JP2016040575A - 表示装置の駆動方法 - Google Patents

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誠 渋沢
木村 裕之
Hiroyuki Kimura
裕之 木村
哲生 森田
Tetsuo Morita
哲生 森田
中山 弘
Hiroshi Nakayama
弘 中山
弘志 田畠
Hiroshi Tabata
弘志 田畠
豊 梅田
Yutaka Umeda
豊 梅田
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Abstract

【課題】画素回路の配線レイアウトが画素間で相違する場合であっても、画素間で階調が揃う表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】第1及び第2の画素領域それぞれに設けられ、発光素子に供給する電流を制御する第1トランジスタと、前記第1トランジスタと第1電位配線との間の電気的接続を制御する第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子に直列に接続され、前記第1トランジスタと第2電位配線との間の電気的接続を制御する第2スイッチング素子と、前記第1の画素領域に重畳して設けられ、前記第1スイッチング素子を制御する電圧信号を供給する第1走査線と、前記第2の画素領域に重畳して設けられ、前記第2スイッチング素子を制御する電圧信号を供給する第2走査線と、を有し、オフセットキャンセル期間の終了時に、前記第1走査線と前記第2走査線とに供給される電圧信号の波形を同じくすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【選択図】図6

Description

本発明は、表示装置の駆動方法に関する。
有機EL(Electro Luminescence)表示装置等の表示装置では、有機発光ダイオード等を含む画素を制御し、画像を表示する場合がある。ここで、画素の階調はTFT(Thin Film Transistor)等のトランジスタによって制御される場合がある。
また、表示装置の高精細化等に対応するため、画素あたりの素子数が少ない画素回路が必要とされる場合がある。そこで、画素回路を構成する素子を画素間で共有する構成を採用する場合がある。
下記特許文献1には、EL電源又はリセット電源を供給するトランジスタを複数の画素で共有し、複数の画素に対して1つとしたEL表示装置が記載されている。
特開2010−2736号公報
例えば画素回路を構成する素子を画素間で共有する場合等には、画素回路の配線レイアウトが画素間で相違する場合がある。ここで、配線とスイッチング素子等との間には容量結合等が生じ得るため、配線に信号が流れるとスイッチング素子の電位に影響を与える場合がある。
そのため、画素回路の配線レイアウトが画素間で相違すると、スイッチング素子の電位変化が画素間で異なることとなり、画素間で階調が揃わない場合がある。
そこで、本発明は、画素回路の配線レイアウトが画素間で相違する場合であっても、画素間で階調が揃う表示装置の駆動方法の提供を目的とする。
本発明の表示装置の駆動方法は、水平走査線に平行な軸を挟んで向かい合って配置された第1及び第2の画素領域を有する表示装置の駆動方法であって、前記第1及び第2の画素領域それぞれに設けられた発光素子と、前記第1及び第2の画素領域それぞれに設けられ、前記発光素子に供給する電流を制御する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのソース又はドレインと第1電位配線との間の電気的接続を制御する第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子に直列に接続され、前記第1スイッチング素子と共に、前記第1トランジスタのソース又はドレインと第2電位配線との間の電気的接続を制御する第2スイッチング素子と、前記第1の画素領域に重畳して設けられ、前記第1スイッチング素子の導通、非導通を制御する電圧信号を供給する第1走査線と、前記第2の画素領域に重畳して設けられ、前記第2スイッチング素子の導通、非導通を制御する電圧信号を供給する第2走査線と、を有し、前記第1トランジスタのソース又はドレインとゲートとの間の電圧を閾値電圧に近付けるオフセットキャンセル期間の終了時に、前記第1走査線と前記第2走査線とに供給される電圧信号の波形を同じくすることを特徴とする表示装置の駆動方法である。
また、本発明の表示装置の駆動方法において、前記オフセットキャンセル期間の終了から、前記発光素子に電流を供給する発光期間の開始までの期間で、前記第1走査線と前記第2走査線とに供給される電圧信号の波形を同じくしてもよい。
また、本発明の表示装置の駆動方法において、前記第1スイッチング素子と、前記第2スイッチング素子とは、前記第1トランジスタと同一極性のトランジスタで構成してもよい。
また、本発明の表示装置の駆動方法において、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子は、nチャネル型トランジスタであり、前記オフセットキャンセル期間終了時、前記第1走査線と前記第2走査線とに入力される信号を立ち下げ、前記発光期間開始時、前記第1走査線と前記第2走査線とに入力される信号を立ち上げてもよい。
本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の斜視図である。 本発明の実施形態に係る有機ELパネルの配線図である。 本発明の実施形態に係る有機ELパネルの画素領域の等価回路図である。 従来例における駆動回路により供給される電圧信号を示すタイミングチャートである。 従来例における有機発光ダイオードに流れる電流と、映像信号電圧の関係を示す図である。 本発明の実施形態に係る駆動回路により供給される電圧信号を示すタイミングチャートである。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
図1は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置1を示す斜視図である。有機EL表示装置1は、上フレーム2と下フレーム3とで挟まれるように固定された有機ELパネル10から構成されている。
図2は、本発明の実施形態に係る有機ELパネル10の配線図である。有機ELパネル10の表示領域20には、マトリクス状に画素領域30が並んでいる。なお、表示領域20における水平方向の並びを行、垂直方向の並びを列とする。本実施形態において、画素領域30は、4つの副画素を含む領域である。画素領域に含まれる4つの副画素は、例えば赤、緑、青、白の発光色をそれぞれ有し、4つで1単位の画素として機能する。各副画素には、発光素子が形成される。本実施形態の場合、発光素子は有機発光ダイオードである。有機ELパネル10は、映像信号駆動回路100及び走査信号駆動回路200により、各発光素子の発光を制御する信号を生成し、画像を表示する。
映像信号駆動回路100は、各画素に送る映像信号を生成して出力するIC(Integrated Circuit)である。走査信号駆動回路200は、画素に備えられたTFTへのゲート信号を生成して出力するICである。なお、図2において、映像信号駆動回路100及び走査信号駆動回路200は、2箇所に形成されるものとして記載されているが、一つのICに組み込まれていてもよいし、基板上に直接形成された回路によって形成されたものであってもよい。
映像信号駆動回路100には、表示領域20を縦断する第1映像信号線110及び第2映像信号線120が接続される。第1映像信号線110は、第1映像信号線110に沿って並ぶ副画素(例えば、副画素の奇数列)について共通である。また、第2映像信号線120は、第2映像信号線120に沿って並ぶ副画素(例えば、副画素の偶数列)について共通である。第1映像信号線110及び第2映像信号線120は、それぞれ当該信号線に沿って並ぶ各副画素に含まれる画素スイッチに接続される。画素スイッチを含む等価回路については、次図において詳細に説明する。
走査信号駆動回路200には、表示領域20を横断する第1走査信号線210、発光制御線220、リセット線230、オフセット制御線240、及び第2走査信号線250が接続される。第1走査信号線210は、第1走査信号線210に沿って並ぶ副画素について共通である。また、第2走査信号線250は、第2走査信号線250に沿って並ぶ副画素について共通である。発光制御線220、リセット線230、及びオフセット制御線240は、第1走査信号線210と第2走査信号線250とに挟まれる2行の副画素について共通である。
画素パネル10は、高電位供給線300を有する。高電位供給線300の電位をPVDDと表す。高電位供給線300は、図示しない低電位供給線(グランド線)との間の電位差が、例えば10Vであるような配線である。高電位供給線300には、電源線310が接続される。電源線310は、電源線310に沿って並ぶ副画素について共通であり、各副画素の発光素子が発光するための電源を与える。
図3は、本発明の実施形態に係る有機ELパネル10の画素領域30の等価回路図である。本実施形態の画素領域30は、4つの副画素を含む。4つの副画素は、例えば、赤、緑、青、白の発光色に対応する。4つの副画素は、発光制御スイッチ31を共有する。また、リセット線230を挟んで向かい合った2つの副画素は、オフセット制御スイッチ32を共有する。本実施形態では、リセット線230の中心軸は、水平走査線と平行である。第1の画素領域(図3において紙面左上に位置する副画素領域)と、第2の画素領域(図3において紙面左下に位置する副画素領域)からなる画素対は、水平走査線に平行な軸(リセット線230の中心軸)を挟んで向かい合って配置されている。画素対は、リセット線230に沿って複数配置される。
第1の画素領域は、第1走査信号線210と、リセット線230と、第1映像信号線110と、電源線310とで囲まれる領域である。また、第2の画素領域は、リセット線230と、第2走査信号線250と、第1映像信号線110と、電源線310とで囲まれる領域である。
第1の画素領域には、画素スイッチ33が含まれる。本実施形態において、画素スイッチ33はTFTである。画素スイッチ33のゲートは第1走査信号線210に接続され、ソース又はドレインの一方は第1映像信号線110に接続される。走査信号駆動回路200から、第1走査信号線210に第1走査信号(SG1)が印加されると、画素スイッチ33が導通状態となる。画素スイッチ33が導通状態の場合に、映像信号駆動回路100から第1映像信号線110に映像信号(Vsig)が印加されると、駆動トランジスタ34のゲートに映像信号電圧Vsigが印加される。駆動トランジスタ34(第1トランジスタ)は、有機発光ダイオード37に供給する電流値を、ゲート電圧に応じて制御する。本実施形態において、駆動トランジスタ34はnチャネル型トランジスタである。駆動トランジスタ34のゲートに電圧が印加されるのと並行して、蓄積容量35に電荷が蓄積される。蓄積容量35に蓄積された電荷により、画素スイッチ33が非導通状態となった後も、一定期間は駆動トランジスタ34のゲートに電圧が印加され、駆動トランジスタ34の導通状態が保たれる。駆動トランジスタ34のソースに接続された付加容量36は、蓄積容量35との容量分割により映像信号電圧に応じて駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を設定する役割を持つ。具体的には、蓄積容量35の静電容量より付加容量36の静電容量を大きく設定し、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧の設定範囲を広くする場合が多い。駆動トランジスタ34のソースは、有機発光ダイオード37の陽極に接続される。有機発光ダイオード37の陰極は、定電位供給線(グランド線)に接続される。駆動トランジスタ34が導通状態の場合に、発光制御スイッチ31及びオフセット制御スイッチ32が導通状態となれば、駆動トランジスタ34のゲート電圧に応じて有機発光ダイオード37に電流が流れ、有機発光ダイオード37が発光する。
発光制御スイッチ31(第1スイッチング素子)は、駆動トランジスタ34(第1トランジスタ)のドレインと、電源線310(第1電位配線)との間の電気的接続を制御する。本実施形態において、発光制御スイッチ31はnチャネル型トランジスタである。発光制御線220は、発光制御スイッチ31のゲートに接続される。走査駆動回路200より、発光制御線220に発光制御信号(BG)が印加されると、発光制御スイッチ31が導通状態となる。発光制御スイッチ31が導通状態であり、リセット制御スイッチ235が非導通状態であると、オフセット制御スイッチ32が電源線310に接続される。
オフセット制御スイッチ32(第2スイッチング素子)は、発光制御スイッチ31(第1スイッチング素子)に直列に接続され、発光制御スイッチ31と共に、駆動トランジスタ34(第1トランジスタ)のドレインと、リセット線230(第2電位配線)との間の電気的接続を制御する。本実施形態において、オフセット制御スイッチ32はnチャネル型トランジスタである。オフセット制御線240は、オフセット制御スイッチ32のゲートに接続される。走査駆動回路200より、オフセット制御線240にオフセット制御信号(OG)が印加されると、オフセット制御スイッチ32が導通状態となる。オフセット制御スイッチ32が導通状態、発光制御スイッチ31が非導通状態、リセット制御スイッチ235が導通状態であれば、駆動トランジスタ34のドレインがリセット線230に接続される。リセット線230の電位はVrstであり、グランド電位であってよい。リセット制御スイッチ235はトランジスタである。リセット制御スイッチ235の導通、非導通は、ゲートに入力されるリセット制御信号(RG)により制御される。
発光制御線220(第1走査線)は、第1の画素領域に重畳して設けられる。そのため、発光制御線220は、第1の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のドレインに接続された配線と、第1の範囲P1で立体交差する。第1の範囲P1において、発光制御線220と駆動トランジスタ34のドレインとは、容量結合を生じ得る。例えば、発光制御線220に電圧信号が印加されると、第1の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のドレインの電圧が容量結合を介して変化する場合がある。
オフセット制御線240(第2走査線)は、第2の画素領域に重畳して設けられる。そのため、オフセット制御線240は、第2の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のドレインに接続された配線と、第2の範囲P2で立体交差する。第2の範囲P2において、オフセット制御線240と駆動トランジスタ34のドレインとは、容量結合を生じ得る。例えば、オフセット制御線240に電圧信号が印加されると、第2の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のドレインの電圧が容量結合を介して変化する場合がある。
第1の画素領域に隣接して、第3の画素領域(図3の紙面右上に位置する副画素領域)が設けられる。また、第2の画素領域に隣接して、第4の画素領域(図3の紙面右下に位置する副画素領域)が設けられる。第3の画素領域と第4の画素領域は、画素対である。発光制御線220は、第3の画素領域と第3の範囲P3において重畳し、第3の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のドレインと容量結合を生じ得る。オフセット制御線240は、第4の画素領域と第4の範囲P4において重畳し、第4の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のドレインと容量結合を生じ得る。
なお、図3に示す等価回路図は一例であり、異なる回路を採用してもよい。例えば、4つの副画素に対して、オフセット制御スイッチ32を1つとしてもよい。
図4は、従来例における駆動回路により供給される電圧信号を示すタイミングチャートである。タイミングチャートの横軸は時間を表し、縦軸は各電圧信号の大きさを表す。図4の最上段に表された電圧信号は、第1映像信号線110又は第2映像信号線120に印加される電圧信号である。第1映像信号線110及び第2映像信号線120には、1水平走査期間(1H)のはじめに、初期化電圧Viniが印加される。その後、第1映像信号線110に映像信号電圧Vsig1が印加される。さらにその後、第2映像信号線120に映像信号電圧Vsig2が印加される。
第1映像信号線110及び第2映像信号線120に初期化電圧Viniが印加される期間に行われる、駆動トランジスタ34のリセット動作を説明する。当該期間において、リセット制御信号(RG)及びオフセット制御信号(OG)を印加すると、駆動トランジスタ34のドレインにリセット電圧Vrstが印加される。また、第1走査信号線210及び第2走査信号線250に、それぞれリセット電圧(RS)を印加すると、各副画素に含まれる画素スイッチ33が導通状態となる。画素スイッチ33のソース又はドレインは第1映像信号線110又は第2映像信号線120に接続されているから、各副画素に含まれる駆動トランジスタ34のゲートに初期化電圧Viniが印加される。これにより、駆動トランジスタ34は導通状態となり、蓄積容量35に蓄積された電荷はリセット線230に放出され、駆動トランジスタ34のゲート−ソース間電圧が初期化される。
次に、第1映像信号線110及び第2映像信号線120に初期化電圧Viniが印加される期間に行われる、駆動トランジスタ34のオフセットキャンセル動作を説明する。当該期間において、発光制御信号(BG)及びオフセット制御信号(OG)を印加すると、駆動トランジスタ34のドレインに電源電圧PVDDが印加される。また、第1走査信号線210及び第2走査信号線250に、それぞれオフセットキャンセル電圧(OC)を印加すると、各副画素に含まれる画素スイッチ33が導通状態となる。画素スイッチ33のソース又はドレインは第1映像信号線110又は第2映像信号線120に接続されているから、各副画素に含まれる駆動トランジスタ34のゲートに初期化電圧Viniが印加される。これにより、駆動トランジスタ34は導通状態となり、駆動トランジスタ34のゲート−ソース間電圧が閾値に近付くように、オフセットキャンセル動作が行われる。オフセットキャンセル動作により、駆動トランジスタ34ごとの閾値のばらつきが補正される。
次に、第1映像信号線110又は第2映像信号線120に映像信号電圧Vsig1又はVsig2が印加される期間に行われる、書き込み動作を説明する。当該期間において、第1走査信号線210又は第2走査信号線250に、それぞれ書込電圧(wrt)を印加すると、各副画素に含まれる画素スイッチ33が導通状態となる。画素スイッチ33のソース又はドレインは第1映像信号線110又は第2映像信号線120に接続されているから、各副画素に含まれる駆動トランジスタ34のゲートに映像信号電圧Vsig1又はVsig2がそれぞれ印加される。これにより、駆動トランジスタ34は導通状態となり、蓄積容量35に映像信号電圧Vsig1又はVsig2が書き込まれる。オフセットキャンセル動作を行ったことにより、駆動トランジスタ34のゲート−ソース間電圧は、映像信号電圧Vsig1又はVsig2に依存して定まり、閾値電圧には依存しない。そのため、書き込まれる映像信号電圧が同じであれば、駆動トランジスタ34の閾値にばらつきがあっても、有機発光ダイオード37を同程度の輝度で発光させることができる。
書き込み動作の終了後、発光動作が行われる。発光制御信号(BG)及びオフセット制御信号(OG)を印加すると、駆動トランジスタ34のソース・ドレインに電源電圧PVDDが印加される。ここで、駆動トランジスタ34のゲートには映像信号電圧Vsig1又はVsig2が印加されているから、駆動トランジスタ34は導通状態である。そのため、有機発光ダイオード37に電流が流れ、有機発光ダイオード37が発光する。
従来例では、オフセットキャンセル動作の終了後、書き込み動作の開始前に、オフセット制御信号(OG)を立ち下げている。また、発光動作の開始時にオフセット制御信号(OG)を立ち上げている。一方、オフセット制御信号(OG)の立ち下げから立ち上げまでの期間Aにおいて、発光制御信号(BG)はハイレベルに保たれている。ここで、第1の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のソース・ドレインは、発光制御線220と第1の範囲P1で立体交差する。また、第2の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のソース・ドレインは、オフセット制御線240と第2の範囲P2で立体交差する。そのため、第1の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のソース・ドレインと、第2の画素領域に含まれる駆動トランジスタ34のソース・ドレインとには、容量結合に起因する互いに異なる電圧変化が生じる。
図5は、従来例における有機発光ダイオード37に流れる電流IOLEDと、映像信号電圧Vsigの関係を示す図である。奇数行の副画素(例えば、第1の画素領域と第3の画素領域)に含まれる有機発光ダイオード37には、印加する映像信号電圧に応じて、破線で示した関係の電流が流れる。一方、偶数行の副画素(例えば、第2の画素領域と第4の画素領域)に含まれる有機発光ダイオード37には、印加する映像信号電圧に応じて、実線で示した関係の電流が流れる。奇数行と偶数行の副画素にそれぞれ含まれる有機発光ダイオード37に流れる電流は、相違する。有機発光ダイオード37に流れる電流が相違すると、発光量が異なることとなり、行ごとの画素間で階調が揃わないこととなる。有機発光ダイオード37に流れる電流の不一致は、第1の画素領域と第2の画素領域とで、配線レイアウトが異なることに起因する。配線レイアウトが異なると、駆動トランジスタ34に対する容量結合の影響が副画素間で異なるからである。
図6は、本発明の実施形態に係る駆動回路により供給される電圧信号を示すタイミングチャートである。本実施形態に係る駆動回路により供給される電圧信号は、従来例の場合と比較して、期間Aにおける発光制御信号(BG)の波形が異なる。その他の期間における波形は、従来例と同じである。本実施形態では、オフセットキャンセル期間の終了時に、発光制御線220(第1走査線)とオフセット制御線240(第2走査線)とに供給される電圧信号の波形が同じである。すなわち、発光制御線220に供給される発光制御信号(BG)の波形と、オフセット制御線240に供給されるオフセット制御信号(OG)の波形とは、オフセットキャンセル期間の終了時において同じである。発光制御信号(BG)とオフセット制御信号(OG)とは、オフセットキャンセル期間の終了時に同時に立ち下がる。
オフセットキャンセル期間の終了時において、発光制御信号(BG)とオフセット制御信号(OG)の波形が同じことにより、駆動トランジスタ34に対する容量結合の影響は、第1の範囲P1と第2の範囲P2とで同じになる。そのため、第1及び第2の画素領域において、容量結合に起因する駆動トランジスタ34の電位変動がオフセットキャンセル期間の終了時に同じになる。その結果、駆動トランジスタ34に書き込まれる映像信号電圧が同じであれば、発光期間において、第1及び第2の画素領域に含まれる有機発光ダイオード37の輝度が揃う。よって、本実施形態に係る有機EL表示装置1の駆動方法によれば、画素回路の配線レイアウトが画素間で相違する場合であっても、画素間で階調が揃う。
本実施形態における発光制御信号(BG)とオフセット制御信号(OG)の波形は、期間Aにおいて同じである。すなわち、オフセットキャンセル期間の終了から、発光期間の開始までの期間(期間A)で、発光制御線220(第1走査線)とオフセット制御線240(第2走査線)とに供給される電圧信号の波形が同じである。電圧信号の波形が同じであることは、電圧信号の立ち上がり、及び立ち下がりのタイミングが一致し、かつ、ハイレベルを表す電圧信号の大きさが一致することを意味する。期間Aにおいて、発光制御線220とオフセット制御線240とに供給される電圧信号の波形が同じであることにより、容量結合に起因する駆動トランジスタ34の電位変動が期間Aにおいて同じになる。よって、駆動トランジスタ34に書き込まれる映像信号電圧が同じであれば、発光期間において、第1及び第2の画素領域に含まれる有機発光ダイオード37の輝度がさらに揃う。
本実施形態では、発光制御スイッチ31、オフセット制御スイッチ32、画素スイッチ33、駆動トランジスタ34、及びリセット制御スイッチ235は、nチャネル型トランジスタである。特に、発光制御スイッチ31(第1スイッチング素子)と、オフセット制御スイッチ32(第2スイッチング素子)とは、駆動トランジスタ34(第1トランジスタ)と同一極性のトランジスタで構成される。各トランジスタがnチャネル型トランジスタの場合、各トランジスタのゲートにハイレベルの電圧信号を印加すると、各トランジスタは導通状態となる。
本実施形態における走査信号駆動回路200は、オフセットキャンセル期間終了時、発光制御線220(第1走査線)とオフセット制御線240(第2走査線)とに入力される電圧信号を立ち下げる。また、発光期間開始時、発光制御線220(第1走査線)とオフセット制御線240(第2走査線)とに入力される電圧信号を立ち上げる。
なお、発光制御スイッチ31(第1スイッチング素子)と、オフセット制御スイッチ32(第2スイッチング素子)とを、pチャネル型トランジスタとする場合、走査信号駆動回路200により生成する電圧信号波形を、本実施形態の場合と比較して反転させればよい。すなわち、オフセットキャンセル期間終了時、発光制御線220(第1走査線)とオフセット制御線240(第2走査線)とに入力される電圧信号を立ち上げればよい。また、発光期間開始時、発光制御線220(第1走査線)とオフセット制御線240(第2走査線)とに入力される電圧信号を立ち下げればよい。このような構成及び駆動方法を採用する場合であっても、画素回路の配線レイアウトが画素間で相違しても画素間で階調が揃う。
本発明の実施形態として上述した有機EL表示装置1の駆動方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての有機EL表示装置の駆動方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。また、有機EL表示装置以外の表示装置、例えば量子ドット表示装置等の駆動方法も本発明の範囲に属する。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
1 有機EL表示装置、2 上フレーム、3 下フレーム、10 有機ELパネル、20 表示領域、30 画素領域、31 発光制御スイッチ、32 オフセット制御スイッチ、33 画素スイッチ、34 駆動トランジスタ、35 蓄積容量、36 付加容量、37 有機発光ダイオード、100 映像信号駆動回路、110 第1映像信号線、120 第2映像信号線、200 走査信号駆動回路、210 第1走査信号線、220 発光制御線、230 リセット線、235 リセット制御スイッチ、240 オフセット制御線、250 第2走査信号線、300 高電位供給線、310 電源線。

Claims (4)

  1. 水平走査線に平行な軸を挟んで向かい合って配置された第1及び第2の画素領域を有する表示装置の駆動方法であって、
    前記第1及び第2の画素領域それぞれに設けられた発光素子と、
    前記第1及び第2の画素領域それぞれに設けられ、前記発光素子に供給する電流を制御する第1トランジスタと、
    前記第1トランジスタのソース又はドレインと第1電位配線との間の電気的接続を制御する第1スイッチング素子と、
    前記第1スイッチング素子に直列に接続され、前記第1スイッチング素子と共に、前記第1トランジスタのソース又はドレインと第2電位配線との間の電気的接続を制御する第2スイッチング素子と、
    前記第1の画素領域に重畳して設けられ、前記第1スイッチング素子の導通、非導通を制御する電圧信号を供給する第1走査線と、
    前記第2の画素領域に重畳して設けられ、前記第2スイッチング素子の導通、非導通を制御する電圧信号を供給する第2走査線と、を有し、
    前記第1トランジスタのソース又はドレインとゲートとの間の電圧を閾値電圧に近付けるオフセットキャンセル期間の終了時に、前記第1走査線と前記第2走査線とに供給される電圧信号の波形を同じくすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
  2. 前記オフセットキャンセル期間の終了から、前記発光素子に電流を供給する発光期間の開始までの期間で、前記第1走査線と前記第2走査線とに供給される電圧信号の波形を同じくすることを特徴とする請求項1記載の表示装置の駆動方法。
  3. 前記第1スイッチング素子と、前記第2スイッチング素子とは、前記第1トランジスタと同一極性のトランジスタで構成されることを特徴とする、請求項1又は請求項2のいずれか一に記載の表示装置の駆動方法。
  4. 前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子は、nチャネル型トランジスタであり、
    前記オフセットキャンセル期間終了時、前記第1走査線と前記第2走査線とに入力される電圧信号を立ち下げ、前記発光期間開始時、前記第1走査線と前記第2走査線とに入力される電圧信号を立ち上げることを特徴とする、請求項3に記載の表示装置の駆動方法。
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