JP2016059252A - 非接触電力伝送装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非接触電力伝送装置の受電コイル14と受電コンデンサ15からなる直列回路両端の電圧を整流する4つのダイオード16〜19にスイッチ素子20〜23をそれぞれ並列に接続し、同期駆動回路24でオン・オフさせ、第1のコンデンサ2の電圧を安定にする。
【選択図】図1
Description
図において1は交流電源、3〜6は双方向スイッチ回路、11は発振制御回路、12は送電コイル、13は送電コンデンサ、14は受電コイル、15は受電コンデンサ、16〜19はダイオード、20〜23はスイッチ素子、24は同期駆動回路、101〜108は絶縁バッファである。
発振制御回路11はMとNの2つの出力端子からMがHiのときはNはLo、NがHiのときはMはLoの信号を出力する。MとNが同時にHiの信号を出力することはないが、同時にLoの信号を出力することはある。MとNのいずれもLoの期間をデットタイムと呼んでいる。
図1と共通する部品は図1の符号をそのまま用いている。図において、25は交流位相識別回路で、交流電源1の電圧が正であれば端子PがHi、端子SがLoになり、負であれば端子PがLo、端子SがHiになる。
図2の回路構成がフルブリッジと呼ばれるのに対して、図3の回路構成はハーフブリッジと呼ばれている。
2 第1のコンデンサ
3〜6 第1〜第4の双方向スイッチ回路
11 発振制御回路
12 送電コイル
13 送電コンデンサ
14 受電コイル
15 受電コンデンサ
16〜19 第1〜第4のダイオード
20〜23 第5〜第8のスイッチ素子
24 同期駆動回路
25 交流位相識別回路
26〜29 OR回路
30 PWM回路
31〜34 コンデンサ
101〜108 絶縁バッファ
111 交流電源
112〜115 MOSFET
116 発振制御回路
117〜120 絶縁バッファ
121 送電コイル
122 受電コイル
123 整流平滑回路
124 定電圧回路
125 負荷
126、127 コンデンサ
Claims (6)
- 交流電源と第1のコンデンサと前記交流電源に並列に接続された第1と第2の双方向スイッチ回路からなる直列回路と前記交流電源に並列に接続された第3と第4の双方向スイッチ回路からなる直列回路と前記第1と前記第4の双方向スイッチ回路の組と前記第2と前記第3の双方向スイッチ回路の組を交互にオン・オフさせる発振制御回路と前記第1と前記第2の双方向スイッチ回路の接続点と前記第3と前記第4の双方向スイッチ回路の接続点の間に接続された送電コイルと送電コンデンサからなる直列回路と前記送電コイルと送電コンデンサからなる直列回路と電磁気的に結合している受電コイルと受電コンデンサからなる直列回路と前記受電コイルと受電コンデンサからなる直列回路の一方の端子と前記第1のコンデンサの一方の端子の間に接続された第1のダイオードと前記受電コイルと受電コンデンサからなる直列回路の他方の端子と前記第1のコンデンサの他方の端子の間に接続された第2のダイオードと前記受電コイルと受電コンデンサからなる直列回路と前記第1のダイオードの接続点と前記第2のダイオードと前記第1のコンデンサの接続点の間に接続された第3のダイオードと前記受電コイルと受電コンデンサからなる直列回路と前記第2のダイオードの接続点と前記第1のダイオードと第1のコンデンサの接続点の間に接続された第4のダイオードからなる非接触電力伝送装置において、前記第1のダイオードに並列に第5のスイッチ素子を接続し、前記第2のダイオードに並列に第6のスイッチ素子を接続し、前記第3のダイオードに第7のスイッチ素子を接続し、前記第4のダイオードに第8のスイッチ素子を接続し、前記交流電源の出力電圧が正の半波の間は前記第1と前記第4の双方向スイッチ回路の組のオン・オフに同期させて前記第5と前記第6のスイッチ素子の組をオン・オフさせ前記第2と前記第3の双方向スイッチ回路の組のオン・オフに同期させて前記第7と前記第8のスイッチ素子の組をオン・オフさせ、かつ前記交流電源の出力電圧が負の半波の間は前記第1と前記第4の双方向スイッチ回路の組のオン・オフに同期させて前記第7と前記第8のスイッチ素子の組をオン・オフさせ前記第2と前記第3の双方向スイッチ回路の組のオン・オフに同期させて前記第5と前記第6のスイッチ素子の組をオン・オフさせる同期駆動回路を付加したことを特徴とする非接触電力伝送装置。
- 前記第1ないし第4の双方向スイッチ回路はいずれも互いに反対向きに直列接続された2つのMOSFETから構成され、前記交流電源の電圧の正の半波と負の半波の位相にそれぞれ同期した2つの信号を出力する交流位相識別回路を付加し、前記交流位相識別回路が出力する2つの信号と前記第1ないし第4の双方向スイッチ回路をオン・オフする前記発振制御回路の信号をOR回路で合成して4種類の信号を作り前記第1ないし第4の双方向スイッチ回路を構成するMOSFETの所定のゲートに加えることを特徴とする請求項1記載の非接触電力伝送装置。
- 前記第3の双方向スイッチ回路を第2のコンデンサに置き換え、前記第4の双方向スイッチ回路を第3のコンデンサに置換えた請求項1または請求項2記載の非接触電力伝送装置。
- 前記第4のダイオードと前記第8のスイッチ素子からなる並列回路を第4のコンデンサに置換え、前記第2のダイオードと前記第6のスイッチ素子からなる並列回路を第5のコンデンサに置換えた請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の非接触電力伝送装置。
- 前記第1のコンデンサの電圧を安定させるために前記同期駆動回路が発生するパルスの幅を制御するPWM回路を付加した請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の非接触電力伝送装置。
- 前記受電コイルと受電コンデンサからなる直列回路を前記受電コイルと受電コンデンサからなる並列回路に置換えた請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の非接触電力伝送装置。
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