JP2016058640A - パターン形成方法、フォトマスク、及びナノインプリント用テンプレート - Google Patents
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Abstract
【課題】ガイドパターンのピニング性能を向上させるパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を用いて製造されるフォトマスク及びナノインプリント用テンプレートを提供する。【解決手段】パターン形成方法は、被加工層1上に下地層2を形成する。下地層2は、自己組織化材料に含まれる第1セグメント及び第2セグメントの一方に対する親和性が他方に対する親和性より高い。下地層2上に中性化膜3を形成する。中性化膜3は、第1セグメント及び第2セグメントに対して中性である。中性化膜3の一部を除去する。露出した下地層2の表面及び中性化膜3の表面にエネルギー線を照射する。下地層2上及び中性化膜3上に自己組織化材料を塗布する。自己組織化材料を、第1セグメントを含む第1ドメインと、第2セグメントを含む第2ドメインと、に相分離する。第1ドメイン及び第2ドメインの一方を選択的に除去する。【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、パターン形成方法、フォトマスク、及びナノインプリント用テンプレートに関する。
近年、微細パターニング技術として、誘導自己組織化(DSA: Directed Self-Assembly)の活用が注目されている。DSAを利用したパターン形成方法では、ガイドパターン上にブロックコポリマー(BCP: Block copolymer)を塗布してミクロ相分離させることにより、ガイドパターンに沿ったミクロ相分離パターンを形成する。ガイドパターンとして、ケミカルガイドや物理ガイドが用いられる。
ケミカルガイドを用いたガイドパターンは、ピニング(pinning)領域と中性化領域との2つの表面領域を有する。このガイドパターンは、ピニング領域に、ブロックコポリマーに含まれるセグメントの1つをピニングすることにより、ブロックコポリマーをガイドパターンに沿ってミクロ相分離させる。
ガイドパターンのピニング性能を向上させるパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を用いて製造されるフォトマスク及びナノインプリント用テンプレートを提供する。
一実施形態に係るパターン形成方法は、被加工層上に下地層を形成する。下地層は、自己組織化材料に含まれる第1セグメント及び第2セグメントの一方に対する親和性が他方に対する親和性より高い。下地層上に中性化膜を形成する。中性化膜は、第1セグメント及び第2セグメントに対して中性である。中性化膜の一部を除去する。露出した下地層の表面及び中性化膜の表面にエネルギー線を照射する。下地層上及び中性化膜上に自己組織化材料を塗布する。自己組織化材料を、第1セグメントを含む第1ドメインと、第2セグメントを含む第2ドメインと、に相分離する。第1ドメイン及び第2ドメインの一方を選択的に除去する。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
第1実施形態に係るパターン形成方法について、図1〜図8を参照して説明する。このパターン形成方法では、自己組織化材料を用いて加工対象に微細パターンを形成する。自己組織化材料は、例えば、ジブロックコポリマーやトリブロックコポリマーなどのブロックコポリマーであるが、これに限られない。ブロックコポリマーは、複数種類のポリマーが化学的に結合した共重合体である。以下では、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーを、セグメントと称する。
第1実施形態に係るパターン形成方法について、図1〜図8を参照して説明する。このパターン形成方法では、自己組織化材料を用いて加工対象に微細パターンを形成する。自己組織化材料は、例えば、ジブロックコポリマーやトリブロックコポリマーなどのブロックコポリマーであるが、これに限られない。ブロックコポリマーは、複数種類のポリマーが化学的に結合した共重合体である。以下では、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーを、セグメントと称する。
ブロックコポリマーは、親水性の第1セグメントと、疎水性の第2セグメントと、を有する。ここでいう親水性及び疎水性は、相対的な性質である。すなわち、第1セグメントとは、ブロックコポリマーを構成するセグメントの中で最も親水性が高いセグメントのことであり、第2セグメントとは、ブロックコポリマーを構成するセグメントの中で最も疎水性が高い(親水性が低い)セグメントのことである。したがって、第1セグメントは、第2セグメントより親水性が高く、第2セグメントは第1セグメントより疎水性が高い(親水性が低い)。
本実施形態において、ブロックコポリマーは、例えば、PS−b−PMMAやPS−b−PDMSであるが、これに限られない。ブロックコポリマーがPS−b−PMMAである場合、第1セグメントはPMMA(ポリメチルメタクリレート)、第2セグメントはPS(ポリスチレン)である。
ここで、図1〜図8は、このパターン形成方法の各工程における加工対象を示している。図1〜図8において、(a)は平面図であり、(b)は(a)のA−A′線断面図である。
まず、図1(a),(b)に示すように、被加工層1上に下地層2を形成し、下地層2上に中性化膜3を形成する。
被加工層1は、このパターン形成方法を用いてラインアンドスペースパターンを形成する加工対象である。図1において、被加工層1は、例えば、半導体基板、ガラス基板、石英ガラス基板、及びこれらの基板上に形成された任意の層である。
下地層2は、後工程において形成されるブロックコポリマーのミクロ相分離パターン(ラインアンドスペースパターン)を、被加工層1に転写するためのハードマスクである。
下地層2は、被加工層1に対するエッチング選択比を有し、かつ、ブロックコポリマーの第1セグメント及び第2セグメントの一方に対して親和性を有する任意の材料により形成される。ここでいう親和性は、相対的な性質である。すなわち、下地層2が第1セグメントに対する親和性を有するとは、下地層2の第1セグメントに対する親和性が、第2セグメントに対する親和性より高いことを意味する。同様に、下地層2が第2セグメントに対する親和性を有するとは、下地層2の第2セグメントに対する親和性が、第1セグメントに対する親和性より高いことを意味する。
このような材料として、例えば、Cr、Si,Mo,Taなどが挙げられる。下地層2は、このような材料を、スパッタ法などにより被加工層1上に積層することにより形成される。ブロックコポリマーがPS−b−PMMAである場合、下地層2は、PMMAに対する親和性を有するCr膜又は酸化クロム膜であるのが好ましい。
中性化膜3は、ブロックコポリマーの第1セグメント及び第2セグメントに対して中性な薄膜である。ここでいう中性とは、第1セグメント及び第2セグメントに対して同程度の親和性を有することを意味する。中性化膜3は、例えば、第1セグメントの単体及び第2セグメントの単体の混合物や、第1セグメントと第2セグメントとのランダム共重合体により形成することができる。
具体的には、ブロックコポリマーがPS−b−PMMAの場合、PS及びPMMAの混合物や、PSとPMMAとのランダム共重合体であるPS−r−PMMAを、PGMEA(ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート)に1.0wt%の濃度で溶解させたものを、回転数2000rpmで回転塗布し、ホットプレート上において110℃で90秒間ベークした後、240℃で3分間ベークする。これにより、中性化膜3を形成することができる。中性化膜3の膜厚は、例えば、5nmである。
次に、図2(a),(b)に示すように、中性化膜3上に、ラインアンドスペースパターン形状のレジストパターン4を形成する。レジストパターン4は、レジスト材料を中性化膜3上の全面に回転塗布し、露光、ベーク、及び現像によってレジスト材料の一部を除去することにより形成される。露光は、例えば、電子線により行われる。
より詳細には、中性化膜3上に塗布されたレジスト材料は、ラインアンドスペースパターン形状のスペース部分を除去される。このスペース部分からは中性化膜3が露出する。ブロックコポリマーとして、ピッチL0が30nmのPS−b−PMMAを用いる場合、ラインアンドスペースパターンのハーフピッチが、例えば、45nm(L0×3/2)となるように、レジスト材料は除去される。ピッチL0は、ミクロ相分離パターンのピッチのことである。
次に、図3(a),(b)に示すように、レジストパターン4をマスクにして、中性化膜3をエッチングし、レジストパターン4を除去する。中性化膜3のエッチングは、例えば、酸素を用いたドライエッチングにより行われる。レジストパターン4は、剥離液を用いて剥離する。剥離液として、例えば、N−メチルピロリドン、プロピレングリコール、水酸化テトラメチルアンモニウム、及びジメチルスルホキシドの少なくとも1つを含む有機溶剤が用いられる。レジストパターン4を除去した後、下地層2の表面及び中性化膜3の表面を、洗浄液で洗浄し、超純水でリンスする。
これにより、中性化膜3にレジストパターン4が転写され、ラインアンドスペースパターン形状のガイドパターンが形成される。ガイドパターンは、中性化膜3が除去された部分から露出した下地層2(スペース部分)と、除去されずに残った中性化膜3(ライン部分)と、により構成される。このガイドパターンは、後工程におけるブロックコポリマーのミクロ相分離の際に、第1セグメント及び第2セグメントを規則正しく配列させるためのガイドとなる。このガイドにおいて、下地層2はピニング領域を構成するケミカルガイドとして機能し、中性化膜3は物理ガイド及び中性化領域を構成するケミカルガイドとして機能する。
本実施形態において、ガイドパターンを形成した後、ガイドパターンの表面、すなわち、下地層2の表面及び中性化膜3の表面に、エネルギー線を照射する。エネルギー線は、例えば、電子ビーム、EUV光、VUV光、UV光、イオンビーム、X線、及び可視光のいずれか1つである。
ガイドパターンの表面にエネルギー線を照射することにより、ガイドパターンのピニング性能を向上させることができる。これは、エネルギー線の照射により、ガイドパターンの表面が改質されるとともに、ガイドパターンの表面に付着した剥離液やダストが除去されるためである。
また、ガイドパターンの表面が改質されることにより、ガイドパターンとブロックコポリマーとの親和性が向上し、後工程におけるブロックコポリマーの塗布むらの発生を抑制することもできる。
なお、ガイドパターンの表面にエネルギー線を照射する際、下地層2及び中性化膜3を所定の温度でアニールするのが好ましい。これにより、ガイドパターンの表面の改質や、剥離液やダストの除去を、より効果的に行うことができる。
アニールの温度は、中性化膜3及び下地層2の材料に応じて選択すればよい。例えば、アニールの温度は、中性化膜3の融点以下の温度であるのが好ましい。これにより、中性化膜3に形成したラインアンドパターン形状の劣化を防ぐことができる。また、例えば、下地層2がCr膜又は酸化クロム膜である場合、アニールの温度は、200℃以下であるのが好ましい。これにより、アニールによる下地層2へのダメージを抑制することができる。
次に、図4(a),(b)に示すように、下地層2上及び中性化膜3上に、第1セグメントと第2セグメントとを有するブロックコポリマーを回転塗布し、ブロックコポリマー層5を形成する。ブロックコポリマーがPS−b−PMMAである場合、PS−b−PMMAを1.0wt%程度の濃度となるようにPGMEAに溶解させ、回転数2000rpmで回転塗布する。ブロックコポリマー層5の下地層2からの膜厚は、例えば、35nmである。
次に、図5(a),(b)に示すように、ブロックコポリマー層5をアニールする。これにより、ブロックコポリマー層5は、第1セグメントを含む第1ドメイン51と、第2セグメントを含む第2ドメイン52と、にミクロ相分離し、ミクロ相分離パターンが形成される。
このアニール処理により、ガイドパターン上には、第1ドメイン51と第2ドメイン52とが平面方向に交互に配列されたラメラ構造のミクロ相分離パターンが形成される。これは、ブロックコポリマーがガイドパターンに沿ってミクロ相分離するためである。
例えば、下地層2が第1セグメントに対する親和性を有する場合、第1セグメントは、下地層2が露出した部分、すなわち、ガイドパターンのスペース部分(ピニング領域)にピニングされ、第1ドメイン51を形成する。そして、この第1ドメイン51を起点にして、第1セグメントと第2セグメントとが交互に配列される。
これにより、図5に示すラメラ構造のミクロ相分離パターンが形成される。下地層2が第2セグメントに対する親和性を有する場合も同様であり、ガイドパターン上には、図5とは第1ドメイン51及び第2ドメイン52の位置が入れ替わったラメラ構造のミクロ相分離パターンが形成される。
このように、ミクロ相分離パターンは、ガイドパターンに沿って形成されるため、ガイドパターンに平行なラインアンドスペースパターン形状となる。また、ミクロ相分離パターンは、ガイドパターンのライン部分及びスペース部分にそれぞれ複数のパターンが形成されるため、ガイドパターンより微細なラインアンドスペースパターン形状となる。
例えば、ブロックコポリマーがPS−b−PMMAである場合、窒素雰囲気下にて240℃で10分間アニールする。これにより、PS−b−PMMAがミクロ相分離し、例えば、ハーフピッチが約15nmのPMMAドメイン(第1ドメイン51)及びPSドメイン(第2ドメイン52)を含むラインアンドスペースパターン形状のミクロ相分離パターンが形成される。後工程において、このミクロ相分離パターンは、被加工層1に転写される。
なお、ガイドパターンのスペース部分及びライン部分の寸法は、ブロックコポリマー層5のミクロ相分離をガイド可能な任意の寸法とすることができる。
次に、図6(a),(b)に示すように、エッチングによって第1ドメイン51を選択的に除去する。これにより、ガイドパターン上には、第2ドメイン52をライン部分とするラインアンドスペースパターンが形成される。
例えば、ブロックコポリマーがPS−b−PMMAである場合、酸素プラズマを用いたドライエッチングにより、PMMA(第1ドメイン51)を選択的に除去することができる。
なお、第1ドメイン51の代わりに、第2ドメイン52を選択的に除去してもよい。この場合、ガイドパターン上には、第1ドメイン51をライン部分とするラインアンドスペースパターンが形成される。
次に、図7(a),(b)に示すように、第2ドメイン52をマスクにして下地層2をエッチングする。これにより、下地層2には、ミクロ相分離パターンが転写され、ラインアンドスペースパターンが形成される。下地層2のエッチングは、例えば、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより行うことができる。例えば、ブロックコポリマーがPS−b−PMMAである場合、下地層2には、ハーフピッチが約15nmのラインアンドスペースパターンが形成される。
なお、先の工程において、第2ドメイン52を選択的に除去した場合には、第1ドメイン51をマスクにして下地層2をエッチングすればよい。これにより、下地層2には、図7(b)のライン部分とスペース部分とが入れ替わったラインアンドスペースパターンが形成される。
次に、図8(a),(b)に示すように、中性化膜3、第1ドメイン51、第2ドメイン52、及び下地層2をマスクにして被加工層1をエッチングする。被加工層1のエッチングの深さは、例えば、30nmである。これにより、被加工層1には、下地層2のラインアンドスペースパターンが転写され、被加工層1にラインアンドスペースパターンが形成される。例えば、被加工層1が石英ガラス基板である場合、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、被加工層1をエッチングすることができる。
その後、被加工層1上に残った中性化膜3、第1ドメイン51、第2ドメイン52、及び下地層2を、ウェットエッチングによって除去する。
従来のパターン形成方法のように、エネルギー線を照射する前に、レジストパターン4を、有機溶剤である剥離液を用いて剥離した場合、ガイドパターンの表面に有機物が付着したり、ガイドパターンの表面で化学変化が生じたりすることがある。また、リンス工程の後、ガイドパターンの表面に空気中のダストが付着することがある。これらの原因により、ガイドパターンの表面状態が変化し、ピニング領域や中性化領域が親水化、或いは疎水化することがある。ガイドパターンの表面状態が変化すると、ガイドパターンのピニング性能は低下し、後工程において形成されるミクロ相分離パターンに配列異常が生じる原因となる。
しかしながら、以上説明した本実施形態に係るパターン形成方法によれば、ガイドパターンの表面にエネルギー線を照射することにより、ガイドパターンの表面が改質されるとともに、ガイドパターンの表面に付着した剥離液やダストを除去することができる。これにより、ガイドパターンのピニング性能を向上させることができ、後工程において形成されるミクロ相分離パターンの配列異常を抑制することができる。
また、エネルギー線の照射により、ガイドパターンの表面の親和性を向上させることができ、ブロックコポリマーの塗布むらの発生を抑制することができる。
なお、このパターン形成方法は、半導体基板や石英ガラス基板などのパターニングに適用できる。したがって、このパターン形成方法を用いて、半導体基板、フォトマスク、ナノインプリント用のテンプレート、ディスプレイ、及び太陽光パネルなどを製造することができる。
(第2実施形態)
第2実施形態に係るパターン形成方法について説明する。本実施形態に係るパターン形成方法では、レジストパターン4の厚さを、中性化膜3とレジストパターン4とのエッチングレート比に応じて設定する。
第2実施形態に係るパターン形成方法について説明する。本実施形態に係るパターン形成方法では、レジストパターン4の厚さを、中性化膜3とレジストパターン4とのエッチングレート比に応じて設定する。
具体的には、中性化膜3のエッチングレートとレジストパターン4のエッチングレートとの比(エッチングレート比)がA:Bである場合、レジストパターン4の厚さが中性化膜3の厚さのB/A倍以下となるように、レジストパターン4を形成する。レジストパターン4の厚さをこのように設定することにより、中性化膜3のエッチングが終了した時点で、レジストパターン4が全て除去される。
本実施形態では、中性化膜3をエッチングしてガイドパターンを形成した後、ガイドパターンの表面を洗浄及びリンスし、ガイドパターンの表面にエネルギー線を照射する。以降の工程は、第1実施形態と同様である。
以上説明した通り、本実施形態に係るパターン形成方法によれば、レジストパターン4の剥離工程が不要なため、工程数を削減することができる。また、ガイドパターンの表面に剥離液が接触しないため、ピニング性能の低下を抑制することができる。さらに、エネルギー線の照射により、ガイドパターンのピニング性能を向上させるとともに、ブロックコポリマーの塗布むらを抑制することができる。
(第3実施形態)
第3実施形態に係るパターン形成方法について、図9を参照して説明する。本実施形態に係るパターン形成方法では、レジスト材料として、ブロックコポリマーの第1セグメント及び第2セグメントに対して中性な材料が用いられる。
第3実施形態に係るパターン形成方法について、図9を参照して説明する。本実施形態に係るパターン形成方法では、レジスト材料として、ブロックコポリマーの第1セグメント及び第2セグメントに対して中性な材料が用いられる。
まず、図9(a),(b)に示すように、被加工層1上に下地層2を形成し、下地層2上にラインアンドスペースパターン形状のレジストパターン4を形成する。レジストパターン4は、下地層2上にレジスト材料を回転塗布し、露光及び現像によってレジスト材料の一部を除去することにより形成される。
形成されたレジストパターン4は、ブロックコポリマーに対して中性なため、第1実施形態における中性化膜3としての役割を果たす。すなわち、本実施形態では、中性化膜3がレジスト材料により形成される。したがって、レジストパターン4を形成することにより、下地層2とレジストパターン4とを含むガイドパターンが形成される。
本実施形態において、レジストパターン4を形成した後、ガイドパターンの表面にエネルギー線を照射する。以降の工程は、第1実施形態と同様である。
以上説明した通り、本実施形態に係るパターン形成方法によれば、中性化膜3の形成工程やレジストパターン4の剥離工程が不要なため、工程数を削減することができる。また、ガイドパターンの表面に剥離液が接触しないため、ピニング性能の低下を抑制することができる。さらに、エネルギー線の照射により、ガイドパターンのピニング性能を向上させ、ブロックコポリマーの塗布むらを抑制することができる。
なお、第1実施形態におけるレジストパターン4を、ブロックコポリマーに対して中性なレジスト材料により形成することも可能である。この場合、中性化膜3をエッチングした後、レジストパターン4を除去せずに、ガイドパターン4の表面にエネルギー線を照射すればよい。これにより、レジストパターン4の除去工程が不要となるため、パターン形成のための工程数を削減することができる。
なお、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって種々の発明を形成できる。また例えば、各実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除した構成も考えられる。さらに、異なる実施形態に記載した構成要素を適宜組み合わせてもよい。
1:被加工層、2:下地層、3:中性化膜、4:レジストパターン、5:ブロックコポリマー層、51:第1ドメイン、52:第2ドメイン
Claims (10)
- 被加工層上に、自己組織化材料に含まれる第1セグメント及び第2セグメントの一方に対する親和性が他方に対する親和性より高い下地層を形成し、
前記下地層上に前記第1セグメント及び前記第2セグメントに対して中性な中性化膜を形成し、
前記中性化膜の一部を除去し、
露出した前記下地層の表面及び前記中性化膜の表面にエネルギー線を照射し、
前記下地層上及び前記中性化膜上に前記自己組織化材料を塗布し、
前記自己組織化材料を、前記第1セグメントを含む第1ドメインと、前記第2セグメントを含む第2ドメインと、に相分離し、
前記第1ドメイン及び前記第2ドメインの一方を選択的に除去することを含む
パターン形成方法。 - 前記エネルギー線を照射する際、前記下地層及び前記中性化膜を所定の温度でアニールすることをさらに含む
請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記所定の温度は、200℃以下である
請求項2に記載のパターン形成方法。 - 前記中性化膜の一部の除去は、
前記中性化膜上にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクにして前記中性化膜をエッチングすることを含む
請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記中性化膜の一部を除去した後、
前記レジストパターンを剥離液により剥離することをさらに含む
請求項4に記載のパターン形成方法。 - 前記エネルギー線は、電子ビーム、EUV光、VUV光、UV光、イオンビーム、X線、及び可視光のいずれか1つである
請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記被加工層は、石英ガラス基板である
請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記中性化膜は、レジスト材料を含む
請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載のパターン形成方法を用いて製造されたフォトマスク。
- 請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載のパターン形成方法を用いて製造されたナノインプリント用テンプレート。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014185503A JP2016058640A (ja) | 2014-09-11 | 2014-09-11 | パターン形成方法、フォトマスク、及びナノインプリント用テンプレート |
US14/644,783 US9841674B2 (en) | 2014-09-11 | 2015-03-11 | Patterning method, and template for nanoimprint and producing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014185503A JP2016058640A (ja) | 2014-09-11 | 2014-09-11 | パターン形成方法、フォトマスク、及びナノインプリント用テンプレート |
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---|---|
JP2016058640A true JP2016058640A (ja) | 2016-04-21 |
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ID=55454655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014185503A Pending JP2016058640A (ja) | 2014-09-11 | 2014-09-11 | パターン形成方法、フォトマスク、及びナノインプリント用テンプレート |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9841674B2 (ja) |
JP (1) | JP2016058640A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10170591B2 (en) * | 2016-06-10 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Self-aligned finFET formation |
CN108400085B (zh) * | 2017-02-06 | 2019-11-19 | 联华电子股份有限公司 | 形成半导体元件图案的方法 |
KR102374206B1 (ko) | 2017-12-05 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4673266B2 (ja) | 2006-08-03 | 2011-04-20 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成方法及びモールド |
JP5222805B2 (ja) | 2009-07-09 | 2013-06-26 | パナソニック株式会社 | 自己組織化パターン形成方法 |
KR20130034778A (ko) * | 2011-09-29 | 2013-04-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유도된 자가정렬 공정을 이용한 반도체 소자의 미세패턴 형성 방법 |
JP2013187387A (ja) | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP6002056B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2016-10-05 | 株式会社東芝 | ガイドパターンデータ補正方法、プログラム、及びパターン形成方法 |
US9416447B2 (en) * | 2014-02-07 | 2016-08-16 | HGST Netherlands B.V. | Method for line density multiplication using block copolymers and sequential infiltration synthesis |
-
2014
- 2014-09-11 JP JP2014185503A patent/JP2016058640A/ja active Pending
-
2015
- 2015-03-11 US US14/644,783 patent/US9841674B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9841674B2 (en) | 2017-12-12 |
US20160077436A1 (en) | 2016-03-17 |
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