JP2015525433A - Simカードホルダー、移動端末及びsimカードのホットスワップを識別する方法 - Google Patents
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Abstract
SIM(加入者識別モジュール)カードホルダー、移動端末及びSIMカードのホットスワップを識別する方法であって、前記SIMカードホルダー(1)の基部は、SIMカードメタル接点(12)および前記メタル接点と接続する第一固定メタルピン(14)が設けられ、前記SIMカードホルダーの基部は、付加メタルドーム(11)がさらに設けられ、前記付加メタルドームは、SIMカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、前記付加メタルドームは、移動端末のメインチップがSIMカードの差し込みと抜き出しを識別できるように、自身と接触する高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送する。前記SIMカードホルダーは、従来のSIMカードのホットスワップをサポートしている携帯電話に存在する設計上の複雑さ、マザーボードスペースの占用、製品のコスト増加の問題を解決する。
Description
本発明は移動通信装置分野に関して、特にSIMカードホルダー、移動端末及びSIMカードのホットスワップを識別する方法に関する。
通信ネットワークの高速的な発展に伴って、携帯電話は既に人々の日常生活の中で必要不可欠な電子製品になって、人々は、携帯電話がより小型化される一方、その機能はより多様化されることを望んでいる。それに応じて、移動加入者識別モジュール(SIM、Subscriber Identity Module)カードに対するリクエストもより高くなって、一台の携帯電話はSIMカードとマイクロSDカード(Micro SD Card)が配置されているだけではなく、さらにホットスワップに対するリクエストもより高くなって、そして、Micro SD Cardの普及に伴って、SIMカードのホットスワップ機能に対するリクエストもより切迫になった。
現在、市場で種々のSIMカードのホットスワップ機能を備える携帯電話が現れ、SIMカードを交換する時にシャットダウンする必要がある問題を初歩的に解決したが、現在の一般的なホットスワップ携帯電話は電子スイッチなどの方式によりSIMカードの差し込みと抜き出しの状態を検出して、さらにメインチップにより関連な処理操作が行われ、この設計方式は複雑だけではなく、マザーボードスペースを占用して、製品のコストを増加させ、同時に携帯電話はより小さくなる発展の勢いにも合わない。
本発明の実施形態はSIMカードホルダー、移動端末及びSIMカードのホットスワップを識別する方法を提供して、従来のSIMカードのホットスワップをサポートしている携帯電話に存在する設計上の複雑さ、マザーボードスペースの占用、製品のコストの増加の問題を解決しようとする。
上述した技術課題を鑑みて、本発明の実施形態はSIMカードホルダーを提供して、前記SIMカードホルダーの基部は、メタル接点および前記メタル接点と接続される第一固定メタルピンが設置され、前記SIMカードホルダー基部は、付加メタルドームがさらに設置され、この中に、
前記付加メタルドームは、SIMカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送して、SIMカードの差し込みと抜き出しを識別するように構成させる。
前記付加メタルドームは、SIMカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送して、SIMカードの差し込みと抜き出しを識別するように構成させる。
上述した方案において、前記SIMカードホルダーの基部は、前記付加メタルドームと接続するための第二固定メタルピンをさらに含み、それに応じて、前記付加メタルドームは、さらに、SIMカードが差し込まれていない時に、前記第二固定メタルピンにより所属の移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースと接続するように構成される。
上述した方案において、前記移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースは、移動端末のメインチップの汎用入力/出力(GPIO、General Purpose Input/Output)インターフェースである。
上述した方案において、前記付加メタルドームは、具体的に、SIMカードが差し込まれる時に、SIMカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記付加メタルドームの下方に露出された、予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に接触するように構成される。
上述した方案において、前記SIMカードホルダーの基部は、前記付加メタルドームの下方に穴が設置され、前記穴は、前記予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に対応して位置され、前記SIMカードの押し出しにより、前記付加メタルドームは前記穴により前記予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域と接触する。
上述した方案において、前記付加メタルドームは前記メタル接点におけるグランドピンと隣接して、前記付加メタルドームはSIMカードが差し込まれる時に、SIMカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記メタル接点におけるグランドピンと接触する。
上述した方案において、前記SIMカードホルダーは、前記SIMカードホルダーの基部と噛み合うメタルシェルをさらに含み、前記メタルシェルは、本体ケース、メタルシェル側面に設置されたスナップ及びメタルピンを含む。
本発明の実施形態はさらに移動端末を提供しており、当該移動端末は、前記SIMカードホルダーとメインチップを含む。
本発明の実施形態は、SIMカードのホットスワップを識別する方法を提供しており、当該方法は、移動端末のメインチップは、SIMカードホルダー基部に設置される付加メタルドームの電圧レベル変化をモニターして、前記付加メタルドームが、SIMカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが高電圧レベルから低電圧レベルへ転換する時に、SIMカードが前記SIMカードホルダーに差し込まれることを特定するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが低電圧レベルから高電圧レベルへ転換する時に、SIMカードが前記SIMカードホルダーから抜き出されたことを特定するステップと、を含む。
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが高電圧レベルから低電圧レベルへ転換する時に、SIMカードが前記SIMカードホルダーに差し込まれることを特定するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが低電圧レベルから高電圧レベルへ転換する時に、SIMカードが前記SIMカードホルダーから抜き出されたことを特定するステップと、を含む。
本発明の実施形態の有益な効果は以下のものを含む。SIMカードホルダーの構成を変更することにより、機械的な方式でSIMカードのホットスワップの問題を解決して、SIMカードホルダーの基部に一つの付加メタルドームを追加して、SIMカードが差し込まれていない時に、前記付加メタルドームは圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時、前記付加メタルドームは圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、付加メタルドームは自身と接触する高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送することで、移動端末のメインチップがSIMカードの差し込みと抜き出しを識別できるようにさせ、SIMカードのホットスワップを簡単に識別することを実現する。そして、本発明の実施形態は従来のSIMカードホルダーに対する変更が比較的に小さく、新しい部品を追加する必要がなく、携帯電話マザーボードのレイアウトスペース及び製品コストを増加させなく、簡単且つ実用的で、いずれもの移動端末のSIMカードホルダーに適用できる。
以下、説明書の図面に結合して、本発明の実施形態により提供されるSIMカードホルダー、移動端末及びSIMカードのホットスワップを識別する方法の具体的な実施形態に対して説明する。
本発明の実施形態により提供されるSIMカードホルダーは、従来のSIMカードホルダーと類似した部分が、カードホルダーの基部には、SIMカードメタル接点およびメタル接点と接続される第一固定メタルピンが設置されることであり、本発明の実施形態は従来のSIMカードホルダーの構成に対してさらに改進して、SIMカードホルダーの基部上に付加メタルドームを増設して、当該付加メタルドームは、SIMカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身と接触する高低電圧レベルを所属の端末のメインチップへ伝送することにより、所属の移動端末のメインチップをSIMカードの差し込みと抜き出しを識別できるようにさせる。
本発明の実施形態により提供される前記SIMカードホルダーの構成をよりよく説明するために、以下で二つの具体的な実施形態で説明する。
実施形態一
図1に示すように、本実施形態一のSIMカードホルダーの基部1は、具体的に、付加メタルドーム11、SIMカードメタル接点12、第二固定メタルピン13、第一固定メタルピン14、基部側面に対応するスナップジョイント15及び付加メタルドームの下方の穴16を含む。
図1に示すように、本実施形態一のSIMカードホルダーの基部1は、具体的に、付加メタルドーム11、SIMカードメタル接点12、第二固定メタルピン13、第一固定メタルピン14、基部側面に対応するスナップジョイント15及び付加メタルドームの下方の穴16を含む。
本実施形態一において、付加メタルドーム11と第二固定メタルピン13は接続しており、当該第二固定メタルピン13は移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースと接続し、具体的に、第二固定メタルピン13はプリント配線基板(PCB、Printed Circuit Board)上の配線により前記第二固定メタルピン13とメインチップのGPIOインターフェースを接続させ、当該GPIOインターフェースはデフォルトで高電圧レベルにしても良く、もちろん、本実施形態一において、付加メタルドーム11は第二固定メタルピン13によりその他の予め設定された高電圧レベルインターフェースと接続しても良く、ここで一一例を挙げない。このようにして、付加メタルドーム11が変形されていなかった(即ち、SIMカードが差し込まれていなく、当該付加メタルドームを押し出しない)場合に、付加メタルドームは高電圧レベルに保持される。
同時に、当該付加メタルドーム11はさらに、SIMカードが差し込まれる時に、SIMカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ付加メタルドーム11の下方に露出された、予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に接触することを実現できる。これを実現するために、好ましいのは、図1に示すように、SIMカードホルダーの基部は、付加メタルドーム11の下方に穴16が設置され、当該穴は予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に対応して位置され、このようにして、SIMカードの押し出しにより、付加メタルドーム11は穴16により当該予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に接触する。
上述した構成において、SIMカードが差し込まれていない時に、付加メタルドーム11は高電圧レベルと接触して、高電圧レベルに保持され、SIMカードが差し込まれた後に、SIMカードの押し出しにより、付加メタルドーム11は低電圧レベルと接触して、高電圧レベルから低電圧レベルへ変換して、メインチップは、付加メタルドーム11のこのような高電圧レベルから低電圧レベルへの変化をモニターして、現在のSIMカードの差し込みを識別でき、逆に、前記付加メタルドーム11が元に戻れば、即ち、低電圧レベルのマザーボード区域との接触を停止すれば、メインチップはSIMカードが低電圧レベルから高電圧レベルへ戻ることをモニターでき、現時点でSIMカードが既に抜き出されたことを識別する。
さらに、図3に示すように、本実施形態一におけるSIMカードホルダーは、さらに基部と噛み合うメタルシェル2を含み、当該メタルシェルは、本体ケース21、メタルシェル側面に設置されるスナップ22及びメタルピン23を含む。具体的な構成は従来の技術と同じであり、ここで詳しい説明は省略する。
実施形態二
本実施形態二の原理と構成は実施形態一と基本的に同じであり、図2に示すように、従来のSIMカードホルダーの構成に対して、SIMカードホルダーの基部に一つの付加メタルドーム11と第二固定メタルピン13を追加して、実施形態一との区別は、付加メタルドーム11はもう一つの方式により圧縮状態で低電圧レベルと接触することを実現し、具体的には、当該付加メタルドーム11はSIMカードホルダーの基部内に位置して、且つメタル接点におけるグランドピン17と隣接して、付加メタルドーム11はSIMカードが差し込まれる時に、SIMカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記SIMカードメタル接点12におけるグランドピン17と接触する。
本実施形態二の原理と構成は実施形態一と基本的に同じであり、図2に示すように、従来のSIMカードホルダーの構成に対して、SIMカードホルダーの基部に一つの付加メタルドーム11と第二固定メタルピン13を追加して、実施形態一との区別は、付加メタルドーム11はもう一つの方式により圧縮状態で低電圧レベルと接触することを実現し、具体的には、当該付加メタルドーム11はSIMカードホルダーの基部内に位置して、且つメタル接点におけるグランドピン17と隣接して、付加メタルドーム11はSIMカードが差し込まれる時に、SIMカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記SIMカードメタル接点12におけるグランドピン17と接触する。
付加メタルドーム11は、SIMカードにより押し出されない場合に、その接続関係は実施形態一と同じであり、そのため、本実施形態二は同様に付加メタルドーム11の高低電圧レベルの変化によって、SIMカードが差し込まれるか抜き出されるかを識別することができる。
さらに、本実施形態二は同様に前記SIMカードホルダーの基部と噛み合うメタルシェル2を含み、図3に示すように、前記実施形態ですでに説明され、ここで詳しい説明は省略する。
本発明の実施形態はさらに移動端末を提供しており、当該移動端末は、本発明の実施形態に記述されるSIMカードホルダーとメインチップを含み、具体的な構成は、前記SIMカードホルダーと、メインチップの構成と、接続関係の説明を参照するとされるので、ここで詳しい説明は省略する。
本発明の実施形態は同じ発想に基づいて、さらにSIMカードのホットスワップを識別する方法を提供しており、図4に示すように、当該方法は、以下のステップを含む。
ステップS101において、移動端末のメインチップは、SIMカードホルダー基部に設置された付加メタルドームの電圧レベル変化が、高電圧レベルから低電圧レベルへ転換するか、低電圧レベルから高電圧レベルへ転換するかをモニターして、前記付加メタルドームが高電圧レベルから低電圧レベルへ転換する時、ステップS102を実行し、前記付加メタルドームが低電圧レベルから高電圧レベルへ転換する時、ステップS103を実行する。
ここで、前記付加メタルドームは、SIMカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送するためである。
ステップS102において、移動端末のメインチップは、SIMカードが前記SIMカードホルダーに差し込まれることを特定して、処理プロセスを終了する。
ステップS103において、移動端末のメインチップは、SIMカードが前記SIMカードホルダーから抜き出されることを特定する。
前述した実施の形態に対する記述に基づいて、当業者は、本発明の実施形態はハードウェアにより実現でき、基部に一つの追加の付加メタルドームを増設することにより、当該追加の付加メタルドームは、異なる接続方式により、SIMカードの差し込み状況に対するメインチップ側のモニタリングを実現でき、いずれもの携帯電話のSIMカードホルダーに適用し、別の部品を増加する必要がなく、機械的な方式だけでSIMカードのホットスワップ機能を実現できることを明確に了解できる。
当業者は、図面が一つの好ましい実施形態の模式図に過ぎなく、図面におけるデバイスは本発明を実施することに不可欠ではないことを理解できる。
明らかに、当業者は、本発明の精神と範囲から離脱しないように本発明に対して各種類の改修と変形を行える。これで、もし本発明のそれらの改修と変形は本発明の請求項及びその同等技術の範囲に属すれば、本発明はこれらの改修と変形を含むことも意図する。
Claims (9)
- 加入者識別モジュール(SIM)カードホルダーであって、前記SIMカードホルダーの基部は、SIMカードメタル接点および前記メタル接点と接続された第一固定メタルピンが設置され、
前記SIMカードホルダーの基部は、付加メタルドームがさらに設置され、
前記付加メタルドームは、SIMカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身と接触する高低電圧レベルを所属の移動端末のメインチップへ伝送して、SIMカードの差し込みと抜き出しを識別するように構成されることを特徴とするSIMカードホルダー。 - 前記SIMカードホルダーの基部は、さらに、
前記付加メタルドームと接続するための第二固定メタルピンを含み、
それに応じて、前記付加メタルドームは、さらに、SIMカードが差し込まれていない時に、前記第二固定メタルピンにより所属の移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースと接続するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のSIMカードホルダー。 - 前記移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースは、移動端末のメインチップの汎用入力/出力GPIOインターフェースであることを特徴とする請求項2に記載のSIMカードホルダー。
- 前記付加メタルドームは、具体的に、SIMカードが差し込まれる時に、SIMカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記付加メタルドームの下方に露出された、予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に接触するように構成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のSIMカードホルダー。
- 前記SIMカードホルダーの基部は、前記付加メタルドームの下方に穴が設置され、前記穴は、前記予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に対応して位置され、前記SIMカードの押し出しにより、前記付加メタルドームは前記穴により前記予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域と接触することを特徴とする請求項4に記載のSIMカードホルダー。
- 前記付加メタルドームは前記メタル接点におけるグランドピンと隣接して、前記付加メタルドームはSIMカードが差し込まれる時に、SIMカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記メタル接点におけるグランドピンと接触することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のSIMカードホルダー。
- 前記SIMカードホルダーは、前記SIMカードホルダーの基部と噛み合うメタルシェルをさらに含み、前記メタルシェルは、本体ケース、メタルシェル側面に設置されたスナップ及びメタルピンを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のSIMカードホルダー。
- 移動端末であって、
請求項1〜7のいずれか1項に記載のSIMカードホルダーとメインチップを含むことを特徴とする移動端末。 - SIMカードのホットスワップを識別する方法であって、
移動端末のメインチップは、SIMカードホルダー基部に設置される付加メタルドームの電圧レベル変化をモニターして、前記付加メタルドームが、SIMカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、SIMカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが高電圧レベルから低電圧レベルへ転換する時に、SIMカードが前記SIMカードホルダーに差し込まれることを特定するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが低電圧レベルから高電圧レベルへ転換する時に、SIMカードが前記SIMカードホルダーから抜き出されることを特定するステップと、を含むことを特徴とする方法。
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