JP2016074932A - 硬質被膜およびその形成方法ならびに形成装置 - Google Patents
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まず、第1の実験として、ナノDLC層142の厚みDaとナノSi−DLC層144の厚みDbとの相互比Da:Dbを2:1とし、併せてナノSi−DLC層144におけるシリコンの含有率Csiを4.0at%とし、この条件下で、ナノDLC層142の厚みDaとナノSi−DLC層144の厚みDbとを種々に変えてみた。具体的には、図4に示すように、試料1−1〜1−8という8つの試料を作製した。このうちの試料1−1は、比較対象用であり、従来のDLC単層膜200である。そして、試料1−2もまた、比較対象用であり、従来のSi−DLC単層膜200aである。この試料1−2のSi−DLC単層240aにおけるシリコンの含有率は、水素以外の成分のうちの4.0at%(at%;原子数比の百分率)である。この4.0at%というシリコンの含有率は、TMSガスの流量Qbを25mL/minとすることによって実現される。そして、他の試料1−3〜1−8が、本実施形態に係るDLCナノ多層膜100である。これらの試料1−3〜1−8については、ナノDLC層142の厚みDaを200nm,100nm,50nm,25nm,10nmおよび5nmとし、併せてナノSi−DLC層144の厚みDbを100nm,50nm,25nm,12.5nm,5nmおよび2.5nmとした。なお、これら各試料1−3〜1−8のいずれについても、TMSガスの(オン期間Tonにおける)流量Qbを25mL/minとすることによって、ナノSi−DLC層144のシリコンの含有率Csiを4.0at%としている。また、TMSガスのオフ期間ToffによってナノDLC層142の厚みDaを制御し、オン期間DbによってナノSi−DLC層144の厚みDbを制御している。さらに、ナノDLC層142の厚みDaおよびナノSi−DLC層144の厚みDbによって上述した組146の数Nが変わる。そして、詳しい説明は省略するが、試料1−1におけるDLC単層240,試料1−2におけるSi−DLC単層240a,試料1−3〜1−8のそれぞれにおけるナノDLC多層140(ナノDLC層142およびナノSi−DLC層144)の水素の含有率は、分析の結果、約35at%であった。この水素の含有率は主に、プラズマガン出力Wa,バイアス電力Ebおよびアセチレンガスの流量Qaによって決まる。この水素の含有率は、20%〜40%であれば、好ましくは25%〜35%であれば、被膜全体としての特性に大きな差異はない。
上述の第1の実験結果を踏まえた上で、第2の実験として、ナノDLC層142の厚みDaを10nmとし、併せてナノSi−DLC層144の厚みDbを5nmとし、この条件下で、ナノSi−DLC層144におけるシリコンの含有率Csiを種々に変えてみた。具体的には、図6に示すように、試料2−1〜2−10という10個の試料を作製した。このうちの試料2−1は、比較対象用であり、第1の実験における試料1−1と同じものである。そして、試料2−2もまた、比較対象用であり、第1の実験における試料1−2と同じものである。さらに、試料2−3もまた、比較対象用であり、従来のSi−DLC単層膜200aにおいて、Si−DLC単層240aにおけるシリコンの含有率を1.5at%としたものである。そして、他の試料2−4〜2−10が、本実施形態に係るDLCナノ多層膜100である。これらの試料2−3〜2−10については、ナノSi−DLC層144におけるシリコンの含有率Csiを4.8at%,4.0at%,2.8at%,2.1at%,1.5at%,1.1at%および0.8at%とした。このシリコンの含有率Csiについては、TMSガスの(オン期間Tonにおける)流量Qbによって制御する。なお、試料2−5は、第1の実験における試料1−7と同じものである。
上述の第2の実験結果をさらに踏まえた上で、第3の実験として、ナノSi−DLC層144の厚みDbを5nmとし、併せて当該ナノSi−DLC層144におけるシリコンの含有率Csiを1.5at%とし、この条件下で、ナノDLC層142の厚みDaを種々に変えてみた。具体的には、図8に示すように、試料3−1〜3−7という7つの試料を作製した。このうちの試料3−1は、比較対象用であり、第1の実験における試料1−1(および第2の実験における試料2−1)と同じものである。試料3−2もまた、比較対象用であり、第2の実験における試料2−3と同じものである。そして、他の試料3−3〜3−7が、本実施形態に係るDLCナノ多層膜100である。これらの試料3−3〜3−7については、ナノDLC層142の厚みDaを10nm,20nm,30nm,40nmおよび50nmとした。なお、試料3−3は、第2の実験における試料2−8と同じものである。
110 母材
120 中間層
130 傾斜層
140 DLCナノ多層
142 ナノDLC層
144 ナノSi−DLC層
Claims (7)
- 母材上に形成された非晶質の硬質被膜において、
炭素を主成分とする厚みがナノオーダのDLC層と、
炭素を主成分としシリコンを含む厚みがナノオーダのシリコン含有DLC層と、
が交互に積層された構成であることを特徴とする、
硬質被膜。 - 上記DLC層は原子数比で20%〜40%の水素を含み、
上記シリコン含有DLC層は原子数比で20%〜40%の水素を含むと共に該水素以外の成分のうち原子数比で1%〜25%の上記シリコンを含む、
請求項1に記載の硬質被膜。 - 上記DLC層の厚みは1nm〜200nmであり、
上記シリコン含有DLCの厚みは1nm〜200nmである、
請求項1または2に記載の硬質被膜。 - 最表面に上記シリコン含有DLC層が形成された、
請求項1ないし3のいずれかに記載の硬質被膜。 - 上記母材上に形成されており該母材と密着性のある中間層と、
上記中間層上に形成されており炭素を主成分としシリコンを含むと共に該中間層から離れるに従って該シリコンの含有率が低下する傾斜層と、
をさらに備え、
上記傾斜層上に上記DLC層と上記シリコン含有DLC層とが交互に積層された、
請求項1ないし4のいずれかに記載の硬質被膜。 - 母材上に非晶質の硬質被膜を形成する方法において、
上記母材が収容された真空槽内にプラズマを発生させるプラズマ発生過程と、
上記プラズマが発生している状態にある上記真空槽内に炭化水素系ガスを連続的に供給すると共にシリコン系ガスを間欠的に供給する材料ガス供給過程と、
を具備し、
上記真空槽内に上記炭化水素系ガスが供給されており上記シリコン系ガスが非供給とされているときに炭素を主成分とするDLC層が上記硬質被膜の要素として形成され、
上記真空槽内に上記炭化水素系ガスが供給されると共に上記シリコン系ガスが供給されているときに炭素を主成分としシリコンを含むシリコン含有DLC層が上記硬質被膜の要素として形成され、
厚みがナノオーダの上記DLC層と厚みがナノオーダの上記シリコン含有DLC層とが交互に積層された構成の上記硬質被膜が形成されるように上記材料ガス供給過程における上記真空槽内への上記シリコン系ガスの間欠的な供給動作を制御するガス供給制御過程、をさらに具備することを特徴とする、
硬質被膜の形成方法。 - 母材上に非晶質の硬質被膜を形成する装置において、
内部に上記母材が収容される真空槽と、
上記母材が収容された上記真空槽内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
上記プラズマが発生している状態にある上記真空槽内に炭化水素系ガスを連続的に供給すると共にシリコン系ガスを間欠的に供給する材料ガス供給手段と、
を具備し、
上記真空槽内に上記炭化水素系ガスが供給されており上記シリコン系ガスが非供給とされているときに炭素を主成分とするDLC層が上記硬質被膜の要素として形成され、
上記真空槽内に上記炭化水素系ガスが供給されると共に上記シリコン系ガスが供給されているときに炭素を主成分としシリコンを含むシリコン含有DLC層が上記硬質被膜の要素として形成され、
厚みがナノオーダの上記DLC層と厚みがナノオーダの上記シリコン含有DLC層とが交互に積層された構成の上記硬質被膜が形成されるように上記材料ガス供給手段による上記真空槽内への上記シリコン系ガスの間欠的な供給動作を制御するガス供給制御手段、をさらに具備することを特徴とする、
硬質被膜の形成装置。
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Cited By (1)
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CN109518157A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-26 | 北京金轮坤天特种机械有限公司 | 一种内花键及其制备方法和应用 |
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