JP2016018271A - コードパターンの認証方法および認証装置 - Google Patents

Abstract

【課題】容易に解析可能なコードパターンを利用した認証方法を提供する。
【解決手段】コードパターンを設けた対象物に電磁波を照射し、その透過または反射電磁波の周波数スペクトルを解析して認証する。コードパターンは、規則的に配置された複数の第１要素２１ａを含む第１領域２１を含んでいる。第１領域の各第１要素の幅Ｗ１または各第１要素間の間隔Ｇ１は、少なくとも部分的に、コードパターンに照射される電磁波の波長よりも小さくなっている。
【選択図】図３

Description

本発明は、積層体や箱に取り付けられたコードパターンを認証するための認証方法および認証装置に関する。

近年、収容体の中に収容された対象物を非接触かつ非開封で判別する技術がいくつか提案されている。例えば特許文献１においては、収容体の内部に所定の画像を形成しておき、この画像に向けて収容体の外部から赤外線を照射することにより、非開封で画像を読み取り、この情報に基づいて対象物を判別することが提案されている。

しかしながら、赤外線は段ボール等の厚い紙又は樹脂を透過しないため、厚い紙又は樹脂で形成された封筒等の収容体の内部に画像を設けた場合、赤外線を用いてこの画像を読み取ることはできない。このような課題を考慮し、例えば特許文献２，３においては、テラヘルツ波を利用することが提案されている。テラヘルツ波は、紙や樹脂などの多くの包装用材料を透過することができるという特性を有している。従って、テラヘルツ波を利用すれば、紙や樹脂からなる収容体の中に収容された対象物に関する情報を、非接触かつ非開封で得ることができる。

特開２００１−９６８８９号公報 特開２０１３−１７８２１２号公報 特開２０１０−１４５３９１号公報

上述の特許文献２，３においては、対象物を透過または反射したテラヘルツ波に基づいて、対象物の判別が行われている。具体的には、対象物を透過または反射したテラヘルツ波に現れる、対象物に固有のスペクトル情報に基づいて、対象物が判別される。しかしながら、対象物によっては、テラヘルツ波の周波数範囲内において特徴的な周波数依存性が現れない場合がある。また、対象物が野菜などの、大きな個体差が存在する物である場合、同種の対象物であってもそのスペクトル情報が大きくばらつくことが考えらえる。従って、対象物に固有のスペクトル情報によっては、対象物を高い精度で判別することができないと考えられる。

また、対象物に固有のスペクトル情報に基づいて対象物を判別する場合、取得されたスペクトル情報と、予め記録されている、様々な対象物の特徴的なスペクトル情報とを照合する工程が実施される。この場合、膨大なデータ量を有する多数のスペクトル情報を予め準備しておく必要があり、かつ、照合に要する工数も大きくなる。

また特許文献２においては、収容体の表面に情報コードを設けておき、テラヘルツ波を利用してこの情報コードを読み取ることによって、対象物に関するさらなる情報を得ることが提案されている。具体的には、所定の文字列で構成された情報コードの形状を、テラヘルツ波を利用して読み取ることにより、文字情報を得ることが提案されている。しかしながら、文字の形状は複雑であり、かつ文字の種類は膨大である。従って、情報コードの形状に基づいて情報を得る方法においては、ノイズが存在する場合に容易に誤認識が生じ得ると考えられる。また、文字の形状に関する膨大なデータ量の情報を予め準備しておく必要があり、かつ、照合に要する工数も大きくなる。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、容易に解析可能なコードパターンを利用した認証方法および認証装置を提供することを目的とする。

本発明は、規則的に配置された複数の第１要素を含む第１領域を少なくとも含むコードパターンに電磁波を照射する照射工程と、前記コードパターンを透過した前記電磁波、または前記コードパターンによって反射された前記電磁波の周波数スペクトルを測定する測定工程と、前記測定工程の結果に基づいて、前記コードパターンを解析する解析工程と、を備え、各第１要素は、導電性を有する導電パターンとして構成されており、若しくは、導電性を有する導電層に形成された開口パターンとして構成されており、前記第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔は、少なくとも部分的に、前記電磁波の波長よりも小さく、前記周波数スペクトルは、前記第１領域を透過した前記電磁波、または前記第１領域によって反射された前記電磁波の第１周波数スペクトルを含み、前記解析工程において、前記コードパターンは、前記第１周波数スペクトルまたは前記第１周波数スペクトルの一次微分に特徴点が現れる周波数に基づいて解析される、コードパターンの認証方法である。

本発明によるコードパターンの認証方法において、前記コードパターンは、規則的に配置された複数の第２要素を含む第２領域をさらに含んでいてもよい。この場合、各第２要素は、導電性を有する導電パターンとして構成されており、若しくは、導電性を有する導電層に形成された開口パターンとして構成されており、前記第２領域の各第２要素の幅または各第２要素間の間隔は、少なくとも部分的に、前記電磁波の波長よりも小さく、かつ、前記第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔と異なり、前記周波数スペクトルは、前記第２領域を透過した前記電磁波、または前記第２領域によって反射された前記電磁波の第２周波数スペクトルをさらに含み、前記解析工程において、前記コードパターンは、各周波数スペクトルまたは各周波数スペクトルの一次微分に特徴点が現れる周波数に基づいて解析される。

本発明によるコードパターンの認証方法の前記照射工程において、前記電磁波として、１００μｍ〜３ｍｍの波長範囲内の電磁波が用いられ、前記コードパターンは、紙又は不透明な樹脂からなる不透明層によって外部から遮蔽された場所に設けられていてもよい。この場合、前記照射工程において、前記電磁波は、前記不透明層を透過して前記コードパターンに到達する。

本発明によるコードパターンの認証方法において、前記コードパターンは、紙又は不透明な樹脂からなる不透明層を含む収容体のうち、前記収容体の外面以外の場所に設けられていてもよい。また、前記収容体には対象物が収容されていてもよい。この場合、前記コードパターンの解析結果に基づいて、前記対象物が判別されてもよい。

本発明によるコードパターンの認証方法の前記照射工程において、前記電磁波として、非線形光学結晶に対してレーザー光を照射することによって生じる非線形光学効果を利用して生成された電磁波が用いられてもよい。

本発明によるコードパターンの認証方法の前記照射工程において、前記コードパターンのうち前記電磁波が照射されるスポットは、前記第１領域と前記第２領域とが並ぶ方向に沿ってスキャンされ、この結果、前記第１周波数スペクトルと前記第２周波数スペクトルとが順次測定されてもよい。

本発明によるコードパターンの認証方法の前記照射工程において、前記コードパターンのうち前記電磁波が照射されるスポットは、前記第１領域および前記第２領域の両方を少なくとも部分的に含んでいてもよい。この場合、前記測定工程においては、前記第１周波数スペクトルおよび前記第２周波数スペクトルの両方が同時に測定される。

本発明は、規則的に配置されるとともに導電性を有する複数の第１要素を含む第１領域を少なくとも含むコードパターン電磁波を照射する照射部と、前記コードパターンを透過した前記電磁波、または前記コードパターンによって反射された前記電磁波の周波数スペクトルを測定する測定部と、前記測定部における測定結果に基づいて、前記コードパターンを解析する解析部と、を備え、前記第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔は、少なくとも部分的に、前記電磁波の波長よりも小さく、前記周波数スペクトルは、前記第１領域を透過した前記電磁波、または前記第１領域によって反射された前記電磁波の第１周波数スペクトルを含み、前記解析部において、前記コードパターンは、前記第１周波数スペクトルまたは前記第１周波数スペクトルの一次微分に特徴点が現れる周波数に基づいて解析される、コードパターンの認証装置である。

本発明において、コードパターンは、規則的に配置された複数の第１要素を含む第１領域を少なくとも含んでいる。第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔は、コードパターンに照射される電磁波の波長よりも小さくなっている。このため、第１領域を透過した電磁波、または第１領域によって反射された電磁波の第１周波数スペクトルには、第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔に基づいて、第１の特徴点が現れる。従って、第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔を適切に設定することにより、コードパターンに、所望の情報を付与することができる。また、コードパターンを構成する第１領域の第１周波数スペクトルを解析することによって、コードパターンに含まれる情報を容易に得ることができる。

本発明の実施形態に係る収容体の構成を示す平面図である。 図１の収容体のＡ−Ａ断面の構成を示す断面図である。 コードパターンの各領域を拡大して示す平面図である。 本発明の実施形態に係る認証装置の概略構成を示す図である。 コードパターンに電磁波を照射する照射工程を示す図である。 コードパターンから反射された電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。 コードパターンから反射された電磁波の周波数スペクトルの一次微分の一例を示す図である。 本発明の実施形態の変形例に係る認証装置の概略構成を示す図である。 コードパターンの一変形例を示す平面図である。 図９Ａのコードパターンを透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。 コードパターンの一変形例を示す平面図である。 図１０Ａのコードパターンを透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。 コードパターンの一変形例を示す平面図である。 図１１Ａのコードパターンを透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。 コードパターンの一変形例を示す平面図である。 図１２Ａのコードパターンを透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。 コードパターンの一変形例を示す平面図である。 図１３Ａのコードパターンを透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。 コードパターンの一変形例を示す平面図である。 図１４Ａのコードパターンを透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。 コードパターンの一変形例を示す平面図である。 図１５Ａのコードパターンを透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。 コードパターンの一変形例を示す平面図である。 収容体の構成の一変形例を示す断面図である。 コードパターンが積層体に設けられる例を示す断面図である。 実施例によるコードパターンから反射された電磁波の周波数スペクトルを示す図である。 実施例によるコードパターンから反射された電磁波の周波数スペクトルの特徴点を、コードパターンの各領域の要素の幅および各要素間の間隔の合計値に対してプロットした結果を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

本実施の形態においては、対象物が収容体に収容されており、かつ収容体に、対象物に関する情報が記録されたコードパターンが設けられている例について説明する。図１は、収容体１００の構成を示す平面図である。図２は、図１の収容体１００のＡ−Ａ断面の構成を示す断面図である。

収容部
図１に示すように、収容体１００は、対象物を収容する収容体本体１０と、コードパターン２０と、を備える。収容体本体１０は、紙や不透明な樹脂からなる不透明層を含んでいる。このため、可視光や赤外線は、収容体本体１０によって反射または吸収される。すなわち、可視光や赤外線は収容体本体１０を透過することができない。従って、収容体本体１０の外部からは対象物を視認することができない。なお「赤外線を反射もしくは吸収する」とは、収容体本体１０に赤外線を照射した際に、赤外線が収容体本体１０を全く透過しないこと、及び、赤外線が収容体本体１０を透過しても、透過した赤外線をセンサによって検知できない程度の微小な透過量であることを意味する。

収容体本体１０を構成する紙としては、例えば段ボールが用いられる。また収容体１００は、段ボール封筒と称されるものであってもよい。この場合、収容体本体１０は封筒状であり、封筒部１１と、封筒部１１の開口部に設けられたフラップ部（糊しろ）１２と、を有している。フラップ部１２は、１８０°折り返されて封筒部１１の接着領域１１ａに接着され、これにより段ボール封筒である収容体１００が封緘される。図１は、フラップ部１２が折り返される前の収容体１００を示している。

図２に示すように、収容体本体１０は、段ボールである第１層１３と、第１層１３に積層された、段ボールである第２層１４及び第３層１５と、を有している。封筒状に形成された第１層１３の外方を向く２つの面のうち、一方の面に第２層１４が積層されると共に接着され、他方の面に第３層１５が積層されると共に接着されている。

コードパターン２０は、紙又は不透明な樹脂からなる不透明層によって外部から遮蔽された場所に設けられている。コードパターン２０が収容体１００に設けられる場合、コードパターン２０は、収容体１００のうち、収容体本体１０の外面１０ｘ以外の場所に設けられる。図２に示す例において、コードパターン２０は、第１層１３と第２層１４との間に設けられている。なお外面１０ｘとは、収容体本体１０が封緘された時に収容体本体１０の外方を向いている面、即ち肉眼で視認され得る面である。

コードパターン
以下、コードパターン２０についてより詳細に説明する。コードパターン２０は、所定の情報が記録された複数の領域を含んでいる。例えば図１に示すように、コードパターン２０は、第１情報を含む第１領域２１と、第２情報を含む第２領域２２と、第３情報を含む第３領域２３と、を含んでいる。各情報は、後述する測定工程および解析工程を経ることによって導かれる。各領域２１，２２，２３に含まれる情報の種類が特に限られることはない。例えば、第１情報、第２情報および第３情報はそれぞれ、「１」、「２」および「３」という数字情報であってもよい。この場合、各領域２１，２２，２３の配列に応じて、コードパターン２０が所定の数字列を表現することができる。例えば図１においては、左から順に第１領域２１、第２領域２２、第３領域２３および第２領域２２が並べられているので、コードパターン２０は、「１２３２」という数字列を表現することができる。

（コードパターンの断面構造）
次に図２を参照して、コードパターン２０の断面構造について説明する。なおコードパターン２０の各領域２１，２２，２３においては、後述する要素の幅および要素間の間隔が異なるのみであり、各領域２１，２２，２３の断面構造は同一である。図２においては、各領域２１，２２，２３に共通する断面構造が示されている。

本実施の形態においては、後述するように、コードパターン２０の認証工程において、０．１ＴＨｚ〜３ＴＨｚの周波数範囲の電磁波が利用される。以下の説明において、０．１ＴＨｚ〜３ＴＨｚの周波数範囲の電磁波のことを、テラヘルツ波とも称する。電磁波の速さが３０万キロメートル毎秒であるとして、テラヘルツ波をその波長範囲で表現すると、テラヘルツ波は、１００μｍ〜３ｍｍの波長範囲内の電磁波であると言える。コードパターン２０は、このテラヘルツ波を反射または吸収することができる材料によって形成されている。例えば図２に示すように、コードパターン２０は、導電性を有する導電層２５をパターニングすることによって形成されている。図２においては、導電層２５をパターニングすることによって形成される導電パターンが符号２６で表されている。また、導電層２５に形成された開口パターンが符号２７で表されている。「開口パターン２７」とは、導電層２５に形成された開口部のパターンのことである。言い換えると、「開口パターン２７」は、導電パターン２６によって挟まれた領域のパターンのことである。

導電性を有し、これによってテラヘルツ波を反射または吸収することができる限りにおいて、導電層２５を構成する材料が特に限られることはない。例えば、各種金属材料やカーボン等の導電性を有する材料や、導電性を有する材料を２種以上複合した複合材料等を、導電層２５を構成する材料として用いることができる。具体的な例としては、クロム薄膜を用いて導電層２５を構成することができる。導電層２５の厚みは例えば５０ｎｍ〜５μｍの範囲内に設定される。

後述するように、導電パターン２６または開口パターン２７によって構成される各領域２１，２２，２３の要素の幅または要素間の間隔は、少なくとも部分的に、コードパターン２０の認証方法において用いられるテラヘルツ波の波長よりも小さくなるよう設定されている。このような条件を実現することができる限りにおいて、導電パターン２６および開口パターン２７の形成方法が特に限られることはない。
例えば、はじめにクロムなどの導電性を有する材料を含む導電層２５を、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、塗工法や印刷法等を利用して連続的に設ける。次に、導電パターン２６と同一のパターンを有するレジストパターンを導電層２５上に形成し、その後、導電層２５をエッチングする。これによって、導電パターン２６および開口パターン２７を作製することができる。すなわち、いわゆるフォトリソグラフィー法を用いて導電層２５をパターニングすることにより、導電パターン２６および開口パターン２７を得ることができる。フォトリソグラフィー法によれば、マイクロメートルの精度でパターンを形成することができるので、テラヘルツ波の波長よりも小さい幅を有する導電パターン２６や開口パターン２７を容易に精度良く得ることができる。
若しくは、導電パターン２６と同一のパターンで形成された開口部を有するマスクプレートを介して、導電層２５を構成する材料を、スパッタリング法、真空蒸着法やイオンプレーティング法等を利用して成膜する。これによって、導電パターン２６および開口パターン２７を作製することもできる。

なお図２に示す例においては、コードパターン２０が収容体１００の第１層１３上に直接形成されているが、これに限られることはない。例えば、はじめに、適切な基材上に導電層２５を形成し、次に、フォトリソグラフィー法を用いて導電層２５をパターニングしてコードパターン２０を作製し、その後、コードパターン２０が形成された基材を接着剤などを用いて収容体１００に取り付けることにより、収容体１００にコードパターン２０を設けてもよい。

なお、導電パターン２６や開口パターン２７の幅をテラヘルツ波の波長よりも小さくすることができる限りにおいて、その他のパターニング方法が採用されてもよい。例えば、粒状のカーボンブラックや粒状の金属などを含む導電性インクを、インクジェット法を用いて所定のパターンで塗布することにより、導電パターン２６および開口パターン２７を作製してもよい。

（コードパターンのパターン形状）
次に図３（ａ）〜（ｃ）を参照して、コードパターン２０のパターン形状について説明する。図３（ａ）、図３（ｂ）および図３（ｃ）はそれぞれ、第１領域２１、第２領域２２および第３領域２３を拡大して示す平面図である。

図３（ａ）に示すように、第１領域２１は、規則的に配置された複数の第１要素２１ａを含んでいる。第１要素２１ａは、四角形の形状を有しており、また各第１要素２１ａは、四角格子状に配置されている。図３（ａ）において、第１要素２１ａの幅が符号Ｗ１で表されており、各第１要素２１ａ間の間隔が符号Ｇ１で表されている。

また図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、第２領域２２は、規則的に配置された複数の第２要素２２ａを含んでおり、第３領域２３は、規則的に配置された複数の第３要素２３ａを含んでいる。第２要素２２ａおよび第３要素２３ａの形状および配置は、具体的な幅や間隔が異なる点を除いて、第１要素２１ａの形状および配置と同一である。図３（ｂ）および図３（ｃ）において、第２要素２２ａおよび第３要素２３ａの幅が符号Ｗ２およびＷ３で表されており、各第２要素２２ａ間の間隔および各第３要素２３ａ間の間隔が符号Ｇ２およびＧ３で表されている。

次に、各要素２１ａ，２２ａ，２３ａの幅および間隔について説明する。本実施の形態において、各領域２１，２２，２３は、各領域２１，２２，２３の各要素２１ａ，２２ａ，２３ａの幅Ｗ１〜Ｗ３または各要素２１ａ，２２ａ，２３ａ間の間隔Ｇ１〜Ｇ３のうちの少なくともいずれか一方が、少なくとも部分的に、後述するコードパターン２０の認証方法において用いられるテラヘルツ波の波長よりも小さくなるよう、構成されている。この場合、テラヘルツ波に対する各領域２１，２２，２３の誘電率および透磁率は負の値になる。すなわち、各領域２１，２２，２３は、いわゆるメタマテリアルとして機能する。メタマテリアルについては、例えば特開２０１３−５０４４において説明されているので、ここでは詳細な説明を省略する。

次に、各要素２１ａ，２２ａ，２３ａの幅および間隔の関係について説明する。本実施の形態において、各領域２１，２２，２３は、各要素２１ａ，２２ａ，２３ａの幅Ｗ１〜Ｗ３または各要素２１ａ，２２ａ，２３ａ間の間隔Ｇ１〜Ｇ３のうちの少なくともいずれか一方が互いに異なるよう、構成されている。例えば図３（ａ）〜（ｃ）に示す例において、各第３要素２３ａ間の間隔Ｇ３は、各第１要素２１ａ間の間隔Ｇ１よりも小さくなっている。また、各第２要素２２ａの幅Ｗ２は、第１要素２１ａの幅Ｗ１および第３要素２３ａの幅Ｗ３よりも小さくなっており、かつ、各第２要素２２ａ間の間隔Ｇ２は、各第１要素２１ａ間の間隔Ｇ１および各第３要素２３ａ間の間隔Ｇ３よりも小さくなっている。この場合、各領域２１，２２，２３は、メタマテリアルの特性に基づいて、テラヘルツ波に対して、互いに異なる周波数応答性を示すようになる。例えば、各領域２１，２２，２３を透過したテラヘルツ波、または各領域２１，２２，２３によって反射されたテラヘルツ波の各周波数スペクトルには、ピークや減衰の開始などを示す特徴点が、互いに異なる周波数で現れることになる。従って、コードパターン２０にテラヘルツ波を照射することによって得られる周波数スペクトルを解析して、特徴点が現れる周波数を算出することにより、コードパターン２０に含まれる各領域２１，２２，２３の種類や配列を導き出すことができる。従って、コードパターン２０に記録されている情報を得ることができる。

なお図３（ａ）〜（ｃ）においては、各要素２１ａ，２２ａ，２３ａが、導電性を有する導電パターン２６として構成されている例を示した。しかしながら、幅や間隔に応じて異なる周波数応答性を示すことができる限りにおいて、各要素２１ａ，２２ａ，２３ａの具体的な構成が特に限られることはない。例えば、各要素２１ａ，２２ａ，２３ａは、導電性を有する導電層２５に形成された開口部からなる開口パターンとして構成されていてもよい。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、上述の収容体１００に設けられたコードパターン２０を認証して、収容体１００に収容されている対象物を判別するための方法について説明する。

認証装置
はじめに、コードパターン２０を認証する認証方法を実施するための認証装置５０について、図４を参照して説明する。図４に示すように、認証装置５０は、コードパターン２０にテラヘルツ波Ｌ１を照射する照射部５１と、コードパターン２０によって反射されたテラヘルツ波Ｌ２の周波数スペクトルを測定する測定部５２と、測定部５２における測定結果に基づいて、コードパターン２０を解析する解析部５３と、を備えている。なお照射部５１、測定部５２および解析部５３は、一体的に構成されたものであってもよく、個別に構成されたものであってもよい。

照射部５１において、テラヘルツ波からなる電磁波の発生系としては、光伝導アンテナや半導体を用いた発生系を用いることができる。また発生系として、非線形光学結晶に対してレーザー光を照射することによって生じる光パラメトリックや差周波混合等の非線形光学効果を利用して電磁波を生成する発生系を用いることもできる。その他にも、発生系として、量子カスケードレーザー（ＱＣＬ：Quantum Cascade Laser）、共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ：Resonant Tunnel Diode）、ジャイロトロン、自由電子レーザー（ＦＥＬ：Free Electron Laser）等を挙げることができる。

このうち、光パラメトリックや差周波混合等の非線形光学効果を利用してテラヘルツ波からなる電磁波を生成する発生系によれば、高い強度を有するテラヘルツ波を生成することができる。例えば、３００ｍＷ以上の強度や、１Ｗ以上の強度を有するテラヘルツ波を生成することができる。このため、収容体１００の不透明層として大きな厚みを有するものが用いられる場合であっても、収容体１００から戻ってくる電磁波を十分な精度で検出することができる。例えば、光パラメトリックや差周波混合等の非線形光学効果を利用して電磁波を生成する発生系が用いられる場合、不透明層を構成する紙として、１００μｍ〜１ｃｍの範囲内の厚みのものを用いることができる。この結果、認証装置５０によって実施される認証方法を、より広い分野にわたって利用することができるようになる。
なお非線形光学結晶とは、レーザー光などの強い光が入射した場合に、非線形の、すなわち光の電磁場に比例しない応答をする結晶のことである。また非線形光学効果とは、非線形の、すなわち光の電磁場に比例しない応答のことである。上述の光パラメトリックや差周波混合は、非線形光学効果の一種である。

測定部５２としては、コードパターン２０によって反射されたテラヘルツ波の強度を周波数ごとに測定して周波数スペクトルを得ることができるものが用いられる。例えば測定部５２として、スペクトルアナライザが用いられる。

認証方法
次に、認証装置５０を用いてコードパターン２０を認証する認証方法について説明する。

（照射工程）
はじめに、照射部５１を用いて、収容体１００の外部からコードパターン２０に電磁波を照射する照射工程を実施する。上述のように、電磁波として０．１ＴＨｚ〜３ＴＨｚの周波数範囲のテラヘルツ波が用いられるので、電磁波は、収容体本体１０を透過してコードパターン２０に到達することができる。なお、透過性をさらに高めるため、１ＴＨｚ〜２ＴＨｚの電磁波が用いられてもよい。

図５は、コードパターン２０に電磁波が照射されている様子を示す図である。図５において、第１領域２１に照射されている電磁波のスポットが符号５４で表されている。図５に示すように、電磁波は、スポット５４が複数の第１要素２１ａに跨るように調整されている。なお本実施の形態によれば、電磁波として、高い指向性を有するテラヘルツ波を用いているので、スポット５４の大きさを高い精度で調整することができる。

電磁波は、第１領域２１に照射された後、図５において矢印で示されているように、各領域２１，２２，２３が並ぶ方向に沿ってスキャンされる。これによって、コードパターン２０に含まれる各領域２１，２２，２３に電磁波を順次照射することができる。電磁波をスキャンする方法が特に限られることはない。例えば、照射部５１を移動させることによって各領域２１，２２，２３を電磁波でスキャンしてもよい。若しくは、図４に示されているように、移動する搬送部５５上に収容体１００を載置することにより、照射部５１に対して収容体１００を移動させ、これによって各領域２１，２２，２３を電磁波でスキャンしてもよい。なお、各領域２１，２２，２３間の間隔は、スポット５４が２つの複数の領域に跨り、この結果、１つの領域に基づく測定結果およびその他の領域に基づく測定結果が同時に得られてしまうことを抑制するよう、適切に設定される。

（測定工程）
次に、測定部５２を用いて、コードパターン２０によって反射された電磁波の周波数スペクトルを測定する測定工程を実施する。上述のように各領域２１，２２，２３が電磁波によって順次スキャンされる場合、各領域２１，２２，２３によって反射された電磁波の周波数スペクトルを順次得ることができる。以下の説明において、第１領域２１、第２領域２２および第３領域２３によって反射された電磁波の周波数スペクトルを、それぞれ第１周波数スペクトルＳ１、第２周波数スペクトルＳ２および第３周波数スペクトルＳ３と称する。

図６は、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の一例を示す図である。図６に示すように、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３は、所定の周波数範囲においては、周波数が大きくなるにつれて反射率が所定の比率で減少し、また、所定の周波数範囲の前後においては、反射率がほぼ一定である、という特徴を有している。図６において、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の反射率が減少し始める点がそれぞれ特徴点として符号Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３で示されている。また、各特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が現れる周波数が、符号ｆ１，ｆ２，ｆ３で表されている。

図６に示すように、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が現れる周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３は、互いに異なっている。この相違は、各領域２１，２２，２３の各要素２１ａ，２２ａ，２３ａの幅や各要素２１ａ，２２ａ，２３ａ間の間隔が異なることに基づいている。

図６に示す例においては、各特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３として、反射率が減少する周波数範囲の下限が認定されている。しかしながら、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の特徴が反映される限りにおいて、各特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３として認定される点が特に限られることはない。例えば、各特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３として、反射率が減少する周波数範囲の上限を認定してもよい。若しくは、反射率が減少する周波数範囲内の点、例えば周波数範囲の中間点を、各特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３として認定してもよい。

なお、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の形状によっては、特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の認定が困難なことがある。例えば、反射率の減少または増加の傾きが緩やかであったり、傾きが一定ではなかったりすることにより、反射率が減少または増加する周波数範囲の上限または下限が曖昧になっていることがある。一方、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の形状によっては、特徴的な周波数の値が、周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３を一次微分することにより得られるスペクトルに顕著に現れることがある。図７は、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３における反射率の減少の傾きが一定でないと仮定した場合の、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の一次微分Ｓ１’，Ｓ２’，Ｓ３’を示す図である。この場合、図７に示すように、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の一次微分Ｓ１’，Ｓ２’，Ｓ３’にはそれぞれピークが現れる。従って、ピークの極値をとる点を、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の一次微分Ｓ１’，Ｓ２’，Ｓ３’の特徴点Ｐ１’，Ｐ２’，Ｐ３’として認定し、かつ、特徴点Ｐ１’，Ｐ２’，Ｐ３’が現れる周波数ｆ１’，ｆ２’，ｆ３’を算出することにより、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の特徴をより容易かつ正確に把握することができる。
なお図示はしないが、周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３のさらに高次の微分に基づいて、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の特徴を把握してもよい。

（解析工程）
次に、測定工程の結果に基づいてコードパターン２０を解析する解析工程を実施する。具体的には、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３に基づいて得られた上述の周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３に基づいて、コードパターン２０を解析する。なお、上述の周波数ｆ１’，ｆ２’，ｆ３’に基づいて、下記のコードパターン２０の解析が実施されてもよい。

図５から明らかなように、測定部５２においては、周波数ｆ１に特徴点Ｐ１を有する第１周波数スペクトルＳ１、周波数ｆ２に特徴点Ｐ２を有する第２周波数スペクトルＳ２、周波数ｆ３に特徴点を有する第３周波数スペクトルＳ３、および、周波数ｆ２に特徴点を有する第２周波数スペクトルＳ２が順次得られる。また解析部５３には、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が現れる周波数がそれぞれ周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３になる、という情報が予め記録されている。従って解析部５３は、測定部５２における測定結果に基づいて、コードパターン２０が、電磁波のスキャン方向の上流側から順に並べられた第１領域２１、第２領域２２、第３領域２３および第２領域２２を含んでいる、ということを導き出すことができる。

また、上述のように各領域２１，２２，２３にそれぞれ「１」、「２」および「３」という数字情報が割り当てられている場合、解析部５３は、コードパターン２０が「１２３２」という数字列であることを認証することができる。また、このようにして得られる数字列などに基づいて、収容体１００や収容体１００に収容されている対象物の様々な判別を行うことができる。例えば、対象物が適切な収容体１００に収容されているかどうかの判別や、収容体１００の真偽判別などを行うことができる。

ここで本実施の形態によれば、上述のように、コードパターン２０の各領域２１，２２，２３に含まれる情報を、各領域２１，２２，２３によって反射された周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に基づいて得ることができる。特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３としては、上述のように、周波数スペクトルの減少や増加が開始したり終了したりする点や、周波数スペクトルのピークが現れる点が認定される。従って、目視や簡易なデータ処理に基づいて容易に特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を算出することができる。また、特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に対して所定の数字や文字を割り当てておくことにより、文字列や数字列などの情報を容易に認証することができる。このため本実施の形態によれば、予め記録された情報との精密な照合を必要とする上述の特許文献２，３の場合に比べて、コードパターン２０に付与された情報を、少ない工数で容易に得ることができる。

また本実施の形態によれば、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３の特徴点Ｐ１，Ｐ２、Ｐ３が現れる周波数が、各領域２１，２２，２３の各要素２１ａ，２２ａ，２３ａの幅や各要素２１ａ，２２ａ，２３ａ間の間隔に基づいて定められる。このため、幅や間隔の差を適切に設定することにより、解析工程の際に、所定の特徴点を有する周波数スペクトルが、その他の特徴点を有する周波数スペクトルであるとして誤って認定されてしまうことを防ぐことができる。従って、コードパターン２０の認証の精度を、要求に応じて任意に調整することができる。これに対して、上述の特許文献２，３の場合は、対象物に固有のスペクトル情報に基づいて情報を得るため、本実施の形態のような調整を実施することができない。このように本実施の形態は、柔軟性の点においても、従来技術に対する優位性を有している。

また本実施の形態によれば、上述のように、コードパターン２０に照射する電磁波としてテラヘルツ波を利用している。このため、可視光や赤外線を利用する場合に比べて、メタマテリアルを構成するために要求される、コードパターン２０を構成する各領域２１，２２，２３の要素の幅や間隔の値が大きくなる。例えば、コードパターン２０を構成する各領域２１，２２，２３の要素の幅や間隔がマイクロメートルのオーダーの場合であっても、メタマテリアルとして領域２１，２２，２３を構成することができる。このため、一般的なフォトリソグラフィー法などを用いて、メタマテリアルとして構成された領域２１，２２，２３を含むコードパターン２０を容易に作製することができる。また、テラヘルツ波を利用するので、紙又は不透明な樹脂からなる不透明層によって外部から遮蔽された場所にコードパターン２０が設けられている場合であっても、コードパターン２０を認証することができる。

また本実施の形態によれば、コードパターン２０自体の形状ではなくコードパターン２０の周波数特性に基づいて、コードパターン２０に含まれる情報が認証される。従って、ノイズが存在する場合であっても、コードパターン２０の誤認証が発生することを抑制することができる。また、コードパターン２０に含まれる情報に依らず、様々な形状をコードパターン２０に付与することができる。このため、コードパターン２０の意匠性を向上させることができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（透過電磁波が用いられる例）
上述の本実施の形態においては、測定部５２を用いた測定工程において、コードパターン２０の各領域２１，２２，２３によって反射された電磁波の周波数スペクトルが測定される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、測定工程において、コードパターン２０の各領域２１，２２，２３を透過した電磁波の周波数スペクトルを測定してもよい。この場合、図８に示すように、測定部５２は、コードパターン２０が設けられた収容体１００を透過した電磁波Ｌ２を検出することができるよう配置される。また解析工程においては、コードパターン２０の各領域２１，２２，２３を透過した電磁波の周波数スペクトルに現れる特徴点に基づいて、コードパターン２０を認証する。

（コードパターンの変形例）
また上述の本実施の形態においては、コードパターン２０の各領域２１，２２，２３の各要素２１ａ，２２ａ，２３ａが、導電性を有する四角形状の導電パターン２６として構成される例を示したが、これに限られることはない。各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３に、各要素２１ａ，２２ａ，２３ａの幅や間隔に依存した特徴点が現れる限りにおいて、以下に図９Ａ乃至図１６を参照して説明するように、各領域２１，２２，２３に関して様々なパターン形状を採用することができる。

なお、各領域２１，２２，２３においては原則として、同一のタイプのパターン形状が採用される。例えば図９Ａに示すようにワイヤーグリッドタイプのパターンが採用される場合、各領域２１，２２，２３の各要素２１ａ，２２ａ，２３ａはいずれもワイヤーグリッド形状を有している。この場合、各領域２１，２２，２３においては、要素の幅および要素間の間隔が異なるのみである。従って、以下の説明においては、第１領域２１のパターン形状についてのみ説明し、第２領域２２および第３領域２３のパターン形状に関する説明を省略する。

また、各領域２１，２２，２３を透過した電磁波の周波数スペクトルと、各領域２１，２２，２３によって反射された電磁波の周波数スペクトルとは、各領域２１，２２，２３における吸収を無視すれば、互いに反転関係にある。従って、以下の説明においては、周波数スペクトルとして、第１領域２１を透過した電磁波の周波数スペクトルのみ示し、第１領域２１によって反射された電磁波の周波数スペクトルの呈示を省略する。

〔第１の変形例〕
図９Ａは、ワイヤーグリッドタイプの第１領域２１を示す平面図であり、図９Ｂは、図９Ａに示す第１領域２１を透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。図９Ａに示すように、第１領域２１は、線状に延びる複数の第１要素２１ａを含んでいる。各第１要素２１ａは、各々が延びる方向とは直交する方向に沿って並べられている。また第１要素２１ａは、導電性を有する導電パターン２６として構成されている。

本変形例においては、図９Ｂに示すように、周波数スペクトルとして、図９Ａに示す電場Ｅおよび磁場Ｈを有する偏光Ａに関する周波数スペクトルＳ１Ａと、偏光Ｂに関する周波数スペクトルＳ１Ｂとが測定される。偏光Ａは、各第１要素２１ａが延びる方向に平行な電場Ｅと、各第１要素２１ａが延びる方向に直交する磁場Ｈと、を有している。一方、偏光Ｂは、各第１要素２１ａが延びる方向に平行な磁場Ｈと、各第１要素２１ａが延びる方向に直交する電場Ｅと、を有している。

周波数スペクトルＳ１ＡおよびＳ１Ｂにおいて、透過率は、所定の周波数以上になると増加および減少し始める。従って、透過率が増加および減少し始める点を、特徴点Ｐ１ＡおよびＰ１Ｂとして認定することができる。また、特徴点Ｐ１ＡおよびＰ１Ｂが現れる周波数ｆ１に基づいて、コードパターン２０を認証することができる。

〔第２の変形例〕
図１０Ａは、メッシュタイプの第１領域２１を示す平面図であり、図１０Ｂは、図１０Ａに示す第１領域２１を透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。図１０Ａに示すように、第１領域２１は、メッシュ状のパターンを形成するよう配置された複数の第１要素２１ａを含んでいる。また第１要素２１ａは、導電層２５に形成された開口パターン２７として構成されている。

図１０Ｂに示すように、周波数スペクトルＳ１において、透過率は、所定の周波数以上になると減少し始める。従って、透過率が減少し始める点を、特徴点Ｐ１として認定することができる。また、特徴点Ｐ１が現れる周波数ｆ１に基づいて、コードパターン２０を認証することができる。

〔第３の変形例〕
図１１Ａは、メッシュタイプの第１領域２１を示す平面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａに示す第１領域２１を透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。図１１Ａに示すように、第１領域２１は、メッシュ状のパターンを形成するよう配置された複数の第１要素２１ａを含んでいる。また第１要素２１ａは、導電性を有する導電パターン２６として構成されている。

図１１Ｂに示すように、周波数スペクトルＳ１において、透過率は、所定の周波数以下になると減少し始める。従って、透過率が減少し始める点を、特徴点Ｐ１として認定することができる。また、特徴点Ｐ１が現れる周波数ｆ１に基づいて、コードパターン２０を認証することができる。

〔第４の変形例〕
図１２Ａは、三角格子タイプの第１領域２１を示す平面図であり、図１２Ｂは、図１２Ａに示す第１領域２１を透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。図１２Ａに示すように、第１領域２１は、三角格子状に配置された円形状の複数の第１要素２１ａを含んでいる。また第１要素２１ａは、導電性を有する導電パターン２６として構成されている。

図１２Ｂに示すように、周波数スペクトルＳ１は、負のピークを有している。従って、ピークが極値をとる点を、特徴点Ｐ１として認定することができる。また、特徴点Ｐ１が現れる周波数ｆ１に基づいて、コードパターン２０を認証することができる。

〔第５の変形例〕
図１３Ａは、三角格子タイプの第１領域２１を示す平面図であり、図１３Ｂは、図１３Ａに示す第１領域２１を透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。図１３Ａに示すように、第１領域２１は、三角格子状に配置された円形状の複数の第１要素２１ａを含んでいる。また第１要素２１ａは、導電層２５に形成された開口パターン２７として構成されている。

図１３Ｂに示すように、周波数スペクトルＳ１は、正のピークを有している。従って、ピークが極値をとる点を、特徴点Ｐ１として認定することができる。また、特徴点Ｐ１が現れる周波数ｆ１に基づいて、コードパターン２０を認証することができる。

〔第６の変形例〕
図１４Ａは、分割リングタイプの第１領域２１を示す平面図であり、図１４Ｂは、図１４Ａに示す第１領域２１を透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。図１４Ａに示すように、第１領域２１は、リングを一部分で分割することによって得られる形状を有する、規則的に配置された複数の第１要素２１ａを含んでいる。また第１要素２１ａは、導電性を有する導電パターン２６として構成されている。

図１４Ｂに示すように、周波数スペクトルＳ１は、第１の負のピークと、第１の負のピークよりも高周波数側に現れる第２の負のピークと、を有している。第１のピークは、第２のピークよりも大きくなっている。この場合、第１のピークが極値をとる点を、特徴点Ｐ１として認定することができる。若しくは、第２のピークが極値をとる点を、特徴点Ｐ１として認定してもよい。また、特徴点Ｐ１が現れる周波数ｆ１に基づいて、コードパターン２０を認証することができる。

〔第７の変形例〕
図１５Ａは、分割リングタイプの第１領域２１を示す平面図であり、図１５Ｂは、図１５Ａに示す第１領域２１を透過した電磁波の周波数スペクトルの一例を示す図である。図１５Ａに示すように、第１領域２１は、リングを一部分で分割することによって得られる形状を有する、規則的に配置された複数の第１要素２１ａを含んでいる。また第１要素２１ａは、導電層２５に形成された開口パターン２７として構成されている。

図１５Ｂに示すように、周波数スペクトルＳ１は、第１の正のピークと、第１の正のピークよりも高周波数側に現れる第２の正のピークと、を有している。第１のピークは、第２のピークよりも大きくなっている。この場合、第１のピークが極値をとる点を、特徴点Ｐ１として認定することができる。若しくは、第２のピークが極値をとる点を、特徴点Ｐ１として認定してもよい。また、特徴点Ｐ１が現れる周波数ｆ１に基づいて、コードパターン２０を認証することができる。

〔第８の変形例〕
図１６に示すように、第１領域２１の第１要素２１ａは、第１リング２８ａと、第１リング２８ａの内側に配置された第２リング２８ｂと、第１リング２８ａと第２リング２８ｂとの間を接続する接続部２８ｃと、を含んでいてもよい。図１６に示す例においては、９０度の角度を成すよう配置された２つの接続部２８ｃが設けられている。しかしながら、接続部２８ｃの数や配置が特に限られることはない。例えば、１つの接続部２８ｃのみが設けられていてもよい。その他にも、１８０度の角度を成すよう配置された２つの接続部２８ｃが設けられていてもよい。

本変形例によれば、図示はしないが、第１領域２１を透過した電磁波または第１領域２１によって反射された電磁波の周波数スペクトルは、複数の正のピークや負のピークを有することができる。このため、周波数スペクトルの特徴点をピークに基づいて認定することができる。また、接続部２８ｃの数や配置を変化させることによって、ピークの数や位置を変化させることができる。このため、周波数スペクトルの特徴点を任意により容易に設定することができる。

なお図１６に示す例においては、第１リング２８ａ、第２リング２８ｂおよび接続部２８ｃが導電パターン２６として構成される例を示したが、これに限られることはない。上述のいくつかの変形例の場合と同様に、第１リング２８ａ、第２リング２８ｂおよび接続部２８ｃを、導電層２５に形成された開口パターン２７として構成してもよい。

また第１要素２１ａは、第２リング２８ｂの内側に設けられた円形状のパターンをさらに含んでいてもよい。この場合、接続部２８ｃは、第１リング２８ａと第２リング２８ｂとの間を接続するよう延びていてもよく、若しくは、円形状のパターンと第２リング２８ｂとの間を接続するよう延びていてもよい。また接続部２８ｃは、第１リング２８ａと円形状のパターンとの間を接続するよう、第２リング２８ｂを貫通して延びていてもよい。

（コードパターンが設けられる場所の変形例）
また上述の本実施の形態においては、収容体１００を構成する積層体の内部にコードパターン２０が設けられる例を示したが、しかしながら、コードパターン２０が設けられる場所が特に限られることはない。

例えば図１７に示すように、コードパターン２０は、収容体本体１０の内面１０ｙに設けられていてもよい。この場合、収容体１００は、第１層１３および第２層１４を含む紙や樹脂の積層体ではなく、単層の紙や樹脂で構成されていてもよい。

また図１８に示すように、コードパターン２０は、紙又は不透明な樹脂で構成された第１層６１及び第２層６２を含む積層体６００の内部に設けられていてもよい。積層体６００は、例えば本のハードカバーなどとして用いられ得る。この場合、コードパターン２０は、本に関する情報を含んでいてもよい。

また上述の本実施の形態および各変形例においては、コードパターン２０が、紙又は不透明な樹脂からなる不透明層によって外部から遮蔽された場所に設けられる例を示したが、これに限られることはない。例えばコードパターン２０は、外部から視認され得る場所に設けられていてもよい。上述のように、コードパターン２０に含まれる情報は、コードパターン２０自体の形状ではなくコードパターン２０の周波数特性に基づいて認証される。このため、コードパターン２０に含まれる情報に依らず、様々な形状をコードパターン２０に付与することができる。従って、高い意匠性を有するコードパターン２０を、外部から視認され得る場所に設けることができる。また、コードパターン２０自体の形状には情報が含まれていないため、外部から視認され得る場所にコードパターン２０が設けられている場合であっても、コードパターン２０に含まれる情報は、関係者以外には容易には認証されない。

（照射工程および測定工程の変形例）
また上述の本実施の形態においては、照射工程において、電磁波が、各領域２１，２２，２３が並ぶ方向に沿ってスキャンされる例を示したが、これに限られることはない。例えば、測定工程において、コードパターン２０のうち電磁波が照射されるスポット５４は、各領域２１，２２，２３のうち少なくとも２つの領域に跨っていてもよい。例えば、スポット５４は、第１領域２１および第２領域２２の両方を少なくとも部分的に含んでいてもよい。この場合、第１領域２１を透過した電磁波または第１領域２１によって反射された電磁波と、第２領域２２を透過した電磁波または第２領域２２によって反射された電磁波と、が同時に発生する。これら電磁波を同時に測定することにより、第１領域２１に基づく第１周波数スペクトルＳ１と第２領域２２に基づく第２周波数スペクトルＳ２とを同時に得てもよい。この場合、測定部５２として、コードパターン２０の複数の領域からの電磁波を、複数の受信素子をアレイ状に配列した受信システムで面状に検出する装置が用いられてもよい。例えば、測定部５２として、測定対象となる領域を細かく区画した各単位領域における周波数スペクトルをそれぞれ得ることができるハイパースペクトルカメラを用いることができる。これによって、コードパターン２０に含まれる各領域の配列をより迅速に認識することができ、従って、コードパターン２０をより迅速に認証することができる。

（その他の変形例）
また上述の本実施の形態および各変形例においては、コードパターン２０が、第１領域２１、第２領域２２および第３領域２３という３種類の領域を含む例を示したが、しかしながら、コードパターン２０に含まれる領域の種類の数が特に限られることはない。例えばコードパターン２０は、第１情報を含む第１領域２１と、第２情報を含む第２領域２２と、から構成されていてもよい。若しくは、コードパターン２０は、上述の領域２１，２２，２３に加えて、第４情報を含む第４領域またはさらなる領域を含んでいてもよい。
若しくは、コードパターン２０は、一種類の情報のみを含んでいてもよい。例えば、第１の箱に取り付けられるコードパターン２０は、第１情報を含む第１領域２１のみを含み、第２の箱に取り付けられるコードパターン２０は、第２情報を含む第２領域２２のみを含んでいてもよい。この場合であっても、各箱にテラヘルツ波を照射した場合に得られる周波数スペクトルに基づいて、第１情報を含むコードパターン２０が付された第１の箱と、第２情報を含むコードパターンが付された第２の箱とを容易に判別することができる。

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

はじめに、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムを準備し、次に、ＰＥＴフィルムの両面にハードコート層を設けた。ハードコート層は、ＰＥＴフィルムの表面を保護すること、および、印刷への耐性を高めることなどを目的として設けられる、樹脂製のものである。ハードコート層の形成方法は特には限られないが、ここでは塗工法を採用した。その後、ＰＥＴフィルムの両面に設けられたハードコート層のうちの一方のハードコート層の表面に、粘着層および剥離層を、塗工法によって形成した。

次に、ＰＥＴフィルムの両面に設けられたハードコート層のうちの他方のハードコート層の表面に、四角格子状の金属メッシュパターンをマスクプレートとして用いて、真空蒸着法により、クロムを製膜した。これによって、四角格子状に配置された四角形状の複数の要素２１ａ，２２ａ，２３ａを有する領域２１，２２，２３を含む、厚み０．１μｍのクロム製のコードパターン２０を得た。すなわち、表面にクロムのコードパターン２０を有するコードラベルを作製した。この際、第１要素２１ａの幅Ｗ１および各第１要素２１ａ間の間隔Ｇ１を、１８５μｍおよび７５μｍに設定した。また、第２要素２２ａの幅Ｗ２および各第２要素２２ａ間の間隔Ｇ２を、５０μｍおよび２０μｍに設定した。また、第３要素２３ａの幅Ｗ３および各第３要素２３ａ間の間隔Ｇ３を、１８５μｍおよび３５μｍに設定した。

次に、厚さ５０ｍｍの段ボール製の箱の内側に、剥離層を剥いだコードラベルを貼付した。また、コードラベルが外部から視認できないように段ボール箱を封緘した。

その後、段ボール箱の外側から、コードラベルが貼付された位置に向けてテラヘルツ波を照射した。テラヘルツ波の光源としては、非線形光学結晶ＬｉＮｂＯ_３に対しＹＡＧレーザーのレーザー光を照射することによって生じる非線形光学効果を利用してテラヘルツ波を生成する、光注入型テラヘルツパラメトリック光源を使用した。テラヘルツ波の周波数は０．１〜１ＴＨｚとした。テラヘルツ波は、段ボール箱を透過してコードラベルに到達した。コードラベルのコードパターン２０の各領域２１，２２，２３によって反射されたテラヘルツ波は、段ボール箱を再び透過して、段ボール箱の外に設置したテラヘルツ波用パイロ検出器に到達した。図１９に、テラヘルツ波用パイロ検出器によって測定されたテラヘルツ波の周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３を示す。

各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３において、反射率が低下し始める点を特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３として認定した。特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が現れる周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３は、それぞれ５４０ＧＨｚ，６７０ＧＨｚ，４３０ＧＨｚであった。各周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３は十分に離れており、従って、各周波数スペクトルＳ１，Ｓ２，Ｓ３を容易に判別することが可能である。

図１９に示す特徴点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が現れる周波数ｆ１，ｆ２，ｆ３を、コードパターン２０の各領域２１，２２，２３の要素２１ａ，２２ａ，２３ａの幅および要素２１ａ，２２ａ，２３ａ間の間隔の合計値に対してプロットした結果を、図２０に示す。図２０に示すように、特徴点が現れる周波数と、要素の幅および間隔の合計値とは、互いにほぼ比例関係にあることが確認された。

１０ 収容体本体
１０ｘ 外面
１０ｙ 内面
１１ 封筒部
１２ フラップ部
１３，６１ 第１層
１４，６２ 第２層
１５ 第３層
２０ コードパターン
２１ 第１領域
２１ａ 第１要素
２２ 第２領域
２２ａ 第２要素
２３ 第３領域
２３ａ 第３要素
２５ 導電層
２６ 導電パターン
２７ 開口パターン
２８ａ 第１円周
２８ｂ 第２円周
２８ｃ 接続部
３０ 遮蔽物
３１ 紙
５０ 認証装置
５１ 照射部
５２ 測定部
５３ スポット
５５ 搬送部
１００ 収容体

Claims (9)

1. 規則的に配置された複数の第１要素を含む第１領域を少なくとも含むコードパターンに電磁波を照射する照射工程と、
   前記コードパターンを透過した前記電磁波、または前記コードパターンによって反射された前記電磁波の周波数スペクトルを測定する測定工程と、
   前記測定工程の結果に基づいて、前記コードパターンを解析する解析工程と、を備え、
   各第１要素は、導電性を有する導電パターンとして構成されており、若しくは、導電性を有する導電層に形成された開口パターンとして構成されており、
   前記第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔は、少なくとも部分的に、前記電磁波の波長よりも小さく、
   前記周波数スペクトルは、前記第１領域を透過した前記電磁波、または前記第１領域によって反射された前記電磁波の第１周波数スペクトルを含み、
   前記解析工程において、前記コードパターンは、前記第１周波数スペクトルまたは前記第１周波数スペクトルの一次微分に特徴点が現れる周波数に基づいて解析される、コードパターンの認証方法。
2. 前記コードパターンは、規則的に配置された複数の第２要素を含む第２領域をさらに含み、
   各第２要素は、導電性を有する導電パターンとして構成されており、若しくは、導電性を有する導電層に形成された開口パターンとして構成されており、
   前記第２領域の各第２要素の幅または各第２要素間の間隔は、少なくとも部分的に、前記電磁波の波長よりも小さく、かつ、前記第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔と異なり、
   前記周波数スペクトルは、前記第２領域を透過した前記電磁波、または前記第２領域によって反射された前記電磁波の第２周波数スペクトルをさらに含み、
   前記解析工程において、前記コードパターンは、各周波数スペクトルまたは各周波数スペクトルの一次微分に特徴点が現れる周波数に基づいて解析される、請求項１に記載のコードパターンの認証方法。
3. 前記特徴点は、各周波数スペクトルまたは各周波数スペクトルの一次微分が減少または増加し始める点、若しくは、各周波数スペクトルまたは各周波数スペクトルの一次微分に現れるピークの極値をとる点である、請求項１または２に記載のコードパターンの認証方法。
4. 前記照射工程において、前記電磁波として、１００μｍ〜３ｍｍの波長範囲内の電磁波が用いられ、
   前記コードパターンは、紙又は不透明な樹脂からなる不透明層によって外部から遮蔽された場所に設けられており、
   前記照射工程において、前記電磁波は、前記不透明層を透過して前記コードパターンに到達する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコードパターンの認証方法。
5. 前記コードパターンは、紙又は不透明な樹脂からなる不透明層を含む収容体のうち、前記収容体の外面以外の場所に設けられており、
   前記収容体には対象物が収容されており、
   前記コードパターンの解析結果に基づいて、前記対象物が判別される、請求項４に記載のコードパターンの認証方法。
6. 前記照射工程において、前記電磁波として、非線形光学結晶に対してレーザー光を照射することによって生じる非線形光学効果を利用して生成された電磁波が用いられる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のコードパターンの認証方法。
7. 前記照射工程において、前記コードパターンのうち前記電磁波が照射されるスポットは、前記第１領域と前記第２領域とが並ぶ方向に沿ってスキャンされ、この結果、前記第１周波数スペクトルと前記第２周波数スペクトルとが順次測定される、請求項２に記載のコードパターンの認証方法。
8. 前記照射工程において、前記コードパターンのうち前記電磁波が照射されるスポットは、前記第１領域および前記第２領域の両方を少なくとも部分的に含み、
   前記測定工程においては、前記第１周波数スペクトルおよび前記第２周波数スペクトルの両方が同時に測定される、請求項２に記載のコードパターンの認証方法。
9. 規則的に配置されるとともに導電性を有する複数の第１要素を含む第１領域を少なくとも含むコードパターンに電磁波を照射する照射部と、
   前記コードパターンを透過した前記電磁波、または前記コードパターンによって反射された前記電磁波の周波数スペクトルを測定する測定部と、
   前記測定部における測定結果に基づいて、前記コードパターンを解析する解析部と、を備え、
   前記第１領域の各第１要素の幅または各第１要素間の間隔は、少なくとも部分的に、前記電磁波の波長よりも小さく、
   前記周波数スペクトルは、前記第１領域を透過した前記電磁波、または前記第１領域によって反射された前記電磁波の第１周波数スペクトルを含み、
   前記解析部において、前記コードパターンは、前記第１周波数スペクトルまたは前記第１周波数スペクトルの一次微分に特徴点が現れる周波数に基づいて解析される、コードパターンの認証装置。