JP2016033585A - シリコンフォトニクス変調器の電極構造 - Google Patents
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- シリコンフォトニクス変調器の電極構造であって、シリコン基板平面上に、
複数のバイアス電気配線を形成するための第1層と、
複数のグランド電極部を、それぞれ前記第1層の電気配線と位置合わせして形成した第2層とを備える、電極構造。 - 前記第1層において前記複数のバイアス電気配線が相互に電気的に接続され、
前記第2層において前記複数のグランド電極部が相互に電気的に接続される
ように構成したことを特徴とする、請求項1記載の電極構造。 - 請求項2記載の電極構造において、前記シリコンフォトニクス変調器が複数の分割型変調器を用いて構成され、当該電極構造は、
前記第1層において複数の信号電極部が前記電気配線と平行に配列され、
前記複数の電気配線が、前記第1層において前記信号電極部の間隙を通じて電気的に相互に接続され、
前記複数のグランド電極部が、前記第2層において前記信号電極部の間隙を通じて相互に電気的に接続されるように構成したことを特徴とする、電極構造。 - 請求項1記載の電極構造であって、更に、
前記第1層における1つの前記電気配線と前記第2層において位置合わせされた1つのグランド電極部との間を接続するためのキャパシタンスをそれぞれ設けたことを特徴とする、電極構造。 - 請求項2記載の電極構造であって、更に、
前記第1層において前記相互に接続された電気配線と前記第2層において前記相互に接続されたグランド電極部との間を接続するための1つのキャパシタンスを設けたことを特徴とする、電極構造。
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