JP2016031860A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び透明電極板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】第一電極と第二電極との間に、短絡が生じることを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子100では、透明電極2は、第一電極21、第二電極22、及び第一電極21と第二電極22との間の間隙5を備え、間隙5の底部では、透明基板1が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕6が複数本並んで形成されていて、間隙5は、第一線状領域51、第一線状領域51の端部に接続している接続領域50、及び接続領域50から、第二線状領域52を備え、第一線状領域51の線状痕6、及び接続領域50の線状痕6は、辺71に沿っていると共に、互いに連続している。【選択図】図3
Description
本発明は、レーザーの照射によってパターニングされた透明電極板の製造方法と、この透明電極板を備える有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
従来、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)、太陽電池等の光電変換素子における、透明電極の材料として、酸化インジウムスズ(Indium Tin Oxiede:ITO)、酸化亜鉛等の透明導電酸化物が使用される。
透明電極は透明基板上に設けられると共に、透明電極の上には有機層及び対向電極が積層される。また、透明電極は、有機層と電気的に接続される第一電極と、対向電極と電気的に接続される第二電極とを備える。第一電極と第二電極との間には間隙が存在し、この間隙によって第一電極と第二電極とが絶縁されている。第一電極と対向電極との間に電圧を印加することで、有機層から光が発せられる。
第一電極と第二電極との間の間隙は、透明導電酸化物製の透明導電層にパターニングを施すことで形成される。
パターニングの方法として、例えば、透明導電層に、ウェットエッチングを施す方法が挙げられる。しかし、ウェットエッチングは、酸廃液を処理するためのコストが大きいという問題があった。
ウェットエッチング以外の方法として、例えば、特許文献1には、透明フィルム表面に形成された透明導電膜に対し、UVレーザーを走査してパターニングする方法が記載されている。
しかし、特許文献1に記載の方法の場合、レーザー加工で形成された間隙の底部の電気抵抗値が部分的に低くなることがあった。電気抵抗値が低い部分では、第一電極と第二電極との間が十分に電気的に絶縁されないため、第一電極と第二電極との間に短絡が生じることがあった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、透明導電層を備える透明電極板における、レーザー加工によるパターニングによって形成された第一電極と第二電極との間に短絡が生じることを抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス素子、及び透明電極板の製造方法を提供する。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記第一線状領域の線状痕、及び前記接続領域の線状痕は、前記辺に沿っていると共に、互いに連続している。
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記第一線状領域の線状痕、及び前記接続領域の線状痕は、前記辺に沿っていると共に、互いに連続している。
また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記接続領域の線状痕は、前記第一線状領域及び前記第二線状領域のいずれの線状痕とも連続していない。
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記接続領域の線状痕は、前記第一線状領域及び前記第二線状領域のいずれの線状痕とも連続していない。
本発明に係る透明電極板の製造方法は、透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層の表面に、光電変換領域を規定し、
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域及び前記接続領域を形成した後、前記第二線状領域を形成する。
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域及び前記接続領域を形成した後、前記第二線状領域を形成する。
本発明に係る透明電極板の製造方法は、透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層の表面に、光電変換領域を規定し、
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記接続領域を形成した後、
前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成してから、前記第二線状領域を形成する、
或いは、
前記第二線状領域を形成してから、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成する。
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記接続領域を形成した後、
前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成してから、前記第二線状領域を形成する、
或いは、
前記第二線状領域を形成してから、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成する。
本発明では、透明導電層を備える透明電極板における、レーザー加工によるパターニングによって形成された第一電極と第二電極との間に短絡が生じることを抑制することができる。
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
第一の実施形態に係る有機EL素子100を図1、2に示し、第一の実施形態に係る透明電極板10を図3に示す。
第一の実施形態に係る有機EL素子100では、透明基板1上に透明電極2を備える透明電極板10の上に、有機層3、及び対向電極4が、この順に積層されている。透明電極2は、有機層3と電気的に接続される第一電極21、対向電極4と電気的に接続される第二電極22、及び第一電極21と第二電極22との間の間隙5を備える。第一電極21は、有機層3と重複していると共に、対向電極4とも重複している発光領域7を備える。間隙5の底部では、透明基板1が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕6が複数本並んで形成されている。間隙5は、発光領域7の外縁の一辺71に沿う第一線状領域51、第一線状領域51の端部に接続している接続領域50、及び接続領域50から、発光領域7から離れる方向に伸びる第二線状領域52を備える。線状痕6のうち、第一線状領域51の線状痕6、及び接続領域50の線状痕6は、辺71に沿っていると共に、互いに連続している。
第一の実施形態に係る透明電極板10の製造方法では、まず、透明基板1上に透明導電層20を備える板の透明導電層2の表面に、光電変換領域70を規定する。尚、第一の実施形態では、光電変換領域70が発光領域7と一致する。続いて、透明導電層20にレーザー加工を施すことで、光電変換領域70の外縁の一辺71に沿う第一線状領域51、第一線状領域51の端部に接続している接続領域50、及び接続領域50から、光電変換領域70から離れる方向に伸びる第二線状領域52を備える間隙5を形成する。間隙5の形成にあたっては、透明導電層20上でレーザーの照射する位置を辺71に沿って移動させることで、第一線状領域51及び接続領域50を形成した後、第二線状領域52を形成する。
第一の実施形態に係る有機EL素子100、及び透明電極板10の製造方法では、第一線状領域51の線状痕6と、接続領域50の線状痕6とが、辺71に沿っていると共に互いに連続している。このため、間隙5の底部における、特に辺71の付近の部分の電気抵抗値の低下が抑制される。このため、第一電極21と第二電極22との間を十分に電気的に絶縁することができる。これにより、第一電極21と第二電極22との間に、短絡が生じることを防ぐことができる。
以下、第一の実施形態に係る有機EL素子100、及び透明電極板10の製造方法について更に詳しく説明する。
まず、第一の実施形態に係る有機EL素子100の構成について説明する。
有機EL素子100は、図1に示すように、透明電極板10、有機層3、及び対向電極4を備える。
透明電極板10は、透明基板1と、透明電極2とを備える。
透明基板1は、光透過性を有する。透明基板1は、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラスなどのガラス、並びにポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂などのプラスチックからなる群から選択される一種以上の材料製である。
透明電極2は、透明基板1の上に設けられている。透明電極2の材料として、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、CuI、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnOなどが挙げられる。透明電極2は、特にITO製であることが好ましい。透明電極2は、第一電極21、と第二電極22とを備える。
有機層3は、透明電極板10の上に設けられている。有機層3は、第一電極21と重複しているが、第二電極22とは重複していない(図1参照)。有機層3は、電圧が印加されると光を発する発光層を備える。発光層は、有機EL素子用の材料として公知の材料から形成され得る。発光層は、例えば、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、及び各種の蛍光色素等からなる群から選択される一種以上の材料から形成される。また、蛍光発光を生じる材料のみならず、燐光発光等のスピン多重項発光を生じる材料、スピン多重項発光を生じる部位を分子内の一部に有する化合物などが用いられてもよい。発光層は、蒸着法、転写法などの乾式プロセスによって形成されても、塗布法などの湿式プロセスによって形成されてもよい。
有機層3は、更に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入層から選択される一種以上の層を備えてもよい。これらの層は、公知の有機EL素子に適用されている適宜の材料から、公知の方法により形成され得る。
対向電極4は、有機層3の上に設けられている。対向電極4は、有機層3及び第一電極21と重複している(図1参照)。対向電極4は引き出し電極41によって第二電極22と接続されている(図1、2参照)。対向電極4は、光反射性を有することが好ましい。この場合、有機層3から第一電極21及び透明基板1を介して、光が外部へ取り出される。対向電極4及び引き出し電極41の材料としては、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物からなる電極材料が挙げられる。このような材料としては、例えば、ナトリウム、リチウム、マグネシウム、アルミニウムなどが挙げられる。
また、有機EL素子100は、封止されていてもよい。例えば、有機層3及び対向電極4を囲む枠、及び透明電極板10と対向する基板によって、有機EL素子100が封止されていてもよい。
次に、第一の実施形態に係る透明電極板10について、更に詳しく説明する。
透明電極板10は、透明基板1と透明電極2とを備える。この透明電極2は、図3に示すように、第一電極21、第二電極22、及び第一電極21と第二電極22との間の間隙5を備える。図3に示すように、間隙5によって第一電極21と第二電極22とが隔てられている。第一電極21の表面には矩形の発光領域7がある。発光領域7は、第一電極21における、有機層3、及び対向電極4と重複する部分である。発光領域7の外周は、透明電極2の外周よりも内側にある。
間隙5の底部では、透明基板1の表面が露出している。透明基板1の露出している部分には、線状痕6が複数並んで形成されている。
線状痕6は、図4に示すように、複数の短パルス加工痕60から構成される。短パルス加工痕60とは、短パルスレーザーの照射により形成される円形の痕のことである。線状痕6を構成する短パルス加工痕60は、重なりあいながら、直線状に並んでいる。また、線状痕6と直交する方向に隣り合う短パルス加工痕60は、一部重なっている。
第一の実施形態の間隙5は、第一線状領域51、二つの接続領域50、及び二つの第二線状領域52を備える(図3参照)。
第一線状領域51は、有機層3が配置される発光領域7の外縁の一辺である辺71に沿っている。尚、本明細書において、辺71に沿う方向を方向D1という。すなわち、第一線状領域51は、辺71の近傍にあり、第一線状領域51の長手方向が辺71に沿っている。辺71と第一線状領域51との間の寸法L1は30〜2000μmの範囲内であることが好ましい。
第一線状領域51の方向D1と直交する方向の寸法R1が小さいと、発光領域7を広くすることができる。このため、寸法R1は小さいことが好ましい。具体的には、寸法R1は、50〜300μmの範囲内であることが好ましい。第一の実施形態では、第一線状領域51の底部に形成されている複数の線状痕6は、辺71に沿っている。
第一の実施形態では、第一線状領域51の方向D1の一端と他端の各々に、接続領域50が接続している。接続領域50の方向D1と直交する方向の寸法R2は、第一線状領域51の寸法R1と同じである。第一の実施形態では、接続領域50の底部に形成されている複数の線状痕6は、辺71に沿っていると共に、第一線状領域51の線状痕6と連続している。第一の実施形態では、一方の接続領域50から、第一線状領域51を通って、他方の接続領域50まで、線状痕6が連続している。
第二線状領域52は、第一線状領域51の両端にそれぞれ接続している二つの接続領域50から透明電極2の外縁まで、それぞれ、発光領域7から離れる方向に伸びている。このため、接続領域50は、第一線状領域51を延長した部分と、第二線状領域52を延長した部分とが交わる角部である。第一の実施形態では、第二線状領域52の方向D1と直交する方向の寸法R3は、第一線状領域51の寸法R1よりも大きい。第二線状領域52の方向D1の寸法R3は、1000〜3000μmの範囲内であることが好ましい。第一の実施形態では、第二線状領域52の底部に形成されている線状痕6が、辺71と交差する方向に沿っていると共に、接続領域50の線状痕6と連続していない。
次に、第一の実施形態に係る透明電極板10の製造方法について説明する。
まず、透明基板1上に透明導電層20を備える板を用意する。この透明導電層20は、第一電極21及び第二電極22と同じ材料から作製される。
続いて、透明導電層20の表面に、光電変換領域70を規定する。光電変換領域70は、有機EL素子100の発光領域7に相当する領域である。
次に、透明導電層20の表面にレーザー加工を施す。具体的には、透明導電層20に対してレーザーを照射して、透明導電層20におけるレーザーが照射された部分を除去する。
第一の実施形態では、透明基板1上に透明導電層20が積層されているが、この透明導電層20にレーザーを照射しても、透明基板1は除去されない。これは、透明導電層20及び透明基板1の材料に応じたレーザーの種類、及び周波数を有するレーザーを照射するためである。このため、第一の実施形態では、例えば、透明基板1の材料が無アルカリガラスであって、透明導電層20の材料が酸化インジウム錫である場合に、透明導電層20に照射するレーザーの波長は、500〜2000μmであることが好ましい。また、レーザーの周波数は1〜1000kHzの範囲内であることが好ましい。
透明導電層20に照射するレーザーの照射位置を移動させることによって、透明導電層20が線状に取り除かれると共に、線状に透明基板1が露出する。
透明導電層20にレーザーを照射して透明導電層20を取り除く際、熱が発生する。この熱影響により、露出した透明基板1の表面に痕が形成される。透明導電層20に照射したレーザーが短パルスレーザーである場合、露出した透明基板1の表面に、円形状の短パルス加工痕60が形成される。
レーザーの照射位置を移動させて透明導電層20を線状に取り除き、線状に透明基板1を露出させると、この透明基板1の表面には、重なり合いながら線状に並んだ複数の短パルス加工痕60が形成される。複数の短パルス加工痕60が重なり合いながら線状に並んだものが、線状痕6である。例えば、図4に示す黒矢印に沿ってレーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20にレーザーを照射することにより、図4に示す線状痕6が形成される。
レーザー加工の性質として、先に照射されたレーザーによる加工は、後に照射されたレーザーによる影響を受けないことが挙げられる。これは、先に照射されたレーザーによって透明導電層20が取り除かれると、その後レーザーを照射しても透明導電層20が既に取り除かれているため、透明導電層20を取り除く際の熱が発生せず、透明基板1に痕が形成されないためである。
このため、図4に示すように、先に照射されたレーザーの短パルス加工痕601は、レーザーの照射を受けた部分全てに加工痕が形成されている。それに対して、後に照射されたレーザーの短パルス加工痕602は、レーザーの照射を受けた部分における、先に照射されたレーザーの短パルス加工痕601と重なる部分には形成されていない。
このため、線状痕6を構成する短パルス加工痕60を観察することで、レーザーの照射位置の移動方向、及びレーザーを照射した順番を知ることができる。例えば、交差している線状痕6を観察して、図5Aのような線状痕6が観察された場合、線状痕61が先に形成され、線状痕62が後に形成されたことがわかる。また、交差する線状痕6を観察して、図5Bのような線状痕6が観察された場合、線状痕62にが先に形成され、線状痕61が後に形成されたことがわかる。
また、透明導電層20に短パルスレーザーを照射して、線状痕6を形成した試験結果を以下に示す。
(試験)
異なるビームパワーを有する短パルスレーザーを使用し、それぞれのレーザーについて、レーザーの照射位置の移動速度を変化させ、透明導電層にレーザーを照射することで形成される間隙の底部の電気抵抗値を測定した。
異なるビームパワーを有する短パルスレーザーを使用し、それぞれのレーザーについて、レーザーの照射位置の移動速度を変化させ、透明導電層にレーザーを照射することで形成される間隙の底部の電気抵抗値を測定した。
具体的には、40mm×40mmの無アルカリガラス基板上のITO層(厚90nm)に対して、レーザーを照射した。レーザーの照射には、レーザーマーカー(LP−F13R−HZ Yb:ファイバーレーザー、SUNX社製)を使用した。レーザーの照射位置が描く軌跡の端部は、基板の外縁の外にある。
そして、汎用ソースメータ(Keithley2400、ケースレーインスツルメンツ製)を用いて、形成された間隙の両端に21Vの電圧を印加し、間隙の底部の電気抵抗値を測定した。その結果を表1に示す。
表1より、ビームパワーの異なるレーザーにおいて、レーザーの照射位置の移動速度を遅くすることで、電気抵抗値が小さくなる傾向がある。
また、表1における、ビームパワーが1.35Wである場合に形成された間隙について、光学顕微鏡で観察した結果を図6Aに示し、各線状痕の深さを接触式段差系で測定した結果を図6Bに示す。
図6Aによると、レーザーの照射位置の移動速度が速い場合、鮮明な短パルス加工痕が形成されている。一方、レーザーの照射位置の移動速度が遅い場合、不鮮明な短パルス加工痕が形成されている。
図6Bによると、レーザーの照射位置の移動速度が速い場合、明確な間隙が形成されると共に、間隙の深さはITO層の厚みと略一致する。一方、レーザーの照射位置の移動速度が遅い場合、間隙は明確でなく、ITO層が十分に除去されていない。
この試験結果から、線状痕6を形成する際にレーザーの照射位置の移動速度を遅くすると、透明電極板10における、透明導電層20の除去された部分の電気抵抗値が低くなる、といえる。これは、レーザーの照射位置の移動速度が遅い部分では、レーザーの照射によって生じる熱量が大きくなり、その結果、透明導電層20を構成する物質と、透明基板1を構成する物質との反応生成物が生成して、残留してしまうためであると考えられる。このような、電気抵抗値が低い部分が形成されると、第一電極21と第二電極22との間に短絡が生じてしまう。
また、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、レーザーの照射位置の移動速度が0となる。このため、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、電気抵抗値が低くなりやすい。
これらのことから、本発明では、レーザー加工で間隙5を形成するにあたり、電気抵抗値が低い部分によって第一電極21と第二電極22との間に短絡が生じることを抑制することを目的とする。
第一の実施形態では、まず、レーザー加工によって、第一線状領域51、及び二つの接続領域50を形成する(図7A参照)。
具体的には、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、辺71に沿った線状痕6を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向D1と直交する方向にずらす。続いて、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、辺71に沿った線状痕6を形成する。この手順を複数回繰り返すことで、線状痕6が複数並んで形成され、これにより、第一線状領域51、及び第一線状領域51の方向D1の両端に接続した二つの接続領域50が形成される。
レーザーの照射位置をずらす距離は、短パルス加工痕60の加工径の1/3〜1/2の範囲内であることが好ましい。レーザーの照射位置をずらす際には、レーザーの照射を停止することが好ましい。
次に、二つの第二線状領域52を形成する(図7B参照)。第一の実施形態では、二つの接続領域50が存在し、二つの接続領域50に、それぞれ接続する二つの第二線状領域52を形成するが、どちらの第二線状領域52を先に形成してもよい。
第一の実施形態では、第二線状領域52の形成に使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径は、第一線状領域51及び接続領域50を形成したレーザーの短パルス加工痕60の加工径と同じである。
第二線状領域52の形成にあたり、まず、方向D1と直交する方向、すなわち、第二線状領域52の長手方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、光電変換領域70から離れる方向に伸びる線状痕6を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向D1に沿ってずらす。続いて、方向D1と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20にレーザーを照射して、光電変換領域70に近づく方向に伸びる線状痕6を形成する。この手順を繰り返すことで、線状痕6が複数並んで形成され、これにより、第二線状領域52が形成される。
方向D1と直交する方向にレーザーの照射位置を移動させる際、レーザーの照射位置が描く軌跡の、一方の端部が接続領域50内にあり、他方の端部が透明導電層20の外縁の外にあることが好ましい。
上記のレーザー加工によって、図3に示す、第一線状領域51、二つの接続領域50、及び二つの第二線状領域52が形成される。これにより、第一電極21、第二電極22、及び間隙5を備える透明電極板10が形成される。
第一の実施形態に係る有機EL素子100及び透明電極板10が上記の構成を備えることにより、以下の効果を奏する。
第一の実施形態では、第一線状領域51と接続領域50とを第二線状領域52よりも先に形成していると共に、第一線状領域51と接続領域50とを、透明導電層20に対する連続したレーザーの照射によって形成している。このため、第一線状領域51の線状痕6、及び接続領域50の線状痕6は、辺71に沿っていると共に、連続している。第一線状領域51及び接続領域50における辺71の近傍に、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在すると、辺71の近傍の電気抵抗値が低くなり、第一電極21と第二電極22との間に短絡が生じやすくなる。しかしながら、第一の実施形態では、第一線状領域51及び接続領域50における辺71の近傍に、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在していない。このため、第一線状領域51及び接続領域50における辺71の近傍の電気抵抗値が高い。これにより、第一電極21と第二電極22との間の短絡を抑制することができる。特に、発光領域7の面積を広くするために寸法R1を小さくしている場合であっても、短絡を抑制することができる。
第一の実施形態では、第二線状領域52の長手方向に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、効率よく第二線状領域52を形成することができる。特に、レーザーの照射位置が描く軌跡の発光領域7側の端部が、接続領域50内にあれば、接続領域50には既にレーザー加工が施されているため、この端部でレーザーの照射位置の移動速度が0になっても、電気抵抗値の低下は生じない。また、レーザーの照射位置が描く軌跡の発光領域7側とは反対側の端部が、透明導電層20の外縁の外にあれば、透明導電層20が存在しない位置でレーザーの照射位置の移動速度が0になるので、電気抵抗値の低下は生じない。このため、第一電極21と第二電極22との短絡を更に抑制することができる。
尚、第一の実施形態では、第一線状領域51及び接続領域50の線状痕6を形成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径と、第二線状領域52の線状痕6を形成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径が同じであるが、これに限られない。
例えば、第一線状領域51及び接続領域50の線状痕6を構成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径と、第二線状領域52の線状痕6を構成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径とが異なっていてもよい。例えば、レーザーパワーを強くする、レーザーの焦点をぼかす、レーザーの光源を変更する、或いは、適宜の光学系を用いることにより、短パルス加工痕60の加工径の大きさを調整することができる。このため、第一線状領域51、及び第二線状領域52を形成するにあたり、第一線状領域51の寸法R1、及び第二線状領域52の寸法R3に応じて、レーザーパワーの調整等を行い、短パルス加工痕60の加工径を異ならせることにより、第一線状領域51、接続領域50、及び第二線状領域52を効率よく形成することができる。
短パルス加工痕60の加工径を調整する場合、例えば、複数の短パルス加工痕60のうち、第一線状領域51の線状痕6を構成する短パルス加工痕6の加工径が、第二線状領域52の線状痕6を構成する短パルス加工痕60の加工径よりも小さいことが好ましい。すなわち、第二線状領域52の線状痕6を構成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径が、第一線状領域51及び接続領域50の線状痕6を構成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径よりも大きいことが好ましい。短パルス加工痕60の加工径を大きくすることで、線状痕6の幅寸法を大きくすることができる。第一の実施形態では、第二線状領域52の寸法R3は、第一線状領域51の寸法R1よりも大きいため、第二線状領域52の線状痕6の幅寸法を大きくすることにより、第二線状領域52を形成するのに必要なレーザーの照射回数を少なくすることができる。これにより、第二線状領域52を効率よく形成することができる。
また、短パルス加工痕60の加工径が大きい場合、レーザーの照射による発熱量が大きいため、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、電気抵抗値が特に低下しやすい。しかしながら、第二線状領域52を形成する際の、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部が、それぞれ接続領域50内と透明導電層20の外縁の外にあれば、電気抵抗値の低下を抑制することができる。
以下、第二の実施形態に係る有機EL素子100、及び透明電極板10の製造方法について更に詳しく説明する。
第二実施形態に係る有機EL素子100の、透明電極板10以外の構成は、第一の実施形態の有機EL素子100の構成と同じである。
続いて、第二の実施形態に係る透明電極板10について、図8を参照しながら、更に詳しく説明する。
第二の実施形態の間隙5は、第一線状領域51、二つの接続領域50、及び二つの第二線状領域52を備える。
第一線状領域51及び接続領域50は、第一の実施形態に係る透明電極板10の第一線状領域51及び接続領域50と同じである。すなわち、第一線状領域51は、辺71の近傍にあり、第一線状領域51の長手方向が辺71に沿っている。また、第一線状領域51の方向D1の両端に二つの接続領域50がそれぞれ接続されている。更に、接続領域50の底部に形成されている複数の線状痕6は、辺71に沿っていると共に、第一線状領域51の線状痕6と連続している。
第二線状領域52は、第一線状領域51の方向D1の両端に接続している二つの接続領域50から、それぞれ発光領域7から離れる方向に伸びている。第二の実施形態では、第二線状領域52が、接続領域50と接続する受け領域53を備える。
受け領域53の方向D1と直交する方向の寸法R4は、30〜1000μmの範囲内であることが好ましい。受け領域53の底部に形成されている複数の線状痕6は、辺71に沿っている。このため、第二の実施形態では、受け領域53の線状痕6は、第一線状領域51及び接続領域50の線状痕6に沿っている。
第二の実施形態では、受け領域53以外の第二線状領域52における複数の線状痕6が、辺71と交差する方向に沿っている。このため、第二線状領域52では、受け領域53とそれ以外の領域とで、線状痕6が連続していない。
以下、第二の実施形態に係る透明電極板10の製造方法について、図9A、図9B、及び図9Cを参照しながら、説明する。
まず、透明基板1上に透明導電層20を備える板を用意して、この透明導電層20の表面に、光電変換領域70を規定する。
次に、透明導電層20の表面にレーザー加工を施す。
第二の実施形態では、まず、第一線状領域51及び二つの接続領域50を形成する(図9A参照)。第一線状領域51及び接続領域50を形成する方法は、第一の実施形態に係る透明電極板10の製造方法と同じである。
次に、二つの第二線状領域52を形成する(図9B参照)。第二の実施形態では、第一線状領域51の方向D1の両端に、二つの接続領域50が接続し、この二つの接続領域50に、それぞれ接続する二つの第二線状領域52を形成するが、どちらの第二線状領域52を先に形成してもよい。
第二線状領域52の形成にあたり、まず、受け領域53を形成する。
受け領域53の形成にあたり、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、接続領域50に隣接し、且つ辺71に沿う線状痕6を形成した後、レーザーの照射位置を方向D1と直交する方向にずらし、再び、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射する。この手順を複数回繰り返すことで、辺71に沿う線状痕6が複数並んで形成され、これにより、受け領域53が形成される。
レーザーの照射位置をずらす距離は、短パルス加工痕60の加工径の1/3〜1/2の範囲内であることが好ましい。レーザーの照射位置をずらす際には、レーザーの照射を停止することが好ましい。
次に、第二線状領域52における受け領域53以外の領域を形成する(図9C参照)。
まず、方向D1と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、光電変換領域70から離れる方向に伸びる線状痕6を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向D1に沿ってずらす。続いて、方向D1と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20にレーザーを照射して、光電変換領域70に近づく方向に伸びる線状痕6を形成する。この手順を繰り返すことで、線状痕6が複数並んで形成され、これにより、第二線状領域52における受け領域53以外の領域が形成される。
方向D1と直交する方向にレーザーの照射位置を移動させる際、レーザーの照射位置が描く軌跡の、一方の端部が受け領域53内又は接続領域50内にあり、他方の端部が透明導電層20の外縁の外にあることが好ましい。
上記のレーザー加工によって、図8に示す、第一線状領域51、二つの接続領域50、及び二つの第二線状領域52が形成される。これにより、第一電極21、第二電極22、及び間隙5を備える透明電極板10が形成される。
第二の実施形態に係る有機EL素子100及び透明電極板10が上記の構成を備えることにより、以下の効果を奏する。
第二の実施形態では、第二線状領域52における受け領域53以外の領域を形成する際、その長手方向に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、第二線状領域52における受け領域53以外の領域を効率よく形成することができる。特に、レーザーの照射位置の軌跡の発光領域7側の端部が、受け領域53又は接続領域50内にあれば、受け領域53及び接続領域50には、既にレーザー加工が施されているため、この端部でレーザーの照射位置の移動速度が0になっても、電気抵抗値の低下は生じない。また、レーザーの照射位置の軌跡の発光領域7側とは反対側の端部が、透明導電層20の外縁の外にあれば、透明導電層20が存在しない位置でレーザーの照射位置の移動速度が0になるので、電気抵抗値の低下が生じない。このため、第一電極21と第二電極22との間の短絡を更に抑制することができる。
また、受け領域53以外の第二線状領域52のレーザー加工を施す場合、寸法R1及びR2が小さくても、レーザーの照射位置を、接続領域50の発光領域7の外縁に達する前に、受け領域53内又は接続領域50内で停止させることが容易になる。このため、レーザー加工の精度が高くなる。
更に、レーザー加工で受け領域53を形成する際には、レーザーの照射位置の軌跡の端部で電気抵抗値の低下が生じることがあるが、寸法R3は寸法R1及びR2より大きく形成することができるため、第一電極21と第二電極22との短絡を抑制することができる。
尚、第二の実施形態においても、第一の実施形態と同様に、第一線状領域51及び接続領域50の線状痕6を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径と、第二線状領域52の線状痕6を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。
第二の実施形態では、受け領域53の線状痕6を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径と、第一線状領域51及び接続領域50を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。
また、受け領域53の線状痕6を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径と、受け領域53以外の第二線状領域52の線状痕6を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。
例えば、受け領域53以外の第二線状領域52を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径が、受け領域53の線状痕6を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径よりも、大きくてもよい。
以下、第三の実施形態に係る有機EL素子100、及び透明電極板10の製造方法について説明する。
第三の実施形態に係る有機EL素子100は、透明基板1上に透明電極2を備える透明電極板10の上に、有機層3、及び対向電極4が、この順に積層されている。透明電極2は、有機層3と電気的に接続される第一電極21、対向電極4と電気的に接続される第二電極22、及び第一電極21と第二電極22との間の間隙5を備える。第一電極21は、有機層3と重複していると共に、対向電極4とも重複している発光領域7を備える。間隙5の底部では、透明基板1が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕6が複数本並んで形成されている。間隙5は、発光領域7の外縁の一辺71に沿う第一線状領域51、第一線状領域51の端部に接続している接続領域50、及び接続領域50から、発光領域7から離れる方向に伸びる第二線状領域52を備える。線状痕6のうち、接続領域50の線状痕6は、第一線状領域51及び第二線状領域52のいずれの線状痕6とも連続していない。
第三の実施形態に係る透明電極板10の製造方法では、まず、透明基板1上に透明導電層20を備える板の透明導電層20の表面に、光電変換領域70を規定する。続いて、透明導電層20にレーザー加工を施すことで、光電変換領域70の外縁の一辺71に沿う第一線状領域51、第一線状領域51の端部に接続している接続領域50、及び接続領域50から、光電変換領域70から離れる方向に伸びる第二線状領域52を備える間隙5を形成する。
間隙5の形成にあたっては、接続領域50を形成した後、透明導電層20上でレーザーの照射する位置を辺71に沿って移動させることで、第一線状領域51を形成してから、第二線状領域52を形成する。或いは、第二線状領域52を形成してから、透明導電層20上でレーザーの照射する位置を辺71に沿って移動させることで、第一線状領域51を形成する。
以下、第三の実施形態に係る有機EL素子100、及び透明電極板10の製造方法について更に詳しく説明する。
第三の実施形態に係る有機EL素子100の、透明電極板10以外の構成は、第一の実施形態の有機EL素子100の構成と同じである。
続いて、第三のの実施形態に係る透明電極板10について、図10を参照しながら、更に詳しく説明する。
第三の実施形態の間隙5は、第一線状領域51、二つの接続領域50、及び二つの第二線状領域52を備える。
第一線状領域51は、有機層3が配置される発光領域7の外縁の一辺である辺71に沿っている。すなわち、第一線状領域51は、辺71の近傍にあり、第一線状領域51の長手方向が辺71に沿っている。第三の実施形態では、第一線状領域51の底部に形成されている複数の線状痕6は、辺71に沿っている。
第三の実施形態では、第一線状領域51の方向D1の一端と他端の各々に、接続領域50が接続している。第三の実施形態では、接続領域50における複数の線状痕6は、第一線状領域51の線状痕6と連続していない。接続領域50の底部に形成されている線状痕6の方向は、特に限定されない。第三の実施形態では、接続領域50における複数の線状痕6は、例えば、辺71に沿っている。
第二線状領域52は、第一線状領域51の両端にそれぞれ接続している二つの接続領域50から透明電極2の外縁まで、それぞれ、発光領域7から離れる方向に伸びている。第三の実施形態では、第二線状領域52の底部に形成されている線状痕6が、辺71と交差する方向に沿っていると共に、接続領域50の線状痕6と連続していない。
すなわち、第三の実施形態では、接続領域50の線状痕6は、第一線状領域51及び第二線状領域52のいずれの線状痕6とも連続していない。
以下、第三の実施形態に係る透明電極板10の製造方法について説明する。
まず、透明基板1上に透明導電層20を備える板を用意して、この透明導電層20の表面に、光電変換領域70を規定する。
次に、透明導電層20の表面にレーザー加工を施す。
第三の実施形態では、まず、二つの接続領域50を形成する(図11A参照)。二つの接続領域50のうち、どちらを先に形成してもよい。
第三の実施形態では、接続領域50を形成する際、第一線状領域51を形成する際のレーザー加工時と比べて発熱量の少ない条件で、レーザー加工を施すことが好ましい。例えば、第一線状領域51の形成時と比べて、ビームパワーが弱いレーザー、又は短パルス加工痕60の加工径が小さいレーザーを使用して、レーザー加工を施すことが好ましい。この場合、レーザーの照射位置の移動する方向は特に限定されない。第三の実施形態では、例えば、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させる。
接続領域50の形成にあたり、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、辺71に沿った線状痕6を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向D1と直交する方向にずらす。続いて、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射すして、辺71に沿った線状痕6を形成する。この手順を複数回繰り返すことで、線状痕6が複数並んで形成され、これにより、接続領域50が形成される。
レーザーの照射位置をずらす距離は、短パルス加工痕60の加工径の1/3〜1/2の範囲内であることが好ましい。レーザーの照射位置をずらす際には、レーザーの照射を停止することが好ましい。
次に、第一線状領域51及び第二線状領域52を形成する。第一線状領域51を形成した後、第二線状領域52を形成してもよく、第二線状領域52を形成した後、第一線状領域51を形成してもよい。第三の実施形態では、第一線状領域51を先に形成する(図11B参照)。
第一線状領域51の形成にあたり、まず、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、辺71に沿った線状痕6を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向D1と直交する方向にずらす。続いて、方向D1に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、辺71に沿う線状痕6を形成する。この手順を複数回繰り返すことで、線状痕6が複数並んで形成され、これにより、第一線状領域51が形成される。
方向D1に沿ってレーザーの照射位置を移動させる際、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端は、それぞれ接続領域50内にあることが好ましい。
次に、二つの第二線状領域52を形成する(図11C参照)。第三の実施形態では、二つの接続領域50が存在し、二つの接続領域50に、それぞれ接続する二つの第二線状領域52を形成するが、どちらの第二線状領域52を先に形成してもよい。
第二線状領域52の形成にあたり、まず、方向D1と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20の表面にレーザーを照射して、光電変換領域70から離れる方向に伸びる線状痕6を形成する。続いて、レーザーの照射位置を方向D1に沿ってずらす。続いて、方向D1と直交する方向に沿って、レーザーの照射位置を移動させながら、透明導電層20にレーザーを照射して、光電変換領域70に近づく方向に伸びる線状痕6を形成する。この手順を繰り返すことで、線状痕6が複数並んで形成され、これにより、第二線状領域52が形成される。
方向D1と直交する方向にレーザーの照射位置を移動させる際、レーザーの照射位置が描く軌跡の、一方の端部が接続領域50内にあり、他方の端部が透明導電層20の外縁の外にあることが好ましい。
上記のレーザー加工によって、図10に示す、第一線状領域51、二つの接続領域50、及び二つの第二線状領域52が形成される。これにより、第一電極21、第二電極22、及び間隙5を備える透明電極板10が形成される。
第三の実施形態に係る有機EL素子100及び透明電極板10が上記の構成を備えることにより、以下の効果を奏する。
第三の実施形態では、接続領域50の形成時に、第一線状領域51を形成する際のレーザー加工と比べて発熱量の少ない条件でレーザー加工すると、レーザーの照射位置の移動速度が0となっても、電気抵抗値の低下を抑制することができる。このため、第一電極21と第二電極22との間の短絡を更に抑制することができる。
また、接続領域50を第一線状領域51よりも先に形成していると共に、第一線状領域51の線状痕6が辺71に沿っている。もしも、第一線状領域51における辺71の近傍に、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在すると、辺71の近傍の電気抵抗値が低くなり、第一電極21と第二電極22との間に短絡が生じやすくなる。しかしながら、第三の実施形態では、第一線状領域51における辺71の近傍に、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部が存在していない。このため、第一線状領域51における辺71の近傍の電気抵抗値が高い。これにより、第一電極21と第二電極22との間の短絡を抑制することができる。特に、発光領域7の面積を広くするために寸法R1を小さくしている場合であっても、短絡を抑制することができる。
第三の実施形態では、第二線状領域52の長手方向に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、効率よく第二線状領域52を形成することができる。特に、レーザーの照射位置が描く軌跡の発光領域7側の端部が、接続領域50内にあれば、接続領域50には既にレーザー加工が施されているため、この端部でレーザーの照射位置の移動速度が0になっても、電気抵抗値の低下は生じない。また、レーザーの照射位置が描く軌跡の発光領域7側とは反対側の端部が、透明導電層20の外縁の外にあれば、透明導電層20が存在しない位置でレーザーの照射位置の移動速度が0になるので、電気抵抗値の低下は生じない。このため、第一電極21と第二電極22との短絡を更に抑制することができる。
第三の実施形態では、第一線状領域51の長手方向に沿ってレーザーの照射位置を移動させるため、効率よく第一線状領域51を形成することができる。特に、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部が、接続領域50内にあれば、接続領域50には既にレーザー加工が施されているため、両端部でレーザーの照射位置の移動速度が0になっても、電気抵抗値の低下は生じない。このため、第一電極21と第二電極22との短絡を更に抑制することができる。
尚、第三の実施形態では、第一線状領域51の線状痕6を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径と、第二線状領域52の線状痕6を形成するのに使用するレーザーの短パルス加工痕60の加工径とが、同じであってもよく、異なっていてもよい。
例えば、レーザーパワーを強くする、レーザーの焦点をぼかす、レーザーの光源を変更する、或いは、適宜の光学系を用いることにより、短パルス加工痕60の加工径の大きさを調整することができる。このため、第一線状領域51、及び第二線状領域52を形成するにあたり、第一線状領域51の寸法R1、及び第二線状領域52の寸法R3に応じて、レーザーパワーの調整等を行い、短パルス加工痕60の加工径を異ならせることにより、第一線状領域51、接続領域50、及び第二線状領域52を効率よく形成することができる。
短パルス加工痕60の加工径を調整する場合、例えば、第二線状領域52の線状痕6を構成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径が、第一線状領域51の線状痕6を構成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径よりも大きいことが好ましい。第二線状領域52の寸法R3は、第一線状領域51の寸法R1よりも大きいため、第二線状領域52の線状痕6の幅寸法を大きくすることにより、第二線状領域52を形成するのに必要なレーザーの照射回数を少なくすることができる。これにより、第二線状領域52を効率よく形成することができる。
また、短パルス加工痕60の加工径が大きい場合、レーザーの照射による発熱量が大きいため、レーザーの照射位置が描く軌跡の端部では、電気抵抗値が特に低下しやすい。しかしながら、第二線状領域52を形成する際の、レーザーの照射位置が描く軌跡の両端部が、それぞれ接続領域50内と透明導電層20の外縁の外にあれば、電気抵抗値の低下を抑制することができる。
更に、第三の実施形態では、接続領域50の線状痕6を構成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径が、第一線状領域51及び第二線状領域52の線状痕6を構成するレーザーの短パルス加工痕60の加工径と異なっていてもよい。接続領域50を形成するにあたり、接続領域50の寸法に応じて、短パルス加工痕60の加工径を異ならせることにより、接続領域50を効率よく形成することができる。
接続領域50の線状痕6を構成する短パルス加工痕60の加工径を調整する場合、例えば、接続領域50の線状痕6を構成する短パルス加工痕60の加工径を、第一線状領域51、及び第二線状領域52の線状痕6を構成する短パルス加工痕60の加工径よりも、小さくすることが好ましい。短パルス加工痕60の加工径が小さいと、レーザーの照射による発熱量が少ない。これにより、接続領域50の形成に伴う、電気抵抗値の低下を抑制することができ、第一電極21と第二電極22との間の短絡を更に防ぐことができる。
更に、第三の実施形態においても、第二の実施形態と同様に、第二線状領域52が、接続領域50と接続する受け領域53を備えていてもよい。この受け領域53を、接続領域50を形成した後に形成してもよく、第一線状領域51を形成した後に形成してもよい。
第二線状領域52が受け領域53を備える場合、第二線状領域52を形成する際のレーザーの照射位置の軌跡の発光領域7側の端部が、受け領域53内又は接続領域50内にあれば、受け領域53及び接続領域50には、既にレーザー加工が施されているため、この端部でレーザーの照射位置の移動速度が0になっても、電気抵抗値の低下は生じない。
また、受け領域53以外の第二線状領域52のレーザー加工を施す場合、寸法R1及びR2が小さくても、レーザーの照射位置を、接続領域50の発光領域7の外縁に達する前に、受け領域53内又は接続領域50内で停止させることが容易になる。このため、レーザー加工の精度が高くなる。
更に、第一乃至第三の実施形態に係る透明電極板10の製造方法によって製造された透明電極板10は、有機EL素子だけでなく、光を電気に、或いは電気を光に変換する適宜の光電変換素子に適用することができる。例えば、透明電極板10を太陽電池に適用することができる。
1 透明基板
2 透明電極
20 透明導電層
21 第一電極
22 第二電極
3 有機層
4 対向電極
5 間隙
50 接続領域
51 第一線状領域
52 第二線状領域
53 受け領域
6 線状痕
60 短パルス加工痕
7 発光領域
70 光電変換領域
71 辺
2 透明電極
20 透明導電層
21 第一電極
22 第二電極
3 有機層
4 対向電極
5 間隙
50 接続領域
51 第一線状領域
52 第二線状領域
53 受け領域
6 線状痕
60 短パルス加工痕
7 発光領域
70 光電変換領域
71 辺
Claims (8)
- 透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記第一線状領域の線状痕、及び前記接続領域の線状痕は、前記辺に沿っていると共に、互いに連続している有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 透明基板上に透明電極を備える透明電極板の上に、有機層、及び対向電極が、この順に積層され、
前記透明電極は、前記有機層と電気的に接続される第一電極、前記対向電極と電気的に接続される第二電極、及び前記第一電極と前記第二電極との間の間隙を備え、
前記第一電極は、前記有機層と重複していると共に、前記対向電極とも重複している発光領域を備え、
前記間隙の底部では、前記透明基板が露出していると共に、レーザーの照射で形成される線状痕が複数本並んで形成されていて、
前記間隙は、前記発光領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記発光領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備え、
前記線状痕のうち、前記接続領域の線状痕は、前記第一線状領域及び前記第二線状領域のいずれの線状痕とも連続していない有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記第二線状領域は、前記接続領域と接続する受け領域を備え、
前記間隙の底部の前記線状痕のうち、前記受け領域の線状痕は、前記辺に沿っている請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記間隙の底部の前記線状痕は、複数の短パルス加工痕から構成され、
前記複数の短パルス加工痕のうち、前記第一線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径は、前記第二線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径と異なっている請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記間隙の底部の前記線状痕は、複数の短パルス加工痕から構成され、
前記複数の短パルス加工痕のうち、前記第一線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径は、前記第二線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径よりも小さい請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記線状痕は、複数の短パルス加工痕から構成され、
前記複数の短パルス加工痕のうち、前記接続領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径は、前記第一線状領域及び前記第二線状領域の線状痕を構成する短パルス加工痕の加工径と異なる請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層の表面に、光電変換領域を規定し、
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域及び前記接続領域を形成した後、前記第二線状領域を形成する透明電極板の製造方法。 - 透明基板上に透明導電層を備える板の前記透明導電層の表面に、光電変換領域を規定し、
前記透明導電層にレーザー加工を施すことで、前記光電変換領域の外縁の一辺に沿う第一線状領域、前記第一線状領域の端部に接続している接続領域、及び前記接続領域から、前記光電変換領域から離れる方向に伸びる第二線状領域を備える間隙を形成し、
前記間隙の形成にあたっては、前記接続領域を形成した後、
前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成してから、前記第二線状領域を形成する、
或いは、
前記第二線状領域を形成してから、前記透明導電層上でレーザーの照射する位置を前記辺に沿って移動させることで、前記第一線状領域を形成する透明電極板の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220050945A (ko) | 2019-11-08 | 2022-04-25 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 도전성 패턴을 갖는 구조체 및 그의 제조 방법 |
-
2014
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