JP2016072266A - 撮像素子パッケージおよび撮像装置 - Google Patents

Abstract

【課題】混在型偏光フィルタと混在型分光フィルタとの位置ずれに起因するクロストークを低減させ、信号の精度を向上させる。
【解決手段】混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４が、撮像素子の受光部１２の上部に設けられる撮像素子パッケージ１において、受光部１２に近い側のフィルタの開口面積が、他方のフィルタの開口面積よりも小さい。
【選択図】図３

Description

本発明は、撮像素子パッケージおよび撮像装置に関する。

半導体微細加工技術の進展に伴い、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor），ＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子（イメージセンサ）の高画素化が進んでおり、画素ピッチが数μｍのものも実現されている。

輝度情報のみを反映する撮像素子、およびそのパッケージ構造は多く市販されており、それらの撮像素子パッケージでは、汚染防止や損傷防止のためにカバーガラス（ガラス基板）が用いられている。

例えば、特許文献１，２には、ガラス基板は可視光領域において透明であり、入射した光を透過するとともに、マイクロレンズに集光された光は撮像素子基板上に形成された受光部にて受光される撮像素子パッケージが開示されている。また、ガラス基板表面に反射防止構造や紫外線フィルタが施されているものも知られている。

また、輝度情報以外の偏光、分光といった光学情報を取得するために、撮像素子表面に光学機能領域を作製したモノリシック型（一体型）撮像素子は、今後用途が拡がると予想される。このような撮像素子としては、例えば、偏光情報を取得するためには、直交する二方向、もしくはさらに４５°、１３５°を加えた４方向のワイヤグリッドパターン領域からなる１画素サイズの分割素子（以下、混在型偏光フィルタと呼ぶ）が利用される。

さらに、１画素サイズ、もしくは４画素サイズのカラーフィルタ（以下、混在型カラーフィルタと呼ぶ）と混在型偏光フィルタとを併用することで撮像機能を拡大することが可能となる。

例えば、特許文献３には、ワイヤグリッド素子と、カラーフィルタと組み合わせた撮像素子を備え、被写体を立体画像として撮像する撮像装置について開示されている。また、特許文献４には、延伸した高分子フィルムに二色以上の偏光性色相域を形成されたカラー偏光子が開示されている。また、特許文献５には、断面が多角形であるワイヤグリッド偏光子が開示されている。

図１は撮像素子パッケージ１の基本構成を示す断面模式図を示しているが、図１に示す撮像素子パッケージ１において、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４は、互いに位置ずれ無く配置されている必要がある。

しかしながら、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４および受光部１２との間の相対的な位置関係が設計値からずれてしまうことでクロストーク（望まない信号が混入すること）が発生し、偏光信号、および分光信号の精度が低下してしまっていた。特に、撮像素子の高画素化に伴い、この位置ずれに起因するクロストークが発生しやすいという課題があった。上記特許文献には、このクロストークの発生についての課題および解決手段は開示されていない。

そこで本発明は、混在型偏光フィルタと混在型分光フィルタとの位置ずれに起因するクロストークを低減させ、信号の精度を向上させる撮像素子パッケージを提供することを目的とする。

かかる目的を達成するため、本発明に係る撮像素子パッケージは、混在型偏光フィルタおよび混在型カラーフィルタが、撮像素子の受光部の上部に設けられる撮像素子パッケージにおいて、前記受光部に近い側のフィルタの開口面積が、他方のフィルタの開口面積よりも小さいものである。

本発明によれば、混在型偏光フィルタと混在型分光フィルタとの位置ずれに起因するクロストークを低減させ、信号の精度を向上させることができる。

撮像素子パッケージの構成を示す断面模式図である。 撮像素子の断面模式図であって、混在型偏光フィルタに遮光部を設けていない例である。 撮像素子の断面模式図であって、混在型偏光フィルタに遮光部を設けている例である。 撮像素子パッケージを備えた撮像装置の概略構成図である。 実施例１に係る撮像素子パッケージの説明図である。 実施例２に係る撮像素子パッケージの説明図である。 実施例３に係る撮像素子パッケージの説明図である。 実施例４に係る撮像素子パッケージの説明図である。

以下、本発明に係る構成を図１から図８に示す実施の形態に基づいて詳細に説明する。

（撮像素子パッケージ）
本実施形態に係る撮像素子パッケージは、混在型偏光フィルタ（混在型偏光フィルタ１３）および混在型カラーフィルタ（混在型カラーフィルタ１４）が、撮像素子の受光部（受光部１２）の上部に設けられる撮像素子パッケージ（撮像素子パッケージ１）において、受光部に近い側のフィルタの開口面積が、他方のフィルタの開口面積よりも小さいものである（図３、図５〜図８）。なお、括弧内は実施形態での符号、適用例を示す。

図１は撮像素子パッケージ１の基本構成を示す断面模式図である。撮像素子パッケージ１は、撮像素子支持基板１１に形成される受光部１２上に、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４およびマイクロレンズ１５がこの順に積層されて形成されている。なお、受光部１２はフォトダイオードであって、マイクロレンズ１５は、フォトダイオードの集光効率を高めるために光の入射側に配置されるマイクロレンズである。

以下、受光部１２、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４およびマイクロレンズ１５を撮像素子１６ともいう。また、撮像素子１６が形成された撮像素子支持基板１１を撮像素子基板１０ともいう。

撮像素子支持基板１１において、受光部１２側には、撮像素子１６をカバーするためのガラスなどの透明基板２０が接着剤層３０を介して接合されている。

この撮像素子パッケージ１において、混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４は、互いに位置ずれ無く配置されることが必要となる。２つのフィルタが互いに位置ずれなく、配置されている場合には、対応する各受光部１２にて所望の光信号を得ることができ、画素ごとに信号を分離することが可能となる。

しかしながら、混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４を互いに位置ずれ無く作製することは、その作製精度や位置合わせ精度において困難が伴う。ここで、図１に示す混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４が形成された撮像素子１６において、位置ずれが発生した場合について説明する。

図２は、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４を有する撮像素子１６が形成された撮像素子基板１０の断面模式図であって、混在型偏光フィルタ１３の位置に対して混在型カラーフィルタ１４の位置が横方向にずれてしまった場合の例を示している。なお、受光部１２の下側には配線層１７が形成され、配線層１７は撮像素子１６に含まれる。Ｌは入射光を示している。図２において、混在型カラーフィルタ１４の端部を透過した光の一部は、位置ずれのために隣接する所望外の混在型偏光フィルタ１３を透過し、その下に存在する受光部１２に入射してしまう。

このように入射する光は、クロストークの要因となるため除去することが望まれる。作製精度や位置合わせ精度を高めることでクロストークは低減可能ではあるが、垂直に入射する光以外にも迷光は様々な反射によって発生するため、クロストークを完全に除くことは容易ではない。

そこで、本実施形態に係る撮像素子パッケージ１では、偏光フィルタとカラーフィルタのような混在型フィルタが積層した構造において、光が入射する領域（以下、開口部とする）を受光部１２に近い側で小さくすることによって、クロストークを低減するものである。

具体的には、図３に示すように、本実施形態に係る撮像素子１６では、受光部１２に近い側の混在型フィルタ（ここでは、混在型偏光フィルタ１３）の開口部を小さくするために、混在型偏光フィルタ１３の画素領域の周囲を遮光部１８とするものである。

このように遮光部１８を設けて開口面積を小さくすることにより、クロストークが発生しやすい端部に入射する光を反射し、受光しないため、クロストークを低減することができ、信号の品質を向上、安定化させることができる。

図２、図３において、混在型カラーフィルタ１４の横幅をａ、混在型偏光フィルタ１３の横幅をｂとして示している。

図２の構成例では、混在型カラーフィルタ１４の横幅ａと混在型偏光フィルタ１３の横幅ｂはほぼ同じ大きさとなっている。これに対し、図３に示す本実施形態に係る例では、混在型カラーフィルタ１４の横幅ａの方を、混在型偏光フィルタ１３の横幅ｂよりも大きくしている。これは各混在型偏光フィルタ１３間に、遮光部１８（１領域の横幅をｃで示す）を設けているためである。したがって、混在型偏光フィルタ１３の横幅ｂに遮光部１８の横幅ｃを加えると、混在型カラーフィルタ１４の横幅ａとほぼ同じ大きさとなる。

なお、図３の例では、受光部１２上に、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４がこの順で積層されている例を説明したが、受光部１２側に近い側のフィルタの開口部を小さくすることは他のフィルタの組合せにおいても有効である。例えば、受光部１２上に、混在型カラーフィルタ１４、混在型偏光フィルタ１３の順で形成されている場合は、混在型カラーフィルタ１４の一部を遮光部として、開口部を小さくすればよい。

また、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４の一方または両方を透明基板２０の撮像素子基板１０の対向面に設けることとしてもよい。また、受光部１２側に近い側のフィルタの開口部が小さくなるように、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４の両方に遮光部を設けてもよい。

（撮像装置）
図４は、本実施形態にかかる撮像装置１００の概略構成を示す説明図である。撮像装置１００は、主に、撮像レンズ４０と、上述した撮像素子パッケージ１と、信号処理部５０とから構成される。被検物からの光は、撮像レンズ４０を通り、透明基板２０を透過して撮像素子１６で電気信号に変換される。信号処理部５０には撮像素子１６から出力される電気信号が入力される。信号処理部５０は、この電気信号を処理して、輝度情報、分光情報、偏光情報、又は位相情報などの画像信号を生成する。撮像装置１００は、信号処理部５０で生成した画像信号であるデジタル信号を、後続の出力機器へ出力する。この撮像装置１００によれば、輝度情報に加え、偏光、分光、位相情報などの他の情報を取得することが可能となる。

＜実施例１＞
図５は、実施例１に係る撮像素子パッケージ１の説明図であって、（ａ）撮像素子基板１０の断面模式図、（ｂ）撮像素子パッケージ１の上面模式図、（ｃ）撮像素子パッケージ１の断面模式図、（ｄ）混在型偏光フィルタ１３の上面模式図、（ｅ）混在型カラーフィルタ１４の上面模式図、（ｆ）マイクロレンズ１５の上面模式図をそれぞれ示している。

図５に示す撮像素子パッケージ１は、偏光成分を画像して認識するカラー偏光イメージングカメラの撮像素子パッケージ１である。図５（ａ）に示すように、受光部１２の上部に、混在型偏光フィルタ１３、および混在型カラーフィルタ１４が形成されている。配線層１７は受光部１２の下側に形成される裏面照射型撮像素子である。

図５（ｂ）に示すように、撮像素子パッケージ１は、受光部１２、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４およびマイクロレンズ１５が形成される受光領域全体の外側に枠状に塗布された接着剤（接着剤層３０）によって透明基板２０と撮像素子基板１０が接着している。

また、図５（ｃ）に示すように、撮像素子パッケージ１は、撮像素子信号をボンディングワイヤー３１からパッケージの内部基板であるインターポーザ３３に導通する樹脂パッケージである。

また、図５（ｄ）に示すように、混在型偏光フィルタ１３は、４画素で１つのまとまりとなるが、縦方向のグリッド３画素、横方向のグリッド１画素である。１領域は遮光部１８を含めて約６μｍである。

また、図５（ｅ）に示すように、混在型カラーフィルタ１４の１領域は約６μmである。また、図５（ｆ）に示すように、マイクロレンズ１５の１領域は約６μmである。

混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４は、４画素領域でひとつの偏光信号を処理し、偏光イメージングカメラとしての役割を果たす。混在型カラーフィルタ１４の１領域に対して各々、マイクロレンズ１５が形成され、１画素が対応する。

混在型偏光フィルタ１３は、金属細線が周期的に配列したワイヤグリッド素子（偏光子）である。グリッド材質はＡｌとし、グリッド周期約１５０ｎｍ、グリッド高さ約２００ｎｍとした。混在型偏光フィルタ１３の遮光部１８は幅約６００ｎｍとして、Ａｌ薄膜をそのまま残すことで利用した。また、グリッド間およびその上部にはＳｉＯ_２膜を成膜した。

混在型偏光フィルタ１３と混在型カラーフィルタ１４との間の横方向の位置ずれは最大約３００ｎｍ生じていたが、遮光部１８を設けることにより、迷光を除去し、クロストークの発生を低減できることを確認した。遮光部１８を設ける割合としては、画素サイズの１０％程度の横幅とするとほぼ十分である。なお、２０％程度であっても問題がないが、画素が小さい場合には信号強度が十分でない場合がある。

混在型カラーフィルタ１４は、色素材料による吸収型であり、ＲＧＧＢの配列とした。混在型偏光フィルタ１３上にフォトリソグラフィによってパターニングした。

撮像素子パッケージ１の詳細について説明する。透明基板２０であるガラスの厚みは約４００μｍ、一辺は約６ｍｍであり、上面には反射防止膜が形成されている。そして、枠状に塗布された接着剤（接着剤層３０）を用いて透明基板２０と撮像素子基板１０を接着した。光硬化型接着剤を用いた場合、接着剤厚みを約１０μｍ、塗布幅を約８０μｍにて、ほぼ均一にして接着することが可能である。

接着剤を撮像素子支持基板１１に塗布後、照度約１０ｍＷ／ｃｍ^２にて積算エネルギー６０００ｍＪ／ｃｍ^２となる紫外線を照射することにより硬化した。

また、熱養生として８０℃、３０ｍｉｎの加熱工程を加えた。接着剤厚み１０μｍは、接着剤剥離を発生させない十分な厚みである。さらに、ダイボンド剤３４を用いて撮像素子基板１０をインターポーザ３３（１辺が約９.５ｍｍとした）に接着し、ワイヤボンディングの後、透明基板２０の側面に封止材３２を用いて樹脂封止することで撮像素子パッケージ１とした。

その後、撮像素子パッケージ１をボード基板に半田づけし、偏光カラー画像を取得した。その結果、混在型偏光フィルタ１３と混在型カラーフィルタ１４との間の位置ずれが発生した試料においても十分な偏光信号、および色信号を取得できた。また、位置ずれが発生していない試料においても遮光部１８を設けることで、遮光部１８を設けない場合と比較して信号品質が向上した。混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４において受光部１２に近い側で開口部が小さくなる構造とすることにより、迷光の影響を低減できることを確認できた。

＜実施例２＞
図６は、実施例２に係る撮像素子パッケージ１の説明図であって、撮像素子基板１０の断面模式図である。実施例１と同様の点についての説明は省略する。実施例２は、撮像素子パッケージ１の構造としては実施例１とほぼ同様である。

実施例２では、図６に示すように、混在型偏光フィルタ１３と混在型カラーフィルタ１４の相対的な位置ずれを１００ｎｍ以下としたものである。位置ずれが小さい場合においても、遮光部１８が存在することにより、わずかな迷光も遮光するため、信号品質が向上した。遮光部１８を設けることで位置ずれ精度によらず、信号が良好になることを確認した。

＜実施例３＞
図７は、実施例３に係る撮像素子パッケージ１の説明図であって、（ａ）撮像素子基板１０の断面模式図、（ｂ）混在型カラーフィルタ１４の上面模式図、（ｃ）混在型偏光フィルタ１３の上面模式図、（ｄ）ナノホールアレイ１９の上面模式図である。

実施例３では、撮像素子１６の構造が実施例１とは異なる。図７（ａ）に示すように、受光部１２上に混在型カラーフィルタ１４、混在型偏光フィルタ１３の順で積層されている。混在型カラーフィルタ１４は、図７（ｂ）に示すようにＲＧＧＢ配列であり、薄膜は厚み１５０ｎｍのＡｌからなる。また、図７（ｄ）に示すように、ほぼ円柱状の空隙（ナノホール）１９ａが周期配列しており、周期を制御することによって透過波長を制御する。ナノホールアレイ１９は最密充填構造となっており、周期によって透過する波長を選定できる。１つの空隙１９ａの直径は約１００ｎｍであり、周囲はＳｉＯ_２によって被覆している。周期（空隙１９ａ同士の中心点間距離）は赤色対応（Ｒ）では４２０ｎｍ、緑色対（Ｇ）では３４０ｎｍ、青色対応（Ｂ）では２４０ｎｍとした。１画素に相当する領域の端部１９ｂではナノホールアレイ１９は形成されておらず、遮光（遮光部１８）の役割を果たす。遮光部１８の横幅は約６００nmとした。

図７（ｃ）に示すように、混在型偏光フィルタ１３は、４画素分で１方向の偏光情報となるようにした。図７（ｃ）では、左側８画素分は縦方向に配列したグリッド、右側８画素分は横方向に配列したグリッドを示している。グリッド配列方向と垂直方向に振動する光を透過し、グリッド配列方向と平行に振動する光を反射する。遮光部１８は、４画素領域を囲うように枠状に形成され、幅は約３００ｎｍである。

＜実施例４＞
ここまで説明した混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４を受光部１２上に形成するオンチップ型のほか、混在型偏光フィルタ１３、混在型カラーフィルタ１４のいずれか、または両方を透明基板２０側に平板型光学素子として形成し、それらを高精度に位置合わせして接着する構造も可能である。

図８は、実施例４に係る撮像素子パッケージ１の説明図であって、（ａ）透明基板２０および撮像素子基板１０の断面模式図、（ｂ）混在型カラーフィルタ１４の上面模式図、（ｃ）混在型偏光フィルタ１３の上面模式図、（ｄ）ナノホールアレイ１９の上面模式図である。

実施例４では、図８（ａ）に示すように、混在型偏光フィルタ１３のパターンを透明基板２０の下面に配置した。受光部１２の上側には、混在型カラーフィルタ１４のみ配置した。

図８（ｂ），（ｄ）に示す混在型カラーフィルタ１４、ナノホールアレイ１９は、実施例３と同様とした。

図８（ｃ）に示すように、混在型偏光フィルタ１３は、４画素分でひとまとまりになっており、グリッド配列方向と垂直方向に振動する光を透過し、グリッド配列方向と平行に振動する光を反射する。遮光部１８は、画素ごとに枠状に形成され、幅は約３００ｎｍである。

ここまで説明した撮像素子１６、撮像素子パッケージ１は、ＣＭＯＳセンサ、ＣＣＤセンサにおける様々な撮像素子、およびそれらのパッケージング構造に適用することができる。

以上説明した本実施形態に係る撮像素子パッケージ１は、混在型偏光フィルタ１３と混在型カラーフィルタ１４が形成された撮像素子パッケージにおいて、偏光信号および分光信号について、混在型偏光フィルタと混在型カラーフィルタが相互に位置ずれを起こしてもクロストークを低減でき、信号の精度を高め、安定化させることができる。

撮像素子パッケージ１は、実施例１〜４に限定されず、受光部１２側に近いほど開口部を小さくしたフィルタを用いていればよい。開口部の割合は限定されないが、受光部１２に近い側のフィルタにて画素サイズの１０％程度の横幅とすると十分である。

混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４の両方を受光部１２が形成される撮像素子支持基板１１上に形成することで、オンチップの構造となり、混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４と受光部１２との間の距離が小さくなり、信号品質を向上させることができる。

また、混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４の一方もしくは両方を透明基板２０上に形成することで、撮像素子１６とは別に透明基板２０にフィルタを形成するため良品同士を組み合わせればよく、歩留まりを向上させることができる。また、透明基板２０においてフィルタが形成される面と反対側の面（光の入射面）に反射防止膜を設けることが好ましい。無反射構造を用いることで、透過率特性を向上させることができる。

混在型偏光フィルタ１３は、ワイヤグリッド素子を用いることで高コントラスト、高透過率の画像を取得することが可能となる。この場合、平板型光学素子となることから比較的厚みが小さく、クロストークの物理的発生を低減することができる。

また、混在型偏光フィルタ１３は、一次元フォトニック結晶としての多層膜とすることも好ましい。一次元フォトニック結晶を用いることにより高コントラスト、高透過率の画像を取得することが可能となる。ここで、オートクローニング法による多層膜が領域ごとに配列した偏光子配列体についても作製した。多層膜の厚みは約６μｍであり、ワイヤグリッド素子では厚みを数百μｍにすることができるためよりクロストークを低減できる。また、画素サイズは約６μmの撮像素子を用いたが、４μm程度の画素サイズに対しても作製した。

混在型カラーフィルタ１４は、金属ナノホールアレイを用いることにより波長選択の自由度が大きく、特定波長からの情報を取得することが可能となる。また、平板型光学素子となることから比較的厚みが小さく、クロストークの物理的発生を低減することができる。なお、混在型カラーフィルタ１４のホール形状は、円柱のほか、三角柱など、他の形状でも利用可能である。

混在型偏光フィルタ１３および混在型カラーフィルタ１４の材料は、Ａｌのほか、Ａｕ，Ａｇ，Ｔａ，Ｗなども利用可能であるが、貴金属を用いることで光学特性が良好になる。また、有機材料も利用可能である。

撮像素子１６の受光部１２は、配線層１７を受光部１２の下側に配置する裏面照射型のほか、配線層１７を受光部１２の上側に配置する表面照射型も適用可能である。なお、輝度やクロストークの点で裏面照射型の方がより効果的である。また、単に輝度情報を画像として得るだけでなく、領域によって偏光情報や赤外光情報などの情報を取得することが可能である。これらの情報を取得する受光部１２の分割面積は画素サイズに依存するが、特に限定されるものではない。

撮像素子基板１０と透明基板２０を接着する接着剤は、マイクロレンズ１５と選択的光学機能膜との間を充填する形でもよいが、その場合可視光領域にて透光性の高い接着剤を選定する必要がある。接着剤層３０の厚みは３〜５０μmほどまで実施したが、この値に限定されるものではない。接着剤は紫外線硬化型のほか、熱硬化型、紫外線硬化の後に熱硬化を行うタイプなどを利用することができる。また、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン系など材料の種類のほか、接着剤内部の充填剤の有無は特に限定されるものではない。

撮像素子パッケージ１のパッケージ構造は、封止材３２を用いた樹脂パッケージ（図５（ｃ）参照）とすることで、低コストでの作製が可能となる。また、セラミックパッケージとすることで、信頼性が高い撮像素子パッケージとすることができる。その他、チップサイズパッケージなどが利用できる。

尚、上述の実施形態、実施例は本発明の好適な実施の例ではあるがこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。

１ 撮像素子パッケージ
１０ 撮像素子基板
１１ 撮像素子支持基板
１２ 受光部
１３ 混在型偏光フィルタ
１４ 混在型カラーフィルタ
１５ マイクロレンズ
１６ 撮像素子
１７ 配線層
１８ 遮光部
１９ ナノホールアレイ
１９ａ 空隙
２０ 透明基板
３０ 接着剤層
３１ ボンディングワイヤー
３２ 封止材
３３ インターポーザ
３４ ダイボンド剤
４０ 撮像レンズ
５０ 信号処理部
１００ 撮像装置
Ｌ 入射光

特許第４５０１１３０号公報 特許第４７９３６１８号公報 特開２０１３−７７９３５号公報 特公昭６１−３９６４２号公報 特開２０１２−７８８２０号公報

Claims (10)

1. 混在型偏光フィルタおよび混在型カラーフィルタが、撮像素子の受光部の上部に設けられる撮像素子パッケージにおいて、
   前記受光部に近い側のフィルタの開口面積が、他方のフィルタの開口面積よりも小さいことを特徴とする撮像素子パッケージ。
2. 前記受光部に近い側のフィルタは、画素領域の周囲に遮光部を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像素子パッケージ。
3. 前記遮光部を第一遮光部としたとき、
   前記他方のフィルタに、前記第一遮光部よりも領域面積の小さい第二遮光部を有することを特徴とする請求項２に記載の撮像素子パッケージ。
4. 前記混在型偏光フィルタおよび前記混在型カラーフィルタの一方または両方は、前記受光部が形成される前記撮像素子の支持基板上に形成されていることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
5. 前記撮像素子を覆う透明基板を有し、
   前記混在型偏光フィルタおよび前記混在型カラーフィルタの一方または両方は、前記透明基板の前記撮像素子に対向する面に形成されていることを特徴とする請求項１から３までいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
6. 前記透明基板は、光の入射面に反射防止膜を備えることを特徴とする請求項５に記載の撮像素子パッケージ。
7. 前記混在型偏光フィルタは、金属細線が周期的に配列されたワイヤグリッド素子、または一次元フォトニック結晶としての多層膜からなることを特徴とする請求項１から６までのいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
8. 前記混在型カラーフィルタは、金属ナノホールアレイからなることを特徴とする請求項１から７までのいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
9. 当該撮像素子パッケージは樹脂パッケージまたはセラミックパッケージであることを特徴とする請求項１から８までのいずれかに記載の撮像素子パッケージ。
10. 請求項１から９までのいずれかに記載の撮像素子パッケージを備えることを特徴とする撮像装置。