JP2016033522A - 温度応答性モノリス型多孔体、製造方法及びそれを用いた温度応答性クロマトグラフィー法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明は、基材表面に原子移動ラジカル重合開始剤を固定化し、その開始剤から触媒下で原子移動ラジカル法により0〜80℃の温度範囲内で水和力が変化するポリマーを成長反応させることを特徴とした上記温度応答性モノリス型多孔体の製造方法を提供する。
さらに、本発明はその温度応答性モノリス型多孔体を用いた温度応答性クロマトグラフィー法を提供する。
(モノリスシリカカラムへのシランカップリング剤の修飾)
図1に示す手法でポリ−N−イソプロピルアクリルアミド(PIPAAm、ポリ−N−イソプロピルアクリルアミドをPIPAAmと示すときがある。)修飾モノリスシリカカラムを得た。ATRP開始剤(m/p−クロロメチルフェニルエチルトリメトキシシラン)は以下の方法で修飾した。モノリスシリカカラム(製品名:Monobis、型番:3250H30SI)を75%の湿度にて18時間静置した。6 mLのm/p−クロロメチルフェニルエチルトリメトキシシランを14 mLの脱水トルエンに溶解した。その後HPLCポンプを用いて、カラム内に0.1 mL/minで16時間還流した。その後、トルエン、アセトンを反応後のカラムに流して洗浄し、110 ℃のオーブンで減圧乾燥した。密度を減少させたPIPAAm修飾表面を作製するために、ATRP開始剤(4.5 mL)とグリシジルプロピルトリメトキシシラン(1.36 mL)を14mLのトルエン溶液で溶解し、混合溶液を作製し、HPLCポンプを用いて、カラム内に0.1 mL/minで16時間還流した。その後、トルエン、アセトンを反応後のカラムに流して洗浄し、110 ℃のオーブンで減圧乾燥した。
PIPAAmブラシ修飾モノリスシリカは以下の方法で作製した。IPAAm (14.6 g, 129 mmol) を85.6 mLの2-プロパノールに溶解し、その後、窒素ガスで60分バブリングし、溶存酸素を除去した。CuCl (168 mg, 1.70 mmol)、 CuCl2 (23.0 mg, 0.171 mmol)、 Me6TREN (0.44 g, 1.91 mmol)を窒素雰囲気下で添加し、20分混合してCuCl/CuCl2/Me6TRENを形成した。モノマー溶液、ATRP開始剤修飾シリカカラム、HPLCポンプをグローブボックス内に設置し、減圧、窒素ガス封入を3回繰り返してグローブボックス内の酸素を除去した後、HPLCポンプを用いて、カラム内に0.05 mL/minで16時間流した。その後カラム内にアセトン、2-プロパノールを送液し、洗浄した後、50℃で減圧乾燥した。
ATRP開始剤を修飾したモノリスシリカロッドは以下のように特性評価した。微量ハロゲン分析により測定した。ATRP開始剤は以下の式で算出した。
モノリスシリカに修飾されたPIPAAmの分子量は以下のように測定した。PIPAAm修飾モノリスシリカをフッ化水素酸に3時間浸漬し、その後、炭酸ナトリウムで中和した後、透析膜を用いて透析し修飾PIPAAmを精製した。その後、凍結乾燥によりPIPAAmを回収し、GPCにより分子量、分子量分布を測定した。得られた分子量から下記の式を用いて算出した。
ヒドロコルチゾン、プレドニゾロン、デキサメタゾン、ヒドロコルチゾンアセテート、テストステロンの5種類の疎水性ステロイドを0.217 mg/mLでMilli-Q水、エタノール混合溶液に溶解した。PIPAAm修飾モノリスシリカカラムをHPLCシステムに接続し、Milli-Q水を1.0 mL/minで流した。疎水性ステロイドの検出は254nmでおこなった。また、ステロイドの保持挙動の解析には以下の式を用いた。
(シリカビーズへのシランカップリング剤への修飾)
ATRP開始剤(m/p−クロロメチルフェニルエチルトリメトキシシラン)修飾シリカビーズは湿度60%に静置した後、53.4 mmol/L のATRP開始剤のトルエン溶液をシリカビーズに16時間反応させることで得た。その後、トルエン、アセトンで洗浄し110℃で減圧乾燥した。
PIPAAm修飾シリカビーズを以下のように調製した。ATRP開始剤修飾シリカビーズをIPAAAm、CuCl/CuCl2/Me6TRENを添加した2-プロパノール溶液を16時間反応させた。その後、アセトン、メタノール、EDTA溶液、Milli-Q水で洗浄し、50℃で減圧乾燥した。
ATRP開始剤を修飾したシリカビーズは以下のように特性評価した。微量ハロゲン分析により測定した。ATRP開始剤は以下の式で算出した。
PIPAAm修飾シリカビーズをカラム(4.6 mm i.d. x 50 mm)に充填した。ヒドロコルチゾン、プレドニゾロン、デキサメタゾン、ヒドロコルチゾンアセテート、テストステロンの5種類の疎水性ステロイドを0.217 mg/mLでMilli-Q水、エタノール混合溶液に溶解した。PIPAAm修飾シリカビーズカラムをHPLCシステムに接続し、Milli-Q水を1.0 mL/minで流した。疎水性ステロイドの検出は254nmでおこなった。また、ステロイドの保持挙動の解析には以下の式を用いた。
(モノリスシリカカラムへの物性解析)
ATRP開始剤修飾モノリスシリカ、PIPAAm修飾モノリスシリカの元素分析をおこなった。開始剤とグリシジルプロピルトリメトキシシランを混合させて修飾させた表面、またその表面からPIPAAmを修飾させた表面も同様に評価した。元素分析の結果を図2に示す。塩素元素の組成から算出される開始剤固定化量は、炭素元素から算出される開始剤固定化量と比較して小さな値を示した。これは、それぞれの元素分析の感度の差によるものと考えられる。モノリスシリカカラム表面の炭素から算出したATRP開始剤量は、シリカビーズ上に修飾された値とほぼ同じ値であり、このことから、湿度75%での静置、30%濃度のATRP開始剤含有トルエン溶液、0.1mL/minの還流の条件により、モノリスシリカカラム表面に反応させることが可能であることがわかった。
塩素元素量はATRP開始剤のみで作製した表面の方がATRP開始剤とグリシジルプロピルトリメトキシシランを混合させて作製した表面よりも大きかった。これはグリシジルプロピルトリメトキシシランを競合的に結合させることで、表面の塩素元素量を少なくできると考えられる。
PIPAAm修飾モノリスシリカ、PIPAAm修飾シリカビーズを表面開始ATRPにより調製した。炭素元素量がATRP反応後に増加していることから、ATRP反応溶液をモノリスシリカカラムに流すことで、モノリスシリカカラム表面にPIPAAmを修飾できることが示された。
PIPAAm修飾鎖長、PIPAAm修飾密度を測定するために、PIPAAm修飾モノリスシリカ、PIPAAm修飾シリカビーズをフッ化水素酸でシリカを溶解し、修飾されていたPIPAAmを遊離させてGPCで測定した。GPCチャートを図3に示す。GPCチャートでは狭い二つのピークが混成していることが確認された。これはポリマーが表面に修飾される際に、モノリスシリカ表面と細孔内、およびモノリスシリカビーズ内と細孔内でポリマーの重合速度が異なること、および30nmの細孔内でポリマーの修飾が飽和し停止することによると考えられる。PIPAAm修飾密度はグリシジルプロピルトリメトキシシランを表面に反応さえたものは小さかった。これはPIPAAm修飾密度が開始剤密度を制御することで制御できることを示している。
表面の元素組成をXPSで確認したところ、ATRPによるPIPAAm修飾後はNの割合いが大きくなっており、N/Cの値も0.17に近づいていることがわかった(図4)。また、開始剤修飾シリカにはみられなかったC=O由来のピークがPIPAAm修飾後には確認できた。これによりPIPAAmの修飾が確認できた。
SEM画像によるPIPAAm修飾シリカ、未修飾モノリスシリカを比較したところ、マクロポアには違いが見られなかった。このことから、PIPAAm修飾によって移動相の流路を埋めてしまうことはないことが確認できた(図5、6)。
さらに各温度でのPIPAAm修飾シリカ、未修飾シリカの圧力を確認したところPIPAAm修飾モノリスシリカでは温度が上がるに従い、圧力が急激に下がっていることがわかった(図7)。これは、修飾したPIPAAmが脱水和により収縮するためと考えられる。
図8にステロイドの各温度での溶出挙動を示す。PIPAAmモノリス修飾シリカカラムでは、PIPAAm修飾シリカビーズの溶出挙動と比較して、著しく早い溶出時間(約1/5)を示していることがわかった。これは、PIPAAm修飾シリカの移動相の線速度が著しく早くなっていること。また、モノリスシリカでは移動相内に溶解している溶質とモノリスシリカに修飾されているPIPAAmとの拡散距離が短いことによると考えられる。また、モノリスシリカに修飾されたPIPAAm密度を減少させた場合はさらに溶出時間を減少させることができた。これは、PIPAAmの修飾量が少なくなるため、溶質との疎水性相互作用が弱くなるためと考えられる。
図9の保持時間と温度のプロットではPIPAAmモノリスカラムの場合は相転移温度で急激に変化する挙動がみられたが、PIPAAm修飾シリカでは徐々に保持時間が増加し、40℃を極大点として減少する傾向が見られた。ここでの結果は、モノリスカラムの特徴と考えられる。つまりモノリスに修飾すると同じ修飾構造なのに保持挙動が異なる結果が得られた。
図10のヴァントホッフプロットによる解析においてもPIPAAm修飾モノリスシリカカラムはLCST付近で大きな保持挙動変化が得られた。一方、PIPAAm修飾シリカビーズでは、保持挙動変化が少ない傾向が見られた。
図11に疎水性ステロイドの分離度の変化を示す。PIPAAm修飾モノリスシリカではPIPAAm修飾シリカビーズよりも高い分離度を示した。これにより、PIPAAm修飾モノリスシリカは早い分析時間で、高い分離度を有する担体であるといえる。
図12にカラム温度を50℃から35℃に急激に下げる温度ステップグラジエントのクロマトグラムを示す。短い分析時間内においても、カラム温度を急激に変化することで、分析時間(保持時間)をさらに短縮できることがわかった。
以上の結果よりPIPAAm修飾モノリスシリカは短い分析時間での分析が可能であり、またその分析時間を温度により自由に制御できるクロマト担体であるといえる。
Claims (23)
- 多孔体表面に0〜80℃の温度範囲内で水和力が変化するポリマーが0.01分子鎖/nm2以上の割合で高密度に固定化されていることを特徴とする温度応答性モノリス型多孔体。
- 多孔体がシリカからなる、請求項1記載の温度応答性モノリス型多孔体。
- 多孔体表面のポリマー固定化量が0.2〜10.0mg/m2である、請求項1、2いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体。
- ポリマー分子鎖が非架橋である、請求項1〜3いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体。
- ポリマーが、ポリ−N−置換アクリルアミド誘導体、ポリ−N−置換メタアクリルアミド誘導体、これらの共重合体、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルアルコール部分酢化物のいずれか一つ、もしくは二つ以上からなる、請求項1〜4いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体。
- ポリマーが、ポリ−N−イソプロピルアクリルアミドである、請求項1〜5いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体。
- ポリマーが、ポリマー分子鎖内に0〜80℃の温度範囲内で水和力が変化する性質が失われない範囲で親水性分子、疎水性分子、イオン性分子が含まれた共重合物である、請求項5、6記載いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体。
- 多孔体形状が平板状または管状である、請求項1〜7いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体。
- 多孔体表面に原子移動ラジカル重合開始剤を固定化し、その開始剤から触媒存在下で原子移動ラジカル法により0〜80℃の温度範囲内で水和力が変化するポリマーを成長反応させることを特徴とする温度応答性モノリス型多孔体の製造方法。
- 多孔体がシリカからなるものである、請求項9記載の温度応答性モノリス型多孔体の製造方法。
- 原子移動ラジカル重合開始剤が、2−m−クロロメチルフェニルエチルトリメトキシシランおよび/または2−p−クロロメチルフェニルエチルトリメトキシシランである、請求項9、10いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体製造方法。
- 原子移動ラジカル重合開始剤が0.01分子鎖/nm2以上の割合で高密度に固定化されていることを特徴とする請求項9〜11いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体の製造方法。
- 重合触媒が、ハロゲン化銅として塩化銅、リガンド錯体としてトリス(2−(ジメチルアミノ)エチル)アミンである、請求項9〜12いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体の製造方法。
- 多孔体表面のポリマー固定化量が0.2〜10.0mg/m2である、請求項9〜13いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体の製造方法。
- ポリマー分子鎖が非架橋である、請求項9〜14いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体の製造方法。
- ポリマーが、ポリ−N−置換アクリルアミド誘導体、ポリ−N−置換メタアクリルアミド誘導体、これらの共重合体、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルアルコール部分酢化物のいずれか一つ、もしくは二つ以上からなる、請求項9〜15いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体の製造方法。
- 多孔体がシリカゲル粒子、ガラス板、またはガラス粒子である、請求項9〜16いずれか1項記載の温度応答性モノリス型多孔体の製造方法。
- 請求項1〜8記載の温度応答性モノリス型多孔体表面の特性が変わる温度を挟むようにして温度変化させながら特定物を分離、又は濃縮することを特徴とする温度応答性クロマトグラフィー法。
- 請求項1〜8記載の温度応答性モノリス型多孔体に特定物を吸着させ、その後、温度を変えて担体表面の特性を変化させることで吸着した特定物を遊離させることを特徴とする請求項18記載の温度応答性クロマトグラフィー法。
- 請求項1〜8記載の温度応答性モノリス型多孔体2種以上を同一カラム内に充填し担体表面の特性が変わる温度を挟むようにして温度変化させながら特定物の分離を行うことを特徴とする請求項18、19いずれか1項記載の温度応答性クロマトグラフィー法。
- 請求項1〜8記載の温度応答性モノリス型多孔体を用い、担体表面の特性が変わる温度を挟むようにしてカラム入口端温度とカラム出口端温度を設定し、カラム内は入口端から出口端まで温度勾配をつけることで特定物の分離を行うことを特徴とする請求項18〜20いずれか1項記載の温度応答性クロマトグラフィー法。
- 移動相が水系である、請求項18〜21いずれか1項記載の温度応答性クロマトグラフィー法。
- 特定物が医薬品、もしくはその代謝物、農薬、ペプチド、蛋白質及び細胞のうちのいずれかである、請求項18〜22記載の温度応答性クロマトグラフィー法。
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JP2002119854A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-23 | Amersham Bioscience Kk Kk | 刺激応答型アフィニティクロマトグラフィー材料等の分離材料および分離精製方法 |
JP2007069193A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Mitsuo Okano | 温度応答性クロマトグラフィー担体、製造方法及びそれを用いた温度応答性クロマトグラフィー法 |
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