JP2015532530A - Flexible and efficient input / output circuit elements for integrated circuits - Google Patents

Flexible and efficient input / output circuit elements for integrated circuits Download PDF

Info

Publication number
JP2015532530A
JP2015532530A JP2015534591A JP2015534591A JP2015532530A JP 2015532530 A JP2015532530 A JP 2015532530A JP 2015534591 A JP2015534591 A JP 2015534591A JP 2015534591 A JP2015534591 A JP 2015534591A JP 2015532530 A JP2015532530 A JP 2015532530A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
pads
different
bonding
bank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015534591A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
シー パークス ジョナサン
シー パークス ジョナサン
イン ハオ リュウ
イン ハオ リュウ
コク ソン リー
コク ソン リー
エム ワーフェリ サラ
エム ワーフェリ サラ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Baysand Inc
Original Assignee
Baysand Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/627,270 external-priority patent/US9166593B2/en
Application filed by Baysand Inc filed Critical Baysand Inc
Publication of JP2015532530A publication Critical patent/JP2015532530A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0296Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05553Shape in top view being rectangular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0612Layout
    • H01L2224/0613Square or rectangular array
    • H01L2224/06133Square or rectangular array with a staggered arrangement, e.g. depopulated array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528Geometry or layout of the interconnection structure
    • H01L23/5286Arrangements of power or ground buses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11898Input and output buffer/driver structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

集積回路のフレキシブルで実装効率の良いI/O設計は、回路設計を単純化し、設計時間を短縮する。1つの態様では、パッドに用いるESD保護回路素子をこれらのパッド自身の下部に配置することで、信号I/Oバッファのみを残して、電源供給パッド用のセルは部分的に除去される。信号I/Oバッファに接続されたパッドは、カスタム回路素子に合わせて信号I/Oパッドか電源供給パッドのいずれかになり得る。カスタム回路素子は、あるバンク内の信号I/Oバッファは別のバンクの信号I/Oバッファの電源条件とは異なる電源条件を共有するような、フレキシブルなバンク構造をもたらす。バンクの数及び各バンクに属する信号I/Oバッファの数は、柔軟に決定される。カスタム回路素子は、例えば、ワイヤ・ボンディング、フリップチップボンディング、又はその他の種類のボンディングのような異なるパッケージ技術を用いてICパッドが構成されるような、柔軟なパッド選択肢をもたらす。【選択図】図2Flexible and efficient mounting I / O design for integrated circuits simplifies circuit design and reduces design time. In one embodiment, the ESD protection circuit elements used for the pads are disposed under the pads themselves, so that the cells for the power supply pads are partially removed, leaving only the signal I / O buffer. The pad connected to the signal I / O buffer can be either a signal I / O pad or a power supply pad, depending on the custom circuit element. Custom circuit elements provide a flexible bank structure in which a signal I / O buffer in one bank shares a power supply condition different from that of another bank's signal I / O buffer. The number of banks and the number of signal I / O buffers belonging to each bank are determined flexibly. Custom circuit elements provide flexible pad options such that the IC pads are configured using different packaging technologies such as wire bonding, flip chip bonding, or other types of bonding. [Selection] Figure 2

Description

本発明は、集積回路(IC)に用いる入出力(I/O)回路素子に関する。   The present invention relates to input / output (I / O) circuit elements for use in integrated circuits (ICs).

複雑な集積回路では、しばしばI/Oが制限される。必要となる数のI/Oを収容するために集積回路が複雑ではない場合に要求されるサイズを超えてダイサイズが増大することとなる。一般的に、集積回路、特にI/Oが制限された集積回路については、集積回路のI/O部の設計が困難で手間がかかることが多い。さらには、製品設計の周期が短いことで、集積回路設計の周期も短いことが要求される。複雑でI/Oが制限された集積回路も含めた集積回路の設計時間と労力を削減するためには、新たなアプローチが必要とされる。   In complex integrated circuits, I / O is often limited. The die size will increase beyond what is required when the integrated circuit is not complex to accommodate the required number of I / Os. In general, for an integrated circuit, particularly an integrated circuit in which I / O is limited, it is often difficult and troublesome to design an I / O portion of the integrated circuit. Furthermore, since the product design cycle is short, the integrated circuit design cycle is also required to be short. New approaches are needed to reduce the design time and effort of integrated circuits, including complex and I / O limited integrated circuits.

図1は、既存技術による例示的なICダイのI/O回路素子の部分300のレイアウトを上面から示す。ICダイの外周の任意の辺に沿ってI/O回路素子300を配置することができる。I/O回路素子300は、同軸中心状にボンドパッドの2つの列を有する。すなわち、内側のパッド列1及び外側のパッド列2である。外周辺に沿ったパッドの配置は、2つの列の間でずらされている。ワイヤ・ボンディング工程では、内列1にある任意のボンドパッドがワイヤで接続されるよりも前に外列2に沿った全てのパッドがワイヤにより接続されることが典型的であるが、その逆もありうる。この配置により、ワイヤ・ボンディング装置の性能(最少パッドピッチ)を超えることなくより高密度にI/Oパッドを詰め込むことが可能となる。   FIG. 1 shows a layout of an I / O circuit element portion 300 of an exemplary IC die according to existing technology from the top. The I / O circuit element 300 can be disposed along any side of the outer periphery of the IC die. The I / O circuit element 300 has two rows of bond pads coaxially centered. That is, the inner pad row 1 and the outer pad row 2. The arrangement of pads along the outer periphery is shifted between the two rows. In a wire bonding process, it is typical that all pads along the outer row 2 are connected by wires before any bond pads in the inner row 1 are connected by wires, but vice versa. There is also a possibility. With this arrangement, it is possible to pack I / O pads at a higher density without exceeding the performance (minimum pad pitch) of the wire bonding apparatus.

図1中のボンドパッドは、信号ボンドパッド(SIG)201と電源・接地ボンドパッドを有する。電源・接地ボンドパッドは、順に、集積回路のコアロジック部に用いる電源ボンドパッド(VCC CORE)204、集積回路のコアロジック部に用いる接地ボンドパッド(VSS CORE)205、集積回路のI/O部に用いる電源ボンドパッド(VCC IO)202、及び集積回路のI/O部に用いる接地ボンドパッド(VSS IO)203を有する。前述した各パッドは、区別された信号用I/Oセル(SIG IO)211、コアロジック電源I/Oセル(VCC CORE)214、コアロジック接地セル(VSS CORE)215、I/O電源セル(VCC IO)212、及びI/O接地セル(VSS IO)213を有するI/Oセル130の対応する1つのセルに接続される。4つの電源・接地セル130の主な機能は、接続している電源・接地パッドに対する静電気放電(ESD)保護と、I/Oセルのグループ(SIG IO)211への電源供給及び接地を行うことである。   The bond pad in FIG. 1 has a signal bond pad (SIG) 201 and a power / ground bond pad. The power supply / ground bond pads are, in order, a power supply bond pad (VCC CORE) 204 used for the core logic part of the integrated circuit, a ground bond pad (VSS CORE) 205 used for the core logic part of the integrated circuit, and an I / O part of the integrated circuit. A power supply bond pad (VCC IO) 202 used for the semiconductor integrated circuit and a ground bond pad (VSS IO) 203 used for the I / O portion of the integrated circuit. Each of the pads described above includes a signal I / O cell (SIG IO) 211, a core logic power I / O cell (VCC CORE) 214, a core logic ground cell (VSS CORE) 215, an I / O power cell ( VCC IO) 212 and one corresponding cell of I / O cell 130 having I / O ground cell (VSS IO) 213. The main functions of the four power / ground cells 130 are to provide electrostatic discharge (ESD) protection for the connected power / ground pads, and to supply power to and ground the I / O cell group (SIG IO) 211. It is.

各セル130は、1つのI/Oスロットを占有し、そのI/Oスロット同士は所定のピッチで離れている。複雑な集積回路では、典型的には、I/Oパッドのおよそ30%が電源・接地パッドになり、それに対応した割合のセル130が電源・接地セルとなる。   Each cell 130 occupies one I / O slot, and the I / O slots are separated by a predetermined pitch. In complex integrated circuits, typically about 30% of the I / O pads are power / ground pads and a corresponding percentage of cells 130 are power / ground cells.

集積回路の既知のI/O回路素子の部分の図である。FIG. 2 is a diagram of portions of known I / O circuit elements of an integrated circuit. 集積回路のフレキシブルで実装効率の良いI/O回路素子の部分の図である。It is a figure of the part of the flexible I / O circuit element of the integrated circuit with good mounting efficiency. 図2のI/O回路素子の単一の外周セルのレイアウトの上面図である。FIG. 3 is a top view of a layout of a single peripheral cell of the I / O circuit element of FIG. 2. マスクプログラミングに従った図2のI/O回路素子の外周セルのインスタンスのレイアウトの上面図である。FIG. 3 is a top view of a layout of instances of peripheral cells of the I / O circuit element of FIG. 2 according to mask programming. 図4Aの外周セルの断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view of the angular cell in FIG. 4A. 図4Aの外周セルの他の断面図である。FIG. 4B is another cross-sectional view of the angular cell in FIG. 4A. マスクプログラミングに従った図2のI/O回路素子の外周セルの他のインスタンスのレイアウトの上面図である。FIG. 4 is a top view of the layout of another instance of the peripheral cell of the I / O circuit element of FIG. 2 according to mask programming. 図4Dの外周セルの断面図である。It is sectional drawing of the angular cell of FIG. 4D. 図4Dの外周セルの他の断面図である。FIG. 4D is another cross-sectional view of the angular cell in FIG. 4D. マスクプログラムされた1つの構成に従ったパッド配置を示した、外周セルのグループの図である。FIG. 4 is a group of angular cells showing a pad arrangement according to one mask programmed configuration. マスクプログラムされた他の構成に従ったパッド配置を示した、外周セルのグループの図である。FIG. 7 is a group of angular cells showing a pad arrangement according to another mask programmed configuration. マスクプログラムされたさらに他の構成に従ったパッド配置を示した、外周セルのグループの図である。FIG. 6 is a diagram of a group of angular cells showing a pad arrangement according to yet another configuration programmed with a mask. マスクプログラムされた1つのI/Oバンク配置を示したICの平面図である。FIG. 6 is a plan view of an IC showing one mask programmed I / O bank arrangement. マスクプログラムされた他のI/Oバンク配置を示したICの平面図である。FIG. 6 is a plan view of an IC showing another mask programmed I / O bank arrangement. フリップチップマスクプログラミングの選択肢に従って構成されるI/O回路素子の図である。FIG. 5 is a diagram of an I / O circuit element configured according to flip-chip mask programming options. ワイヤ・ボンディングマスクプログラミングの選択肢に従って構成されるI/Oパッドを有するICの図である。FIG. 6 is a diagram of an IC having I / O pads configured in accordance with wire bonding mask programming options. フリップチップボンディングマスクプログラミングの選択肢に従って構成されるI/Oパッドを有するICの図である。FIG. 6 is a diagram of an IC having I / O pads configured in accordance with flip chip bonding mask programming options.

本発明は、付加された図面と併せて以下の詳細な説明からさらに理解される。集積回路のフレキシブルで実装効率の良いI/O設計は、回路設計を単純化し、設計時間を短縮する。1つの態様では、パッドに用いるESD回路素子をこれらのパッド自身の下部に配置することで、信号I/Oバッファのみを残して、電源供給パッド用のセルは部分的に除去される。信号I/Oバッファに接続されたパッドは、カスタム回路素子に合わせて信号I/Oパッドか電源供給パッドのいずれかになり得る。カスタム回路素子はまた、あるバンク内の信号I/Oバッファは別のバンクの信号I/Oバッファの電源条件とは異なる電源条件を共有するような、フレキシブルなバンク構造をもたらす。バンクの数及び各バンクに属する信号I/Oバッファの数は、柔軟に決定される。カスタム回路素子はまた、例えば、ワイヤ・ボンディング、フリップチップボンディング、又はその他の種類のボンディングでICパッドが構成できるような、柔軟なパッド選択肢ももたらす。   The invention will be further understood from the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Flexible and efficient mounting I / O design for integrated circuits simplifies circuit design and reduces design time. In one embodiment, the ESD circuit elements used for the pads are disposed below the pads themselves, so that the cells for the power supply pads are partially removed, leaving only the signal I / O buffer. The pad connected to the signal I / O buffer can be either a signal I / O pad or a power supply pad, depending on the custom circuit element. Custom circuit elements also provide a flexible bank structure in which signal I / O buffers in one bank share power supply conditions that are different from those of signal I / O buffers in another bank. The number of banks and the number of signal I / O buffers belonging to each bank are determined flexibly. Custom circuit elements also provide flexible pad options such that the IC pads can be configured with, for example, wire bonding, flip chip bonding, or other types of bonding.

フレキシブルで実装効率の良いレイアウト
本発明のフレキシブルで実装効率の良いI/O回路素子の一態様では、図1の電源・接地セルの除去を含む。
Flexible and Mounting Efficiency Layout One aspect of the flexible and mounting efficiency I / O circuit element of the present invention includes the removal of the power / ground cell of FIG.

図2に参照のとおり、あるICのI/O回路素子の部分400のレイアウトを上面から見た図が示されている。I/O回路素子400は、3つの電源・接地パッドの外列410(すなわち、列3)を有する。また、I/O回路素子400は、3つの中立的な(uncommitted)パッドの中列420A(すなわち、列2)及び3つの中立的なパッドの内列420B(すなわち、列1)も有する。中立的なパッド420の多くは、I/O信号を取り扱うためにマスクプログラム(すなわち、プログラム、コミット、コンフィギュレーション、又はパーソナライズ)される。いくつかは使用されない可能性もあり、いくつかは電源・接地ラインとして使用されうる。I/O回路素子400はまた、その1つずつが3つの電源・接地パッド410の各々に電気的に接続される3つの静電気放電(ESD)保護回路、例えば、ESD保護回路460Cも有する。   As shown in FIG. 2, a view of the layout of a part 400 of an I / O circuit element of an IC is shown from above. The I / O circuit element 400 has three outer rows 410 of power / ground pads (ie, row 3). The I / O circuit element 400 also has a middle row 420A (ie, row 2) of three uncommitted pads and an inner row 420B (ie, row 1) of three neutral pads. Many of the neutral pads 420 are mask programmed (ie, programmed, committed, configured, or personalized) to handle I / O signals. Some may not be used and some may be used as power / ground lines. The I / O circuit element 400 also includes three electrostatic discharge (ESD) protection circuits, for example, an ESD protection circuit 460C, one of which is electrically connected to each of the three power / ground pads 410.

I/O回路素子400はまた、6つの信号(SIG)I/Oセル、又はI/Oバッファも有する。これらは、列1にある3つの中立的なパッド420Bに電気的に接続される3つの列1信号I/O(ROW1SIGI/O)セル450A、450B、及び450Cを有する。SIGI/Oセルはまた、列2にある3つの中立的なパッド420Aに電気的に接続される3つの列2信号I/O(ROW2SIGI/O)セル440A、440B、及び440Cも有する。このように、各中立的なパッド420はセル440又はセル450のいずれかに電気的に接続される。I/O回路素子400は、互い違いに三列という設計でボンドパッドを配置する。そのパッド位置は、内列1と外列3の間で、ダイの外周辺に沿って、一列である。そのパッド位置は、中列2と列1及び列3の両列にあるパッドとの間で互い違い(すなわち、配置のずれ)になる。   The I / O circuit element 400 also has six signal (SIG) I / O cells, or I / O buffers. They have three column 1 signal I / O (ROW1SIGI / O) cells 450A, 450B, and 450C that are electrically connected to three neutral pads 420B in column 1. The SIGI / O cell also has three column 2 signal I / O (ROW2SIGI / O) cells 440A, 440B, and 440C that are electrically connected to the three neutral pads 420A in column 2. In this way, each neutral pad 420 is electrically connected to either cell 440 or cell 450. In the I / O circuit element 400, bond pads are arranged in a design of three rows alternately. The pad position is in a row between the inner row 1 and the outer row 3 along the outer periphery of the die. The pad positions are staggered between the middle row 2 and the pads in both rows 1 and 3 (ie, misalignment).

3つの電源・接地パッド410は各々、ESD保護回路460の対応するインスタンスと電気的に接続される。各ESD保護回路460は、1つ以上の中立的なパッド420の下部におおむね配置される。この方法により、I/O回路素子400は任意の電源・接地外周セルの必要性を有利に排除する。このように、I/O回路素子400は、パッドが制限されるICに対して必要とされるI/Oダイ面積を有利に削減する。   Each of the three power / ground pads 410 is electrically connected to a corresponding instance of the ESD protection circuit 460. Each ESD protection circuit 460 is generally disposed below one or more neutral pads 420. In this way, the I / O circuit element 400 advantageously eliminates the need for any power / ground peripheral cell. Thus, the I / O circuit element 400 advantageously reduces the I / O die area required for a pad limited IC.

6つのSIGI/Oセル440又は450の各々の機能は、マスクプログラミングの手法により決定される。各セルの機能は、他の任意のSIGI/Oセルの機能とは独立して決定される。マスクプログラマブルICの場合、ウエハー製造工程の初期部は、ロアーマスクと呼ばれるマスクセットを通じて制御される。ウエハー製造工程の後期部は、レイトマスクと呼ばれるマスクセットを用いて制御される。例えば、現代のICは、そのウエハー製造工程の異なるステップで30又は40の異なるマスクを使用するが、それに対して、所定の各IC設計をカスタマイズするためにたった1から例えば4までのマスクのみが必要とされうる。   The function of each of the six SIGI / O cells 440 or 450 is determined by a mask programming technique. The function of each cell is determined independently of the function of any other SIGI / O cell. In the case of a mask programmable IC, the initial part of the wafer manufacturing process is controlled through a mask set called a lower mask. The latter part of the wafer manufacturing process is controlled using a mask set called a late mask. For example, modern ICs use 30 or 40 different masks at different steps in their wafer manufacturing process, whereas only 1 to 4 masks, for example, to customize each given IC design. May be needed.

ウエハー製造工程の後期部では、マスクプログラミングはSIGI/Oセル440又は450の各インスタンスの機能性を決定する。1つの実施形態では、マスクプログラミングによって独立に選択できるそれらの各セルの機能は、次の一連の機能から選択できる。すなわち、(1)その特定のSIGI/Oパッドのインスタンスに対応する特定の中立的なパッド420から入力信号を受ける機能、(2)パッド420に出力信号を供給する機能、(3)入力信号を受け、かつ、パッド420に出力信号を供給する機能、又は(4)IC内の電源・接地ラインの1つにパッド420を接続する機能、である。様々な発明の実施形態において、先に述べたSIGI/Oセルのようなセルは、その一連の機能のより大きな範囲、又はより小さな範囲のマスクプログラマビリティを有することができる。   In later stages of the wafer manufacturing process, mask programming determines the functionality of each instance of SIGI / O cell 440 or 450. In one embodiment, the function of each of those cells that can be independently selected by mask programming can be selected from the following set of functions. (1) a function of receiving an input signal from a specific neutral pad 420 corresponding to the instance of the specific SIGI / O pad, (2) a function of supplying an output signal to the pad 420, and (3) an input signal And (4) a function of connecting the pad 420 to one of the power / ground lines in the IC. In various inventive embodiments, a cell, such as the SIGI / O cell described above, can have a larger range of functions or a smaller range of mask programmability.

I/O回路素子400内の中立的なパッド420は、レイトマスクのみを変更することによりマスクプログラムできる。このマスクプログラマビリティの特徴は、バラエティに富んだIC設計のための高い自由度のサポートを有利にもたらす。   The neutral pad 420 in the I / O circuit element 400 can be mask programmed by changing only the late mask. This mask programmability feature advantageously provides a high degree of freedom support for a variety of IC designs.

フレキシブルなパッド配置
図示された実施形態では、I/O回路素子400は、3つの外周セルのインスタンス、500A、500B、及び500Cとして実施され、各インスタンスがそのマスクプログラミングを除いて同等である。外周セル500のインスタンスは、ダイの外周辺に存在する唯一のセルでありうる。図3を参照して、一実施形態による単一の外周セル500のレイアウトを上面から示す。図示された実施形態では、外周セル500は、列2に配置される1つの中立的なパッド420A、列1に配置される1つの中立的なパッド420B、1つの中立的な電源・接地パッド410、その中立的な電源・接地パッドに電気的に接続される1つのESD保護回路460、中立的なパッド420Aに電気的に接続される1つのSIGI/Oセル440、及び中立的なパッド420Bに電気的に接続される1つのSIGI/Oセル450を有する。また、外周セル500はダイの外周辺に平行に配置される複数の電源・接地ラインも有する。図3に示された実施形態では、これらの電源・接地ラインはVSSIO520、VSS530、VCCIO540、VCCPD550、VREF560、及びVCC570である。これらの電源・接地ラインは各々、中立的な電源・接地パッド410に電気的に接続される。外周セルによって支持される電源・接地ラインの数は当然変わりうる。同様に、それらの電源・接地ラインの機能的性質及び名称も変わりうる。
Flexible Pad Placement In the illustrated embodiment, the I / O circuit element 400 is implemented as three angular cell instances, 500A, 500B, and 500C, each instance being equivalent except for its mask programming. An instance of angular cell 500 may be the only cell that exists around the outside of the die. With reference to FIG. 3, a layout of a single angular cell 500 according to one embodiment is shown from the top. In the illustrated embodiment, the angular cell 500 includes one neutral pad 420A disposed in column 2, one neutral pad 420B disposed in column 1, and one neutral power / ground pad 410. , One ESD protection circuit 460 electrically connected to its neutral power / ground pad, one SIGI / O cell 440 electrically connected to neutral pad 420A, and neutral pad 420B It has one SIGI / O cell 450 that is electrically connected. The peripheral cell 500 also has a plurality of power / ground lines arranged in parallel to the outer periphery of the die. In the embodiment shown in FIG. 3, these power / ground lines are VSSIO 520, VSS 530, VCCIO 540, VCCPD 550, VREF 560, and VCC 570. Each of these power / ground lines is electrically connected to a neutral power / ground pad 410. Of course, the number of power and ground lines supported by the angular cell can vary. Similarly, the functional properties and names of these power / ground lines may vary.

外周セル500の各特定のインスタンスの電源・接地ラインは各々、可変数個の複数の外周セルにラインが延び、共有されるように、又は、単一の外周セルの領域内のみに延びるようにマスクプログラム可能である。この方法では、レイトマスクのみを変えることによって、各電源・接地ラインのセル間での接続性がマスクプログラム(すなわち、プログラム、コミット、又はパーソナライズ)できる。このマスクプログラマビリティは、バラエティに富んだIC設計のための高い自由度のサポートを有利にもたらす。   Each power / ground line of each particular instance of the angular cell 500 is such that the line extends to and shares a variable number of angular cells, or extends only within the area of a single angular cell. Mask programmable. In this method, by changing only the rate mask, the connectivity between cells of each power supply / ground line can be mask-programmed (that is, programmed, committed, or personalized). This mask programmability advantageously provides a high degree of freedom support for a variety of IC designs.

図4Aを参照して、一実施形態による単一の外周セルのレイアウトを上面から示す。図4Bは、切断線4Bに沿って切断した際の、図4Aと同じ外周セルの断側面図である。同様に、図4Cは、切断線4Cに沿って切断した際の、この同じ外周セルの断側面図である。   With reference to FIG. 4A, a layout of a single angular cell according to one embodiment is shown from the top. FIG. 4B is a sectional side view of the same peripheral cell as FIG. 4A when cut along the cutting line 4B. Similarly, FIG. 4C is a cross-sectional side view of the same peripheral cell when cut along the cutting line 4C.

図4A及び4Bは、電源・接地パッド410が、どのようにマスクプログラムされ、図示された外周セル内のVCCIO電源ラインと電気的に接続されるかを示す。この接続は、ビア層VIA5のビア610Aを通じて、下方に通る。この接続は、金属層M5にある金属路に沿って続き、その後、ビア650を通じて下方に続き、金属層M4にあるVCCIO電源ラインまで続く。また、図4A及び4Bは、電源・接地パッド410が、どのようにマスクプログラムされ、この外周セル内のESD保護回路510と接続されるかも示す。この電気的な接続は、ビア層VIA4、ビア層VIA3、又はビア層VIA2の1つに各々ある3つのビア630Aを通じて下方に通る。   4A and 4B show how the power / ground pad 410 is mask programmed and electrically connected to the VCCIO power line in the illustrated peripheral cell. This connection passes downward through the via 610A of the via layer VIA5. This connection continues along the metal path in metal layer M5 and then continues down through via 650 to the VCCIO power line in metal layer M4. 4A and 4B also show how the power / ground pad 410 is mask programmed and connected to the ESD protection circuit 510 in this peripheral cell. This electrical connection passes down through three vias 630A each in one of via layer VIA4, via layer VIA3, or via layer VIA2.

図4A及び4Cは、中立的なパッド420Bが、どのようにマスクプログラムされ、外周セル内にあるそれに対応するI/Oバッファと電気的に接続されるかを示す。この接続は、ビア層VIA5にあるビア620Aを通じて下方に通り、その後金属層M5の金属路に沿って通り、その後ビア層ビア4及びビア5のビア640を通じて下方に通り、その後金属層M3にある金属路に沿って通り、その後1つ以上のビアを通じてI/Oバッファまで下方に通る。   4A and 4C show how the neutral pad 420B is mask programmed and electrically connected to its corresponding I / O buffer in the angular cell. This connection passes down through via 620A in via layer VIA5, then along the metal path of metal layer M5, then down through via 640 of via layer via 4 and via 5, and then in metal layer M3. Pass along the metal path and then down to the I / O buffer through one or more vias.

図4Dないし4Fは、一実施形態による他の単一の外周セルの対応する図を示す。注意すべきは、この外周セルは図4Aに示したセルとは異なるマスクプログラミングを有する点で違いがあり、これらの2つのセルは、同じ初期マスクを有し、このように同じ中立的な潜在的機能性能を有するという点では同じである。   4D-4F show corresponding views of other single angular cells according to one embodiment. Note that this angular cell has a different mask programming than the cell shown in FIG. 4A, and these two cells have the same initial mask and thus the same neutral potential. It is the same in that it has a functional function.

図4D及び4Eは、(図4A及び4Bに示されたVCCIO電源ラインと対比して、)電源・接地パッド410が、どのようにマスクプログラムされ、この外周セル内のVCC電源ラインと電気的に接続されるかを示す。この接続は、層VIA5のビア610Bを通じて下方に通り、その後金属層M5にある金属路に沿って通り、その後ビア660を通じて金属層M4にあるVCC電源ラインまで下方に通る。また、図4D及び4Eは、電源・接地パッド410が、どのようにマスクプログラムされ、この外周セル内のESD保護回路510と電気的に接続されるかも示す。この電気的な接続は、ビア層VIA4、ビア層VIA3、又はビア層VIA2の1つに各々ある3つのビア630Bを通じて下方に通る。   4D and 4E show how the power / ground pad 410 is mask programmed (as opposed to the VCCIO power line shown in FIGS. 4A and 4B) and electrically connected to the VCC power line in this peripheral cell. Indicates whether to be connected. This connection passes down through via 610B in layer VIA5, then along a metal path in metal layer M5, and then down through via 660 to the VCC power line in metal layer M4. 4D and 4E also show how the power / ground pad 410 is mask programmed and electrically connected to the ESD protection circuit 510 in this peripheral cell. This electrical connection passes down through three vias 630B each in one of via layer VIA4, via layer VIA3, or via layer VIA2.

図4D及び4Fは、中立的なパッド420Bが、どのようにマスクプログラムされ、この外周セル内の電源ラインVSSIOと接続されるかを示す。この電気的な接続は、ビア層VIA5のビア620B及びビア層VIA4のビア670により生じる。   4D and 4F show how the neutral pad 420B is mask programmed and connected to the power supply line VSSIO in this peripheral cell. This electrical connection is caused by the via 620B of the via layer VIA5 and the via 670 of the via layer VIA4.

まとめると、図4A、4B、4D、及び4Eは、電源・接地パッド410が、この外周セル内にある電源・接地ラインのうち2つの所定の電源・接地ラインのいずれかと接続するためにどのようにマスクプログラムできるかを示している。異なるマスクプログラミングを用いることで、外周セルの各特定のインスタンスの各電源・接地パッドは、その外周セル内の任意の電源・接地ラインと接続するようにプログラムできる。このように、これらの図に示された金属層及びビア層に用いるレイトマスクに異なるレイアウトを用いることで、ICの特定の機能的な要求をサポートするようにI/Oバンク構造(すなわち、バンク構造又は電源構造)を有利かつフレキシブルにカスタマイズすることができる。   In summary, FIGS. 4A, 4B, 4D, and 4E show how the power / ground pad 410 connects to one of the two predetermined power / ground lines of the power / ground lines in the peripheral cell. Indicates whether mask programming is possible. By using different mask programming, each power / ground pad of each particular instance of the angular cell can be programmed to connect to any power / ground line in that angular cell. Thus, by using different layouts for the late masks used in the metal and via layers shown in these figures, the I / O bank structure (ie, banking) to support the specific functional requirements of the IC. Structure or power supply structure) can be customized advantageously and flexibly.

同様に、図4A、4C、4D、及び4Fは、中立的なパッド420Bが、それに対応するI/Oバッファ又は1つの電源ラインのいずれかと接続するためにどのようにマスクプログラムできるかを示している。異なるマスクプログラミングを用いることで、I/O信号に割り当てられていない任意の中立的なパッドは、任意の外周セル内にある任意の金属ラインと接続するようにプログラムできる。特定の電源ラインに接続する付加的なパッドは、そのライン上でスイッチングにより誘起される過渡電圧を避けるのに役立つことで、ICのパフォーマンスを改善することができる。   Similarly, FIGS. 4A, 4C, 4D, and 4F show how a neutral pad 420B can be mask programmed to connect to either its corresponding I / O buffer or one power line. Yes. Using different mask programming, any neutral pad that is not assigned to an I / O signal can be programmed to connect to any metal line in any angular cell. Additional pads that connect to a particular power supply line can improve IC performance by helping to avoid transient voltages induced by switching on that line.

フレキシブルなI/Oバンク
近年のICを基本としたシステムでは、例えば、リムーバブルメディア又はデバイスとシステムを接続するデータ信号のように、システムの一部が比較的、高電圧かつ低速度に動作しうる。I/O標準はまた、タイミング及び速度変数を指定することが多い。これらは、その標準を使用するICのI/Oバンク構造を設計している際に関係しうる。例えば、比較的高速度な信号が、比較的より大きな電流を消費する場合、各I/Oバンク内で電源・接地パッドはI/O信号パッドに対して比較的より大きな割合とする必要がある。同時に、同じシステム内で、そのシステムの別の部分は比較的、低電圧かつ高速度に動作しうる。例えば、高いメモリ性能を有するICに高いプロセッシング性能を有するICを接続するデータ信号である。市場の要求や製造性能が進展することにより、旧来のI/O標準は、新たな標準に徐々に置き換えられる。このように、近年のICを基本としたいくつかのシステムは、比較的最近のI/O標準に従って動作する部分と、過去のI/O標準に従って動作する部分とを有する場合がある。このように、潜在的にバラエティに富んだI/O標準を扱うためには、簡単にカスタマイズできるバラエティに富んだ特定のICが必要となる。そのようなI/O標準の例として、CMOS、LVCMOS、SSTL、ECL、LVDSなどが含まれるであろう。
Flexible I / O Bank In recent IC-based systems, a part of the system can operate at a relatively high voltage and low speed, for example, a data signal that connects the system to a removable medium or a device. . I / O standards also often specify timing and speed variables. These can be relevant when designing an I / O bank structure for an IC that uses that standard. For example, if a relatively high speed signal consumes a relatively large current, the power / ground pads in each I / O bank must be at a relatively large ratio to the I / O signal pads . At the same time, within the same system, other parts of the system can operate at relatively low voltage and high speed. For example, a data signal for connecting an IC having a high processing performance to an IC having a high memory performance. As market demands and manufacturing performance evolve, old I / O standards are gradually replaced by new standards. Thus, some recent IC-based systems may have a portion that operates in accordance with a relatively recent I / O standard and a portion that operates in accordance with a past I / O standard. Thus, in order to handle potentially diverse I / O standards, a variety of specific ICs that can be easily customized are required. Examples of such I / O standards would include CMOS, LVCMOS, SSTL, ECL, LVDS, etc.

図5Aを参照して、外周セル500のインスタンス、500A、500B、500C、及び500Dを含む、I/O回路素子700Aの図を示す。同様に、図5B及び5Cは、各々も外周セル500のインスタンス、500A、500B、500C、及び500Dを含むI/O回路素子700B及びI/O回路素子700Cをそれぞれ示す。異なるI/O回路700A、700B、及び700Cは、このセル内の6つの電源・接地ライン、具体的には、電源・接地ラインVSSIO、VSS、VCCIO、VCCPD、VREF、及びVCCに関する異なるマスクプログラミングによって区別される。I/O回路700A、700B、及び700Cにある外周セルの数は、例示に過ぎず、増減しても良い。電源・接地ラインの数及びそれらの機能もまた、例示に過ぎない。   Referring to FIG. 5A, a diagram of an I / O circuit element 700A is shown that includes instances of angular cell 500, 500A, 500B, 500C, and 500D. Similarly, FIGS. 5B and 5C show an I / O circuit element 700B and an I / O circuit element 700C, each including an instance of angular cell 500, 500A, 500B, 500C, and 500D, respectively. Different I / O circuits 700A, 700B, and 700C are driven by different mask programming for the six power / ground lines in this cell, specifically, the power / ground lines VSSIO, VSS, VCCIO, VCCPD, VREF, and VCC. Differentiated. The number of peripheral cells in the I / O circuits 700A, 700B, and 700C is merely an example, and may be increased or decreased. The number of power and ground lines and their functions are also exemplary only.

図5A、5B、及び5Cは、外周セル500の電源・接地ラインのマスクプログラマビリティがいかにして複数のI/Oバンクを実装するだけでなく、VREF1及びVREF2のようにI/Oバンクに亘る基準電圧をうまく混在させ整合させるためにも用いられるのか、を示す。このように、発明の実施形態による外周セルの電源・接地ラインのマスクプログラマビリティは、バラエティに富んだ所定のIC設計に用いるバラエティに富んだI/Oバンク構造の設計において非常に高い自由度を有利にサポートする。   5A, 5B, and 5C illustrate how the mask programmability of the power / ground lines of the peripheral cell 500 not only implements multiple I / O banks, but also spans I / O banks such as VREF1 and VREF2. It shows whether it can be used to mix and match the reference voltages well. As described above, the mask programmability of the power supply / ground line of the peripheral cell according to the embodiment of the invention has a very high degree of freedom in designing a variety of I / O bank structures used in a variety of predetermined IC designs. Support advantageously.

図6A及び6Bを参照して、図6Aは一実施形態による例示的なICのダイ800Aの全体レイアウトを上面から示す。同様に、図6Bは異なる例のICのダイ800Bの全体レイアウトを上面から示す。図6A及び6Bでは、例示された各ダイは、例えば外周セル400(図2)を用いてもよい。外周セル400は、3つの電源・接地パッドだけでなく、I/O信号についてよく用いられる6つの中立的なパッドも有する。中立的なパッドは、I/O信号用にマスクプログラムできる。代わりに、それらの中立的なパッドのいくつかは(又は全てでさえ)、ダイの電源条件を満たすのに役立つようマスクプログラムできる。外周セル400はまた、3つの電源・接地パッド及び6つの電源・接地ラインも有する。各電源・接地パッドは、任意のそれら6つの電源・接地ラインに接続するように独立にマスクプログラムできる。ここに記載された原則に沿って、他の様々な実施形態では様々な設計の外周セルを用いることができる。   Referring to FIGS. 6A and 6B, FIG. 6A illustrates the overall layout of an exemplary IC die 800A from the top, according to one embodiment. Similarly, FIG. 6B shows the overall layout of a different example IC die 800B from the top. 6A and 6B, each illustrated die may use, for example, an angular cell 400 (FIG. 2). The angular cell 400 has not only three power / ground pads, but also six neutral pads often used for I / O signals. Neutral pads can be mask programmed for I / O signals. Alternatively, some (or even all) of these neutral pads can be mask programmed to help meet die power requirements. The angular cell 400 also has three power / ground pads and six power / ground lines. Each power / ground pad can be independently mask programmed to connect to any of those six power / ground lines. In accordance with the principles described herein, various other embodiments of the angular cell can be used in various other embodiments.

ダイ800A及び800Bは各々、コアロジック120を有する。IC800A及び800Bは非常に異なるI/Oバンク構造を有する。(図示した例では、ダイ800Aは様々な数のI/Oを含む7つのI/Oバンクを有し、ダイ800Bは様々な数のI/Oを含む9つのI/Oバンクを有する。)これらのI/O構造は各々、マスクプログラミングを介して決定される。これらのI/Oバンクは各々、そのバンク内で用いられるI/O標準に関して他のI/Oバンクとは独立である。典型的には、異なるI/O標準は、図5Aないし5Cに関連して先に図説したようにフレキシブルにサポートされるような異なる電源条件を有する。図6A及び6Bは、本実施形態のマスクプログラマビリティの態様によってサポートされる有利なIC設計自由度を示す。   Dies 800A and 800B each have core logic 120. ICs 800A and 800B have very different I / O bank structures. (In the illustrated example, die 800A has seven I / O banks containing various numbers of I / O, and die 800B has nine I / O banks containing various numbers of I / O.) Each of these I / O structures is determined through mask programming. Each of these I / O banks is independent of other I / O banks with respect to the I / O standards used within that bank. Typically, different I / O standards have different power requirements such that they are flexibly supported as illustrated above in connection with FIGS. 5A-5C. 6A and 6B illustrate the advantageous IC design freedom supported by the mask programmability aspect of the present embodiment.

フレキシブルなI/Oパッドボンディング選択肢
パッドボンディングの選択肢は、ワイヤ・ボンディング、フリップチップボンディング、又は他の種類のボンディングを含みうる。意義深いことに、IC設計サイクルの後半で、又はIC設計が終了した後においてでさえ、ワイヤボンドパッケージとフリップチップパッケージの間の選択が可能である。
Flexible I / O Pad Bonding Options Pad bonding options may include wire bonding, flip chip bonding, or other types of bonding. Significantly, a choice between a wire bond package and a flip chip package is possible later in the IC design cycle or even after the IC design is finished.

図7を参照して、パッドがワイヤボンドパッドではなくバンプパッドである、フリップチップパッド選択肢に従って構成されるI/O回路素子の図を示す。フリップチップパッケージの大きな利点として、バンプパッドのインスタンスはコアロジックの上に位置できる。外周セル500A、500B、500C、及び500Dは各々、I/Oバッファ440及び450(図3)のような一組のI/Oバッファを有する。バッファのレイアウトは依然として同じである一方、(カスタム回路素子により定義される)パッドのレイアウトは異なる。奇数番の外周セル(500A、500C)は、列6及び列4に2つの中立的なボンドパッドを有し列2に1つの電源・接地ボンドパッドを有する3つのボンドパッドと関連付けられる。ESD保護回路(ESDa、ESDc)は、外周セル(500A、500C)のI/Oバッファと隣接し、一部、列6のボンドパッドの下部に位置する。ESD保護回路(ESDa、ESDc)が外周セルの中央に配置されるのに対し、列6にあるボンドパッドは、外周セルの左半分の中央に配置される。列2にある電源・接地ボンドパッドはコアロジック領域120の上部に位置する。   Referring to FIG. 7, a diagram of an I / O circuit element configured according to flip chip pad options, where the pads are bump pads rather than wire bond pads, is shown. As a major advantage of flip chip packages, bump pad instances can be located above the core logic. The angular cells 500A, 500B, 500C, and 500D each have a set of I / O buffers such as I / O buffers 440 and 450 (FIG. 3). While the buffer layout is still the same, the pad layout (defined by the custom circuit elements) is different. The odd numbered perimeter cells (500A, 500C) are associated with three bond pads having two neutral bond pads in columns 6 and 4 and one power / ground bond pad in column 2. The ESD protection circuits (ESDa, ESDc) are adjacent to the I / O buffers of the peripheral cells (500A, 500C) and are partially located below the bond pads in the column 6. The ESD protection circuit (ESDa, ESDc) is arranged at the center of the peripheral cell, whereas the bond pad in the column 6 is arranged at the center of the left half of the peripheral cell. The power / ground bond pads in row 2 are located on top of the core logic area 120.

偶数番の外周セル(500B、500C)は、それらのボンドパッドが列1、3、及び5に位置するようにずれている(互い違いになっている)という点で異なる。奇数番及び偶数番の外周セルはペアとなり、より大きなモジュールを形成する。すなわち、モジュール910Aを形成するように外周セル500A及び500Bがペアとなり、モジュール910Bを形成するように外周セル500C及び500Dがペアとなる。   The even numbered angular cells (500B, 500C) differ in that their bond pads are offset (staggered) to be located in rows 1, 3, and 5. Odd-numbered and even-numbered angular cells are paired to form a larger module. That is, the peripheral cells 500A and 500B are paired to form the module 910A, and the peripheral cells 500C and 500D are paired to form the module 910B.

図8A及び8Bを参照して、一実施形態によるICダイ900Aの全体レイアウトを上面から見た図を図8Aに示す。ダイ900Aはその4つの辺各々に沿って外周セル500のインスタンスを有する。図8Bには、一実施形態によるICダイ900Bの全体レイアウトを上面から見た図が示されている。図8Aでは、外周セル500は四角を形成するように配置され、その中にコアロジック120が配置される。図8Bでは、外周モジュール910は四角を形成するように配置され、その中にコアロジック120が配置される。   With reference to FIGS. 8A and 8B, a top view of the overall layout of an IC die 900A according to one embodiment is shown in FIG. 8A. Die 900A has an instance of angular cell 500 along each of its four sides. FIG. 8B shows a top view of the overall layout of an IC die 900B according to one embodiment. In FIG. 8A, the angular cells 500 are arranged to form a square, and the core logic 120 is arranged therein. In FIG. 8B, the outer peripheral modules 910 are arranged to form a square, and the core logic 120 is arranged therein.

ダイ900Aで用いられるように、外周セル500は3つのボンドパッドを含みうる。ダイ900Bで用いられる外周モジュール910は、バンプパッド920(図7)のような6つのバンプパッドを含みうる。外周セル500と外周モジュール910間のこのような変更は、単純なマスクプログラミングの問題である。隣接するバンプパッドを隔てる最小間隔は、典型的には、ボンドパッド間で要求される最小間隔よりも大きくなる。   As used in the die 900A, the angular cell 500 can include three bond pads. The outer peripheral module 910 used in the die 900B can include six bump pads, such as bump pads 920 (FIG. 7). Such a change between the angular cell 500 and the peripheral module 910 is a simple mask programming issue. The minimum spacing separating adjacent bump pads is typically greater than the minimum spacing required between bond pads.

ワイヤボンドパッケージ及びフリップチップパッケージの両方の場合で、ある特定の特別なIC設計では任意の特定のボンド・バンプパッドは使用されない可能性がある。同様に、任意の特定の中立的なボンド・バンプパッドは、信号ボンド・バンプパッド、又は電源・接地ボンド・バンプパッドのいずれかになるようにマスクプログラムされる可能性もある。   In both wire bond packages and flip chip packages, any particular bond bump pad may not be used in certain particular IC designs. Similarly, any particular neutral bond / bump pad may be mask programmed to be either a signal bond / bump pad or a power / ground bond / bump pad.

先の実施形態に関して述べたとおり、外周セルは、ここで明示的に説明しつつその付随的な図の中で示した手法を含む様々な方法でマスクプログラム可能であるが、それに限定されない。例えば、外周セルはウエハー製造工程の比較的遅い段階で、以下のいくつか又は全てを指定するようにマスクプログラムできる。すなわち、後半のウエハー製造ステップが完了した際に、ICダイにおいてバンプパッド又はボンドパッドのいずれを含むのかという選択と、どの中立的なボンドパッド又は中立的なバンプパッドが入力信号に対して用いられるのか、どれが出力信号に対して用いられるのか、どれが双方向I/O信号に対して用いられるのか、及びどれが電源・接地ラインに対して用いられるのかということと、どの中立的なボンドパッド又は中立的なバンプパッドが入力信号に対して用いられるのか、どれが出力信号に対して用いられるのか、どれが双方向I/O信号に対して用いられるのか、及びどれが電源・接地ラインに対して用いられるのかということと、そしてICのコアロジック内でのバラエティに富んだ機能特性と、である。   As described with respect to the previous embodiments, angular cells can be mask-programmed in various ways, including but not limited to the techniques explicitly described herein and illustrated in the accompanying figures. For example, the angular cell can be mask programmed to specify some or all of the following at a relatively late stage in the wafer manufacturing process. That is, when the latter wafer fabrication step is completed, the choice of which bump pad or bond pad is included in the IC die and which neutral bond pad or neutral bump pad is used for the input signal. Which is used for output signals, which is used for bidirectional I / O signals, which is used for power and ground lines, and which neutral bond Which pad or neutral bump pad is used for the input signal, which is used for the output signal, which is used for the bidirectional I / O signal, and which is the power / ground line And a variety of functional characteristics within the core logic of the IC.

前述した実施形態により実装されたICの設計で変更が生じた際に、製造における投入から出荷までの期間(turn around time(TAT))を有利に削減するように、そのような後半のマスクプログラミングを採用することができる。ICを製造するための潜在的な多数のマスク利用の一部のみが再構成される必要があるため、この後半のマスクプログラミングはまた、一連の各設計変更のため生じたコストを有利に削減することも可能である。これらの利点は、かかるIC設計変更がバグ除去又は製品要件が発展した結果として成される場合に、実現することができる。   Such latter half mask programming so as to advantageously reduce the turn-around time (TAT) in manufacturing when changes occur in the design of the IC implemented according to the above-described embodiments. Can be adopted. This latter mask programming also advantageously reduces the costs incurred for each series of design changes, since only a portion of the potential multiple mask usage to manufacture the IC needs to be reconfigured. It is also possible. These advantages can be realized when such IC design changes are made as a result of bug removal or product requirement evolution.

発明の実施形態は、集積回路のI/O部をレイアウトする方法、及び、そのようなレイアウトを完了するための命令を含む非一時的なコンピュータ可読媒体としても具現化できる。外周セル、マスクプログラマブル性能、及びI/Oバンクも含むがそれに限定されない。本発明の様々な特徴は、様々なハードウェア記述言語(HDL)において表現できる。HDLによる記述は、ローレベルからハイレベルまで変わりうる。バラエティに富んだHDLが技術的に知られている。バラエティに富んだコンピュータシステムもまた、技術的に知られている。1つ以上のHDLを使用して、ICの設計は、1つ以上のコンピュータシステムによって解釈(すわなち、処理、操作、コンパイル、合成、シミュレート、又は変形)可能な方法で表現できる。   Embodiments of the invention can also be embodied as a non-transitory computer readable medium including a method for laying out an I / O portion of an integrated circuit and instructions for completing such layout. Including, but not limited to, peripheral cells, mask programmable performance, and I / O banks. Various features of the present invention can be expressed in various hardware description languages (HDL). The description in HDL can vary from low level to high level. A variety of HDLs are known in the art. A variety of computer systems are also known in the art. Using one or more HDLs, an IC design can be expressed in a way that can be interpreted (ie, processed, manipulated, compiled, synthesized, simulated, or transformed) by one or more computer systems.

ここで用いられているとおり、近似(approximation)の単語は、別段の定義がない限り、基準値のプラスマイナス10%を意味するものとして使用される。   As used herein, the word approximation is used to mean plus or minus 10% of the reference value, unless otherwise defined.

発明のさらなる観点については、添付の付録に明示してある。   Further aspects of the invention are specified in the attached appendix.

本発明が、その精神又はその本質的な特徴から離れることなく、他の所定の形態で実現できることは当業者にとって明白である。従って、先の記述は例示的なものであり、これに限定されるものではない。発明の範囲は、先の記述によってではなく、付加された請求項によって定義され、あらゆる変更のうちその均等の範囲内にあるいくつかの変更については、その中に包含されるものとする。   It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be implemented in other predetermined forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Accordingly, the above description is illustrative and not restrictive. The scope of the invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and all changes that come within the equivalent scope are intended to be embraced therein.

付録:発明のさらなる観点
19.I/O部を備える集積回路であって、当該I/O部は、
複数のI/Oバッファと、
当該複数のI/Oバッファに接続される複数のI/Oパッドであって、前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは、前記複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続され、前記複数のI/OパッドにおけるI/Oパッドの数は前記複数のI/OバッファにおけるI/Oバッファの数よりも大きくなる、前記複数のI/Oパッドと、
前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドが、信号パッド又は固定電圧パッドのいずれかに定義されるように、前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子と、を備え、
前記カスタム回路素子の構成に依存して、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは固定電圧パッドとして定義され、かつ、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは信号パッドとして定義される、
I/O部を備える集積回路。
Appendix: Further aspects of the invention An integrated circuit including an I / O unit, wherein the I / O unit is
Multiple I / O buffers;
A plurality of I / O pads connected to the plurality of I / O buffers, wherein each I / O pad of the plurality of I / O pads is at least one I / O buffer of the plurality of I / O buffers. A plurality of I / O pads connected to an O buffer, wherein the number of I / O pads in the plurality of I / O pads is greater than the number of I / O buffers in the plurality of I / O buffers;
One of different configurations for customizing the plurality of I / O pads such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is defined as either a signal pad or a fixed voltage pad Custom circuit elements configured according to one configuration,
Depending on the configuration of the custom circuit elements, the variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads are defined as fixed voltage pads, and the variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads is defined. / O pads are defined as signal pads,
An integrated circuit including an I / O unit.

20.前記複数のI/Oパッドは、第一、第二、及び第三のI/Oパッドを備え、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも1つを実行するために構成されるカスタム回路素子をさらに備える、
請求項19に記載のI/O部を備える集積回路。
20. The plurality of I / O pads comprise first, second, and third I / O pads;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
A custom circuit element configured to perform at least one of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 19.

21.前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも2つを実行するために構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項20に記載のI/O部を備える集積回路。
21. At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Comprising custom circuit elements configured to perform at least two of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 20.

22.前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
の全てを実行するために構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項21に記載のI/O部を備える集積回路。
22. At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
With custom circuit elements configured to perform all of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 21.

23.I/O部を備える集積回路であって、当該I/O部は、
複数のI/Oバッファと、
当該複数のI/Oバッファに接続される複数のI/Oパッドであって、前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは、前記複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続され、前記複数のI/OパッドにおけるI/Oパッドの数は前記複数のI/OバッファにおけるI/Oバッファの数よりも大きくなる、前記複数のI/Oパッドと、
前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドが、信号パッド、電源供給パッド、又は接地パッドのいずれかに定義されるように、前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子と、を備え、
前記カスタム回路素子の構成に依存して、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは電源供給パッドとして定義され、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは接地パッドとして定義され、及び前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは信号パッドとして定義される、
I/O部を備える集積回路。
23. An integrated circuit including an I / O unit, wherein the I / O unit is
Multiple I / O buffers;
A plurality of I / O pads connected to the plurality of I / O buffers, wherein each I / O pad of the plurality of I / O pads is at least one I / O buffer of the plurality of I / O buffers. A plurality of I / O pads connected to an O buffer, wherein the number of I / O pads in the plurality of I / O pads is greater than the number of I / O buffers in the plurality of I / O buffers;
Different I / O pads for customizing the plurality of I / O pads such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is defined as either a signal pad, a power supply pad, or a ground pad. A custom circuit element configured according to one of the configurations,
Depending on the configuration of the custom circuit elements, the variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads are defined as power supply pads, and the variable number of I / Os of the plurality of I / O pads is defined. A pad is defined as a ground pad, and a variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads are defined as signal pads;
An integrated circuit including an I / O unit.

24.I/O部を備える集積回路であって、当該I/O部は、
2つのI/Oバッファと、
当該2つのI/Oバッファに接続される3つのI/Oパッドであって、前記3つのI/Oパッドの各I/Oパッドは、前記2つのI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続される、前記3つのI/Oパッドと、
前記3つのI/Oパッドの各I/Oパッドが、信号パッド、電源供給パッド、又は接地パッドのいずれかに定義されるように、前記3つのI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子と、を備え、
前記カスタム回路素子の構成に依存して、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは電源供給パッドとして定義され、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは接地パッドとして定義され、及び前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは信号パッドとして定義される、
I/O部を備える集積回路。
24. An integrated circuit including an I / O unit, wherein the I / O unit is
Two I / O buffers;
Three I / O pads connected to the two I / O buffers, each I / O pad of the three I / O pads being at least one I / O buffer of the two I / O buffers The three I / O pads connected to the O buffer;
A plurality of different I / O pads for customizing the three I / O pads such that each I / O pad of the three I / O pads is defined as either a signal pad, a power supply pad, or a ground pad. A custom circuit element configured according to one of the configurations,
Depending on the configuration of the custom circuit elements, the variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads are defined as power supply pads, and the variable number of I / Os of the plurality of I / O pads is defined. A pad is defined as a ground pad, and a variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads are defined as signal pads;
An integrated circuit including an I / O unit.

25.集積回路のI/O部をレイアウトする方法であって、
複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるような、前記複数のI/Oバッファ及び前記複数のI/Oバッファに接続される前記複数のI/Oパッド、を備える複数のフレキシブルなI/Oモジュールを前記I/O部内で配列するステップと、
前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドが、信号パッド又は固定電圧パッドのいずれかに定義されるように、前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子をレイアウトするステップと、を含み、
前記カスタム回路素子の構成に依存して、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは固定電圧パッドとして定義され、かつ、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは信号パッドとして定義される、
集積回路のI/O部をレイアウトする方法。
25. A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit, comprising:
The plurality of I / O buffers and the plurality of I / O buffers such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is connected to at least one I / O buffer of the plurality of I / O buffers. Arranging a plurality of flexible I / O modules comprising the plurality of I / O pads connected to the I / O unit in the I / O unit;
One of different configurations for customizing the plurality of I / O pads such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is defined as either a signal pad or a fixed voltage pad Laying out custom circuit elements configured according to one configuration,
Depending on the configuration of the custom circuit elements, the variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads are defined as fixed voltage pads, and the variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads is defined. / O pads are defined as signal pads,
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit.

26.各フレキシブルなI/Oモジュールが複数のI/Oバッファを備え、前記複数のI/OパッドにおけるI/Oパッドの数は前記複数のI/OバッファにおけるI/Oバッファの数よりも大きいようにレイアウトが行われる、
請求項25に記載の集積回路のI/O部をレイアウトする装置。
26. Each flexible I / O module includes a plurality of I / O buffers, and the number of I / O pads in the plurality of I / O pads is greater than the number of I / O buffers in the plurality of I / O buffers. Layout is done,
26. An apparatus for laying out an I / O portion of an integrated circuit according to claim 25.

27.集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的なコンピュータ可読媒体であって、
複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるような、前記複数のI/Oバッファ及び前記複数のI/Oバッファに接続される前記複数のI/Oパッド、を備える複数のフレキシブルなI/Oモジュールを前記I/O部内で配列するための命令と、
前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドが、信号パッド又は固定電圧パッドのいずれかに定義されるように、前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子をレイアウトするための命令と、を備え、
前記カスタム回路素子の構成に依存して、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは固定電圧パッドとして定義され、かつ、前記複数のI/Oパッドの可変数個のI/Oパッドは信号パッドとして定義される、
集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的なコンピュータ可読媒体。
27. A non-transitory computer readable medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit,
The plurality of I / O buffers and the plurality of I / O buffers such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is connected to at least one I / O buffer of the plurality of I / O buffers. Instructions for arranging a plurality of flexible I / O modules comprising the plurality of I / O pads connected to the I / O section in the I / O section;
One of different configurations for customizing the plurality of I / O pads such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is defined as either a signal pad or a fixed voltage pad Instructions for laying out custom circuit elements configured according to one configuration,
Depending on the configuration of the custom circuit elements, the variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads are defined as fixed voltage pads, and the variable number of I / O pads of the plurality of I / O pads is defined. / O pads are defined as signal pads,
A non-transitory computer readable medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit.

28.各フレキシブルなI/Oモジュールが複数のI/Oバッファを備え、前記複数のI/OパッドにおけるI/Oパッドの数は前記複数のI/OバッファにおけるI/Oバッファの数よりも大きいような前記レイアウトを行うための命令を備える、
請求項27に記載の集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的なコンピュータ可読媒体。
28. Each flexible I / O module includes a plurality of I / O buffers, and the number of I / O pads in the plurality of I / O pads is greater than the number of I / O buffers in the plurality of I / O buffers. Including instructions for performing the layout,
28. A non-transitory computer readable medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit according to claim 27.

29.I/O部を備える集積回路であって、当該I/O部は、
I/Oバッファの第一のバンクを形成する複数のI/Oバッファと、
I/Oバッファの第二のバンクを形成する複数のI/Oバッファと、
前記I/Oバッファの第一のバンクのI/Oバッファに接続されるI/Oパッドの第一のバンクを形成する複数のI/Oパッドであって、前記I/Oパッドの第一のバンクの各I/Oパッドは、前記I/Oバッファの第一のバンクの少なくとも1つのI/Oバッファに接続される、前記複数のI/Oパッドと、
前記I/Oバッファの第二のバンクのI/Oバッファに接続されるI/Oパッドのバンクを形成する複数のI/Oパッドであって、前記I/Oパッドの第二のバンクの各I/Oパッドは、前記I/Oバッファの第二のバンクの少なくとも1つのI/Oバッファに接続される、前記複数のI/Oパッドと、
前記I/Oパッドの第一のバンクの前記I/Oパッド及び前記I/Oパッドの第二のバンクのI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子と、を備え、
前記I/Oパッドの第一及び第二のバンクの各I/Oパッドが、信号パッド又は固定電圧パッドのいずれかに定義され、
前記I/Oパッドの第一のバンクにある各信号パッドは、前記I/Oパッドの第一のバンクの1つ以上のI/O標準の電源条件に従って電源供給され、
前記I/Oパッドの第二のバンクにある各信号パッドは、前記I/Oパッドの第一のバンクの1つ以上のI/O標準と異なる1つ以上の異なるI/O標準の異なる電源条件に従って電源供給され、
カスタム回路の異なる構成に従って、異なる数のI/Oパッドが前記I/Oパッドの第一のバンク及び前記I/Oパッドの第二のバンクに属するように定義される、
I/O部を備える集積回路。
29. An integrated circuit including an I / O unit, wherein the I / O unit is
A plurality of I / O buffers forming a first bank of I / O buffers;
A plurality of I / O buffers forming a second bank of I / O buffers;
A plurality of I / O pads forming a first bank of I / O pads connected to an I / O buffer of a first bank of the I / O buffer, wherein the first I / O pad first Each I / O pad of the bank is connected to at least one I / O buffer of the first bank of the I / O buffer;
A plurality of I / O pads forming a bank of I / O pads connected to an I / O buffer of a second bank of the I / O buffers, each of the second banks of the I / O pads; A plurality of I / O pads connected to at least one I / O buffer of a second bank of the I / O buffers;
Configured according to one of a plurality of different configurations for customizing the I / O pad of the first bank of the I / O pad and the I / O pad of the second bank of the I / O pad A custom circuit element,
Each I / O pad of the first and second banks of the I / O pad is defined as either a signal pad or a fixed voltage pad;
Each signal pad in the first bank of I / O pads is powered in accordance with one or more I / O standard power requirements of the first bank of I / O pads;
Each signal pad in the second bank of the I / O pads has a different power supply of one or more different I / O standards that are different from one or more I / O standards of the first bank of the I / O pads. Powered and according to the requirements
According to different configurations of the custom circuit, different numbers of I / O pads are defined to belong to the first bank of the I / O pads and the second bank of the I / O pads.
An integrated circuit including an I / O unit.

30.前記I/Oパッドのうち少なくともいくつかのI/Oパッドは、第一、第二、及び第三のI/Oパッドを有する3つのI/Oパッドのグループに分類され、前記I/Oバッファのうち少なくともいくつかのI/Oバッファは、第一及び第二のI/Oバッファを有するI/Oバッファの組に分類され、前記3つのI/Oパッドのグループの各々は、 前記I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドの各々が前記I/Oバッファの組の前記I/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるように、前記I/Oバッファの組の1つと関連付けられる、
請求項29に記載のI/O部を備える集積回路。
30. At least some of the I / O pads are classified into a group of three I / O pads having first, second, and third I / O pads, and the I / O buffer. At least some of the I / O buffers are classified into a set of I / O buffers having first and second I / O buffers, and each of the three groups of I / O pads includes: Each of the first, second, and third I / O pads of the group of O pads is connected to at least one I / O buffer of the I / O buffers of the set of I / O buffers. Associated with one of the set of I / O buffers;
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 29.

31.I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
のうち少なくとも1つを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項30に記載のI/O部を備える集積回路。
31. Defining at least one of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads is used for different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. Define it as an I / O pad to be used for one of the bonds,
Define at least one of directionality and I / O standard for at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads about,
A custom circuit element configured to perform at least one of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 30.

32.I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
のうち少なくとも2つを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項31に記載のI/O部を備える集積回路。
32. Defining at least one of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads is used for different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. Define it as an I / O pad to be used for one of the bonds,
Define at least one of directionality and I / O standard for at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads about,
Comprising custom circuit elements configured to perform at least two of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 31.

33.I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
の全てを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項32に記載のI/O部を備える集積回路。
33. Defining at least one of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads is used for different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. Define it as an I / O pad to be used for one of the bonds,
Define at least one of directionality and I / O standard for at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads about,
With custom circuit elements configured to perform all of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 32.

34.集積回路のI/O部をレイアウトする方法であって、
複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるような、前記複数のI/Oバッファ及び前記複数のI/Oバッファに接続される前記複数のI/Oパッド、を備える複数のフレキシブルなI/Oモジュールを前記I/O部内で配列するステップと、
前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは、複数のI/Oバンクのうち1つのI/Oバンクに属するように定義され、各I/Oバンクは1つ以上のI/O標準の電源条件に従って構成され、前記I/Oバンクの異なるI/Oバンク同士の電源条件は異なるように、前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子をレイアウトするステップと、を含む、
集積回路のI/O部をレイアウトする方法。
34. A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit, comprising:
The plurality of I / O buffers and the plurality of I / O buffers such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is connected to at least one I / O buffer of the plurality of I / O buffers. Arranging a plurality of flexible I / O modules comprising the plurality of I / O pads connected to the I / O unit in the I / O unit;
Each I / O pad of the plurality of I / O pads is defined to belong to one I / O bank among the plurality of I / O banks, and each I / O bank has one or more I / O standards. Configured in accordance with one of the plurality of different configurations for customizing the plurality of I / O pads so that the I / O banks of the different I / O banks have different power supply conditions. Laying out custom circuit elements to be
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit.

35.集積回路のI/O部をレイアウトする方法であって、
複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるような、前記複数のI/Oバッファ及び前記複数のI/Oバッファに接続される前記複数のI/Oパッド、を備える複数のフレキシブルなI/Oモジュールを前記I/O部内で配列するステップと、
前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは、複数のI/Oバンクのうち1つのI/Oバンクに属するように定義され、各I/Oバンクは1つ以上のI/O標準の電源条件に従って構成され、前記I/Oバンクの異なるI/Oバンク同士の電源条件は異なるように、前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子をレイアウトするステップと、を含む、
集積回路のI/O部をレイアウトする方法。
35. A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit, comprising:
The plurality of I / O buffers and the plurality of I / O buffers such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is connected to at least one I / O buffer of the plurality of I / O buffers. Arranging a plurality of flexible I / O modules comprising the plurality of I / O pads connected to the I / O unit in the I / O unit;
Each I / O pad of the plurality of I / O pads is defined to belong to one I / O bank among the plurality of I / O banks, and each I / O bank has one or more I / O standards. Configured in accordance with one of the plurality of different configurations for customizing the plurality of I / O pads so that the I / O banks of the different I / O banks have different power supply conditions. Laying out custom circuit elements to be
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit.

36.各フレキシブルなI/Oモジュールが複数のI/Oバッファを備え、前記複数のI/OパッドにおけるI/Oパッドの数は前記複数のI/OバッファにおけるI/Oバッファの数よりも大きいようにレイアウトが行われる、
請求項35に記載の集積回路のI/O部をレイアウトする装置。
36. Each flexible I / O module includes a plurality of I / O buffers, and the number of I / O pads in the plurality of I / O pads is greater than the number of I / O buffers in the plurality of I / O buffers. Layout is done,
36. An apparatus for laying out an I / O portion of an integrated circuit according to claim 35.

37.集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的なコンピュータ可読媒体であって、
複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるような、前記複数のI/Oバッファ及び前記複数のI/Oバッファに接続される前記複数のI/Oパッド、を備える複数のフレキシブルなI/Oモジュールを前記I/O部内で配列するための命令と、
前記複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは、複数のI/Oバンクのうち1つのI/Oバンクに属するように定義され、各I/Oバンクは1つ以上のI/O標準の電源条件に従って構成され、前記I/Oバンクの異なるI/Oバンク同士の電源条件は異なるように、前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子をレイアウトするための命令と、を備える、
集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的なコンピュータ可読媒体。
37. A non-transitory computer readable medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit,
The plurality of I / O buffers and the plurality of I / O buffers such that each I / O pad of the plurality of I / O pads is connected to at least one I / O buffer of the plurality of I / O buffers. Instructions for arranging a plurality of flexible I / O modules comprising the plurality of I / O pads connected to the I / O section in the I / O section;
Each I / O pad of the plurality of I / O pads is defined to belong to one I / O bank among the plurality of I / O banks, and each I / O bank has one or more I / O standards. Configured in accordance with one of the plurality of different configurations for customizing the plurality of I / O pads so that the I / O banks of the different I / O banks have different power supply conditions. Instructions for laying out custom circuit elements to be
A non-transitory computer readable medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit.

38.各フレキシブルなI/Oモジュールが複数のI/Oバッファを備え、前記複数のI/OパッドにおけるI/Oパッドの数は前記複数のI/OバッファにおけるI/Oバッファの数よりも大きいような前記レイアウトを行うための命令を備える、
請求項37に記載の集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的なコンピュータ可読媒体。
38. Each flexible I / O module includes a plurality of I / O buffers, and the number of I / O pads in the plurality of I / O pads is greater than the number of I / O buffers in the plurality of I / O buffers. Including instructions for performing the layout,
38. A non-transitory computer readable medium for laying out the I / O portion of the integrated circuit of claim 37.

39.I/O部を備える集積回路であって、当該I/O部は、
互いに所定のI/Oスロットピッチで配置される隣接した複数のI/Oスロットを占有する複数のI/Oバッファと、
前記複数のI/Oバッファのレイアウトは、選択されたパッド選択肢に関わらず同じであるように、前記複数のI/Oバッファに接続される複数のI/Oパッドを定義するため、かつ、少なくともワイヤボンドパッド選択肢及びフリップチップパッド選択肢を含む複数のパッド選択肢の1つの選択肢に従って前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするため、異なる複数の構成のうち1つの構成に従って構成されるカスタム回路素子と、を備える、
I/O部を備える集積回路。
39. An integrated circuit including an I / O unit, wherein the I / O unit is
A plurality of I / O buffers occupying a plurality of adjacent I / O slots arranged at a predetermined I / O slot pitch with respect to each other;
Defining a plurality of I / O pads connected to the plurality of I / O buffers such that the layout of the plurality of I / O buffers is the same regardless of the selected pad option, and at least A custom circuit element configured according to one of a plurality of different configurations to customize the plurality of I / O pads according to one of a plurality of pad options including a wire bond pad option and a flip chip pad option; Comprising
An integrated circuit including an I / O unit.

40.前記I/Oパッドのうち少なくともいくつかのI/Oパッドは、第一、第二、及び第三のI/Oパッドを有する3つのI/Oパッドのグループに分類され、前記I/Oバッファのうち少なくともいくつかのI/Oバッファは、第一及び第二のI/Oバッファを有するI/Oバッファの組に分類され、前記3つのI/Oパッドのグループの各々は、 前記I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドの各々が前記I/Oバッファの組の前記I/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるように、前記I/Oバッファの組の1つと関連付けられる、
請求項39に記載のI/O部を備える集積回路。
40. At least some of the I / O pads are classified into a group of three I / O pads having first, second, and third I / O pads, and the I / O buffer. At least some of the I / O buffers are classified into a set of I / O buffers having first and second I / O buffers, and each of the three groups of I / O pads includes: Each of the first, second, and third I / O pads of the group of O pads is connected to at least one I / O buffer of the I / O buffers of the set of I / O buffers. Associated with one of the set of I / O buffers;
40. An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 39.

41.前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも1つを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項39に記載のI/O部を備える集積回路。
41. Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
A custom circuit element configured to perform at least one of
40. An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 39.

42.前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも2つを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項41に記載のI/O部を備える集積回路。
42. Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Comprising custom circuit elements configured to perform at least two of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 41.

43.前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも全てを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項42に記載のI/O部を備える集積回路。
43. Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
A custom circuit element configured to perform at least all of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 42.

44.複数のI/Oバッファを備える複数のフレキシブルなI/OモジュールをI/O部内で配列するステップと、
複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは、前記複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるように、前記複数のI/Oバッファに接続される前記複数のI/Oパッドを定義するために構成されるカスタム回路素子をレイアウトするステップと、を含み、
前記複数のI/Oバッファのレイアウトは、選択されたパッド選択肢に関わらず同じであるように、少なくともワイヤボンドパッド選択肢及びフリップチップパッド選択肢を含む複数のパッド選択肢の1つの選択肢に従って前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って前記カスタム回路素子が構成される、
集積回路のI/O部をレイアウトする方法。
44. Arranging a plurality of flexible I / O modules comprising a plurality of I / O buffers in an I / O section;
The plurality of I / O pads connected to the plurality of I / O buffers so that each I / O pad of the plurality of I / O pads is connected to at least one I / O buffer among the plurality of I / O buffers. Laying out custom circuit elements configured to define the I / O pads of
The layout of the plurality of I / O buffers is the same regardless of the selected pad option, and the plurality of I / O buffers according to one option of the plurality of pad options including at least a wire bond pad option and a flip chip pad option. The custom circuit element is configured according to one of a plurality of different configurations for customizing the / O pad;
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit.

45.各フレキシブルなI/Oモジュールが複数のI/Oバッファを備え、前記複数のI/OパッドにおけるI/Oパッドの数は前記複数のI/OバッファにおけるI/Oバッファの数よりも大きいようにレイアウトが行われる、
請求項44に記載の集積回路のI/O部をレイアウトする装置。
45. Each flexible I / O module includes a plurality of I / O buffers, and the number of I / O pads in the plurality of I / O pads is greater than the number of I / O buffers in the plurality of I / O buffers. Layout is done,
45. An apparatus for laying out an I / O portion of an integrated circuit according to claim 44.

46.複数のI/Oバッファを備える複数のフレキシブルなI/OモジュールをI/O部内で配列するための命令方法と、
複数のI/Oパッドの各I/Oパッドは、前記複数のI/Oバッファのうち少なくとも1つのI/Oバッファに接続されるように、前記複数のI/Oバッファに接続される前記複数のI/Oパッドを定義するために構成されるカスタム回路素子をレイアウトするための命令方法と、を備え、
前記複数のI/Oバッファのレイアウトは、選択されたパッド選択肢に関わらず同じであるように、少なくともワイヤボンドパッド選択肢及びフリップチップパッド選択肢を含む複数のパッド選択肢の1つの選択肢に従って前記複数のI/Oパッドをカスタマイズするための異なる複数の構成のうち1つの構成に従って前記カスタム回路素子が構成される、
集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的なコンピュータ可読媒体。
46. An instruction method for arranging a plurality of flexible I / O modules having a plurality of I / O buffers in an I / O unit;
The plurality of I / O pads connected to the plurality of I / O buffers so that each I / O pad of the plurality of I / O pads is connected to at least one I / O buffer among the plurality of I / O buffers. An instruction method for laying out custom circuit elements configured to define the I / O pads of
The layout of the plurality of I / O buffers is the same regardless of the selected pad option, and the plurality of I / O buffers according to one option of the plurality of pad options including at least a wire bond pad option and a flip chip pad option. The custom circuit element is configured according to one of a plurality of different configurations for customizing the / O pad;
A non-transitory computer readable medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit.

47.各フレキシブルなI/Oモジュールが複数のI/Oバッファを備え、前記複数のI/OパッドにおけるI/Oパッドの数は前記複数のI/OバッファにおけるI/Oバッファの数よりも大きいような前記レイアウトを行うための命令を備える、
請求項46に記載の集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的なコンピュータ可読媒体。
47. Each flexible I / O module includes a plurality of I / O buffers, and the number of I / O pads in the plurality of I / O pads is greater than the number of I / O buffers in the plurality of I / O buffers. Including instructions for performing the layout,
47. A non-transitory computer readable medium for laying out the I / O portion of the integrated circuit of claim 46.

120 コアロジック(コアロジック領域)
130 I/Oセル
201 信号ボンドパッド(SIG)
202 電源ボンドパッド(VCC IO)
203 接地ボンドパッド(VSS IO)
204 電源ボンドパッド(VCC CORE)
205 接地ボンドパッド(VSS CORE)
211 信号用I/Oセル(SIG IO)
212 I/O電源セル(VCC IO)
213 I/O接地セル(VSS IO)
214 コアロジック電源I/Oセル(VCC CORE)
215 コアロジック接地セル(VSS CORE)
300 I/O回路素子(I/O回路素子の部分)
400 I/O回路素子(I/O回路素子の部分、外周セル)
410 電源・接地パッド
420 中立的なパッド
420A 中立的なパッド(列2)
420B 中立的なパッド(列1)
440 SIGIOセル(I/Oバッファ)
440A 列2信号I/O(ROW2SIGI/O)セル
440B 列2信号I/O(ROW2SIGI/O)セル
440C 列2信号I/O(ROW2SIGI/O)セル
450 SIGIOセル(I/Oバッファ)
450A 列1信号I/O(ROW1SIGI/O)セル
450B 列1信号I/O(ROW1SIGI/O)セル
450C 列1信号I/O(ROW1SIGI/O)セル
460 ESD保護回路
460C ESD保護回路
500 外周セル
500A 外周セル(外周セルのインスタンス)
500B 外周セル(外周セルのインスタンス)
500C 外周セル(外周セルのインスタンス)
500D 外周セル(外周セルのインスタンス)
510 ESD保護回路
520 電源・接地ライン(VSSIO)
530 電源・接地ライン(VSS)
540 電源・接地ライン(VCCIO)
550 電源・接地ライン(VCCPD)
560 電源・接地ライン(VREF)
570 電源・接地ライン(VCC)
610A ビア
610B ビア
620A ビア
620B ビア
630A ビア
630B ビア
640 ビア
650 ビア
660 ビア
670 ビア
700A I/O回路(I/O回路素子)
700B I/O回路(I/O回路素子)
700C I/O回路(I/O回路素子)
800A ダイ(IC)
800B ダイ(IC)
900A ダイ(ICダイ)
900B ダイ(ICダイ)
910 外周モジュール
910A モジュール
910B モジュール
920 バンプパッド
120 Core logic (core logic area)
130 I / O cell 201 signal bond pad (SIG)
202 Power Bond Pad (VCC IO)
203 Ground Bond Pad (VSS IO)
204 Power Bond Pad (VCC CORE)
205 Ground bond pad (VSS CORE)
211 I / O cell for signal (SIG IO)
212 I / O power cell (VCC IO)
213 I / O ground cell (VSS IO)
214 Core logic power I / O cell (VCC CORE)
215 Core logic ground cell (VSS CORE)
300 I / O circuit element (part of I / O circuit element)
400 I / O circuit element (I / O circuit element portion, peripheral cell)
410 Power / Ground Pad 420 Neutral Pad 420A Neutral Pad (Row 2)
420B Neutral pad (Row 1)
440 SIGIO cell (I / O buffer)
440A Column 2 signal I / O (ROW2SIGI / O) cell 440B Column2 signal I / O (ROW2SIGI / O) cell 440C Column2 signal I / O (ROW2SIGI / O) cell 450 SIGIO cell (I / O buffer)
450A Column 1 signal I / O (ROW1SIGI / O) cell 450B Column1 signal I / O (ROW1SIGI / O) cell 450C Column1 signal I / O (ROW1SIGI / O) cell 460 ESD protection circuit 460C ESD protection circuit 500 Peripheral cell 500A angular cell (angular cell instance)
500B angular cell (angular cell instance)
500C Angular cell (angular cell instance)
500D angular cell (angular cell instance)
510 ESD Protection Circuit 520 Power / Ground Line (VSSIO)
530 Power / ground line (VSS)
540 Power / ground line (VCCIO)
550 Power / ground line (VCCPD)
560 Power / ground line (VREF)
570 Power / ground line (VCC)
610A Via 610B Via 620A Via 620B Via 630A Via 630B Via 640 Via 650 Via 660 Via 670 Via 700A I / O circuit (I / O circuit element)
700B I / O circuit (I / O circuit element)
700C I / O circuit (I / O circuit element)
800A die (IC)
800B die (IC)
900A die (IC die)
900B die (IC die)
910 Peripheral module 910A Module 910B Module 920 Bump pad

Claims (18)

I/O部を備える集積回路であって、当該I/O部は、
第一のI/Oスロットを占有する第一のI/Oバッファ及び隣接する第二のI/Oスロットを占有する第二のI/Oバッファであって、前記第一のI/Oスロット及び隣接する前記第二のI/Oスロットは互いに所定のI/Oスロットピッチで配置される、前記第一のI/Oバッファ及び前記第二のI/Oバッファと、
前記第一のI/Oバッファに接続される第一のI/Oパッド、前記第二のI/Oバッファに接続される第二のI/Oパッド、及び前記第一のI/Oバッファと前記第二のI/Oバッファのうち少なくとも1つに接続される第三のI/Oパッドを備えるI/Oパッドのグループであって、前記I/OパッドのグループのI/Oパッドは互い違いである、前記I/Oパッドのグループと、
I/Oパッドの下部に位置し、前記I/Oスロットピッチを増大させることなく、前記第三のI/Oパッドに対してESD保護を与えるESD保護回路と、を備える、
I/O部を備える集積回路。
An integrated circuit including an I / O unit, wherein the I / O unit is
A first I / O buffer occupying a first I / O slot and a second I / O buffer occupying an adjacent second I / O slot, the first I / O slot and The adjacent second I / O slots are arranged at a predetermined I / O slot pitch with respect to each other, the first I / O buffer and the second I / O buffer;
A first I / O pad connected to the first I / O buffer; a second I / O pad connected to the second I / O buffer; and the first I / O buffer; A group of I / O pads comprising a third I / O pad connected to at least one of the second I / O buffers, wherein the I / O pads of the group of I / O pads are staggered A group of the I / O pads,
An ESD protection circuit located under the I / O pad and providing ESD protection to the third I / O pad without increasing the I / O slot pitch;
An integrated circuit including an I / O unit.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも1つを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項1に記載のI/O部を備える集積回路。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
A custom circuit element configured to perform at least one of
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 1.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも2つを実行するように前記カスタム回路素子が構成される、
請求項2に記載のI/O部を備える集積回路。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
The custom circuit element is configured to perform at least two of:
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 2.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも3つを実行するように前記カスタム回路素子が構成される、
請求項2に記載のI/O部を備える集積回路。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
The custom circuit element is configured to perform at least three of:
An integrated circuit comprising the I / O unit according to claim 2.
集積回路のI/O部をレイアウトする方法であって、
前記I/O部内で複数のフレキシブルなI/Oモジュールを配列するステップを含み、各フレキシブルなI/Oモジュールは、
第一のI/Oスロットを占有する第一のI/Oバッファ及び隣接する第二のI/Oスロットを占有する第二のI/Oバッファであって、前記第一のI/Oスロット及び隣接する前記第二のI/Oスロットは互いに所定のピッチで配置される、前記第一のI/Oバッファ及び前記第二のI/Oバッファと、
前記第一のI/Oバッファに接続される第一のI/Oパッド、前記第二のI/Oバッファに接続される第二のI/Oパッド、及び前記第一のI/Oバッファと前記第二のI/Oバッファのうち少なくとも1つに接続される第三のI/Oパッドを備えるI/Oパッドのグループであって、前記I/OパッドのグループのI/Oパッドは互い違いである、前記I/Oパッドのグループと、
I/Oパッドの下部に位置し、前記I/Oスロットピッチを増大させることなく、前記第三のI/Oパッドに対してESD保護を与えるESD保護回路と、を備える、
集積回路のI/O部をレイアウトする方法。
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit, comprising:
Arranging a plurality of flexible I / O modules within the I / O unit, each flexible I / O module comprising:
A first I / O buffer occupying a first I / O slot and a second I / O buffer occupying an adjacent second I / O slot, the first I / O slot and The adjacent second I / O slots are arranged at a predetermined pitch with each other, the first I / O buffer and the second I / O buffer;
A first I / O pad connected to the first I / O buffer; a second I / O pad connected to the second I / O buffer; and the first I / O buffer; A group of I / O pads comprising a third I / O pad connected to at least one of the second I / O buffers, wherein the I / O pads of the group of I / O pads are staggered A group of the I / O pads,
An ESD protection circuit located under the I / O pad and providing ESD protection to the third I / O pad without increasing the I / O slot pitch;
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも1つを実行するために前記I/Oモジュールをカスタマイズすることをさらに備える、
請求項5に記載の集積回路のI/O部をレイアウトする方法。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Further comprising customizing the I / O module to perform at least one of
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit according to claim 5.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも2つを実行するために前記I/Oモジュールをカスタマイズすることを備える、
請求項6に記載の集積回路のI/O部をレイアウトする方法。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Customizing the I / O module to perform at least two of
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit according to claim 6.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも3つを実行するために前記I/Oモジュールをカスタマイズすることを備える、
請求項7に記載の集積回路のI/O部をレイアウトする方法。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Customizing said I / O module to perform at least three of
A method for laying out an I / O portion of an integrated circuit according to claim 7.
集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的な機械可読コンピュータ媒体であって、
フレキシブルなI/Oモジュールを定義するための命令を備え、当該フレキシブルなI/Oモジュールは、
第一のI/Oスロットを占有する第一のI/Oバッファ及び隣接する第二のI/Oスロットを占有する第二のI/Oバッファであって、前記第一のI/Oスロット及び隣接する前記第二のI/Oスロットは互いに所定のピッチで配置される、前記第一のI/Oバッファ及び前記第二のI/Oバッファと、
前記第一のI/Oバッファに接続される第一のI/Oパッド、前記第二のI/Oバッファに接続される第二のI/Oパッド、及び前記第一のI/Oバッファと前記第二のI/Oバッファのうち少なくとも1つに接続される第三のI/Oパッドを備えるI/Oパッドのグループであって、前記I/OパッドのグループのI/Oパッドは互い違いである、前記I/Oパッドのグループと、
I/Oパッドの下部に位置し、前記I/Oスロットピッチを増大させることなく、前記第三のI/Oパッドに対してESD保護を与えるESD回路と、を備える、
集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的な機械可読コンピュータ媒体。
A non-transitory machine readable computer medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit comprising:
Instructions for defining a flexible I / O module are provided, and the flexible I / O module includes:
A first I / O buffer occupying a first I / O slot and a second I / O buffer occupying an adjacent second I / O slot, the first I / O slot and The adjacent second I / O slots are arranged at a predetermined pitch with each other, the first I / O buffer and the second I / O buffer;
A first I / O pad connected to the first I / O buffer; a second I / O pad connected to the second I / O buffer; and the first I / O buffer; A group of I / O pads comprising a third I / O pad connected to at least one of the second I / O buffers, wherein the I / O pads of the group of I / O pads are staggered A group of the I / O pads,
An ESD circuit located under the I / O pad and providing ESD protection to the third I / O pad without increasing the I / O slot pitch;
A non-transitory machine-readable computer medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit.
前記集積回路の前記I/O部内で前記I/Oモジュールであって複数の隣接するI/Oモジュール同士を配置するための命令を備える、
請求項9に記載の集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的な機械可読コンピュータ媒体。
An instruction for arranging a plurality of adjacent I / O modules in the I / O portion of the integrated circuit;
A non-transitory machine readable computer medium for laying out the I / O portion of the integrated circuit of claim 9.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも1つを実行するように前記I/Oモジュールをカスタマイズするための命令を備える、
請求項10に記載の集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的な機械可読コンピュータ媒体。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Instructions for customizing the I / O module to execute at least one of
A non-transitory machine-readable computer medium for laying out the I / O portion of the integrated circuit of claim 10.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも2つを実行するように前記I/Oモジュールをカスタマイズするための命令を備える、
請求項11に記載の集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的な機械可読コンピュータ媒体。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Instructions for customizing the I / O module to perform at least two of
A non-transitory machine-readable computer medium for laying out an I / O portion of an integrated circuit according to claim 11.
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも3つを実行するように前記I/Oモジュールをカスタマイズするための命令を備える、
請求項12に記載の集積回路のI/O部をレイアウトするための非一時的な機械可読コンピュータ媒体。
Defining at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads is used for bonding one of a plurality of different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. To define as / O pad,
Defining at least one of directionality and I / O standards for at least one of the first, second, and third I / O pads;
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Instructions for customizing the I / O module to perform at least three of
A non-transitory machine readable computer medium for laying out the I / O portion of the integrated circuit of claim 12.
コアロジック領域と、
当該コアロジック領域の外周を囲むI/O部と、を備え、
前記I/O部内にある回路素子は、複数の線形配列のI/Oスロットを占有する複数の信号I/Oバッファから実質的になり、その配列内で前記I/Oスロットは互いに所定のI/Oスロットピッチで配置される、
集積回路。
The core logic area,
An I / O portion surrounding the outer periphery of the core logic area,
The circuit elements in the I / O section are substantially composed of a plurality of signal I / O buffers that occupy a plurality of linear array I / O slots, and the I / O slots in the array each have a predetermined I / O slot. Arranged at / O slot pitch,
Integrated circuit.
信号I/Oバッファの各組が2つの前記信号I/Oバッファを備える、信号I/Oバッファの複数の組と、
I/Oパッドの複数のグループであって、I/Oパッドの各グループは、付随した信号I/Oバッファの組と関連付けられ、第一、第二、及び第三のI/Oパッドを備える、前記I/Oパッドの複数のグループと、を備え、
前記第一、第二、第三のI/Oパッドは各々、付随した前記I/O信号バッファの組の前記2つのI/O信号バッファのうち少なくとも1つに接続される、
請求項14に記載の集積回路。
A plurality of sets of signal I / O buffers, each set of signal I / O buffers comprising two said signal I / O buffers;
A plurality of groups of I / O pads, each group of I / O pads being associated with an associated set of signal I / O buffers and comprising first, second, and third I / O pads. And a plurality of groups of the I / O pads,
The first, second and third I / O pads are each connected to at least one of the two I / O signal buffers of the associated set of I / O signal buffers;
The integrated circuit according to claim 14.
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも1つを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項15に記載の集積回路。
Defining at least one of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads is used for different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. Define it as an I / O pad to be used for one of the bonds,
Define at least one of directionality and I / O standard for at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads about,
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
A custom circuit element configured to perform at least one of
The integrated circuit according to claim 15.
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち少なくとも2つを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項16に記載の集積回路。
Defining at least one of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads is used for different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. Define it as an I / O pad to be used for one of the bonds,
Define at least one of directionality and I / O standard for at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads about,
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Comprising custom circuit elements configured to perform at least two of
The integrated circuit according to claim 16.
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを電源供給パッド又は信号パッドのいずれかに定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドを、少なくともワイヤ・ボンディング及びフリップチップボンディングを含む異なる複数の種類のボンディングのうち1つのボンディングに用いるI/Oパッドとして定義すること、
I/Oパッドのグループの前記第一、第二、及び第三のI/Oパッドのうち少なくとも1つのI/Oパッドに対して、方向性及びI/O標準のうち少なくとも1つを定義すること、
I/Oパッドのあるバンク内の各I/Oパッドは同一のI/Oパッド電源条件を有し、I/Oパッドの異なるバンク内のI/Oパッドは異なるI/Oパッド電源条件を有する、異なる複数のI/Oパッドのバンクを定義すること、
のうち3つを実行するように構成されるカスタム回路素子を備える、
請求項16に記載の集積回路。
Defining at least one of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads as either a power supply pad or a signal pad;
At least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads is used for different types of bonding including at least wire bonding and flip chip bonding. Define it as an I / O pad to be used for one of the bonds,
Define at least one of directionality and I / O standard for at least one I / O pad of the first, second, and third I / O pads of the group of I / O pads about,
Each I / O pad in a bank with an I / O pad has the same I / O pad power requirement, and I / O pads in different banks of the I / O pad have different I / O pad power requirements Defining a bank of different I / O pads;
Comprising custom circuit elements configured to perform three of:
The integrated circuit according to claim 16.
JP2015534591A 2012-09-26 2013-09-24 Flexible and efficient input / output circuit elements for integrated circuits Pending JP2015532530A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/627,270 2012-09-26
US13/627,270 US9166593B2 (en) 2012-05-28 2012-09-26 Flexible, space-efficient I/O circuitry for integrated circuits
PCT/US2013/061317 WO2014052274A1 (en) 2012-09-26 2013-09-24 Flexible, space-efficient i/o circuitry for integrated circuits

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015532530A true JP2015532530A (en) 2015-11-09

Family

ID=53719571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015534591A Pending JP2015532530A (en) 2012-09-26 2013-09-24 Flexible and efficient input / output circuit elements for integrated circuits

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP2901477A4 (en)
JP (1) JP2015532530A (en)
KR (1) KR20150058273A (en)
CN (1) CN104781924A (en)
WO (1) WO2014052274A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021028927A (en) * 2019-08-09 2021-02-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
WO2021171408A1 (en) * 2020-02-26 2021-09-02 株式会社ソシオネクスト Semiconductor integrated circuit device
WO2024042698A1 (en) * 2022-08-26 2024-02-29 株式会社ソシオネクスト Semiconductor integrated circuit device

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02246354A (en) * 1989-03-20 1990-10-02 Nec Corp Master slice layout integrated circuit device
JPH0574945A (en) * 1991-09-18 1993-03-26 Toshiba Corp Semi-custom integrated circuit
JPH09312345A (en) * 1996-01-25 1997-12-02 Lsi Logic Corp I/o circuit structure of gate array and its manufacture
JP2002009262A (en) * 2000-06-19 2002-01-11 Seiko Epson Corp Semiconductor integrated circuit and its layout design method
JP2003197748A (en) * 2001-12-13 2003-07-11 Acer Laboratories Inc Inner circuit structure of semiconductor chip provided with bonding pad of array type and its manufacturing method
US6798069B1 (en) * 2003-03-28 2004-09-28 Lsi Logic Corporation Integrated circuit having adaptable core and input/output regions with multi-layer pad trace conductors
US20060064660A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 International Business Machines Corporation Method and apparatus for depopulating peripheral input/output cells
JP2007305822A (en) * 2006-05-12 2007-11-22 Kawasaki Microelectronics Kk Semiconductor integrated circuit
JP2007335511A (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Fujitsu Ltd Design method for semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor
JP2008141168A (en) * 2006-11-09 2008-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit and multi-chip module
JP2009164195A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Panasonic Corp Semiconductor chip
JP2010147282A (en) * 2008-12-19 2010-07-01 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device
JP2012235048A (en) * 2011-05-09 2012-11-29 Renesas Electronics Corp Semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296998A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
KR100699894B1 (en) * 2006-01-31 2007-03-28 삼성전자주식회사 Semiconductor chip improving a layout of ESD protection circuit
US20070267748A1 (en) * 2006-05-16 2007-11-22 Tran Tu-Anh N Integrated circuit having pads and input/output (i/o) cells
US7872283B2 (en) * 2006-11-09 2011-01-18 Panasonic Corporation Semiconductor integrated circuit and multi-chip module
US7932744B1 (en) * 2008-06-19 2011-04-26 Actel Corporation Staggered I/O groups for integrated circuits
TWI370531B (en) * 2009-03-19 2012-08-11 Faraday Tech Corp Io cell with multiple io ports and related techniques for layout area saving

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02246354A (en) * 1989-03-20 1990-10-02 Nec Corp Master slice layout integrated circuit device
JPH0574945A (en) * 1991-09-18 1993-03-26 Toshiba Corp Semi-custom integrated circuit
JPH09312345A (en) * 1996-01-25 1997-12-02 Lsi Logic Corp I/o circuit structure of gate array and its manufacture
JP2002009262A (en) * 2000-06-19 2002-01-11 Seiko Epson Corp Semiconductor integrated circuit and its layout design method
JP2003197748A (en) * 2001-12-13 2003-07-11 Acer Laboratories Inc Inner circuit structure of semiconductor chip provided with bonding pad of array type and its manufacturing method
US6798069B1 (en) * 2003-03-28 2004-09-28 Lsi Logic Corporation Integrated circuit having adaptable core and input/output regions with multi-layer pad trace conductors
US20060064660A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 International Business Machines Corporation Method and apparatus for depopulating peripheral input/output cells
JP2007305822A (en) * 2006-05-12 2007-11-22 Kawasaki Microelectronics Kk Semiconductor integrated circuit
JP2007335511A (en) * 2006-06-13 2007-12-27 Fujitsu Ltd Design method for semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor
JP2008141168A (en) * 2006-11-09 2008-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor integrated circuit and multi-chip module
JP2009164195A (en) * 2007-12-28 2009-07-23 Panasonic Corp Semiconductor chip
JP2010147282A (en) * 2008-12-19 2010-07-01 Renesas Technology Corp Semiconductor integrated circuit device
JP2012235048A (en) * 2011-05-09 2012-11-29 Renesas Electronics Corp Semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021028927A (en) * 2019-08-09 2021-02-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
JP7273654B2 (en) 2019-08-09 2023-05-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
WO2021171408A1 (en) * 2020-02-26 2021-09-02 株式会社ソシオネクスト Semiconductor integrated circuit device
JPWO2021171408A1 (en) * 2020-02-26 2021-09-02
JP7323847B2 (en) 2020-02-26 2023-08-09 株式会社ソシオネクスト Semiconductor integrated circuit device
WO2024042698A1 (en) * 2022-08-26 2024-02-29 株式会社ソシオネクスト Semiconductor integrated circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
CN104781924A (en) 2015-07-15
EP2901477A1 (en) 2015-08-05
KR20150058273A (en) 2015-05-28
EP2901477A4 (en) 2016-07-06
WO2014052274A1 (en) 2014-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8773163B1 (en) Flexible, space-efficient I/O circuitry for integrated circuits
JP4647594B2 (en) I / O cell of integrated circuit chip
EP2220682B1 (en) Formation of a hybrid integrated circuit device
CN104350595B (en) Large sized silicon interposers overcoming the reticle area limitations
US9577640B1 (en) Flexible, space-efficient I/O circuitry for integrated circuits
US5721151A (en) Method of fabricating a gate array integrated circuit including interconnectable macro-arrays
US11270988B2 (en) 3D semiconductor device(s) and structure(s) with electronic control units
JP5340047B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
US20080054307A1 (en) Power supply wiring configuration in semiconductor integrated circuit
US20180323148A1 (en) Semiconductor device and io-cell
KR20090088640A (en) Method for assembling semiconductor package
CN108364919A (en) Chip package structure and chip package structure array
US11488939B2 (en) 3D semiconductor devices and structures with at least one vertical bus
JP2015532530A (en) Flexible and efficient input / output circuit elements for integrated circuits
JP2001237317A (en) Semiconductor integrated circuit device, its designing method, and computer-readable recording medium recording i/o cell library
US6744081B2 (en) Interleaved termination ring
WO2011107612A1 (en) Customizable interconnections between electronic circuits
US7107561B2 (en) Method of sizing via arrays and interconnects to reduce routing congestion in flip chip integrated circuits
US8466497B2 (en) Semiconductor integrated circuit chip and layout method for the same
CN112840452A (en) Pad limited configurable logic device
CN110491849A (en) Chip, input/output structure and bed course
JP2011151065A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2011530171A (en) Method and apparatus for forming an I / O cluster in an integrated circuit
JP2007335511A (en) Design method for semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor
US6674176B2 (en) Wire bond package with core ring formed over I/O cells

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170606

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170905

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180130