JP2016005289A - 劣化診断機能を有する電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(劣化診断で使用するMOSFETの特性)
図1は、実施例1においてMOSFETの劣化を診断するときに使用するMOSFETの特性である。IGBTの特性も図1と同様となる。横軸はMOSFETのゲート端子に入力されるゲート電圧、縦軸はMOSFETのドレイン電極およびソース電極に流れる主電流である。実線と破線はそれぞれスイッチング素子の温度が25℃、125℃である場合のゲート電圧に対する飽和電流の特性を示している。
(劣化診断のフローチャート)
次に図2及び図3を用いて劣化診断手段100のフローチャートを説明する。図2は、劣化診断のフローチャートを示している。
図3は、上記したフローチャートに従って劣化診断を行った場合のゲート電圧、ドレイン電圧及び主電流の時間変化を示す図である。まず、ステップ1からステップ3の処理が繰り返されるt1からt5の期間について説明する。ゲート信号に基づいてオン信号が入力された場合は、動作ゲート電圧105(例えば、18V)がゲートに印加され、オフ信号が入力された場合は低電圧(例えば、0V)がゲートに印加される。オン状態(t1〜t2、t3〜t4)の期間は、ドレイン電圧が0Vとなり、主電流が徐々に増加する。オフ状態(t2〜t3、t4〜t5)の期間は、ドレイン電圧が入力電圧(例えば、600V)となり、主電流が0Aとなる。
図4は実施例1の劣化診断手段が適用されたモータ駆動用電力変換装置の回路図である。電力変換装置3は三相インバータを示しており、コンデンサ2とMOSFETQ1〜Q6とMOSFETQ1〜Q6を駆動するためのゲート信号およびゲート電圧を印加するゲート駆動回路6a〜6fとダイオードD1〜D6で構成される。直流電力1の安定化を目的として直流電力1には並列にコンデンサ2が接続されている。
図6は図2の劣化診断手段100のフローチャートを実現する回路構成の一例である。以下では例として図4のMOSFETQ1を対象とした劣化診断手段の動作を説明する。MOSFETQ2〜Q6も同様の回路構成で劣化診断することが可能である。
D1〜D6 ダイオード
1 直流電力
2 コンデンサ
3 電力変換装置
4a〜4c 電流センサ
5 モータ
5a〜5c リアクトル
6a〜6f ゲート駆動回路
7a〜7f 電流センサ
100 劣化診断手段
101 基準電流
101a〜101f MOSFETQ1〜Q6の基準電流
102 クロスポイント
102a、102b MOSFET1、MOSFET2のクロスポイント
103 劣化診断電圧
103a〜103b MOSFETQ1〜Q6の劣化診断電圧
104 劣化時の動作ポイント
200 スイッチング装置
201a、201b トランジスタ
202 ゲート信号(PWM)
203 ゲート駆動回路
205 コンデンサ
206 抵抗
207 ツェナーダイオード
208a、208b 半導体スイッチ
209 論理回路(第1の論理回路)
210 主電流
211 直流電源(第1の直流電源)
213 ゲート電圧切替装置
215 半導体スイッチ
216 直流電源(第3の直流電源)
217 論理回路(第2の論理回路)
218 ゲート停止信号
219 劣化診断部
301a〜301f MOSFETQ1〜Q6の論理回路
Claims (10)
- ゲート端子に入力される制御信号に応じて主電流が変化するスイッチング素子を含むスイッチング装置において、
予め定められた基準電流と前記主電流が一致するときに前記スイッチング素子のゲート電圧を予め定められた診断電圧に切り替えるゲート電圧切替手段と、を有し、
前記ゲート電圧切替手段が動作したときの主電流が前記基準電流と異なるとき、前記スイッチング素子のゲートを停止させる、またはアラームを出力する診断手段を有することを特徴とするスイッチング装置。 - 請求項1に記載のスイッチング装置において、
ゲート電圧に対する飽和電流がスイッチング素子の温度に依存しないクロスポイントにおけるゲート電圧を前記診断電圧とし、
前記クロスポイントにおける飽和電流を前記基準電流とすることを特徴とするスイッチング装置。 - 請求項1乃至請求項2の何れか一項に記載のスイッチング装置において、
前記ゲート電圧切替手段は、前記基準電流と前記主電流が一致するか否かを判定する第1の論理回路と、第1のツェナーダイオードと第1の抵抗から構成され前記第1の論理回路が前記基準電流と前記主電流が一致すると判断した場合に第1の直流電源から前記診断電圧を生成する診断電圧生成回路と、を備えることを特徴とするスイッチング装置。 - 請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載のスイッチング装置において、
前記診断手段は、前記基準電流と前記飽和電流が一致するか否かを判定する第2の論理回路と、前記ゲート電圧切替手段が動作したときの主電流が前記基準電流と異なるとき、前記スイッチング素子のゲート端子にゲート停止の制御信号を入力する、またはアラームを出力する装置と、を備えることを特徴とするスイッチング装置。 - 請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載のスイッチング装置において、
前記スイッチング素子は、シリコン又はシリコンより大きいバンドギャップを有する半導体材料を母材とすることを特徴とするスイッチング装置。 - 請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載のスイッチング装置において、
前記スイッチング素子は、MOSFETの電圧駆動型素子であることを特徴とするスイッチング装置。 - 請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載のスイッチング装置において、前記ゲート電圧切替手段が動作したときの主電流が前記基準電流と異なるとき、前記スイッチング素子の前記ゲート端子に入力される前記制御信号を停止することを特徴とするスイッチング装置。
- 請求項1乃至請求項7の何れか一項に記載のスイッチング装置を複数用いて、直流電力を交流電力に変換して当該交流電力をモータへ供給する電力変換装置において、前記主電流は、前記電力変換装置とモータを接続する電力線に挿入された電流センサ、または、前記スイッチング素子のドレイン電極に挿入された電流センサにより計測されることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載のスイッチング装置を複数用いた電力変換装置において、前記劣化診断手段が何れか一つのスイッチング素子の主電流が前記基準電流と異なるとき、前記複数のスイッチング素子の前記ゲート端子に入力される前記制御信号をすべて停止することを特徴とする電力変換装置。
- 請求項1乃至請求項9の何れか一項に記載のスイッチング装置を複数用いた電力変換装置において、
前記複数のスイッチング装置は、各々異なる前記基準電流と前記劣化診断電圧に基づいてゲート停止、またはアラームの出力の可否を判断することを特徴とする電力変換装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017130859A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 負荷駆動装置 |
WO2017130573A1 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置およびパワーモジュールの熱抵抗計測方法 |
JP2017169441A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | オムロン株式会社 | モータ制御装置 |
JP2017169145A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 東京エレクトロンデバイス株式会社 | 半導体装置、メンテナンス装置、及びメンテナンス方法 |
CN107196578A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-22 | 欧姆龙株式会社 | 马达控制装置 |
WO2019123643A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール |
JP2019161856A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動回路 |
CN112219347A (zh) * | 2018-09-04 | 2021-01-12 | 株式会社日立制作所 | 电力变换装置以及电力变换方法 |
US11016045B2 (en) | 2017-12-18 | 2021-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inverter device and method for detecting heat dissipation characteristics of inverter device |
JP2021110688A (ja) * | 2020-01-15 | 2021-08-02 | 株式会社明電舎 | 半導体素子診断装置および半導体素子診断方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590928A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Toshiba Corp | スイツチング素子のゲート制御装置 |
JP2000022453A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008209382A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-09-11 | Tdk Corp | レーダ装置 |
JP2010093996A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Denso Corp | 電力変換装置 |
JP2010220470A (ja) * | 2010-04-21 | 2010-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用素子の故障検出装置 |
JP2011071174A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法 |
JP2013085397A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Hitachi Automotive Systems Ltd | モータ駆動制御装置 |
-
2014
- 2014-06-13 JP JP2014121968A patent/JP6302760B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0590928A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Toshiba Corp | スイツチング素子のゲート制御装置 |
JP2000022453A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008209382A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-09-11 | Tdk Corp | レーダ装置 |
JP2010093996A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Denso Corp | 電力変換装置 |
JP2011071174A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法 |
JP2010220470A (ja) * | 2010-04-21 | 2010-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用素子の故障検出装置 |
JP2013085397A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Hitachi Automotive Systems Ltd | モータ駆動制御装置 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017130859A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 負荷駆動装置 |
WO2017130573A1 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置およびパワーモジュールの熱抵抗計測方法 |
JP2017135868A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置およびパワーモジュールの熱抵抗計測方法 |
JP2017169441A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | オムロン株式会社 | モータ制御装置 |
CN107196578A (zh) * | 2016-03-15 | 2017-09-22 | 欧姆龙株式会社 | 马达控制装置 |
US10063168B2 (en) | 2016-03-15 | 2018-08-28 | Omron Corporation | Motor controller |
JP2017169145A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 東京エレクトロンデバイス株式会社 | 半導体装置、メンテナンス装置、及びメンテナンス方法 |
US11016045B2 (en) | 2017-12-18 | 2021-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inverter device and method for detecting heat dissipation characteristics of inverter device |
CN111448747A (zh) * | 2017-12-22 | 2020-07-24 | 新电元工业株式会社 | 功率模块 |
JPWO2019123643A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2020-11-26 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール |
WO2019123643A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 新電元工業株式会社 | パワーモジュール |
CN111448747B (zh) * | 2017-12-22 | 2023-09-08 | 新电元工业株式会社 | 功率模块 |
JP2019161856A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動回路 |
JP7043903B2 (ja) | 2018-03-13 | 2022-03-30 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動回路 |
CN112219347A (zh) * | 2018-09-04 | 2021-01-12 | 株式会社日立制作所 | 电力变换装置以及电力变换方法 |
CN112219347B (zh) * | 2018-09-04 | 2024-04-16 | 株式会社日立制作所 | 电力变换装置以及电力变换方法 |
JP2021110688A (ja) * | 2020-01-15 | 2021-08-02 | 株式会社明電舎 | 半導体素子診断装置および半導体素子診断方法 |
JP7287290B2 (ja) | 2020-01-15 | 2023-06-06 | 株式会社明電舎 | 半導体素子診断装置および半導体素子診断方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6302760B2 (ja) | 2018-03-28 |
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