JP2016018759A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 第１基板上に複数の画素の各々に対応して配置される複数の第１電極と、
   隣接する前記複数の第１電極の間の前記第１基板上に、前記第１電極の端部を覆って配置されるバンク層と、
   前記複数の第１電極及び前記バンク層を覆って配置される有機ＥＬ層と、
   前記有機ＥＬ層上に配置される第２電極と、を備え、
   前記有機ＥＬ層は、前記バンク層と重畳する部分に、前記複数の第１電極と重畳する部分よりも高い抵抗率を有する複数の不導体層を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記バンク層は、前記複数の不導体層と重畳する部分に、前記複数の第１電極と重畳する部分よりも透光性の低い遮光層を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第２電極は、前記複数の不導体層と重畳する部分に、前記複数の第１電極と重畳する部分よりも透光性の低い遮光層を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記第２電極上に配置された封止膜をさらに備え、
   前記封止膜は、前記複数の不導体層と重畳する部分に、前記複数の第１電極と重畳する部分よりも透光性の低い遮光層を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記第１基板の前記封止膜の配置された面に樹脂層を介して対向して配置される第２基板をさらに備え、
   前記樹脂層は、前記複数の不導体層と重畳する部分に、前記複数の第１電極と重畳する部分よりも透光性の低い遮光層を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 第１基板の第１面上に複数の第１電極を形成し、
   隣接する前記複数の第１電極の間の前記第１基板の前記第１面上に、前記第１電極の端部を覆うバンク層を形成し、
   前記複数の第１電極及び前記バンク層上に有機ＥＬ層を形成し、
   前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成し、
   前記第１基板の前記第１面と対向する第２面側から、前記複数の第１電極をマスクとしてエネルギー線を照射することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
7. 第１基板の第１面上に複数の第１電極を形成し、
   隣接する前記複数の第１電極の間の前記第１基板の前記第１面上に、前記第１電極の端部を覆うバンク層を形成し、
   前記複数の第１電極及び前記バンク層上に有機ＥＬ層を形成し、
   前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成し、
   前記第２電極上に封止膜を形成し、
   前記第１基板の前記第１面と対向する第２面側から、前記複数の第１電極をマスクとしてエネルギー線を照射することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
8. 第１基板の第１面上に複数の第１電極を形成し、
   隣接する前記複数の第１電極の間の前記第１基板の前記第１面上に、前記第１電極の端部を覆うバンク層を形成し、
   前記複数の第１電極及び前記バンク層上に有機ＥＬ層を形成し、
   前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成し、
   前記第２電極上に封止膜を形成し、
   前記第１基板の前記封止膜の形成された面上に樹脂層を介して第２基板を接合し、
   前記第１基板の前記第１面と対向する第２面側から、前記複数の第１電極をマスクとしてエネルギー線を照射することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
9. 第１基板の第１面上に、複数のスリットを有する金属層を形成し、
   前記金属層上に第１絶縁層を形成し、
   前記第１絶縁層上に複数の薄膜トランジスタを形成し、
   前記複数の薄膜トランジスタ上に第２絶縁層を形成し、
   前記第２絶縁層上に複数の第１電極を形成し、
   隣接する前記複数の第１電極の間に、前記第１電極の端部を覆うバンク層を形成し、
   前記複数の第１電極及び前記バンク層上に有機ＥＬ層を形成し、
   前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成し、
   前記第１基板の前記第１面と対向する第２面から、前記金属層をマスクとしてエネルギー線を照射することを含み、
   前記複数のスリットの形成される位置は、前記バンク層の形成される位置に対応することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
10. 前記金属層は、前記複数の薄膜トランジスタにそれぞれ接続されている電源線または容量電極であることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
11. 前記エネルギー線は、紫外線光、赤外線光、電子線、または高強度白色光であることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
12. 第１基板と、
    前記第１の基板に配置された、第１の画素と前記第１の画素に隣接する第２の画素と、
    前記第１の画素に備えられた第１の画素電極と、
    前記第２の画素に備えられた第２の画素電極と、
    前記第１の画素と前記第２の画素との境界に位置し、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極とを露出するバンク層と、
    前記第１の画素、前記第２の画素、前記バンク層に跨って配置された有機ＥＬ層と
    前記有機ＥＬ層の上に位置し、前記第１の画素、前記第２の画素、前記バンク層に跨って配置された共通電極と、を備え、
    前記有機ＥＬ層は、平面的に見て、前記バンク層と重畳する第１の領域と、前記第１の画素電極と重畳する第２の領域とを有し、
    前記第１の領域の第１の抵抗率は、前記第２の領域の第２の抵抗率よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
13. 前記第１基板と前記第１の画素電極との間には、薄膜トランジスタが配置され、
    前記第１基板と前記薄膜トランジスタとの間には、前記薄膜トランジスタの半導体層を覆う金属層が配置され、
    前記金属層は、前記第１の領域に対応する複数のスリットを有していることを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置。
14. 前記第１の基板には、端子が配置され、
    前記金属層は、前記端子に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
15. 前記第１の画素は第１の発光領域を有し、
    前記第２の画素は第２の発光領域を有し、
    前記第１の発光領域と前記第２の発光領域との間隔は、第１の間隔と前記第１の間隔よりも小さい第２の間隔とを備え、
    前記第１の発光領域と前記第２の発光領域との境界は、前記第１の間隔を有する第１の境界と前記第２の間隔を有する第２の境界とを備え、
    前記第１の領域は、平面的に見て、前記第２の境界と重畳していることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
16. 前記バンク層は、前記第１の領域と重畳する部分に、前記複第２の領域と重畳する部分よりも透光性の低い遮光層を含むことを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
17. 前記共通電極は、前記第１の領域と重畳する部分に、前記複第２の領域と重畳する部分よりも透光性の低い遮光層を含むことを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
18. 前記共通電極上に配置された封止膜をさらに備え、
    前記封止膜は、前記第１の領域と重畳する部分に、前記複第２の領域と重畳する部分よりも透光性の低い遮光層を含むことを特徴とする請請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
19. 前記第１基板に対向して配置される第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板との間に位置し、前記封止膜上に配置された充填材をさらに備え、
    前記充填材は、前記第１の領域と重畳する部分に、前記複第２の領域と重畳する部分よりも透光性の低い遮光層を含むことを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置。