate 20, for example, a substrate having a high light reflectance (for example, a light reflectance of 90% or more) may be employed. By adopting a substrate having a high light reflectance as the substrate 20, the light emitted from the LED chip 110 can be reflected on the surface of the substrate 20. As a result, the light extraction efficiency of the light emitting device 10 is improved. An example of such a substrate is a white ceramic substrate based on alumina.

一方、基板20として、光透過率が高い透光性基板が採用されてもよい。基板20として透光性基板が採用されることで、LEDチップ110が発する光は、基板20の内部を透過し、LEDチップ110が実装されていない面(裏面)からも出射される。このような基板としては、多結晶のアルミナや窒化アルミニウムからなる透光性セラミックス基板、ガラスからなる透明ガラス基板、水晶からなる水晶基板、サファイアからなるサファイア基板または透明樹脂材料からなる透明樹脂基板が例示される。   On the other hand, a translucent substrate having a high light transmittance may be adopted as the substrate 20. By adopting a translucent substrate as the substrate 20, the light emitted from the LED chip 110 is transmitted through the inside of the substrate 20 and is emitted from the surface (back surface) on which the LED chip 110 is not mounted. Examples of such a substrate include a transparent ceramic substrate made of polycrystalline alumina or aluminum nitride, a transparent glass substrate made of glass, a crystal substrate made of crystal, a sapphire substrate made of sapphire, or a transparent resin substrate made of a transparent resin material. Illustrated.

LEDチップ110は、発光素子の一例であって、単色の可視光を発するベアチップである。LEDチップ110は、基板20上に直接実装される。LEDチップ110は、例えば、ダイアタッチ材(ダイボンド材)によって基板20上にダイボンディング実装されるが、フリップチップ実装されてもよい。LEDチップ110のチップ上面には電流を供給するためのp側電極およびn側電極(図1〜図3において図示せず)が形成されている。LEDチップ110としては、例えば、青色光を発する青色LEDチップを用いることができる。青色LEDチップとしては、例えばInGaN系の材料によって構成された、中心波長が440nm〜470nmの窒化ガリウム系の半導体発光素子を用いることができる。   The LED chip 110 is an example of a light emitting element, and is a bare chip that emits monochromatic visible light. The LED chip 110 is directly mounted on the substrate 20. For example, the LED chip 110 is die-bonded and mounted on the substrate 20 by a die attach material (die-bonding material), but may be flip-chip mounted. A p-side electrode and an n-side electrode (not shown in FIGS. 1 to 3) for supplying current are formed on the upper surface of the LED chip 110. For example, a blue LED chip that emits blue light can be used as the LED chip 110. As the blue LED chip, for example, a gallium nitride based semiconductor light emitting device having a center wavelength of 440 nm to 470 nm, which is made of an InGaN based material, can be used.

発光素子列115は、基板20上に所定方向(X方向)に並んで配置された複数のLEDチップ110からなる発光素子列である。図1の例では、発光素子列115は、6列設けられている。各発光素子列115に含まれるLEDチップ110は、Y方向における位置が揃うように実装されている。   The light emitting element array 115 is a light emitting element array including a plurality of LED chips 110 arranged in a predetermined direction (X direction) on the substrate 20. In the example of FIG. 1, six light emitting element rows 115 are provided. The LED chips 110 included in each light emitting element array 115 are mounted so that their positions in the Y direction are aligned.

1つの発光素子列115において、1つのLEDチップ110のカソード電極は、当該LEDチップ110と隣り合うLEDチップ110のアノード電極とボンディングワイヤ160によって接続される。つまり、1つの発光素子列115においては、複数のLEDチップ110がボンディングワイヤ160によってChip To Chipで直列接続される。   In one light emitting element row 115, the cathode electrode of one LED chip 110 is connected to the anode electrode of the LED chip 110 adjacent to the LED chip 110 by a bonding wire 160. That is, in one light emitting element row 115, a plurality of LED chips 110 are connected in series by the chip to chip by the bonding wires 160.

また、各発光素子列115の端に位置するLEDチップ110は、ボンディングワイヤ160によって基板20上に設けられた配線155に接続されている。そして、配線155には、各発光素子列115を発光させるための電力が供給される。   The LED chip 110 located at the end of each light emitting element array 115 is connected to a wiring 155 provided on the substrate 20 by a bonding wire 160. The wiring 155 is supplied with power for causing each light emitting element array 115 to emit light.

色変換部120は、蛍光体を含有する透光性樹脂の一例であって、発光素子列115を所定方向(X方向)に沿うライン状に一括封止する。色変換部120は、光波長変換材である蛍光体130を含む透光性樹脂であって、LEDチップ110からの光を波長変換するとともに、LEDチップ110を封止してLEDチップ110を保護する。色変換部120は、LEDチップ110の上方(図中の+Z方向)に設けられる。なお、LEDチップ110の上方とは、言い換えれば、LEDチップ110の光出射側(LEDチップ110が主として光を発する方向)である。色変換部120を構成する透光性樹脂は、具体的には、ジメチルシリコーン樹脂、フェニルシリコーン樹脂、シルセスキオキサン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等である。   The color conversion unit 120 is an example of a translucent resin containing a phosphor, and collectively seals the light emitting element arrays 115 in a line shape along a predetermined direction (X direction). The color conversion unit 120 is a translucent resin including a phosphor 130 that is a light wavelength conversion material, and converts the wavelength of the light from the LED chip 110 and seals the LED chip 110 to protect the LED chip 110. To do. The color conversion unit 120 is provided above the LED chip 110 (+ Z direction in the drawing). In addition, the upper side of the LED chip 110 is, in other words, the light emitting side of the LED chip 110 (the direction in which the LED chip 110 mainly emits light). Specifically, the translucent resin constituting the color conversion unit 120 is a dimethyl silicone resin, a phenyl silicone resin, a silsesquioxane resin, an epoxy resin, a fluororesin, an acrylic resin, a polycarbonate resin, or the like.

蛍光体130は、LEDチップ110の発する光で励起されて黄色蛍光を発する黄色蛍光体である。LEDチップ110が青色LEDチップである場合、蛍光体130は、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系の黄色蛍光体である。なお、蛍光体130は、オルトシリケート系蛍光体または酸窒化物蛍光体であってもよい。蛍光体130は、基本的には球状であり、色変換部120内に複数含まれる。   The phosphor 130 is a yellow phosphor that emits yellow fluorescence when excited by light emitted from the LED chip 110. When the LED chip 110 is a blue LED chip, the phosphor 130 is a YAG (yttrium, aluminum, garnet) yellow phosphor. The phosphor 130 may be an orthosilicate phosphor or an oxynitride phosphor. The phosphors 130 are basically spherical and are included in the color conversion unit 120.

蛍光体は一般的に自身の放射する光よりも短波長の光によって励起される。したがって、蛍光体130から発せられる光は、LEDチップ110からの放射光に比べて長波長の光となる。具体的には、蛍光体130は、450nmよりも波長が長い黄色蛍光を発する。   The phosphor is generally excited by light having a shorter wavelength than the light emitted by the phosphor. Therefore, the light emitted from the phosphor 130 is light having a longer wavelength than the emitted light from the LED chip 110. Specifically, the phosphor 130 emits yellow fluorescence having a wavelength longer than 450 nm.

このように、蛍光体130は、LEDチップ110の青色光によって励起されて黄色蛍光を放出する。よって、発光装置10(色変換部120)からは、励起された黄色蛍光と青色光とによって比較的広範囲の波長域(たとえば400nm〜680nm程度)にスペクトル分布を持つ白色光が放出される。   Thus, the phosphor 130 is excited by the blue light of the LED chip 110 and emits yellow fluorescence. Thus, white light having a spectral distribution in a relatively wide wavelength range (for example, about 400 nm to 680 nm) is emitted from the light emitting device 10 (color conversion unit 120) by the excited yellow fluorescence and blue light.

発光装置10の白色光の色度は、LEDチップ110が発する青色光の光量と、蛍光体130から発せられる黄色蛍光の光量との割合によって決まる。したがって、発光装置10においては、青色LEDチップの性能のばらつきと、蛍光体の量とにより白色光の色度にばらつきが生じることが課題である。   The chromaticity of white light of the light emitting device 10 is determined by the ratio between the amount of blue light emitted from the LED chip 110 and the amount of yellow fluorescent light emitted from the phosphor 130. Therefore, in the light emitting device 10, the problem is that the chromaticity of white light varies due to the variation in performance of the blue LED chip and the amount of phosphor.

このようなばらつきを低減するために、発光装置10の製造においては、色度調整が行われる。色度調整においては、蛍光体から発せられる黄色蛍光の光量を減らす目的で、レーザ加工により色変換部120の一部が除去される。   In order to reduce such variation, chromaticity adjustment is performed in the manufacture of the light emitting device 10. In the chromaticity adjustment, a part of the color conversion unit 120 is removed by laser processing for the purpose of reducing the amount of yellow fluorescent light emitted from the phosphor.

[製造装置の構成]
次に、発光装置10の製造装置(製造方法)について説明する。図4は、発光装置10の製造装置を模式的に示す図である。
[Configuration of manufacturing equipment]
Next, a manufacturing apparatus (manufacturing method) of the light emitting device 10 will be described. FIG. 4 is a diagram schematically showing a manufacturing apparatus for the light emitting device 10.

図4に示されるように、製造装置200は、照射部210と、色度測定部220と、ステージ240と、制御部250と、表示装置260と、入力装置270と、調整部280と、カメラ222と、吸引部40と、吸着部50と、アーム60と、電源70とを備える。また、照射部210は、レーザ発振器210aと、光学系210bとを有し、調整部280は、第1機構280aと、第2機構280bとを有する。   4, the manufacturing apparatus 200 includes an irradiation unit 210, a chromaticity measurement unit 220, a stage 240, a control unit 250, a display device 260, an input device 270, an adjustment unit 280, and a camera. 222, a suction unit 40, a suction unit 50, an arm 60, and a power source 70. The irradiation unit 210 includes a laser oscillator 210a and an optical system 210b, and the adjustment unit 280 includes a first mechanism 280a and a second mechanism 280b.

なお、図4では、加工前の発光装置10も合わせて図示されている。図4において、吸着部50および発光装置10は、断面が図示されている。また、発光装置10は、模式的に図示されており、実際には、図1で説明した発光装置10の全体がステージ240上に配置される。   In FIG. 4, the light emitting device 10 before processing is also illustrated. In FIG. 4, the suction unit 50 and the light emitting device 10 are shown in cross section. Further, the light emitting device 10 is schematically illustrated, and actually, the entire light emitting device 10 described with reference to FIG. 1 is disposed on the stage 240.

照射部210は、レーザ光230の照射により対象物を加工する。実施の形態1では、対象物は、発光装置10(色変換部120)であり、照射部210は、色変換部120へのレーザ光230の照射により色変換部120の一部を除去し、発光装置10から発せられる光の色度を調整する。照射部210は、より具体的には、レーザ発振器210aにより発せられたレーザ光を、光学系210bを介して発光装置10に照射し、色変換部120の一部を除去する。   The irradiation unit 210 processes the object by irradiation with the laser beam 230. In the first embodiment, the object is the light emitting device 10 (color conversion unit 120), and the irradiation unit 210 removes a part of the color conversion unit 120 by irradiating the color conversion unit 120 with the laser light 230, The chromaticity of light emitted from the light emitting device 10 is adjusted. More specifically, the irradiation unit 210 irradiates the light emitting device 10 with the laser light emitted from the laser oscillator 210a via the optical system 210b, and removes a part of the color conversion unit 120.

照射部210(レーザ発振器210a)は、例えば、CO2レーザ(CO2レーザ装置)、または、UVレーザ(UVレーザ装置)である。なお、照射部210は、色変換部120を除去できるのであれば、その他のレーザであってもよい。   The irradiation unit 210 (laser oscillator 210a) is, for example, a CO2 laser (CO2 laser device) or a UV laser (UV laser device). The irradiation unit 210 may be another laser as long as the color conversion unit 120 can be removed.

光学系210bは、レーザ光の集光を行う集光レンズとポリゴンミラーのような走査光学系の組み合わせとからなり、図5に示されるように発光装置10が設置されるステージ240と対向する位置に配置されている。   The optical system 210b is a combination of a condensing lens for condensing laser light and a scanning optical system such as a polygon mirror, and as shown in FIG. 5, a position facing the stage 240 on which the light emitting device 10 is installed. Is arranged.

図5は、照射部210の外観斜視図である。図5に示されるように、照射部210は、ステージ240に置かれた発光装置10にレーザ光230を照射する。   FIG. 5 is an external perspective view of the irradiation unit 210. As shown in FIG. 5, the irradiation unit 210 irradiates the light emitting device 10 placed on the stage 240 with laser light 230.

制御部250は、レーザ発振器210aがレーザ光を発するタイミング、レーザ発振器210aが発するレーザ光の強度(エネルギー)および波長などを制御する。   The controller 250 controls the timing at which the laser oscillator 210a emits laser light, the intensity (energy) and wavelength of the laser light emitted by the laser oscillator 210a, and the like.

調整部280は、レーザ発振器210a、光学系210b、および発光装置10の相対的な位置関係を調整することによって、レーザ光230の照射位置と発光装置10との相対的な位置関係を調整する。   The adjustment unit 280 adjusts the relative positional relationship between the irradiation position of the laser beam 230 and the light emitting device 10 by adjusting the relative positional relationship between the laser oscillator 210 a, the optical system 210 b, and the light emitting device 10.

実施の形態1では、調整部280は、レーザ発振器210aの位置を固定したまま、光学系210bを第1機構280aによって駆動することによって、レーザ光230の照射位置と発光装置10との相対的な位置関係を調整する。   In the first embodiment, the adjustment unit 280 drives the optical system 210b with the first mechanism 280a while the position of the laser oscillator 210a is fixed, so that the irradiation position of the laser beam 230 and the light emitting device 10 are relative to each other. Adjust the positional relationship.

第1機構280aは、レーザ光230の光軸方向(図4のZ軸方向)および光軸方向に直交する方向(図4のX軸方向またはY軸方向)において、発光装置10に対するレーザ光230の焦点の相対的な位置を変化させる機構である。   The first mechanism 280a has the laser beam 230 for the light emitting device 10 in the optical axis direction (Z-axis direction in FIG. 4) of the laser beam 230 and the direction (X-axis direction or Y-axis direction in FIG. 4) orthogonal to the optical axis direction. This is a mechanism for changing the relative position of the focal point.

第1機構280aは、具体的には、光学系210bの集光レンズを移動させることによりレーザ光230の焦点位置をX軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向の各方向に変化させる。   Specifically, the first mechanism 280a changes the focal position of the laser beam 230 in each of the X axis direction, the Y axis direction, and the Z axis direction by moving the condenser lens of the optical system 210b.

また、実施の形態1では、調整部280は、発光装置10に対するレーザ光230の光軸の傾きを変化させる第2機構280bをさらに有している。   In the first embodiment, the adjustment unit 280 further includes a second mechanism 280 b that changes the inclination of the optical axis of the laser beam 230 with respect to the light emitting device 10.

第2機構280bは、光学系210bに含まれる走査光学系を駆動してレーザ光を走査(スキャン)することにより、発光装置10に対するレーザ光230の光軸の傾きを変化させる。つまり、第2機構280bは、発光装置10の表面に対するレーザ光230の入射角度を調整することができるので、照射部210は、色変換部120に対して斜めにレーザ光230を照射することができる。   The second mechanism 280b changes the inclination of the optical axis of the laser beam 230 with respect to the light emitting device 10 by driving the scanning optical system included in the optical system 210b to scan the laser beam. That is, since the second mechanism 280b can adjust the incident angle of the laser beam 230 with respect to the surface of the light emitting device 10, the irradiation unit 210 can irradiate the color conversion unit 120 with the laser beam 230 obliquely. it can.

なお、製造装置200においては、調整部280(第1機構280aおよび第2機構280b)は、μmオーダーでレーザ光230の照射位置と発光装置10との相対的な位置関係を調整することができる。調整部280は、具体的には、非常に細かい分解能で精度よく光学系210bを駆動可能な機構が採用される。   In the manufacturing apparatus 200, the adjustment unit 280 (the first mechanism 280a and the second mechanism 280b) can adjust the relative positional relationship between the irradiation position of the laser beam 230 and the light emitting device 10 on the order of μm. . Specifically, the adjustment unit 280 employs a mechanism capable of driving the optical system 210b with a very fine resolution and high accuracy.

なお、調整部280は、レーザ光230の照射位置と発光装置10との相対的な位置関係を調整すればよく、例えば、調整部280は、レーザ発振器210aまたはステージ240を移動させてもよい。   Note that the adjustment unit 280 may adjust the relative positional relationship between the irradiation position of the laser beam 230 and the light emitting device 10. For example, the adjustment unit 280 may move the laser oscillator 210 a or the stage 240.

表示装置260および入力装置270は、製造装置200に設けられたユーザインタフェースである。表示装置260は、カメラ222で撮影された画像、および、色度測定部220の測定結果などを表示する。入力装置270は、ユーザからの種々の入力を受け付ける。   The display device 260 and the input device 270 are user interfaces provided in the manufacturing apparatus 200. The display device 260 displays an image captured by the camera 222, a measurement result of the chromaticity measurement unit 220, and the like. The input device 270 receives various inputs from the user.

色度測定部220は、発光装置10を撮影するカラーカメラであるカメラ222から発光装置10を発光させた状態で撮影されたカラー画像を取得し、当該カラー画像を用いて、画像処理により色変換部120の表面の光色を測定する。   The chromaticity measuring unit 220 obtains a color image captured in a state where the light emitting device 10 emits light from the camera 222 which is a color camera that captures the light emitting device 10, and uses the color image to perform color conversion by image processing. The light color of the surface of the unit 120 is measured.

このとき、色度測定部220は、色変換部120の表面の光色を一元的に求めるのではなく、色変換部120内での局所的な色むらも反映されるように、取得した画像の画素ごとに光色を測定する。   At this time, the chromaticity measurement unit 220 does not obtain the light color of the surface of the color conversion unit 120 in a unified manner, but the acquired image so that local color unevenness in the color conversion unit 120 is also reflected. The light color is measured for each pixel.

なお、実施の形態1における「光色」には、放射光の色度、色調(明度と彩度)、色温度などが含まれるが、実施の形態1では、色度測定部220は、一例として、発光装置10から発せられる光の色度を測定するものとする。   The “light color” in the first embodiment includes the chromaticity, color tone (brightness and saturation), color temperature, and the like of the emitted light. In the first embodiment, the chromaticity measurement unit 220 is an example. Assuming that the chromaticity of light emitted from the light emitting device 10 is measured.

なお、色度測定部220は、複数画素の集合ごとに代表値(平均値または中央値)をとり、この集合ごとに光色を計測する構成であってもよい。   The chromaticity measuring unit 220 may be configured to take a representative value (average value or median value) for each set of a plurality of pixels and measure the light color for each set.

また、色度測定部220は、色度または輝度などの光学特性を測定するための、汎用の分光器を用いた測定器であってもよい。   The chromaticity measuring unit 220 may be a measuring device using a general-purpose spectroscope for measuring optical characteristics such as chromaticity or luminance.

この場合、色度測定部220は、例えば、発光装置10の発光面(光出射側の面)における光のスペクトルを測定し、色度を求める。なお、色度測定部220は、色度(発光装置10の光のスペクトル)に加えて、発光強度または配光特性を測定してもよい。   In this case, for example, the chromaticity measurement unit 220 measures the spectrum of light on the light emitting surface (light emitting side surface) of the light emitting device 10 to obtain the chromaticity. Note that the chromaticity measuring unit 220 may measure luminescence intensity or light distribution characteristics in addition to chromaticity (light spectrum of the light emitting device 10).

吸引部40は、照射部210のレーザ加工により生じる加工粉をエア吸引する吸引装置である。実施の形態1では、吸引部40は、斜め上方に加工粉を吸引する。吸引部40は、少なくとも発光装置10よりも照射部210側(Z軸方向+側)から加工粉125の吸引を行う。吸引部40は、加工粉などの粉塵を吸引できるものであればどのような装置であってもよい。   The suction unit 40 is a suction device that sucks in air the processing powder generated by the laser processing of the irradiation unit 210. In the first embodiment, the suction unit 40 sucks the processing powder obliquely upward. The suction unit 40 sucks the processing powder 125 from at least the irradiation unit 210 side (Z-axis direction + side) with respect to the light emitting device 10. The suction unit 40 may be any device that can suck dust such as processed powder.

吸着部50は、例えば、アルミニウムまたはステンレスなどの導電性を有する金属製の部材である。以下、図6をさらに参照して吸着部50の形状について説明する。図6は、吸着部50の外観斜視図である。   The adsorption part 50 is a metal member having conductivity, such as aluminum or stainless steel. Hereinafter, the shape of the suction portion 50 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is an external perspective view of the suction portion 50.

吸着部50は、レーザ光を通す開口51を形成する円筒状であり、吸着部50の発光装置10側の端部における開口51の面積は、吸着部50の照射部210側の端部における開口51の面積よりも小さい。より具体的には、吸着部50が形成する開口51の面積は、照射部210側(Z軸方向+側)からステージ240側(Z軸方向−側、発光装置10側)に向かうにつれて小さくなる。言い換えれば、吸着部50は、底のないすり鉢状(漏斗状)である。   The suction part 50 has a cylindrical shape that forms an opening 51 through which laser light passes. The area of the opening 51 at the end of the suction part 50 on the light emitting device 10 side is the opening at the end of the suction part 50 on the irradiation part 210 side. Less than 51 area. More specifically, the area of the opening 51 formed by the suction unit 50 decreases from the irradiation unit 210 side (Z-axis direction + side) toward the stage 240 side (Z-axis direction − side, light-emitting device 10 side). . In other words, the adsorption part 50 has a mortar shape (funnel shape) without a bottom.

なお、後述するように、吸着部50には凸部等が設けられる場合があるが、このような場合も、凸部等の構成要素を除けば、吸着部50が形成する開口51の面積は、照射部210側からステージ240側に向かうにつれて小さくなるといえる。   In addition, as will be described later, the suction portion 50 may be provided with a convex portion or the like, but in such a case as well, the area of the opening 51 formed by the suction portion 50 is excluding components such as the convex portion. It can be said that it becomes smaller from the irradiation unit 210 side toward the stage 240 side.

吸着部50は、アーム60によって照射部と発光装置10との間に支持される。吸着部50と発光装置10とを上面視した場合(Z軸方向+側から見た場合)、吸着部50により形成される開口51を通じて、発光装置10の全部または一部が視認可能である。   The adsorption unit 50 is supported between the irradiation unit and the light emitting device 10 by the arm 60. When the suction unit 50 and the light emitting device 10 are viewed from above (when viewed from the Z-axis direction + side), all or part of the light emitting device 10 is visible through the opening 51 formed by the suction unit 50.

また、吸着部50は、電源70がオンされることにより帯電する。このとき、吸着部50が帯電する極性は、加工粉と逆の極性であり、加工対象物により異なる。なお、電源70のオンおよびオフは、例えば、制御部250によって制御される。   The suction unit 50 is charged when the power supply 70 is turned on. At this time, the polarity that the adsorbing part 50 is charged is opposite to that of the processing powder, and differs depending on the processing object. The power supply 70 is turned on and off by the control unit 250, for example.

吸着部50は、製造装置200の特徴構成であり、吸着部50により得られる効果については後述する。   The adsorption unit 50 is a characteristic configuration of the manufacturing apparatus 200, and effects obtained by the adsorption unit 50 will be described later.

[発光装置の製造方法]
次に、製造装置200を用いた発光装置10の製造方法について説明する。図7は、発光装置10の製造方法を示すフローチャートである。図8は、発光装置10に対するレーザ加工を説明するための断面図である。
[Method for Manufacturing Light Emitting Device]
Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 using the manufacturing apparatus 200 will be described. FIG. 7 is a flowchart showing a method for manufacturing the light emitting device 10. FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining laser processing for the light emitting device 10.

まず、発光装置10が生成される(S10)。以下、発光装置の生成方法について説明する。   First, the light emitting device 10 is generated (S10). Hereinafter, a method for generating the light emitting device will be described.

まず、基板20上に複数のLEDチップ110が実装される。このとき、複数のLEDチップ110は、複数の発光素子列115を形成し、1つの発光素子列115においては、隣接するLEDチップ110同士がボンディングワイヤ160によって電気的に接続される。   First, a plurality of LED chips 110 are mounted on the substrate 20. At this time, the plurality of LED chips 110 form a plurality of light emitting element arrays 115, and in one light emitting element array 115, adjacent LED chips 110 are electrically connected to each other by bonding wires 160.

次に、蛍光体130を含む液状の色変換部120が発光素子列115に塗布され、塗布された液状の色変換部120が硬化される。   Next, the liquid color conversion unit 120 including the phosphor 130 is applied to the light emitting element array 115, and the applied liquid color conversion unit 120 is cured.

なお、既に生成された(既製品の)発光装置10に対して色度調整を行う場合、ステップS10は省略される。   In addition, when performing chromaticity adjustment with respect to the already generated (off-the-shelf) light emitting device 10, step S10 is omitted.

続いて、生成された発光装置10は、通電して発光させた状態で点灯検査される(S20)。続いて、色度測定部220は、発光装置10(色変換部120)が発する光の色度を測定する(S30)。そして、色度測定部220が測定した色度が所定の範囲内であるか否かの判定が行われる(S40)。   Subsequently, the generated light emitting device 10 is inspected for lighting in a state where the light emitting device 10 is energized to emit light (S20). Subsequently, the chromaticity measurement unit 220 measures the chromaticity of light emitted from the light emitting device 10 (color conversion unit 120) (S30). Then, it is determined whether or not the chromaticity measured by the chromaticity measuring unit 220 is within a predetermined range (S40).

色度測定部220が測定した色度が所定の範囲内である場合(S40でYes)、発光装置10の色度調整は終了する。なお、所定の範囲とは、例えば、製造工程における発光装置10の色度の検査スペック等である。   When the chromaticity measured by the chromaticity measuring unit 220 is within the predetermined range (Yes in S40), the chromaticity adjustment of the light emitting device 10 is finished. The predetermined range is, for example, a chromaticity inspection specification of the light emitting device 10 in the manufacturing process.

色度測定部220が測定した色度が所定の範囲外である場合(S40でNo)、照射部210は、色変換部120に上方(+Z方向)からレーザ光230を照射する(S50)。なお、ここでの所定の範囲外とは、色度が黄色側にシフトしていることを意味し、色度が青色側にシフトしている場合は、例えば、液状の色変換部120の追加塗布が行われる。   When the chromaticity measured by the chromaticity measuring unit 220 is outside the predetermined range (No in S40), the irradiation unit 210 irradiates the color conversion unit 120 with the laser beam 230 from above (+ Z direction) (S50). Note that out of the predetermined range here means that the chromaticity is shifted to the yellow side, and when the chromaticity is shifted to the blue side, for example, addition of the liquid color conversion unit 120 Application is performed.

このとき、レーザ光230の照射条件(強度など)は、色度測定部220で計測された色度に基づいて、決定される。なお、レーザ光230の照射条件の情報は、色度測定部220の測定結果に対応付けられて予め複数登録されており、登録された情報に基づいて自動的に決定される。   At this time, the irradiation condition (intensity, etc.) of the laser beam 230 is determined based on the chromaticity measured by the chromaticity measuring unit 220. Note that a plurality of pieces of information on the irradiation conditions of the laser beam 230 are registered in advance in association with the measurement result of the chromaticity measuring unit 220, and are automatically determined based on the registered information.

色変換部120の一部にレーザ光230が照射されると、加工粉125が飛散する。この加工粉125は、吸引部40によって、吸着部50の内壁に沿う斜め上向きに吸引され(S60)、吸着部50は、吸引される加工粉125を吸着する(S70)。   When the laser beam 230 is irradiated on a part of the color conversion unit 120, the processing powder 125 is scattered. The processing powder 125 is sucked by the suction unit 40 obliquely upward along the inner wall of the suction unit 50 (S60), and the suction unit 50 sucks the sucked processing powder 125 (S70).

加工粉125の吸着(S70)に続いて点灯検査がされた後(S20)、色度測定部220は、レーザ光230の加工後の発光装置10の色度を測定する(S30)。以降は、色度測定部220が測定した色度が所定の範囲内になるまで、照射部210のレーザ光230の照射、加工粉125の吸引および吸着、並びに、色度測定部220の色度の測定が繰り返される。ステップS20〜ステップS70の動作は制御部250によって自動的に行われてもよいし、ユーザによって半自動的に行われてもよい。   After the working powder 125 is adsorbed (S70) and the lighting inspection is performed (S20), the chromaticity measuring unit 220 measures the chromaticity of the light emitting device 10 after processing the laser beam 230 (S30). Thereafter, until the chromaticity measured by the chromaticity measuring unit 220 falls within a predetermined range, the irradiation of the laser beam 230 of the irradiation unit 210, the suction and adsorption of the processed powder 125, and the chromaticity of the chromaticity measurement unit 220 are performed. The measurement is repeated. The operations in steps S20 to S70 may be automatically performed by the control unit 250, or may be performed semi-automatically by the user.

なお、色度測定部220の色度の測定と、照射部210のレーザ光230の照射とは、リアルタイムで(同時に)行われてもよい。   Note that the chromaticity measurement of the chromaticity measurement unit 220 and the irradiation of the laser beam 230 of the irradiation unit 210 may be performed in real time (simultaneously).

また、例えば、色度(発光装置10の光のスペクトル)、発光強度、および配光特性のうちの少なくとも1つを測定しながら、レーザ光230を照射して色変換部120の一部が取り除かれてもよい。   Further, for example, while measuring at least one of chromaticity (light spectrum of the light emitting device 10), light emission intensity, and light distribution characteristics, the laser light 230 is irradiated to remove a part of the color conversion unit 120. May be.

この場合、カメラ222は、レーザ光230の照射中においても発光装置10を撮像できるように、光学系210bの近傍に配置される。   In this case, the camera 222 is disposed in the vicinity of the optical system 210b so that the light emitting device 10 can be imaged even during irradiation with the laser beam 230.

このように、色度測定部220の色度の測定と、照射部210のレーザ光230の照射とがリアルタイムで行われることで、発光装置10の加工に要する時間を短縮できる。   Thus, the time required for processing of the light emitting device 10 can be shortened by performing the chromaticity measurement of the chromaticity measurement unit 220 and the irradiation of the laser beam 230 of the irradiation unit 210 in real time.

[効果等]
製造装置200は、吸着部50を備える点が特徴である。以下、吸着部50を備えることにより得られる効果について説明する。
[Effects]
The manufacturing apparatus 200 is characterized in that the suction unit 50 is provided. Hereinafter, the effect obtained by providing the adsorption | suction part 50 is demonstrated.

レーザ加工により生じた加工粉125には、色変換部120のシリコーン樹脂の分子結合が切断されてSiO2になった白色のものがある。このような加工粉125が発光装置10の色変換部120に付着すると、加工粉125が反射体として機能し、所望の色度が得られない問題が生じる。   The processing powder 125 generated by the laser processing includes white powder in which the molecular bond of the silicone resin of the color conversion unit 120 is cut to become SiO2. When such processed powder 125 adheres to the color conversion unit 120 of the light emitting device 10, the processed powder 125 functions as a reflector, and a problem that desired chromaticity cannot be obtained occurs.

また、レーザ加工により生じた加工粉125には、色変換部120のシリコーン樹脂の分子結合が切断されてC(炭素)成分単体になった黒色のものがある。このような加工粉125が発光装置10の色変換部120に付着すると、光を吸収してしまうため、発光効率の低下が問題となる。   Further, the processing powder 125 generated by the laser processing includes a black powder in which the molecular bond of the silicone resin of the color conversion unit 120 is cut to form a C (carbon) component alone. When such processed powder 125 adheres to the color conversion unit 120 of the light emitting device 10, light is absorbed, which causes a problem of reduction in light emission efficiency.

加工粉125は、帯電しているため、一旦色変換部120に付着してしまうと取り除くことは容易ではない。また、加工粉125は、SiO2が含まれることにより比重が大きいため、吸引部40による吸引だけでは、完全に吸引することは難しい。   Since the processing powder 125 is charged, once it adheres to the color conversion unit 120, it is not easy to remove. Further, since the processed powder 125 has a large specific gravity due to the inclusion of SiO2, it is difficult to completely suck the processed powder 125 only by the suction by the suction unit 40.

そこで、製造装置200においては、照射部210と発光装置10との間に吸着部50が設けられる。これにより、発光装置10の色変換部120への加工粉125の堆積および付着が低減される。   Therefore, in the manufacturing apparatus 200, the adsorption unit 50 is provided between the irradiation unit 210 and the light emitting device 10. Thereby, deposition and adhesion of the processing powder 125 on the color conversion unit 120 of the light emitting device 10 are reduced.

ここで、例えば、レーザ光230を通す開口が設けられた板状の吸着部を照射部210と発光装置10との間に設ける構成が考えられる。このような吸着部では、下面(発光装置10と対向する面)側に吸着された加工粉125が空気圧等により落下し、色変換部120に付着してしまう可能性がある。   Here, for example, a configuration in which a plate-like suction part provided with an opening through which the laser beam 230 passes is provided between the irradiation part 210 and the light emitting device 10 is conceivable. In such an adsorbing portion, the processing powder 125 adsorbed on the lower surface (the surface facing the light emitting device 10) may fall due to air pressure or the like and adhere to the color conversion portion 120.

そこで、製造装置200においては、吸着部50は、レーザ光230を通す開口51を形成する円筒状(筒状)であり、開口51の面積(径)は、発光装置10側の端部よりも照射部210側の端部のほうが小さい。これにより、吸着された加工粉125が落下することを抑制し、色変換部120への加工粉125の堆積および付着を低減することができる。   Therefore, in the manufacturing apparatus 200, the adsorption unit 50 has a cylindrical shape (cylinder shape) that forms the opening 51 through which the laser light 230 passes, and the area (diameter) of the opening 51 is larger than the end portion on the light emitting device 10 side. The end on the irradiation unit 210 side is smaller. Thereby, it can suppress that the adsorbed processing powder 125 falls, and can reduce the deposition and adhesion of the processing powder 125 to the color conversion unit 120.

なお、このように、照射部210側から発光装置10側に向かうにつれて開口51の面積が小さくなる円筒状(筒状)の吸着部50によれば、いわゆるノズル効果が得られる。ここでのノズル効果は、具体的には、開口51のうち発光装置10側において、吸引部40の吸引による空気の流速が増加し、上昇気流が強くなる効果である。つまり、吸着部50によれば、吸引部40の吸引力を高める効果も得られる。   As described above, according to the cylindrical (cylindrical) adsorption portion 50 in which the area of the opening 51 decreases from the irradiation unit 210 side toward the light emitting device 10 side, a so-called nozzle effect is obtained. Specifically, the nozzle effect here is an effect in which the air flow rate by the suction of the suction unit 40 is increased on the light emitting device 10 side in the opening 51, and the ascending air current becomes stronger. That is, according to the suction part 50, the effect of increasing the suction force of the suction part 40 is also obtained.

[変形例]
なお、吸着部の形状は、上述のような形状に限定されるものではない。
[Modification]
In addition, the shape of an adsorption | suction part is not limited to the above shapes.

例えば、吸着部の発光装置10側の端部には、吸着部から落下しようとする加工粉125を受け止める受け止め部が設けられてもよい。図9は、受け止め部が設けられた吸着部の構造を示す断面図である。   For example, a receiving portion that receives the processing powder 125 that is about to fall from the suction portion may be provided at the end of the suction portion on the light emitting device 10 side. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of the suction portion provided with the receiving portion.

図9に示される吸着部50aは、吸着部50の発光装置10側の端面が、内側に折り返された形状である。この折り返された部分は、受け止め部55として機能し、受け止め部55が吸着部50aから落下しようとする加工粉125を受け止めることにより、色変換部120への加工粉125の堆積および付着をさらに低減することができる。   The adsorbing part 50a shown in FIG. 9 has a shape in which the end surface of the adsorbing part 50 on the light emitting device 10 side is folded inward. The folded portion functions as a receiving portion 55, and the receiving portion 55 receives the processing powder 125 that is about to fall from the suction portion 50a, thereby further reducing the accumulation and adhesion of the processing powder 125 on the color conversion portion 120. can do.

なお、受け止め部55は、典型的には、発光装置10側の端部の全周にわたって設けられるが、発光装置10側の端部の一部に設けられてもよい。また、吸着部50aにおいては、受け止め部55は、吸着部50aの本体と一体形成されるが、受け止め部55は、吸着部50aの本体に別部材が取り付けられることによって形成されてもよい。   The receiving portion 55 is typically provided over the entire circumference of the end portion on the light emitting device 10 side, but may be provided on a part of the end portion on the light emitting device 10 side. Moreover, in the adsorption | suction part 50a, although the receiving part 55 is integrally formed with the main body of the adsorption | suction part 50a, the receiving part 55 may be formed by attaching another member to the main body of the adsorption | suction part 50a.

また、吸着部の内壁(内面)は、平面でなくてもよい。図10は、内壁が曲面の吸着部の構造を示す断面図である。   Moreover, the inner wall (inner surface) of the adsorption portion may not be a plane. FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating the structure of the suction portion having a curved inner wall.

図10に示される吸着部50bは、底部が開口したお椀形であり、内壁の接平面の水平面に対する角度は、照射部210側から発光装置10側に向かうにつれて小さくなる。つまり、内壁の接平面は、照射部210側から発光装置10側に向かうにつれて水平面に近づく。したがって、このような吸着部50bによっても、一旦吸着した加工粉125が吸着部50bから落下してしまう可能性を下げることができる。   The adsorbing part 50b shown in FIG. 10 has a bowl shape with an open bottom, and the angle of the tangent plane of the inner wall with respect to the horizontal plane decreases from the irradiation part 210 side toward the light emitting device 10 side. That is, the tangential plane of the inner wall approaches the horizontal plane from the irradiation unit 210 side toward the light emitting device 10 side. Therefore, also by such an adsorption | suction part 50b, possibility that the processing powder 125 once adsorbed will fall from the adsorption | suction part 50b can be lowered | hung.

また、吸着部50の内壁には、凸部が設けられてもよい。図11は、内壁に凸部が設けられた吸着部の構造を示す断面図である。   Further, a convex portion may be provided on the inner wall of the suction portion 50. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of the suction portion having a convex portion on the inner wall.

図11に示される吸着部50cでは、内壁に設けられた凸部52に加工粉125が引っ掛かる。また、このような構成では、凸部52により形成される凹凸部分に電荷が集中しやすいため、電気的な吸着力が向上する効果もある。したがって、吸着部50cによれば、一旦吸着した加工粉125が吸着部50cから落下してしまう可能性を下げることができる。なお、凸部52は、例えば、吸着部50cの内壁の全周にわたって設けられるが、吸着部50cの内壁の周方向の一部に設けられてもよい。   In the adsorption part 50c shown in FIG. 11, the processing powder 125 is caught by the convex part 52 provided in the inner wall. Moreover, in such a structure, since electric charge tends to concentrate on the uneven | corrugated | grooved part formed by the convex part 52, there exists an effect which improves an electrical attraction force. Therefore, according to the adsorption | suction part 50c, possibility that the processing powder 125 once adsorbed will fall from the adsorption | suction part 50c can be lowered | hung. In addition, although the convex part 52 is provided over the perimeter of the inner wall of the adsorption | suction part 50c, for example, you may be provided in a part of circumferential direction of the inner wall of the adsorption | suction part 50c.

また、吸着部50の内壁(内面)は、階段状であってもよい。図12は、内壁が階段状の吸着部の構造を示す断面図である。   Further, the inner wall (inner surface) of the suction portion 50 may be stepped. FIG. 12 is a cross-sectional view showing the structure of a suction portion whose inner wall has a stepped shape.

図12に示される吸着部50dでは、内壁に設けられた段で加工粉125を受けることができるため、一旦吸着した加工粉125が吸着部50dから落下してしまう可能性を下げることができる。   In the adsorption part 50d shown in FIG. 12, since the processing powder 125 can be received at the stage provided on the inner wall, the possibility that the once-adsorbed machining powder 125 falls from the adsorption part 50d can be reduced.

(その他の実施の形態)
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the above embodiment.

上記実施の形態の発光装置10は、加工対象物の一例である。本発明のレーザ加工装置は、発光装置10の製造装置200としてだけでなく、発光装置10以外の加工対象物を加工するレーザ加工装置としても実現可能である。   The light emitting device 10 of the above embodiment is an example of a processing object. The laser processing apparatus of the present invention can be realized not only as the manufacturing apparatus 200 of the light emitting device 10 but also as a laser processing apparatus that processes an object to be processed other than the light emitting device 10.

例えば、本発明は、導光板などの樹脂製の部材のレーザ加工に適用することができる。この場合、照射部210は、CO2レーザ、およびエキシマレーザなどのガスレーザであるが、好ましくはCO2レーザである。CO2レーザは、例えば、波長が2μm以上11μm以下のレーザ光を照射する。   For example, the present invention can be applied to laser processing of a resin member such as a light guide plate. In this case, the irradiation unit 210 is a gas laser such as a CO2 laser and an excimer laser, but is preferably a CO2 laser. For example, the CO 2 laser irradiates laser light having a wavelength of 2 μm or more and 11 μm or less.

また、本発明は、セラミック製の部材のレーザ加工に適用することも可能である。この場合、照射部210は、YAGレーザ、YVO4レーザ、およびチタンサファイアレーザなどの固体レーザであるが、好ましくはYAGレーザである。YAGレーザは、例えば、波長が0.35μm以上2μm以下のレーザ光を照射する。   The present invention can also be applied to laser processing of ceramic members. In this case, the irradiation unit 210 is a solid-state laser such as a YAG laser, a YVO4 laser, and a titanium sapphire laser, but is preferably a YAG laser. For example, the YAG laser irradiates laser light having a wavelength of 0.35 μm or more and 2 μm or less.

その他、本発明は、金属製の部材など、帯電した加工粉が飛散する部材のレーザ加工に適用可能である。   In addition, the present invention can be applied to laser processing of a member in which charged processing powder scatters, such as a metal member.

また、本発明は、SMD(Surface Mount Device)構造の発光装置の加工にも適用可能である。SMD型の発光装置(発光素子)は、例えば、凹部を有する樹脂製の容器と、凹部の中に実装されたLEDチップと、凹部内に封入された封止部材(蛍光体含有樹脂)とを備える。   The present invention can also be applied to processing a light emitting device having an SMD (Surface Mount Device) structure. An SMD type light emitting device (light emitting element) includes, for example, a resin container having a recess, an LED chip mounted in the recess, and a sealing member (phosphor-containing resin) sealed in the recess. Prepare.

また、上記実施の形態における吸引部40および吸着部50の配置は一例であり、本発明の特徴的な機能を実現できる範囲で、吸引部40および吸着部50の配置は変更されてもよい。例えば、図13に示されるように、吸引部40は、貫通孔56を有する吸着部50eの側方に配置され、側方から加工粉125の吸引を行ってもよい。図13は、吸引部40が吸着部50eの側方から吸引を行う例を示す断面図である。   Moreover, arrangement | positioning of the suction part 40 and the adsorption | suction part 50 in the said embodiment is an example, and the arrangement | positioning of the adsorption | suction part 40 and the adsorption | suction part 50 may be changed in the range which can implement | achieve the characteristic function of this invention. For example, as shown in FIG. 13, the suction part 40 may be disposed on the side of the suction part 50 e having the through-hole 56, and the work powder 125 may be sucked from the side. FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating an example in which the suction unit 40 performs suction from the side of the suction unit 50e.

図13に示されるように、吸着部50eは、吸着部50と同様の形状であるが、レーザ光の照射方向(Z軸方向)と交差する方向に貫通する貫通孔56が設けられている点が吸着部50と異なる。そして、吸引部40は、吸着部50eの側方に設けられ、吸着部50eの外壁側から貫通孔56を通じて加工粉125を吸引する。   As shown in FIG. 13, the suction part 50 e has the same shape as the suction part 50, but is provided with a through-hole 56 that penetrates in a direction intersecting the laser light irradiation direction (Z-axis direction). Is different from the suction part 50. And the suction part 40 is provided in the side of the adsorption | suction part 50e, and attracts the process powder 125 through the through-hole 56 from the outer wall side of the adsorption | suction part 50e.

このような構成では、加工粉125は、吸着部50eに向かって吸引されるため、加工粉125を効率的に吸着部50eに吸着させることができる。なお、貫通孔56の向き、貫通孔56が設けられる位置、および、貫通孔56の形成方法は、特に限定されるものではない。   In such a configuration, since the machining powder 125 is sucked toward the adsorption unit 50e, the machining powder 125 can be efficiently adsorbed to the adsorption unit 50e. The direction of the through hole 56, the position where the through hole 56 is provided, and the method of forming the through hole 56 are not particularly limited.

また、上記実施の形態では、円筒状の吸着部について説明したが、吸着部の形状は、図14に示される吸着部50fのように、開口の面積が照射部210側から発光装置10側に向かうにつれて小さくなる角筒状であってもよい。図14は、角筒状の吸着部50fの外観斜視図である。   Further, in the above embodiment, the cylindrical suction part has been described. However, the shape of the suction part is such that the area of the opening is from the irradiation part 210 side to the light emitting device 10 side as in the suction part 50f shown in FIG. It may be a rectangular tube shape that decreases as it goes. FIG. 14 is an external perspective view of a rectangular tube-shaped suction part 50f.

なお、図14に示される吸着部50fの開口の形状は、矩形であるが、開口の形状は、五角形など、その他の多角形であってもよい。   The shape of the opening of the suction part 50f shown in FIG. 14 is a rectangle, but the shape of the opening may be other polygons such as a pentagon.

また、上記実施の形態の発光装置10では、1つの発光素子列115を構成する複数のLEDチップ110は、Chip To Chipで直列接続される。しかしながら、複数のLEDチップ110は、各LEDチップ110のp側電極およびn側電極が、基板20上に設けられた配線にボンディングワイヤ160によって接続されることにより、配線を介して直列接続されてもよい。   In the light emitting device 10 of the above embodiment, the plurality of LED chips 110 constituting one light emitting element row 115 are connected in series by Chip To Chip. However, the plurality of LED chips 110 are connected in series via the wiring by connecting the p-side electrode and the n-side electrode of each LED chip 110 to the wiring provided on the substrate 20 by the bonding wire 160. Also good.

上記実施の形態では、蛍光体130は、黄色蛍光体であるとして説明したが、色変換部120には、黄色蛍光体以外に、緑色蛍光を発する緑色蛍光体、または、赤色蛍光を発する赤色蛍光体が含まれてもよい。なお、緑色蛍光体および赤色蛍光体は、白色光の演色性を高める目的で色変換部120に混合される。また、色変換部120には、黄色蛍光体の代わりに、緑色蛍光体と赤色蛍光体とが含まれ、LEDチップ110が発する青色光と合わせて発光装置から白色光が発せられる構成であってもよい。   In the above embodiment, the phosphor 130 is described as being a yellow phosphor. However, in addition to the yellow phosphor, the color conversion unit 120 includes a green phosphor that emits green fluorescence or a red fluorescence that emits red fluorescence. Body may be included. The green phosphor and the red phosphor are mixed in the color conversion unit 120 for the purpose of enhancing the color rendering property of white light. The color conversion unit 120 includes a green phosphor and a red phosphor instead of the yellow phosphor, and emits white light from the light emitting device in combination with the blue light emitted from the LED chip 110. Also good.

また、LEDチップ110は、青色光以外の光を発光するLEDチップであってもよい。例えば、LEDチップ110は、近紫外線を発するLEDチップであってもよい。この場合、色変換部120には、三原色(赤色、緑色、青色)の光を発する各色蛍光体が含まれる。   The LED chip 110 may be an LED chip that emits light other than blue light. For example, the LED chip 110 may be an LED chip that emits near ultraviolet rays. In this case, the color conversion unit 120 includes each color phosphor that emits light of three primary colors (red, green, and blue).

なお、発光装置10には、蛍光体以外の光波長変換材が用いられてもよく、例えば、光波長変換材として、半導体、金属錯体、有機染料、顔料など、ある波長の光を吸収し、吸収した光とは異なる波長の光を発する物質からなる光波長変換材が用いられてもよい。すなわち、本発明の製造装置および製造方法は、蛍光体以外の光波長変換材が用いられた発光装置にも適用可能である。   The light emitting device 10 may use a light wavelength conversion material other than a phosphor. For example, the light wavelength conversion material absorbs light of a certain wavelength such as a semiconductor, a metal complex, an organic dye, or a pigment, An optical wavelength conversion material made of a substance that emits light having a wavelength different from the absorbed light may be used. That is, the manufacturing apparatus and the manufacturing method of the present invention can also be applied to a light emitting device using a light wavelength conversion material other than a phosphor.

また、上記実施の形態においては、発光素子としてLEDチップ110が用いられたが、発光素子として、半導体レーザ等の半導体発光素子、有機EL(Electro Luminescence)、または無機EL等の固体発光素子が用いられてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although LED chip 110 was used as a light emitting element, solid state light emitting elements, such as semiconductor light emitting elements, such as a semiconductor laser, organic EL (Electro Luminescence), or inorganic EL, were used as a light emitting element. May be.

なお、上記実施の形態において、各構成要素(例えば、制御部250および色度測定部220)は、専用のハードウェアで構成されるか、各構成要素に適したソフトウェアプログラムを実行することによって実現されてもよい。各構成要素は、CPUまたはプロセッサなどのプログラム実行部が、ハードディスクまたは半導体メモリなどの記録媒体に記録されたソフトウェアプログラムを読み出して実行することによって実現されてもよい。   In the above-described embodiment, each component (for example, the control unit 250 and the chromaticity measurement unit 220) is configured by dedicated hardware or realized by executing a software program suitable for each component. May be. Each component may be realized by a program execution unit such as a CPU or a processor reading and executing a software program recorded on a recording medium such as a hard disk or a semiconductor memory.

以上、一つまたは複数の態様に係る発光装置の製造装置(レーザ加工装置)および発光装置の製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したもの、および、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、一つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。   The light emitting device manufacturing apparatus (laser processing apparatus) and the light emitting device manufacturing method according to one or more embodiments have been described based on the embodiment, but the present invention is limited to this embodiment. It is not a thing. Unless it deviates from the gist of the present invention, various modifications conceived by those skilled in the art have been made in this embodiment, and forms constructed by combining components in different embodiments are also in one or more aspects. It may be included within the range.

10 発光装置
20 基板
40 吸引部
50、50a〜50f 吸着部
51 開口
52 凸部
55 受け止め部
56 貫通孔
110 LEDチップ(発光素子)
120 色変換部(透光性樹脂)
125 加工粉
130 蛍光体
200 製造装置(レーザ加工装置)
210 照射部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 20 Board | substrate 40 Suction part 50, 50a-50f Adsorption part 51 Opening 52 Convex part 55 Receiving part 56 Through-hole 110 LED chip (light emitting element)
120 color converter (translucent resin)
125 Processing powder 130 Phosphor 200 Manufacturing equipment (laser processing equipment)
210 Irradiation part

Claims (11)

レーザ光を照射することにより対象物を加工する照射部と、
前記加工により生じる加工粉を吸引する吸引部と、
帯電することにより、前記吸引部に吸引される加工粉を静電吸着する吸着部とを備え、
前記吸着部は、前記レーザ光を通す開口を形成する筒状であり、
前記吸着部の前記対象物側の端部における前記開口の面積は、前記吸着部の前記照射部側の端部における前記開口の面積よりも小さい
レーザ加工装置。
An irradiation unit for processing an object by irradiating a laser beam;
A suction part for sucking processing powder generated by the processing;
An electrostatic chuck that electrostatically adsorbs the processing powder sucked into the suction section by charging,
The adsorbing portion has a cylindrical shape that forms an opening through which the laser light passes.
The area of the opening at the end of the suction portion on the object side is smaller than the area of the opening at the end of the suction portion on the irradiation portion side.
前記開口の面積は、前記照射部側から前記対象物側に向かうにつれて小さくなる
請求項1に記載のレーザ加工装置。
The laser processing apparatus of Claim 1. The area of the said opening becomes small as it goes to the said object side from the said irradiation part side.
前記吸着部の前記対象物側の端部には、前記吸着部から落下しようとする加工粉を受け止める受け止め部が設けられる
請求項1または2に記載のレーザ加工装置。
The laser processing apparatus according to claim 1, wherein a receiving portion that receives a processing powder that is about to fall from the suction portion is provided at an end of the suction portion on the object side.
前記吸着部の内壁には、凸部が設けられる
請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
The laser processing apparatus of any one of Claims 1-3 with which a convex part is provided in the inner wall of the said adsorption | suction part.
前記吸着部の内壁は、階段状である
請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein an inner wall of the suction portion is stepped.
前記吸着部は、円筒状または角筒状である
請求項1〜5のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the suction portion has a cylindrical shape or a rectangular tube shape.
前記吸着部には、前記レーザ光の照射方向と交差する方向に貫通する貫通孔が設けられ、
前記吸引部は、前記吸着部の外壁側から前記貫通孔を通じて加工粉を吸引する
請求項1〜6のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
The suction part is provided with a through hole penetrating in a direction intersecting with the irradiation direction of the laser beam,
The laser processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the suction unit sucks processing powder from the outer wall side of the suction unit through the through hole.
前記照射部は、ガスレーザであり、樹脂製の前記対象物を加工する
請求項1〜7のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiation unit is a gas laser and processes the object made of resin.
前記照射部は、固体レーザであり、セラミック製の前記対象物を加工する
請求項1〜7のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiation unit is a solid-state laser and processes the ceramic object.
発光装置の製造装置であって、
前記発光装置は、蛍光体を含有する透光性樹脂によって発光素子の少なくとも一部が覆われることにより形成され、
前記発光装置の製造装置は、
レーザ光を照射することにより前記透光性樹脂を加工する照射部と、
前記加工により生じる加工粉を吸引する吸引部と、
帯電することにより、前記吸引部に吸引される加工粉を静電吸着する吸着部とを備え、
前記吸着部は、前記レーザ光を通す開口を形成する筒状であり、
前記吸着部の前記発光装置側の端部における前記開口の面積は、前記吸着部の前記照射部側の端部における前記開口の面積よりも小さい
発光装置の製造装置。
A device for manufacturing a light emitting device,
The light emitting device is formed by covering at least a part of a light emitting element with a translucent resin containing a phosphor,
The light emitting device manufacturing apparatus comprises:
An irradiation unit that processes the translucent resin by irradiating a laser beam;
A suction part for sucking processing powder generated by the processing;
An electrostatic chuck that electrostatically adsorbs the processing powder sucked into the suction section by charging,
The adsorbing portion has a cylindrical shape that forms an opening through which the laser light passes.
The area of the opening at the end of the suction portion on the light emitting device side is smaller than the area of the opening at the end of the suction portion on the irradiation portion side.
吸着部を用いた発光装置の製造方法であって、
前記発光装置は、蛍光体を含有する透光性樹脂によって発光素子の少なくとも一部が覆われることにより形成され、
前記発光装置の製造方法は、
レーザ光を照射することにより前記透光性樹脂を加工し、
前記加工により生じる加工粉を吸引し、
吸引される加工粉を、前記吸着部を帯電させることによって静電吸着し、
前記吸着部は、前記レーザ光を通す開口を形成する筒状であり、
前記吸着部の前記発光装置側の端部における前記開口の面積は、前記吸着部の前記照射部側の端部における前記開口の面積よりも小さい
発光装置の製造方法。
A method of manufacturing a light emitting device using an adsorption part,
The light emitting device is formed by covering at least a part of a light emitting element with a translucent resin containing a phosphor,
The method for manufacturing the light emitting device is as follows:
Processing the translucent resin by irradiating with laser light,
Aspirate the processing powder generated by the processing,
The work powder to be sucked is electrostatically adsorbed by charging the adsorption part,
The adsorbing portion has a cylindrical shape that forms an opening through which the laser light passes.
The method of manufacturing a light emitting device, wherein an area of the opening at an end portion of the suction portion on the light emitting device side is smaller than an area of the opening at an end portion of the suction portion on the irradiation portion side.
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