JP2016042435A - 希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法、表面改質希土類ホウ化物エミッタ及び表面改質装置兼電子線源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法であって、希土類ホウ化物からなるナノファイバーに一定時間、200V以上の電圧を印加して、前記ナノファイバー内部から表面に希土類元素を引き出して、前記ナノファイバーの表面を希土類元素末端表面に改質することを特徴とする希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法を用いることにより、前記課題を解決できる。
【選択図】図6
Description
第1の特性は、放出角度発散が小さく、放出領域が小さく制限されて、電子流値が高いことであり、第2の特性は、エネルギーの広がりが低いことである。
コールド・フィールド・エミッタは、その電子ビームが最も高輝度であり、エネルギーの広がりも最も低いので、走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)、スキャン透過型電子顕微鏡(STEM)及び電子ビームリソグラフィー装置のような高解像度アプリケーションに好ましく用いられている。
LaB6ナノファイバーの表面は、La末端及びB末端のいずれかの末端表面となるが、LaはBに対し電子的に陽性で、La末端表面はB末端より仕事関数が低くなり、La末端表面は電子放出能力に優れる。これによりので、LaB6ナノファイバーを電子光学的アプリケーションに用いる場合には、La末端表面とするとよい(非特許文献5)。
特許文献1は、六ホウ化金属冷電界エミッタ、その製造方法及び電子銃に関するものであり、先端に金属終端(100)面が形成されたLaB6等の六ホウ化金属ナノワイヤーは、仕事関数が小さいことにより、この(100)面から非常に細い電子ビームを放射することができるが、低温で使用すると、ごく短時間に汚染されて出力電流が大きく低下してしまうので、先端の金属終端(100)面を低温で水素に曝露する安定化処理を施すことで、長時間安定動作する冷電界エミッタとしたものが開示されている。
本発明は、以下の構成を有する。
(3) 電圧印加の際、前記ナノファイバーを500℃以上に加熱することを特徴とする(1)又は(2)に記載の希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法。
(4) 500℃以上に3分以上加熱することを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法。
(5) 前記希土類ホウ化物がLaB6、CeB6、GdB6のうちのいずれかであることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法。
(7) (6)に記載の表面改質希土類ホウ化物エミッタと、前記表面改質希土類ホウ化物エミッタが取り付けられる一対のフィラメントと、前記一対のフィラメントに電力を供給する電力供給部と、前記電力供給部の電流計と、引出電圧の電圧部と、加速電圧部と、前記電圧部の電流計と、引出電圧の電力供給部と、加速電圧の電力供給部と、一連の操作の指示を行う論理デバイス部と、を有することを特徴とする表面改質装置兼電子線源装置。
まず、本発明の実施形態である表面改質希土類ホウ化物エミッタについて説明する。
図1は、本発明の実施形態である表面改質希土類ホウ化物エミッタの一例を示す図であって、全体図(a)、部分拡大概念図(b)である。
図1(a)に示すように、本発明の実施形態である表面改質希土類ホウ化物エミッタ11は、希土類ホウ化物からなる略線状のナノファイバー製のエミッタであり、一端側の先端11aが電子放出部とされている。 表面改質希土類ホウ化物エミッタ11は、先端11aから末端側11bに向けてなだらかに増径するように形成されている。
次に、本発明の実施形態である表面改質装置兼電子線源装置について説明する。
図2は、本発明の実施形態である表面改質装置兼電子線源装置の一例を示す図である。
図2に示すように、表面改質装置兼電子線源装置21は、フィラメント1、1’と、フィラメント1、1’に電力を供給する電力供給部3と、電力供給部3の電流計4と、引出電圧の電圧部9と、加速電圧部10と、電圧部9の電流計6と、引出電圧の電力供給部5と、加速電圧の電力供給部7と、一連の操作の指示を行う論理デバイス部8と、を有して概略構成されている。
表面改質希土類ホウ化物エミッタ11に電圧を印加できるように、電圧部9が設けられており、表面改質希土類ホウ化物エミッタ11の先端から電子を引き出した電子を加速できるように、加速電圧部10が設けられている。
例えば、フィラメント1、1’と、表面改質希土類ホウ化物エミッタ11と、電圧部9と、加速電圧部10は、真空ポンプにより減圧可能なチャンバー内に配置される(図示略)。
また、この表面改質装置兼電子線源装置21は、加速電圧部10を備えることにより、表面改質希土類ホウ化物エミッタ11の先端から引き出した電子を加速して、様々な態様で電子線として利用できる。
次に、本発明の実施形態である希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法について説明する。
図3は、本発明の実施形態である希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法の一例を説明するフローチャート図である。
図3に示すように、本発明の実施形態である希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法は、表面改質工程S1を有する。
まず、希土類ホウ化物からなるナノファイバーを、例えば、チャンバー内に配置してから、チャンバー内を減圧する。前記希土類ホウ化物としてはLaB6、CeB6、GdB6を挙げることができる。
次に、希土類ホウ化物からなるナノファイバーに一定時間、200V以上の電圧を印加して、前記ナノファイバー内部から表面に希土類元素を引き出して、前記ナノファイバーの表面を希土類元素末端表面に改質する。
加熱は、例えば、ファイラメントを加熱して、行うことができる。
402Vの電圧を印加する場合は、500℃以上に3分以上維持することが好ましい。これにより、前記ナノファイバーの表面を希土類元素末端表面に改質できる。
加熱又は電圧印加開始前の表面(a)では、Bのケージ様構造(cage looking structure)の間に希土類が配置された基本構造を有し、B末端表面とされている。
加熱又は電圧印加開始時点の表面(b)では、内部のLaの一部が先端11a側に移動し、内部に空洞欠陥部を形成し、表面近傍の希土類が一部表面に引き出される。
加熱又は電圧印加途中時点の表面(c)では、より多くの希土類が一部表面に引き出される。
加熱又は電圧印加終了時点の表面(d)では、内部でも希土類が表面近傍に移動し、表面が完全に希土類元素末端表面とされる。
本発明の実施形態である希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法は、500℃以上に3分以上加熱する操作である構成なので、B末端表面を希土類末端表面に容易に、かつ、短時間で改質できる。
(希土類ホウ化物エミッタの表面改質実験−電圧印加)
以下のようにして、希土類ホウ化物エミッタの表面改質をした。
ナノファイバーの長さ9000nm、径50nmのものを用いた。
次に、表1及び図5に示すオペレーション・フローで、所定のタイムスパンで、室温で、引出電圧を変化させる操作を行い、電圧部を流れる電流を計測した。
図5は、表1の電圧印加表面処理のオペレーション・フロー・タイムチャートである。
Period 2では、1sec、512Vの引出電圧を印加した。このとき流れる電流は330nAであった。電流値が高かったので、表面はLa末端に変換されたと認定した。
Vcは、臨界電圧(critical voltage)であり、この電圧を閾値として、この電圧以上の電圧を印加することにより、表面改質できる。本実験では、Vc=500(V)である。
Itは、閾値電流(threshold current)であり、La表面が形成されたときに流れるエミッション電流(emission current)である。本実験では、It=200(nA)である。
Period 4では、15min、512Vの引出電圧を印加した。このとき流れる電流は110nAであった。電流値が低かったので、表面はB末端であると認定した。
Period 5では、15min、512Vの引出電圧を印加した。このとき流れる電流は110nAであった。電流値が低かったので、表面はB末端であると認定した。
電圧印加表面処理により、電子放出特性が向上した。
(希土類ホウ化物エミッタの表面改質実験−電圧印加+加熱)
以下のようにして、希土類ホウ化物エミッタの表面改質をした。
ナノファイバーの長さ6000nm、径85nmのものを用いた。
次に、表2及び図7に示すオペレーション・フローで、所定のタイムスパンで、電圧印加及び加熱操作を行い、電圧部を流れる電流を計測した。
図7は、表2の電圧印加表面処理のオペレーション・フロー・タイムチャートである。
電圧印加+加熱表面処理により、電子放出特性が向上した。
Vcは、臨界電圧(critical voltage)であり、この電圧を閾値として、この電圧以上の電圧を印加することにより、表面改質できる。本実験では、Vc=400(V)である。
Itは、閾値電流(threshold current)であり、La表面が形成されたときに流れるエミッション電流(emission current)である。本実験では、It=50(nA)である。
Ttは、閾値温度(Threshold temperature)であり、所定の引出電圧を印加した状態で、この温度以上の温度にファイラメントを加熱することにより、表面改質できる。本実験では、Tt=400(℃)である。
(希土類ホウ化物エミッタの表面改質実験−電圧印加)
以下のようにして、希土類ホウ化物エミッタの表面改質をした。
ナノファイバーの長さ10000nm、径45nmのものを用いた。
次に、表3に示すオペレーション・フローで、所定のタイムスパンで、室温で、電圧印加操作を行い、電圧部を流れる電流を計測した。
電圧印加表面処理により、電子放出特性が向上した。
Claims (7)
- 希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法であって、
希土類ホウ化物からなるナノファイバーに一定時間、200V以上の電圧を印加して、前記ナノファイバー内部から表面に希土類元素を引き出して、前記ナノファイバーの表面を希土類元素末端表面に改質することを特徴とする希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法。 - 200V以上の電圧を1時間以上印加する操作であることを特徴とする請求項1に記載の希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法。
- 電圧印加の際、前記ナノファイバーを500℃以上に加熱することを特徴とする請求項1又は2に記載の希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法。
- 500℃以上に3分以上加熱することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法。
- 前記希土類ホウ化物がLaB6、CeB6、GdB6のうちのいずれかであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の希土類ホウ化物エミッタの表面改質方法により、希土類ホウ化物からなるナノファイバーの表面が希土類元素末端表面に改質されたことを特徴とする表面改質希土類ホウ化物エミッタ。
- 請求項6に記載の表面改質希土類ホウ化物エミッタと、前記表面改質希土類ホウ化物エミッタが取り付けられる一対のフィラメントと、前記一対のフィラメントに電力を供給する電力供給部と、前記電力供給部の電流計と、引出電圧の電圧部と、加速電圧部と、前記電圧部の電流計と、引出電圧の電力供給部と、加速電圧の電力供給部と、一連の操作の指示を行う論理デバイス部と、を有することを特徴とする表面改質装置兼電子線源装置。
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