JP2016034003A - 電力変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は余分な部材を用いずに半導体モジュールと冷却モジュールとの密着性を向上して、半導体モジュールの冷却性能を確保できる電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体モジュール２と冷却モジュール４とを交互に積層した電力変換装置１であって、半導体モジュール２の積層方向の一側面に半導体モジュール傾斜面２３が形成され、モジュール本体２１は、上面の積層方向の寸法が下面の積層方向の寸法よりも小さな楔形状に形成され、冷却モジュール４の半導体モジュール傾斜面２３と隣接する側面に冷却モジュール傾斜面４１が形成され、半導体モジュール傾斜面２３および冷却モジュール傾斜面４１には、それぞれ、半導体モジュール２の冷却モジュール４に対する、前記積層方向と直交する方向における一側への移動を許容するとともに、前記積層方向と直交する方向における他側への移動を規制する返し部２４・４２が形成されている。【選択図】図４

Description

本発明は、半導体モジュールと前記半導体モジュールを冷却する冷却モジュールとを交互に積層して構成される電力変換装置に関する。

従来、電気自動車やハイブリッド自動車に用いられるモータに電力を供給するインバータ等の電力変換装置として、ＩＧＢＴ等の半導体素子を備えた半導体モジュールと、前記半導体モジュールを冷却するための冷却モジュールとを交互に積層して構成される電力変換装置が知られている。
前記電力変換装置においては、発熱量の大きい半導体モジュールから冷却モジュールへ熱が良く伝達されるように、半導体モジュールおよび冷却モジュールの積層方向へ圧力を付与して、半導体モジュールと冷却モジュールとを密着させることが行われている。

半導体モジュールと冷却モジュールとを密着させるための積層方向への圧力の付与は、例えば特許文献１に開示されているように、前記電力変換装置と楔部材とをハウジングにセットし、前記楔部材により半導体モジュールおよび冷却モジュールを前記積層方向へ押圧することにより行われている。

具体的には、前記ハウジングは、前記電力変換装置の前記積層方向における一方の端面である第１端面を支承する支承面と、ハウジング傾斜面とを有しており、前記支承面とハウジング傾斜面との間に、前記電力変換装置と楔部材とを配置し、前記楔部材は前記ハウジング傾斜面に倣う楔傾斜面と、弾性部材を介して前記電力変換装置を押圧する直交面とを有し、前記楔部材を前記積層方向と直交する方向に押圧することによって、前記直交面により前記電力変換装置を前記積層方向へ押圧している。

特開２０１３−１１８３３４号公報

前述のように、電力変換装置における半導体モジュールと冷却モジュールとを密着させるためにハウジングや楔部材を用いた場合、電力変換装置を構成するための部品点数が増加して、電力変換装置の構成が複雑になったり、電力変換装置のコストが上昇したりしていた。

そこで、本発明においては、ハウジングや楔部材等の余分な部材を用いることなく、半導体モジュールと冷却モジュールとの密着性を向上して、半導体モジュールの冷却性能を確保することができる電力変換装置を提供するものである。

上記課題を解決する電力変換装置は、以下の特徴を有する。
即ち、請求項１記載の如く、半導体モジュールと前記半導体モジュールを冷却する冷却モジュールとを交互に積層して構成される電力変換装置であって、前記半導体モジュールにおける前記積層方向の一側面に、前記積層方向と直交する方向に対して傾斜する半導体モジュール傾斜面が形成され、前記半導体モジュールは、前記積層方向と直交する方向の一側面における前記積層方向の寸法が、前記積層方向と直交する方向の他側面における前記積層方向の寸法よりも小さな楔形状に形成され、前記冷却モジュールにおける前記半導体モジュール傾斜面と隣接する側面に、前記半導体モジュール傾斜面に対応した傾斜を有する冷却モジュール傾斜面が形成され、前記半導体モジュール傾斜面および前記冷却モジュール傾斜面には、それぞれ、前記半導体モジュールの前記冷却モジュールに対する、前記積層方向と直交する方向における一側への移動を許容するとともに、前記積層方向と直交する方向における他側への移動を規制する返し部が形成されている。

本発明によれば、電力変換装置において、ハウジングや楔部材等の余分な部材を別途用いることなく、半導体モジュールと冷却モジュールとの密着性を向上して、半導体モジュールの冷却性能を確保することが可能となる。

電力変換装置を示す斜視図である。 半導体モジュールを示す斜視図である。 冷却ユニットを示す斜視図である。 半導体モジュールの返し部および冷却モジュールの返し部を示す側面断面図である。 電力変換装置において冷却モジュール間の空間に半導体モジュールが収容されている様子を示す斜視断面図である。 冷却ユニットにおいて、半導体モジュールが収容される空間の前後幅寸法が異なる様子を示す側面断面図である。 前後幅寸法が異なる冷却モジュール間の空間に収容された半導体モジュールの、前記空間への挿入深さを示す側面断面図である。 冷却モジュールの間に挿入した半導体モジュールを冷却ユニットから取り外し可能に構成した電力変換装置を示す斜視図である。 冷却モジュールの間に挿入した半導体モジュールを冷却ユニットから取り外し可能に構成した電力変換装置を示す平面図である。 冷却モジュールの間に挿入した半導体モジュールを冷却ユニットから取り外し可能に構成した電力変換装置の、半導体モジュールの取り外し手順を示した正面図である。

次に、本発明を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。

図１に示す電力変換装置１は、本発明に係る電力変換装置の実施形態であり、ＩＧＢＴ等の半導体素子を備えた半導体モジュール２と半導体モジュール２を冷却する冷却モジュール４とを交互に積層して構成されている。

図２、図４に示すように、半導体モジュール２は、前記半導体素子がモールドされているモジュール本体２１と、モジュール本体２１から延出する接続端子２２・２２とを備えている。
モジュール本体２１は、互いに対向する２面を３組備えた６面体に形成されており、半導体モジュール２の積層方向に対向する２面の内の一方の面が、前記積層方向と直交する方向に対して傾斜する傾斜面に形成されている（以降、この傾斜面を「半導体モジュール傾斜面２３」と記載する）。また、半導体モジュール２の積層方向に対向する２面の内の他方の面は、前記積層方向と直交する方向に沿った垂直面（以降、この垂直面を「半導体モジュール垂直面２５」と記載する）に形成されている。
図４に示すように、モジュール本体２１は、側面視において、上側（接続端子２２・２２が延出する側）から下側へ向かうにつれて前後幅寸法が小さくなり、下辺が上辺よりも小さい台形形状（楔形状）に形成されている。つまり、モジュール本体２１は、半導体モジュール２の積層方向と直交する方向の一側面(下面)における前記積層方向の寸法が、前記積層方向と直交する方向の他側面(上面)における前記積層方向の寸法よりも小さな楔形状に形成されている。

半導体モジュール傾斜面２３には、半導体モジュール傾斜面２３の傾斜方向（図２における上下方向）に沿って返し部２４・２４が形成されている。返し部２４・２４は、半導体モジュール傾斜面２３における前記傾斜方向と直交する方向（半導体モジュール傾斜面２３の左右幅方向）の両端部に形成されている。
接続端子２２・２２は、モジュール本体２１の上面から上方へ向かって延出している。

図３、図４に示すように、冷却モジュール４は、複数の半導体モジュール２・２・・・を冷却するための冷却ユニット３の構成部材であり、冷却ユニット３は、冷却モジュール４・４・・・と連結パイプ５・５とを備えている。

冷却モジュール４・４・・・は、半導体モジュール２の積層方向と同じ方向に沿って積層されており、隣接する冷却モジュール４・４は、互いに連結パイプ５・５により連結されている。この場合、各冷却モジュール４・４・・・は、互いに所定の間隔だけ離間した状態で連結パイプ５・５により連結されている。

また、冷却モジュール４・４・・・の積層方向における一側端部に位置する冷却モジュール４の一側面、および積層方向における他側端部に位置する冷却モジュール４の他側面にも、連結パイプ５・５が接続されている。冷却モジュール４の内部には冷却水が流通する冷却水路４０が形成されており、冷却水流路４０は連結パイプ５・５と連通している。
電力変換装置１においては、連結パイプ５・５を通じて冷却モジュール４・４・・・の冷却水流路４０・４０・・・に冷却水を流通させることで、冷却モジュール４・４・・・の間に配置した半導体モジュール２・２・・・を冷却するように構成している。

冷却モジュール４は、偏平な略直方体形状に形成されており、冷却モジュール４の積層方向に対向する２面の内の一方の面に、前記積層方向と直交する方向に対して傾斜する傾斜面が形成されている（以降、この傾斜面を「冷却モジュール傾斜面４１」と記載する）。冷却モジュール傾斜面４１は、半導体モジュール傾斜面２３に対応した傾斜を有している。
また、冷却モジュール４の積層方向に対向する２面の内の他方の面における、冷却モジュール傾斜面４１の形成箇所に対応する箇所は、前記積層方向と直交する方向に沿った垂直面（以降、この垂直面を「冷却モジュール垂直面４３」と記載する）に形成されている。

冷却モジュール傾斜面４１は、冷却モジュール４の左右中央部に形成されており、冷却モジュール４における冷却モジュール傾斜面４１の左右両側部に連結パイプ５・５が接続されている。
冷却モジュール傾斜面４１には、冷却モジュール傾斜面４１の傾斜方向（図３における上下方向）に沿って返し部４２・４２が形成されている。返し部４２・４２は、冷却モジュール傾斜面４１における前記傾斜方向と直交する方向（図３における左右方向）の両端部に形成されている。

冷却ユニット３においては、冷却モジュール４・４・・・は互いに所定の寸法だけ離間した状態で積層されており、隣接する冷却モジュール４の冷却モジュール傾斜面４１と冷却モジュール４の冷却モジュール垂直面４３との間には所定の空間３１が形状されている。
冷却モジュール４・４・・・の積層方向における空間３１の一側には冷却モジュール傾斜面４１が面するとともに、他側には冷却モジュール垂直面４３が面しており、空間３１は側面視において、上側から下側へ向かうにつれて幅寸法が小さくなり、下辺が上辺よりも小さい台形形状（楔形状）に形成されている。
つまり、空間３１の側面視形状は、半導体モジュール２のモジュール本体２１の側面視形状と同様に形成されており、空間３１内に半導体モジュール２を収容可能となっている。

図５に示すように、電力変換装置１において、半導体モジュール２および冷却モジュール４は、冷却ユニット３の空間３１・３１・・・内に半導体モジュール２・２・・・を収容して、半導体モジュール２と冷却モジュール４とを交互に積層した際に、半導体モジュール傾斜面２３と冷却モジュール傾斜面４１とが対向するように配置されている。
また、半導体モジュール傾斜面２３と冷却モジュール傾斜面４１とは、略同じ形状に形成されており、冷却ユニット３の空間３１・３１・・・内に半導体モジュール２・２・・・を収容した状態では、半導体モジュール２の返し部２４・２４と冷却モジュール４の返し部４２・４２とが互いに対向することとなる。

冷却ユニット３の空間３１・３１・・・内に半導体モジュール２・２・・・を収容して、半導体モジュール２と冷却モジュール４とを交互に積層した状態では、対向する返し部２４・２４と返し部４２・４２とが互いに係合して、半導体モジュール２が冷却モジュール４に対して上方へ移動することが阻止される。
これにより、冷却ユニット３の空間３１・３１・・・内に収容した半導体モジュール２・２・・・が、空間３１・３１・・・から抜け出ることが防止される。

図４に示すように、半導体モジュール傾斜面２３に形成される返し部２４には、複数の返し刃２４ａ・２４ａ・・・が形成されている。返し刃２４ａ・２４ａ・・・は、半導体モジュール傾斜面２３の傾斜方向（図４における上下方向）に沿って配置されている。

返し刃２４ａは、係合面２４ｂと摺動面２４ｃとを有しており、係合面２４ｂは摺動面２４ｃよりも上方に位置している。
係合面２４ｂは、例えば半導体モジュール２・２・・・および冷却モジュール４・４・・・の積層方向に沿った面である。摺動面２４ｃは、半導体モジュール傾斜面２３に対して傾斜した面であり、下方から上方へいくにつれて半導体モジュール傾斜面２３から突出する方向へ傾斜している。
返し刃２４ａにおける係合面２４ｂと摺動面２４ｃとの境界部（つまり、返し刃２４ａの頂部）は、半導体モジュール傾斜面２３から突出している。

冷却モジュール傾斜面４１に形成される返し部４２には、複数の返し刃４２ａ・４２ａ・・・が形成されている。返し刃４２ａ・４２ａ・・・は、冷却体モジュール傾斜面４１の傾斜方向（図４における上下方向）に沿って配置されている。

返し刃４２ａは、係合面４２ｂと摺動面４２ｃとを有しており、係合面４２ｂは摺動面４２ｃよりも下方に位置している。
係合面４２ｂは、例えば半導体モジュール２・２・・・および冷却モジュール４・４・・・の積層方向に沿った面である。摺動面４２ｃは、冷却モジュール傾斜面４１に対して傾斜した面であり、上方から下方へいくにつれて冷却モジュール傾斜面４１から突出する方向へ傾斜している。
返し刃４２ａにおける係合面４２ｂと摺動面４２ｃとの境界部（つまり、返し刃４２ａの頂部）は、半導体モジュール傾斜面４１から突出している。

半導体モジュール２と冷却モジュール４とを交互に積層した状態では、返し刃２４ａにおける係合面２４ｂと、返し刃４２ａにおける係合面４２ｂとは、略平行であり、返し刃２４ａにおける摺動面４２ｃと、返し刃４２ａにおける摺動面４２ｃとは、略平行である。

このように構成される返し部２４を備えた半導体モジュール２を、返し部４２を備えた冷却モジュール４・４間の空間３１に上方から挿入した場合、半導体モジュール２の空間３１への挿入が進むにつれて、半導体モジュール２の半導体モジュール傾斜面２３と冷却モジュール４の冷却モジュール傾斜面４１との隙間、および半導体モジュール２の半導体モジュール垂直面２５と冷却モジュール４の冷却モジュール垂直面４３との隙間が減少していき、半導体モジュール２の返し部２４における摺動面２４ｃと冷却モジュール４の返し部４２における摺動面４２ｃとが当接するが、摺動面２４ｃは摺動面４２ｃに対して摺動可能であり、半導体モジュール２の空間３１への挿入をさらに進めることが可能である。

一方、半導体モジュール２を空間３１に挿入して、空間３１内へ収容した場合、半導体モジュール２の返し部２４における係合面２４ｂと冷却モジュール４の返し部４２における係合面４２ｂとが係合して、半導体モジュール２が空間３１から上方へ抜け出ることが阻止される。即ち、係合面２４ｂと係合面４２ｂとが係合することにより、冷却ユニット３に対する半導体モジュール２の上方への移動が規制される。

このように、電力変換装置１においては、半導体モジュール２の空間３１内への挿入時に、摺動面２４ｃが摺動面４２ｃに対して摺動可能であることから、半導体モジュール２を、半導体モジュール傾斜面２３と冷却モジュール傾斜面４１、および半導体モジュール垂直面２５と冷却モジュール垂直面４３とが密着するまで、空間３１に挿入することが可能となっている。このように半導体モジュール２を空間３１に挿入することで、半導体モジュール２と冷却モジュール４とが交互に積層配置されることとなる。

また、半導体モジュール２を、半導体モジュール傾斜面２３と冷却モジュール傾斜面４１、および半導体モジュール垂直面２５と冷却モジュール垂直面４３とが密着するまで、空間３１に挿入した際には、係合面２４ｂと係合面４２ｂとが係合して、半導体モジュール２が空間３１から上方へ抜け出ることが阻止されるため、半導体モジュール傾斜面２３と冷却モジュール傾斜面４１、および半導体モジュール垂直面２５と冷却モジュール垂直面４３との密着状態を維持することが可能となっている。

このように、返し部２４および返し部４２は、半導体モジュール２を空間３１内へ挿入する際の、半導体モジュール２の冷却ユニット３に対する挿入方向の移動（半導体モジュール２の積層方向と直交する方向における一側への移動）を許容するとともに、空間３１内に収容された半導体モジュール２の、冷却ユニット３から抜き出る方向への移動（半導体モジュール２の積層方向と直交する方向における他側への移動）を規制するように構成されている。

これにより、電力変換装置１においては、ハウジングや楔部材等の余分な部材を別途用いることなく、半導体モジュール２・２・・・と冷却モジュール４・４・・・との密着性を向上して、半導体モジュール２・２・・・の冷却性能を確保することが可能となっている。

なお、返し部２４および返し部４２は、半導体モジュール２を空間３１内へ挿入する際の、半導体モジュール２の冷却ユニット３（空間３１）に対する挿入方向の移動を許容するとともに、空間３１内に収容された半導体モジュール２の、冷却ユニット３（空間３１）から抜き出る方向への移動を規制する構成であれば、前述した返し部２４および返し部４２の構成に限るものではない。

また、冷却ユニット３においては、積層配置される冷却モジュール４・４・・・間の間隙寸法（各空間３１の前記積層方向における寸法）が、構成部材の寸法精度や組立精度等によりばらつくことがある。
例えば、図６に示すように、冷却ユニット３における、各冷却モジュール４・４・・・間の間隙である、第一の間隙Ｓ１と、第二の間隙Ｓ２と、第三の間隙Ｓ３とが互いに異なる場合がある。なお、第二の間隙Ｓ２は第一の間隙Ｓ１よりも大きく、第三の間隙Ｓ３は第二の間隙Ｓ２よりも大きい（Ｓ１＜Ｓ２＜Ｓ３）。

本実施形態の電力変換装置１においては、このように各間隙Ｓ１・Ｓ２・Ｓ３が互いに異なる場合でも、各間隙Ｓ１・Ｓ２・Ｓ３を有する空間３１・３１・・・に対して半導体モジュール２・２・・・を挿入した際に、半導体モジュール２・２・・・と冷却モジュール４とを密着させた状態に維持することができる。
具体的には、半導体モジュール２・２・・・の空間３１・３１・・・に対する挿入深さを、各間隙Ｓ１・Ｓ２・Ｓ３の大きさに応じて変えることで、半導体モジュール２・２・・・と冷却モジュール４との密着状態を維持することができる。つまり、半導体モジュール２・２・・・を、半導体モジュール２・２・・・と冷却モジュール４とが密着する状態となるまで空間３１・３１・・・内へ挿入することが可能となっている。

例えば、図７に示すように、半導体モジュール２・２・・・の下端面の、半導体モジュール２・２・・・の上端面からの挿入深さを、第一の間隙Ｓ１を有する空間３１に対してはＤ１とし、第二の間隙Ｓ２を有する空間３１に対してはＤ１よりも大きなＤ２とし、第三の間隙Ｓ３を有する空間３１に対してはＤ２よりも大きなＤ３とすることにより（Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３）、半導体モジュール２・２・・・と冷却モジュール４との密着状態を維持することができる。
この場合、最も小さな第一の間隙Ｓ１を有する空間３１については、半導体モジュール２の挿入深さが最も浅いＤ１となり、第一の間隙Ｓ１よりも大きな第二の間隙Ｓ２を有する空間３１については、半導体モジュール２の挿入深さがＤ１よりも深いＤ２となり、第二の間隙Ｓ２よりも大きな第三の間隙Ｓ３を有する空間３１については、半導体モジュール２の挿入深さがＤ２よりも深いＤ３となっている。

半導体モジュール２・２・・・の空間３１・３１・・・に対する挿入深さの調節は、半導体モジュール２・２・・・の係合面２４ｂと冷却モジュール４・４・・・の係合面４２ｂとの係合位置を変化させることで行うことができる。
例えば、第二の間隙Ｓ２を有する空間３１に半導体モジュール２を挿入する場合は、第一の間隙Ｓ１を有する空間３１に半導体モジュール２を挿入する場合に比べて、係合面２４ｂの係合面４２ｂに対する係合位置を一段下方にずらすことで、第二の間隙Ｓ２を有する空間３１に対する半導体モジュール２の挿入深さＤ２を、第一の間隙Ｓ１を有する空間３１に対する半導体モジュール２の挿入深さＤ１よりも深くすることができる。

このように、電力変換装置１においては、冷却モジュール４・４・・・間の間隙寸法がばらついた場合であっても、前記間隙寸法のばらつきを吸収して、半導体モジュール２・２・・・と冷却モジュール４とを密着させた状態で積層配置することができ、半導体モジュール２・２・・・の冷却性能を確保することが可能である。

また、上述の電力変換装置１においては、半導体モジュール２を、半導体モジュール傾斜面２３と冷却モジュール傾斜面４１、および半導体モジュール垂直面２５と冷却モジュール垂直面４３とが密着するまで、空間３１に挿入した場合は、係合面２４ｂと係合面４２ｂとの係合により半導体モジュール２を空間３１から抜き出すことができず、そのままでは半導体モジュール２を冷却ユニット３から取り外すことができない。
しかし、冷却ユニット３を以下のように構成することで、冷却モジュール４・４の間に一旦挿入した半導体モジュール２を、冷却ユニット３から取り外すことが可能となる。

例えば、図８〜図１０に示すように、冷却モジュール傾斜面４１の左右幅寸法（半導体モジュール２の挿入方向と直交する方向であって、例えば図９における左右方向の寸法）Ｗｃを、半導体モジュール傾斜面２３（モジュール本体２１）の左右幅寸法Ｗｓよりも大きくなるように形成し、冷却モジュール４・４の間に挿入した半導体モジュール２を左右幅方向へ摺動可能に構成する。
この場合、幅寸法Ｗｃを有する冷却モジュール傾斜面４１は、半導体モジュール２の返し部２４・２４と対向する返し部４２・４２のうちのいずれか一方の返し部４２よりも左右幅方向の外側に形成される、冷却モジュール傾斜面４１ａを有している。冷却モジュール傾斜面４１ａの左右幅寸法は、返し部４２の左右幅寸法と同じか、返し部４２の左右幅寸法よりも大きく形成されている。

このように、冷却モジュール傾斜面４１に冷却モジュール傾斜面４１ａを形成することで、冷却モジュール４・４の間に挿入した半導体モジュール２を左右幅方向に摺動させて、冷却ユニット３から取り外すことが可能となる。
具体的には、返し部２４・２４と返し部４２・４２とが対向する位置にあり、返し部２４の係合面２４ｂと返し部４２の係合面４２ｂとが係合した状態にある半導体モジュール２を（図１０（ａ）参照）、返し部２４・２４と返し部４２・４２とが対向しない位置となるまで冷却モジュール傾斜面４１ａ側へ摺動させて、返し部２４の係合面２４ｂと返し部４２の係合面４２ｂとの係合状態を解除する（図１０（ｂ）参照）。
さらに、係合面２４ｂと係合面４２ｂとの係合状態が解除された半導体モジュール２を上方へ摺動させることで、冷却ユニット３から抜き出すことができる（図１０（ｃ）参照）。

以上のように、冷却モジュール傾斜面４１の幅寸法Ｗｃを、半導体モジュール傾斜面２３（モジュール本体２１）の幅寸法Ｗｓよりも大きく形成して、冷却モジュール４・４の間に挿入した半導体モジュール２を幅方向に摺動させ、返し部２４の係合面２４ｂと返し部４２の係合面４２ｂとの係合状態を解除可能にすることで、半導体モジュール２を冷却ユニット３から取り出すことが可能となる。
これにより、半導体モジュール２の交換が容易に可能な電力変換装置１を構成することができる。

１ 電力変換装置
２ 半導体モジュール
３ 冷却ユニット
４ 冷却モジュール
２１ モジュール本体
２３ 半導体モジュール傾斜面
２４ （半導体モジュール傾斜面の）返し部
２４ａ 返し刃
２４ｂ 係合面
２４ｃ 摺動面
３１ （冷却モジュール間の）空間
４１ 冷却モジュール傾斜面
４２ （冷却モジュール傾斜面の）返し部
４２ａ 返し刃
４２ｂ 係合面
４２ｃ 摺動面

Claims (1)

1. 半導体モジュールと前記半導体モジュールを冷却する冷却モジュールとを交互に積層して構成される電力変換装置であって、
   前記半導体モジュールにおける前記積層方向の一側面に、前記積層方向と直交する方向に対して傾斜する半導体モジュール傾斜面が形成され、
   前記半導体モジュールは、前記積層方向と直交する方向の一側面における前記積層方向の寸法が、前記積層方向と直交する方向の他側面における前記積層方向の寸法よりも小さな楔形状に形成され、
   前記冷却モジュールにおける前記半導体モジュール傾斜面と隣接する側面に、前記半導体モジュール傾斜面に対応した傾斜を有する冷却モジュール傾斜面が形成され、
   前記半導体モジュール傾斜面および前記冷却モジュール傾斜面には、それぞれ、前記半導体モジュールの前記冷却モジュールに対する、前記積層方向と直交する方向における一側への移動を許容するとともに、前記積層方向と直交する方向における他側への移動を規制する返し部が形成されている、
   ことを特徴とする電力変換装置。
   

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