JP2016066054A - 光電気混載基板およびその製法 - Google Patents

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Abstract

【課題】電気回路基板部分が損傷しにくく、取り扱い性に優れた光電気混載基板およびその製法を提供する。【解決手段】絶縁層1の表面に電気配線2が形成された電気回路基板Eと、この電気回路基板Eの裏面側に形成された光導波路Wとを備え、上記光導波路Wが延びる方向に沿う電気回路基板Eの両側面と、光導波路Wの両側面とが、上から見て互いに重なるか、電気回路基板Eの両側面の方が光導波路Wの両側面の位置より内側に入り込んだ配置になっている光電気混載基板10である。【選択図】図1

Description

本発明は、電気回路基板と光導波路とが積層された光電気混載基板およびその製法に関するものである。
最近の電子機器等では、伝送情報量の増加に伴い、電気配線に加えて光配線が採用されており、電気信号と光信号を同時に伝送することのできる光電気混載基板が多く用いられている。このような光電気混載基板としては、例えば、図17に示すように、ポリイミド等からなる絶縁層1を基板とし、その表面に、導電パターンからなる電気配線2を設けて電気回路基板Eとし、その裏面側に、上記電気配線2の所定位置に実装される光素子と光結合される光導波路Wを設けた構造のものが知られている。なお、上記電気回路基板Eの表面はカバーレイ3によって絶縁保護されている。また、光導波路Wは、アンダークラッド層6と、光の行路となるコア7と、オーバークラッド層8の三層によって構成されている。
上記光電気混載基板10は、それ自体が電子機器に搭載される他、これを帯状に形成してその先端に光電気接続用のフェルールを取り付けたものが、複数のボード間やボード上のチップ間を接続する接続用コネクタとして賞用されている。
ところで、上記光電気混載基板10は、図17にも示されているように、一般に、光導波路Wが延びる方向に沿う両側において、電気回路基板Eの両縁部(図において一点鎖線Xで囲われた部分)が光導波路Wの両縁部よりも外側に突出した形になっている。これは、光電気混載基板10を作製する際、通常、まず電気回路基板Eを作製し、つぎに、この電気回路基板Eの裏面(すなわち、ポリイミド等からなる絶縁層1の裏面)に、アンダークラッド層6、コア7、オーバークラッド層8を、フォトリソグラフィ法等によって所定のパターン形状を作りながらこの順で積層形成していく、という製法によるもので、平坦な層を形成した後、不要な部分を除去してパターン形状を作るため、光導波路Wの輪郭形状を電気回路基板Eの裏面形状より内側に形成することが技術常識となっている。また、一般的な光導波路においても、基板の片面側に、その基板よりも一回り小さく光導波路を形成したものが提案されている(特許文献1を参照)。
特開2014−115480号公報
しかしながら、図17に示すように、光電気混載基板10において、電気回路基板Eの両縁部が光導波路Wの両縁部よりも外側に突出した形状では、製品の検査時や搬送、移送時に、その突出部分が搬送ガイド等に当たって衝撃を受けやすく、破れや欠落を生じて、電気配線2が吸湿して錆びる等の品質低下を招きやすいという問題がある。特に、全体にフレキシブル性を付与した光電気混載基板10では、電気回路基板Eの厚みがごく薄いため、とりわけその突出部分が損傷しやすいものとなる。
また、この光電気混載基板10を接続用コネクタとして用いる場合、図18(a)に示すように、光電気混載基板10の先端部分をフェルール11の凹部11a内に嵌入して固定する作業が必要となるが、上記電気回路基板Eの突出部が損傷しないように、上記凹部11aの開口を、電気回路基板Eの外形に対し比較的大きめのクリアランスをもたせて設計すると、凹部11a内でのコア7の位置決めを正確に行うことができず、このコネクタによる光結合が適正に行われないという問題が生じる。
また逆に、コア7の位置決めを正確に行うために、上記フェルール11の凹部11aの開口を、電気回路基板Eの外形に対しぎりぎりのクリアランスにすることも考えられるが、その場合、図18(b)に示すように、凹部11a内に光電気混載基板10の先端を嵌入する際、電気回路基板Eの突出部が凹部11aの開口縁部に引っかかってスムーズに嵌入できず、作業性が悪くなることが予想される。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、電気回路基板部分が損傷しにくく、取り扱い性に優れた光電気混載基板およびその製法の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の裏面側に形成された光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側面と、光導波路の両側面とが、上から見て互いに重なるか、電気回路基板の両側面の方が光導波路の両側面の位置より内側に入り込んだ配置になっている光電気混載基板を第1の要旨とする。
また、本発明は、そのなかでも、特に、上記電気回路基板の厚みより光導波路の厚みの方が大きく設定されている光電気混載基板を第2の要旨とし、特に、上記電気回路基板の厚みが3〜200μm、光導波路の厚みが20〜500μmである光電気混載基板を第3の要旨とする。
さらに、本発明は、それらのなかでも、特に、上記光導波路がクラッド層とコアを備え、上記コアが、上記クラッド層に囲われた部分と、光導波路の、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出して位置決めガイド作用を果たす部分とを有している光電気混載基板を第4の要旨とし、そのなかでも、特に、上記コアが、上記クラッド層に囲われた部分と、光導波路の、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出しさらにその上の電気回路基板の両側面を覆って位置決めガイド作用を果たす部分とを有している光電気混載基板を第5の要旨とする。
そして、本発明は、上記第1の要旨である光電気混載基板を製造する方法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板の裏面側に光導波路を形成する工程とを備え、上記電気回路基板の裏面側に光導波路を形成する際、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側面が、上から見て光導波路の両側面の位置より外側に突出した形状となるよう光導波路を形成した後、上記電気回路基板の上方からレーザ照射を行い、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側縁部を除去加工することにより、上記電気回路基板の両側面が、上から見て上記光導波路の側面の位置と重なるかその内側に入り込む配置になるようにした光電気混載基板の製法を第6の要旨とする。
また、本発明は、そのなかでも、特に、上記電気回路基板の厚みより光導波路の厚みの方が大きくなるようにした光電気混載基板の製法を第7の要旨とし、特に、上記電気回路基板の厚みが3〜200μm、光導波路の厚みが20〜500μmとなるようにした光電気混載基板の製法を第8の要旨とする。
さらに、本発明は、それらのなかでも、特に、上記光導波路がクラッド層とコアを備え、上記コアが、上記クラッド層に囲われた部分と、光導波路の、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出して位置決め作用を果たす部分とを有するようにした光電気混載基板の製法を第9の要旨とする。
そして、本発明は、前記第5の要旨である光電気混載基板を製造する方法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板の裏面側にクラッド層とコアを備えた光導波路を形成する工程とを備え、上記電気回路基板の裏面側に光導波路を形成する際、少なくとも上記コアを形成する前に、上記電気回路基板の表面側に、上からみて、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側面の位置より外側に突出した形状となる支持層を形成し、上記支持層裏面側の、電気回路基板の両側面の位置より外側に突出した部分を利用して、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出しさらにその上の電気回路基板の両側面を覆って位置決め作用を果たすコア部分を含むコアパターンを形成し、その後、上記支持層を電気回路基板から除去するようにした光電気混載基板の製法を第10の要旨とする。
なお、本発明において、「上から見て」とは、裏面側に光導波路が設けられた電気回路基板の表面側を、その真上から見下ろした状態をいう。
すなわち、本発明の光電気混載基板は、上下に積層形成された電気回路基板と光導波路において、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側面と、光導波路の両側面とが、上から見て互いに重なるか、電気回路基板の両側面の方が光導波路の両側面の位置より内側に入り込んだ配置とすることにより、光導波路の両側から電気回路基板の両側が側方に突出しないようにしたものである。
この形状によれば、従来のように、比較的薄い電気回路基板が、裏面側の光導波路より突出して衝撃を受けて損傷したり、フェルールに嵌入してコネクタとして用いる際、コアの位置ずれが生じたりすることがなく、取り扱いやすく、安定した品質のものが得られるという利点を有する。
また、本発明のなかでも、特に、上記電気回路基板の厚みより光導波路の厚みの方が大きく設定されているもの、特に、上記電気回路基板の厚みが3〜200μm、光導波路の厚みが20〜500μmであるものは、全体が比較的薄くてフレキシブル性を備えているにもかかわらず、従来のように電気回路基板が衝撃を受けることがなく、またコネクタとして用いる場合にもコアの位置ずれが生じないため、より実用的効果が大きいものとなる。
さらに、本発明のなかでも、特に、上記光導波路がクラッド層とコアを備え、上記コアが、上記クラッド層に囲われた部分と、光導波路の、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出して位置決めガイド作用を果たす部分とを有しているもの、あるいは、そのなかでも、特に、上記コアが、上記クラッド層に囲われた部分と、光導波路の、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出しさらにその上の電気回路基板の両側面を覆う部分とを有しているものは、光の行路となるコア部分と同一工程、同一基準で形成されたコア端面によって、取り付け相手との位置決めがなされるため、コネクタ等において、高い精度で、光の行路となるコア部分の位置決めを行うことができる。
そして、本発明の第6〜第9の要旨である光電気混載基板の製法によれば、殆ど従来と同一の工程を経由して、最後に、レーザ照射により電気回路基板の両側を部分的に除去するだけで、上記第1〜第4の要旨である特殊な形状の光電気混載基板を簡単に得ることができるため、経済的で製造効率がよいという利点を有する。
また、本発明の第10の要旨である光電気混載基板の製法によれば、電気回路基板の表面側に支持層を設けて光導波路のコアを電気回路基板の両側面を覆うように形成し、その後、上記支持層を除去するだけで、上記第5の要旨である特殊な形状の光電気混載基板を簡単に得ることができるため、経済的で製造効率がよいという利点を有する。
(a)は本発明の光電気混載基板の一実施の形態を模式的に示す部分的な縦断面図、(b)はそのA−A′断面図である。 (a)は上記光電気混載基板の製法における電気回路基板の作製工程を示す説明図、(b)はそのA−A′断面の説明図、(c)は同じくその作製工程を示す説明図、(d)はそのA−A′断面の説明図である。 (a)は同じく上記電気回路基板の作製工程を示す説明図、(b)はそのA−A′断面の説明図、(c)は同じくその作製工程を示す説明図、(d)はそのA−A′断面の説明図である。 (a)は上記光電気混載基板の製法における光導波路の作製工程を示す説明図、(b)はそのA−A′断面の説明図、(c)は同じくその作製工程を示す説明図、(d)はそのA−A′断面の説明図である。 (a)は同じく上記光導波路の作製工程を示す説明図、(b)はそのA−A′断面の説明図、(c)は同じくその作製工程を示す説明図、(d)はそのA−A′断面の説明図である。 上記光電気混載基板の製法におけるレーザ照射工程を示す説明図である。 (a)、(b)は、ともに上記光電気混載基板の効果についての説明図である。 (a)、(b)は、ともに本発明の光電気混載基板の他の実施の形態を示す説明図である。 (a)、(b)は、ともに本発明の光電気混載基板のさらに他の実施の形態を示す説明図である。 (a)、(b)は、ともに本発明の光電気混載基板の他の実施の形態を示す説明図である。 (a)、(b)は、ともに本発明の光電気混載基板のさらに他の実施の形態を示す説明図である。 (a)、(b)は、ともに本発明の光電気混載基板の他の実施の形態を示す説明図である。 (a)は、図8(a)に示す光電気混載基板の製法における光導波路の作製工程を示す説明図、(b)はそのA−A′断面の説明図、(c)は同じくその作製工程を示す説明図、(d)はそのA−A′断面の説明図である。 上記光電気混載基板の製法におけるレーザ照射工程を示す説明図である。 (a)は、図12(a)に示す光電気混載基板の製法における光導波路の作製工程を示す説明図、(b)はそのA−A′断面の説明図である。 (a)、(b)は、ともに、同じく上記光導波路その作製工程を示す説明図である。 従来の光電気混載基板の一例を示す模式的な縦断面図である。 (a)、(b)は、ともに従来の光電気混載基板の問題点についての説明図である。
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
図1(a)は、本発明の光電気混載基板の一実施の形態を模式的に示す部分的な縦断面図であり、図1(b)は、そのA−A′断面図である。すなわち、この光電気混載基板10は、絶縁層1の表面に電気配線2が設けられた電気回路基板Eと、上記絶縁層1の裏面側に設けられた光導波路Wとを備えている。
上記電気回路基板Eは、ポリイミド等からなる絶縁層1の表面に、光素子実装用のパッド2aや、アース用電極2b、その他各種の素子実装用のパッド、コネクタ実装用のパッド等(図示せず)を含む電気配線2が形成され、これらのうち、上記パッド2a等を除く電気配線2が、ポリイミド等からなるカバーレイ3によって絶縁保護された構成になっている。なお、これらのパッド2a等の表面は、金やニッケル等からなる電解めっき層4で被覆されている。
一方、上記絶縁層1の裏面側に設けられた光導波路Wは、アンダークラッド層6と、その表面(図1においては下面)に所定パターンで形成されたコア7と、このコア7を被覆した状態で上記アンダークラッド層6の表面と一体化するオーバークラッド層8とで構成されている。なお、9は、この光電気混載基板10を補強するために、絶縁層1の裏面に設けられる金属層で、フレキシブル性が要求される部分を除くところに、パターン形成されている。そして、この金属層9には、コア7と光素子との間の光路を確保するための貫通孔5が形成されており、この貫通孔5内にも、上記アンダークラッド層6が入り込んでいる。
また、上記電気回路基板Eの光素子実装用のパッド2aに対応するコア7の部分が、コア7の延びる方向に対して45°の傾斜面に形成されている。この傾斜面は、光の反射面7aになっており、コア7内を伝播されてきた光の向きを90°変えて光素子の受光部に入射させたり、逆に光素子の発光部から出射された光の向きを90°変えてコア7内に入射させたりする役割を果たす。
そして、この光電気混載基板10は、図1(b)に示すように、この光導波路Wが延びる方向に沿う電気回路基板Eの両側面が、上から見て、光導波路Wの両側面の位置より内側に入り込んだ配置になっており、光導波路Wの方が、電気回路基板Eより左右両側に飛び出した形状になっている。これが本発明の大きな特徴である。
つぎに、上記光電気混載基板の製法について説明する(図2〜図6を参照)。
まず、平板状の金属層9を準備し、その表面に、ポリイミド等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、所定パターンの絶縁層1を形成する〔図2(a)およびそのA−A′断面を示す図2(b)を参照〕。なお、この例では、金属層9に接触するアース用電極2bを形成するために、上記金属層9の表面を露呈させる孔部1aを形成する。上記絶縁層1の厚みは、例えば3〜50μmの範囲内に設定される。また、上記金属層9の形成材料としては、ステンレス,銅,銀,アルミニウム,ニッケル,クロム,チタン,白金,金等があげられ、なかでも、剛性等の観点から、ステンレスが好ましい。また、上記金属層9の厚みは、その材質にもよるが、ステンレスを用いた場合、例えば10〜70μmの範囲内に設定される。
つぎに、図2(c)およびそのA−A′断面を示す図2(d)に示すように、上記絶縁層1の表面に、電気配線2(光素子実装用のパッド2aやアース用電極2b、他のパッド等を含む、以下同じ)を、例えばセミアディティブ法により形成する。この方法は、まず、上記絶縁層1の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により、銅やクロム等からなる金属膜(図示せず)を形成する。この金属膜は、後の電解めっきを行う際のシード層(電解めっき層形成の素地となる層)となる。そして、上記金属層9、絶縁層1およびシード層からなる積層体の両面に、感光性レジスト(図示せず)をラミネートした後、上記シード層が形成されている側の感光性レジストに、フォトリソグラフィ法により、上記電気配線2のパターンの孔部を形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、銅等からなる電解めっき層を積層形成する。そして、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層の部分をソフトエッチングにより除去する。残存したシード層と電解めっき層とからなる積層部分が上記電気配線2となる。
つぎに、図3(a)およびそのA−A′断面を示す図3(b)に示すように、光素子実装用のパッド2aや他のパッドを除く電気配線2の部分に、ポリイミド等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、カバーレイ3を形成する。
そして、図3(c)およびそのA−A′断面を示す図3(d)に示すように、光素子実装用のパッド2aや他のパッドの表面に電解めっき層4を形成する。このようにして、電気回路基板Eが形成される。
つぎに、上記金属層9と電気回路基板Eとからなる積層体の両面に、感光性レジストをラミネートした後、上記金属層9の裏面側(電気回路基板Eと反対側の面側)の感光性レジストのうち、金属層9が不要な部分と光路用の貫通孔形成予定部に対応する部分に、フォトリソグラフィ法により、孔部を形成し、上記金属層9の裏面を部分的に露呈させる。
そして、上記金属層9の露呈部分を、その金属層9の金属材料に応じたエッチング用水溶液(例えば、ステンレス層の場合は、塩化第2鉄水溶液)を用いてエッチングすることにより除去し、その除去跡から絶縁層1を露呈させた後、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。これにより、図4(a)およびそのA−A′断面を示す図4(b)に示すように、補強が必要な領域のみに金属層9が形成され、光路用の貫通孔5も同時に形成される。
つぎに、上記絶縁層1の裏面(金属層9が形成されている部分にあっては金属層9の裏面)に光導波路W〔図1(a)を参照〕を形成するために、まず、図4(c)およびそのA−A′断面を示す図4(d)に示すように、上記絶縁層1および金属層9の裏面(図において下面)に、アンダークラッド層6の形成材料である感光性樹脂を塗布した後、その塗布層を照射線により露光して硬化させて、アンダークラッド層6に形成する。このとき、上記アンダークラッド層6は、フォトリソグラフィ法によって、所定パターン状に形成することができる。そして、このアンダークラッド層6は、上記金属層9の光路用の貫通孔5に入り込んでこれを埋めた状態で形成される。上記アンダークラッド層6の厚み(絶縁層1の裏面からの厚み)は、通常、金属層9の厚みよりも厚く設定される。なお、光導波路Wを形成するための一連の作業は、上記金属層9が形成された絶縁層1の裏面を上に向けた状態で行われるが、図面では、そのままの状態で示している。
つぎに、図5(a)およびそのA−A′断面を示す図5(b)に示すように、上記アンダークラッド層6の表面(図では下面)に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア7を形成する。コア7の厚みは、例えば3〜100μmの範囲内に設定され、幅は、例えば3〜100μmの範囲内に設定される。上記コア7の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層6と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層6および後述するオーバークラッド層8の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、アンダークラッド層6,コア7,オーバークラッド層8の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。
つぎに、図5(c)およびそのA−A′断面を示す図5(d)に示すように、上記コア7を被覆するように、アンダークラッド層6の表面(図では下面)に重ねて、フォトリソグラフィ法により、オーバークラッド層8を形成する。このようにして、光導波路Wが形成される。なお、上記オーバークラッド層8の厚み(アンダークラッド層6の表面からの厚み)は、例えば、上記コア7の厚み以上で、300μm以下に設定される。上記オーバークラッド層8の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層6と同様の感光性樹脂があげられる。
ちなみに、上記光導波路Wの形成材料の具体的な組成例を以下に示す。
<アンダークラッド層6、オーバークラッド層8の形成材料>
脂環骨格を含むエポキシ樹脂(ダイセル化学工業社製、EHPE3150) 20重量部
液状長鎖二官能半脂肪族エポキシ樹脂(DIC社製、EXA−4816) 80重量部
光酸発生剤(アデカ社製、SP170) 2重量部
乳酸エチル(武蔵野化学研究所社製) 40重量部
<コア7の形成材料>
o−クレゾールノボラックグリシジルエーテル(新日鐵住金化学社製、YDCN−700−10) 50重量部
ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル(大阪ガスケミカル社製、オグゾールEG) 50重量部
光酸発生剤(アデカ社製、SP170) 1重量部
乳酸エチル(武蔵野化学研究所社製) 50重量部
このようにして、図17に示す従来の光電気混載基板10と同様の、光導波路Wが延びる方向に沿う両側において、電気回路基板Eの両縁部が、光導波路Wの両縁部よりも外側に突出した形状の光電気混載基板10′(この例では中間品)を得る。そして、図6において矢印で示すように、上記電気回路基板Eの除去すべき両縁部(図において網目状のハッチングで示す部分)と残す部分との境界部にレーザ照射を行い、その境界部を切断した後、上記電気回路基板Eの除去すべき両縁部を光導波路Wから剥がすように除去することにより、図1に示す、光導波路Wの方が、電気回路基板Eより左右両側に飛び出した形状の光電気混載基板10を得ることができる。
なお、上記のように、電気回路基板Eの除去すべき両縁部と残す部分との境界部のみをレーザ照射によって切断し、両縁部を剥がして除去するのではなく、その除去すべき両縁部全体を、レーザ照射によって除去するようにしても差し支えない。
上記レーザ照射に用いるレーザは、電気回路基板Eの構成材料(ポリイミド等)を揮散除去し、光導波路Wの構成材料(エポキシ樹脂等)に対しては反応しないものであることが必要であり、例えば、YAGレーザ(Electro Scientific Industries,Inc.社製、ESI Model 5330)等が好適である。そして、上記YAGレーザを、例えば下記の条件で用いることによって、光導波路Wに全く影響を与えることなく、電気回路基板Eの部分的な除去を行うことができる。
<YAGレーザの使用条件の一例>
レーザスポット径:30μm
レーザ出力:0.5W
周波数:50kHz
走査速度:145mm/s
この光電気混載基板10によれば、光導波路Wが延びる方向に沿う両縁部が、電気回路基板Eの両縁部より側方に突出した構成になっているため、図17に示す従来品のように、比較的薄くてダメージを受けやすい電気回路基板Eが、外部からの衝撃を受けて損傷することがなく、優れた品質を長期にわたって安定して維持することができる。
そして、例えばこの光電気混載基板10をフェルールに嵌入してコネクタとして用いる場合には、図7(a)に示すように、コア基準で形成された光導波路Wの外形を、フェルール11の凹部11a内にぴったりと沿わせて嵌入することができるため、光導波路Wのコア7に位置ずれが生じることがなく、正確な光結合を容易に実現することができる。
また、コネクタとして用いる場合に限らず、製品の品質検査時や搬送、移送時等に、例えば図7(b)に示すように、比較的厚みのある光導波路Wの底面と側面を、ガイド12に沿わせた状態で移動や移載を行うことができるため、電気回路基板Eはもとより光導波路Wの突出部分が衝撃を受けにくく、コア7や電気回路基板Eの品質が損なわれることがない。また、ガイド12から光電気混載基板10がずれにくいため、検査工程において、コア7を正確な位置で検査することができ、検査エラーの発生を抑制することができる。
なお、上記の例において、電気回路基板Eと光導波路Wの厚みは、光電気混載基板10の用途や要求される性能に応じて適宜に設定されるが、通常、電気回路基板Eの厚みより光導波路Wの厚みの方が大きくなるよう設定することが好適であり、とりわけ、電気回路基板Eの厚みを3〜200μm程度、光導波路Wの厚みを20〜500μm程度とすることが好ましい。すなわち、このような構成にした場合、全体が比較的薄くてフレキシブル性を備えているにもかかわらず、従来のように電気回路基板Eの絶縁部分が衝撃を受けることがなく、またコネクタとして用いる場合にもコアの位置ずれが生じないため、より実用的効果が大きいからである。なお、上記電気回路基板Eの厚みは、好ましい範囲である3〜200μmのなかでも、特に、5〜100μm、さらには、5〜50μmにすることが好適である。
また、上記の例において、上記電気回路基板Eの側面と光導波路Wの側面の、上から見たときのずれ幅〔図1(b)においてDで示す〕は、2mm以下に設定することが好適である。すなわち、ずれ幅Dが2mmより大きくなると、電気回路基板Eの両側縁から側方にはみ出した光導波路Wの部分が大きくなりすぎて、この部分に大きな衝撃を受けると光導波路W内で歪み応力が発生する等して、光の伝播に悪影響を及ぼすおそれがあり、好ましくない。また、ずれ幅Dが大きすぎると、前述のように、レーザ照射による除去加工において、境界部のみを切断して剥がすことが困難になるため、電気回路基板Eの、比較的面積の大きい両縁部を、全てレーザ照射によって除去しなければならず、その除去加工に時間を要することになったり、無駄になる材料の量が多くなったりする点においても好ましくない。
ただし、本発明では、上記ずれ幅が0(ゼロ)、すなわち電気回路基板Eの幅と光導波路Wの幅がまったく同一であってもよい。すなわち、両者のうち一方が突出していなければ、片方に偏って衝撃を受けることがないからである。ただし、この場合も、上記の例と同様、まず、電気回路基板Eの両側縁を光導波路Wの両側縁から突出させた形状で作製し、最後にレーザ照射によって、その突出部分を除去するようにすることが、作業効率上、好ましい。
また、上記の例では、光導波路Wの、上からみた外形がアンダークラッド層6とオーバークラッド層8の両方で形成されたものであるが、光導波路Wの外形は、オーバークラッド層8のみで形成されたものであっても、コア7のみで形成されたものであっても差し支えない。
光導波路Wの、上からみた外形がコア7によって形成された例として、例えば図8(a)に示す光電気混載基板10をあげることができる。この例では、コア7が、光導波路Wの内側にあってアンダークラッド層6とオーバークラッド層8とに囲われた部分とともに、光導波路Wの延びる方向に沿う両側面に露出してアンダークラッド層6の両側面を被覆する部分7aとを有し、光導波路Wの延びる方向に沿う両側面における各層の端面の配置が、外側から順に、コア部分7a/アンダークラッド層6/オーバークラッド層8/電気回路基板E、の順番になっている。上記コア部分7aは、光の行路とはならず、光電気混載基板10の左右両側縁を、外部からの衝撃から守る作用を果たすため、光電気混載基板10の品質を、長期にわたって安定して維持することができる。
しかも、この構成によれば、この光電気混載基板10を、例えばフェルールに嵌入してコネクタとして用いる場合、コア基準で形成されたコア部分7aそのものを位置決めガイドとして用いることができるため、コア7の、光の行路となる部分に位置ずれが生じることがなく、とりわけ正確な光結合を実現することができる。
また、製品の品質検査時や搬送、移送時等においても、コア基準で形成されたコア部分7aそのものを位置決めガイドとして、製品を取り扱うことにより、コア7を正確な位置で検査したり搬送したりすることができるため、検査エラーや搬送トラブル等の発生を抑制することができる〔図7(b)を参照〕。
また、他の例として、図8(b)に示すように、電気回路基板Eの基板1の裏面に形成されるアンダークラッド層6の両側の端面が基板1の両側の端面より内側に入り込んでいるものであってもよい。この例では、光導波路Wの延びる方向に沿う両側面における各層の端面の配置が、外側から順に、コア部分7a/電気回路基板E/アンダークラッド層6/オーバークラッド層8、の順番になっている。この構成においても、上記の例と同様の効果を得ることができる。
さらに、上記図8(a)と同様の構成において、図9(a)に示すように、アンダークラッド層6の両側の端面が、オーバークラッド層8の両側の端面よりも内側に入り込んでいるものであってもよい。この例では、光導波路Wの延びる方向に沿う両側面における各層の端面の配置が、外側から順に、コア部分7a/オーバークラッド層8/アンダークラッド層6/電気回路基板E、の順番になる。また、図9(b)に示すように、アンダークラッド層6の両側の端面の方が、オーバークラッド層8の両側の端面よりも内側に入り込んでいるものであってもよい。この例では、光導波路Wの延びる方向に沿う両側面における各層の端面の配置が、外側から順に、コア部分7a/電気回路基板E/オーバークラッド層8/アンダークラッド層6、の順番になる。これらの構成においても、上記の例と同様の効果を得ることができる。
さらに、例えば図10(a)や図10(b)に示すように、アンダークラッド層6とオーバークラッド層8にまたがるコア部分7aの内側面70がフラットになっていてもよい。上記図10(a)の例における各層の端面の配置は、外側から順に、コア部分7a/オーバークラッド層8/アンダークラッド層6/電気回路基板E、の順番になる。また、図10(b)の例における各層の端面の配置は、外側から順に、コア部分7a/電気回路基板E/オーバークラッド層8/アンダークラッド層6、の順番になる。これらの構成においても、上記の例と同様の効果を得ることができる。
また、図11(a)に示すように、アンダークラッド層6とオーバークラッド層8にまたがるコア部分7aの内側面がフラットになっているだけでなく、コア部分7aの外側面71とアンダークラッド層8の外側面とが上下に重なってフラットになっていてもよい。この例における各層の端面の配置は、外側から順に、コア部分7a+オーバークラッド層8/アンダークラッド層6/電気回路基板E、の順番になっている。この構成においても、上記の例と同様の効果を得ることができる。
さらに、図11(b)に示すように、左右両側面のコア部分7aの内側部分が、アンダークラッド層6の下面側に入り込んだ形になっているものにおいても、上記の例と同様、コア部分7aの外側面71とアンダークラッド層8の外側の端面とが上下に重なってフラットな端面形状になっていてもよい。この例における各層の端面の配置も、外側から順に、コア部分7a+オーバークラッド層8/アンダークラッド層6/電気回路基板E、の順番になっている。この構成においても、上記の例と同様の効果を得ることができる。
また、他の例として、例えば図12(a)に示すように、光導波路Wの左右両側面に露出するコア部分7aが、さらにその上の電気回路基板Eの両側面を覆うようになっていても差し支えない。この例における各層の端面の配置は、コア部分7a/電気回路基板E/オーバークラッド層8/アンダークラッド層6、の順番になる。もちろん、図12(a)と同様の構成において、オーバークラッド層8の両側の端面の方が、アンダークラッド層6の両側の端面よりも内側に入り込んでいても差し支えない。その一例を図12(b)に示す。この例における各層の端面の配置は、コア部分7a/電気回路基板E/アンダークラッド層6/オーバークラッド層8の順番になる。これらの構成においても、上記の例と同様の効果を得ることができる。
このように、コア部分7aを光導波路Wの両側面に露出させたものは、すでに延べたように、光の行路となるコア部分と、位置決めガイド的な機能を果たすコア部分7aとが、単一の基準にもとづいて一工程で形成されているため、上記コア部分7aの端面を位置決めガイドとして用いることにより、アンダークラッド層6の端面やオーバークラッド層8の端面を利用して位置決めするのに比べて高い精度でコア7を位置決めすることができ、好適である。
一般に、コア7の材料としては、アンダークラッド層6やオーバークラッド層8に比べて、矩形性を保つのに適した材料が選定されることが多いため、上記のように、光導波路Wの両側面に、コア材料からなるコア部分7aを露出させた方が、保形性の点で好ましいものとなる。とりわけ、コア部分7aでアンダークラッド層6を覆う構造にすると、光導波路Wの両側面を担うコア7aの位置ずれを引き起こす伸縮要因が少なくなるため、材料伸縮によるズレを低減することができる。よって、図8(a)、図8(b)、図9(a)、図9(b)に示す断面構成にしたものは、他の構成のものに比べて、より高い精度でコア7の位置決めが可能となり、より好ましいものとなる。
このような、コア部分7aを光導波路Wの両側面に露出させた構造の光電気混載基板10も、概ね、図1に示す構成のものと同様の方法によって得ることができる。例えば図8(a)の構造のものを例にとって説明すると、まず、図2〜図4に示すようにして、電気回路基板Eの裏面側に光導波路Wとなるアンダークラッド層6を形成する。そして、図13(a)およびそのA−A′断面を示す図13(b)に示すように、アンダークラッド層6の左右両側を覆う外形を有するコアパターンを形成することにより、光導波路Wの両側面に露出するコア部分7aを有するコア7を得る。
つぎに、図13(c)およびそのA−A′断面を示す図13(d)に示すように、上記コア7の表面(図では下面)に、オーバークラッド層8を形成する。そして、図14に示すように、レーザ照射等によって電気回路基板Eの左右両側を除去することにより、光導波路W側が上からみて左右両側に飛び出した形状とする。このようにして、図8(a)に示す光電気混載基板10を得ることができる。また、各層の形成パターンを変えることによって、前述の各例のように、それぞれの端面の配置の順番が異なるものを得ることができる。
一方、図12(a)や図12(b)に示す、コア部分7aが電気回路基板Eの両端面まで覆っている構成の光電気混載基板10は、上記の方法ではなく、以下に述べる方法で得ることができる。すなわち、まず、図8(a)に示す例と同様にして、電気回路基板E(金属層9付き)を形成する。そして、図15(a)およびそのA−A′断面を示す図15(b)に示すように、電気回路基板Eの表面側に、剥離自在なシート等からなる支持層20を形成した後、電気回路基板Eの裏面側に、アンダークラッド層6を形成する。
そして、図16(a)に示すように、上記支持層20の、電気回路基板Eの両側面の位置より外側に突出した部分を利用して、アンダークラッド層6の両側面を覆い、さらにその上の電気回路基板Eの両側面を覆うコア部分7aを含むパターンのコア7を形成する。
そして、図16(b)に示すように、上記コア7の表面(図では下面)に、所定形状のオーバークラッド層8を形成し、光導波路Wとした後、上記支持層20を電気回路基板Eから除去することにより、コア部分7aが電気回路基板Eの両端面まで覆っている構成の光電気混載基板10を得ることができる。なお、上記支持層20は、電気回路基板Eから剥離等によって容易に除去できるものであって電気回路基板Eに悪影響を及ぼさないものであれば、その材質はどのようなものであってもよい。また、支持層20を形成するタイミング、支持層20を除去するタイミングは、上記の例に限るものではなく、少なくとも、コア部分7aを含むパターンのコア7を形成するときに、上記支持層20があればよい。
この製法によれば、電気回路基板Eの表面側に、適宜のタイミングで支持層20を設け、この支持層20を利用して光導波路のコアを電気回路基板Eの両側面を覆うように形成し、その後、上記支持層20を除去するだけで、上記特殊な形状の光電気混載基板を簡単に得ることができるため、経済的で製造効率がよい。
つぎに、本発明の実施例について、比較例と併せて説明する。
〔実施例1〜9、比較例1〕
前述の記載にしたがって、互いに共通する材料、層厚みとなる条件下で、下記の表1に示す断面形状の光電気混載基板を作製した。そして、各光電気混載基板の端面部を、測定顕微鏡(ミツトヨ社製:MF−B2017D)で観察し、端面の幅方向の中心を算出した。その中心からコア7の中心座標を測定し、設計値に対してどの程度ずれているかを算出して、擬似的な「アライメントずれ幅(μm)」とした。なお、各例とも、サンプルを5個ずつ作製し、その算出値の平均値を求めた。それらの結果を、下記の表1に併せて示す。
Figure 2016066054
上記の結果から、実施例1〜9品、とりわけ実施例2〜5品を用いたコネクタは、比較例品に比べて、非常にアライメント精度が高いことがわかる。
本発明は、電気回路基板部分が損傷しにくく、取り扱い性に優れ、安定した品質を備えた光電気混載基板の提供に利用することができる。
E 電気回路基板
W 光導波路
1 絶縁層
2 電気配線
10 光電気混載基板

Claims (10)

  1. 絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板と、この電気回路基板の裏面側に形成された光導波路とを備えた光電気混載基板であって、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側面と、光導波路の両側面とが、上から見て互いに重なるか、電気回路基板の両側面の方が光導波路の両側面の位置より内側に入り込んだ配置になっていることを特徴とする光電気混載基板。
  2. 上記電気回路基板の厚みより光導波路の厚みの方が大きく設定されている請求項1記載の光電気混載基板。
  3. 上記電気回路基板の厚みが3〜200μm、光導波路の厚みが20〜500μmである請求項2記載の光電気混載基板。
  4. 上記光導波路がクラッド層とコアを備え、上記コアが、上記クラッド層に囲われた部分と、光導波路の、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出して位置決めガイド作用を果たす部分とを有している請求項1〜3のいずれか一項に記載の光電気混載基板。
  5. 上記コアが、上記クラッド層に囲われた部分と、光導波路の、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出しさらにその上の電気回路基板の両側面を覆って位置決めガイド作用を果たす部分とを有している請求項4記載の光電気混載基板。
  6. 請求項1記載の光電気混載基板を製造する方法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板の裏面側に光導波路を形成する工程とを備え、上記電気回路基板の裏面側に光導波路を形成する際、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側面が、上から見て光導波路の両側面の位置より外側に突出した形状となるよう光導波路を形成した後、上記電気回路基板の上方からレーザ照射を行い、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側縁部を除去加工することにより、上記電気回路基板の両側面が、上から見て上記光導波路の両側面の位置と重なるかその内側に入り込む配置になるようにしたことを特徴とする光電気混載基板の製法。
  7. 上記電気回路基板の厚みより光導波路の厚みの方が大きくなるようにした請求項6記載の光電気混載基板の製法。
  8. 上記電気回路基板の厚みが3〜200μm、光導波路の厚みが20〜500μmとなるようにした請求項7記載の光電気混載基板の製法。
  9. 上記光導波路がクラッド層とコアを備え、上記コアが、上記クラッド層に囲われた部分と、光導波路の、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出して位置決めガイド作用を果たす部分とを有するようにした請求項6〜8のいずれか一項に記載の光電気混載基板の製法。
  10. 請求項5記載の光電気混載基板を製造する方法であって、絶縁層の表面に電気配線が形成された電気回路基板を準備する工程と、上記電気回路基板の裏面側にクラッド層とコアを備えた光導波路を形成する工程とを備え、上記電気回路基板の裏面側に光導波路を形成する際、少なくとも上記コアを形成する前に、上記電気回路基板の表面側に、上からみて、上記光導波路が延びる方向に沿う電気回路基板の両側面の位置より外側に突出した形状となる支持層を形成し、上記支持層裏面側の、電気回路基板の両側面の位置より外側に突出した部分を利用して、光導波路が延びる方向に沿う両側面に露出しさらにその上の電気回路基板の両側面を覆って位置決めガイド作用を果たすコア部分を含むコアパターンを形成し、その後、上記支持層を電気回路基板から除去するようにしたことを特徴とする光電気混載基板の製法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018151570A (ja) * 2017-03-14 2018-09-27 日東電工株式会社 光電気混載基板、コネクタキットおよびその製造方法
WO2020158606A1 (ja) * 2019-01-31 2020-08-06 日東電工株式会社 複数の積層部材の製造方法、および、積層部材集合体
WO2021161915A1 (ja) * 2020-02-12 2021-08-19 日東電工株式会社 光電気混載基板および光電気複合伝送モジュール
US11320613B2 (en) 2018-03-30 2022-05-03 Nitto Denko Corporation Opto-electric hybrid board, connector kit, and producing method of connector kit

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI781162B (zh) * 2018-03-30 2022-10-21 日商日東電工股份有限公司 光電混合基板、連接器組及其製造方法
WO2021085621A1 (ja) * 2019-10-31 2021-05-06 京セラ株式会社 光導波路パッケージおよび発光装置
US20230025872A1 (en) * 2019-12-20 2023-01-26 Kyocera Corporation Optical circuit board

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156439A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Nitto Denko Corp 光電気混載基板の製造方法
JP2007047727A (ja) * 2004-12-20 2007-02-22 Fujitsu Ltd 光ルーティングボード及び光配線板の製造方法
WO2012093462A1 (ja) * 2011-01-07 2012-07-12 パナソニック株式会社 光電気複合フレキシブル配線板
JP2013195533A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Nitto Denko Corp 光電気混載基板およびその製法
JP2013235104A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Nitto Denko Corp 光電気混載基板およびその製法
JP2014095782A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Nitto Denko Corp 光電気混載基板
JP2014106355A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Nitto Denko Corp 光電気混載基板およびその製法
JP2014115480A (ja) * 2012-12-10 2014-06-26 Hitachi Chemical Co Ltd 光導波路及びその製造方法
US20140233241A1 (en) * 2011-04-01 2014-08-21 AT & S Austria Technologies & Systemtechnik Aktiengesellschaft Circuit board element having at least one led

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007033688A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Fuji Xerox Co Ltd 光導波路フィルム、及び光送受信モジュール
JP4971248B2 (ja) * 2008-05-27 2012-07-11 日東電工株式会社 光電気混載モジュールの製造方法
JP5106348B2 (ja) 2008-10-28 2012-12-26 日東電工株式会社 光電気混載モジュールの製造方法およびそれによって得られた光電気混載モジュール
JP4796615B2 (ja) * 2008-11-26 2011-10-19 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製造方法
TWI554799B (zh) 2012-05-23 2016-10-21 鴻海精密工業股份有限公司 光傳輸連接組件及其使用之光電轉換模組
JPWO2014020730A1 (ja) * 2012-08-01 2016-07-11 日立化成株式会社 光ファイバコネクタ、その製造方法、光ファイバコネクタと光ファイバの接続方法、光ファイバコネクタと光ファイバとの組立体
JP2014041181A (ja) * 2012-08-21 2014-03-06 Hitachi Chemical Co Ltd レンズ付き基板及びその製造方法、並びにレンズ付き光導波路

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156439A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Nitto Denko Corp 光電気混載基板の製造方法
JP2007047727A (ja) * 2004-12-20 2007-02-22 Fujitsu Ltd 光ルーティングボード及び光配線板の製造方法
WO2012093462A1 (ja) * 2011-01-07 2012-07-12 パナソニック株式会社 光電気複合フレキシブル配線板
US20140233241A1 (en) * 2011-04-01 2014-08-21 AT & S Austria Technologies & Systemtechnik Aktiengesellschaft Circuit board element having at least one led
JP2013195533A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Nitto Denko Corp 光電気混載基板およびその製法
JP2013235104A (ja) * 2012-05-08 2013-11-21 Nitto Denko Corp 光電気混載基板およびその製法
JP2014095782A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Nitto Denko Corp 光電気混載基板
JP2014106355A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Nitto Denko Corp 光電気混載基板およびその製法
JP2014115480A (ja) * 2012-12-10 2014-06-26 Hitachi Chemical Co Ltd 光導波路及びその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018151570A (ja) * 2017-03-14 2018-09-27 日東電工株式会社 光電気混載基板、コネクタキットおよびその製造方法
JP7033394B2 (ja) 2017-03-14 2022-03-10 日東電工株式会社 光電気混載基板、コネクタキットおよびその製造方法
US11320613B2 (en) 2018-03-30 2022-05-03 Nitto Denko Corporation Opto-electric hybrid board, connector kit, and producing method of connector kit
WO2020158606A1 (ja) * 2019-01-31 2020-08-06 日東電工株式会社 複数の積層部材の製造方法、および、積層部材集合体
JP2020121774A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 日東電工株式会社 複数の積層部材の製造方法、および、積層部材集合体
WO2021161915A1 (ja) * 2020-02-12 2021-08-19 日東電工株式会社 光電気混載基板および光電気複合伝送モジュール

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