CN102984315B - 一种移动终端及其检测sim卡热插拔的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种移动终端及其检测SIM卡热插拔的方法，该方法包括检测设置在SIM卡座上的磁铁所产生的磁场的磁场强度；预设一阈值，并判断磁场强度是否小于或等于阈值；当判断结果为是时，则判定SIM卡插入SIM卡座，当判断结果为否时，则判定SIM卡从SIM卡座拔出。通过上述方式，本发明能够有效地避免SIM卡由于热插拔导致的损坏。

Description

一种移动终端及其检测SIM卡热插拔的方法

技术领域

本发明涉及通信技术领域，特别是涉及一种移动终端及其检测SIM卡热插拔的方法。

背景技术

目前，随着科技的不断发展，手机等移动终端的外观越来越时尚，移动终端的薄型化已成为一种趋势。为了将移动终端变得更薄，现有技术采用的技术方案是：将SIM卡设置在移动终端的侧面，由此用户就可以在移动终端正常开机的状态下插入或拔出SIM卡，但是，如果SIM卡在插入或拔出时，移动终端正在向SIM卡读取或者写入数据，则会损坏SIM卡。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种移动终端及其检测SIM卡热插拔的方法，能够有效地避免SIM卡由于热插拔导致的损坏。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种检测SIM卡热插拔的方法，该方法包括以下步骤：检测设置在SIM卡座上的磁铁所产生的磁场的磁场强度；预设一阈值，并判断磁场强度是否小于或等于阈值；当判断结果为是时，则判定SIM卡插入SIM卡座，开启SIM卡的电源，并进一步开启SIM卡的应用程序；当判断结果为否时，则判定SIM卡从SIM卡座拔出，关闭SIM卡的电源，并在关闭SIM卡的电源前进一步关闭SIM卡的应用程序。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种移动终端，该移动终端包括：SIM卡座，用于收容SIM卡，SIM卡座包括：本体、设置在本体上的铁壳以及设置在铁壳上的磁铁，本体与铁壳连接，磁铁产生磁场；磁场检测单元，设置在SIM卡座的其中一端，用于检测磁铁所产生的磁场的磁场强度；处理单元，用于预设一阈值，处理单元从磁场检测单元获取磁场强度，并判断磁场强度是否小于或等于阈值，当判断结果为是时，则处理单元判定SIM卡插入SIM卡座，处理单元开启SIM卡的电源及开启SIM卡的应用程序；当判断结果为否时，则处理单元判定SIM卡从SIM卡座拔出，处理单元关闭SIM卡的电源，并在关闭电源前进一步关闭SIM卡的应用程序。

其中，SIM卡座进一步包括连接端子，处理单元通过连接端子开启SIM卡的电源或者关闭SIM卡的电源。

其中，SIM卡座进一步包括卡扣，本体与铁壳通过卡扣连接。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过检测设置在SIM卡座上的磁铁所产生的磁场的磁场强度，并判断该磁场强度是否小于或等于预设的阈值，当判断结果为是时，则判定SIM卡插入SIM卡座，当判断结果为否时，则判定SIM卡从SIM卡座拔出。因此，能够通过磁场强度的变化来提前判定SIM卡的插拔情况，进而有效地避免了SIM卡由于热插拔导致的损坏。

附图说明

图1是本发明第一实施例的检测SIM卡热插拔的方法的流程图；

图2是本发明第二实施例的检测SIM卡热插拔的方法的流程图；

图3是本发明第三实施例的一种移动终端的示意框图；

图4是图3所示的移动终端的SIM卡座与磁场检测单元的位置关系图；

图5是图3所示的移动终端的SIM卡座在插入SIM卡和SIM卡从SIM卡座拔出时的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明作进一步的详细描述。以下实施例仅用于说明本发明，但不应用来限定本发明的范围。

请参阅图1，图1是本发明第一实施例的检测SIM卡热插拔的方法流程图，本实施例的方法包括以下步骤：

步骤S101：检测设置在SIM卡座上的磁铁所产生的磁场的磁场强度；

在步骤S101中，在SIM卡插入SIM卡座或者SIM卡从SIM卡座拔出时，SIM卡座需要移动一移位，设置在SIM卡座上的磁铁随着SIM卡座的移动而移动。因此，本实施例检测的是SIM卡插入SIM卡座或者SIM卡从SIM卡座拔出时，磁铁位移改变后产生的磁场的磁场强度。

步骤S102：预设一阈值，并判断磁场强度是否小于或等于阈值；

当判断结果为是时，跳转到步骤S103中，当判断结果为否时，跳转到步骤S104中。

步骤S103：判定SIM卡插入SIM卡座；

在步骤S103中，当判定SIM卡插入SIM卡座后，开启SIM卡的电源，以及进一步开启SIM卡的相关应用程序。其中，应用程序包括搜索移动网络，向SIM卡读取或写入数据等。

步骤S104：判定SIM卡从SIM卡座拔出；

在步骤S104中，当判定SIM卡从SIM卡座拔出后，关闭SIM卡的电源，在关闭电源前进一步关闭SIM卡的相关应用程序。

关闭SIM卡的电源能有效地避免SIM卡由于热插拔导致的损坏。

区别于现有技术的情况，本实施例通过判断检测到的磁场强度是否小于或等于预设的阈值，当判断结果为是时，判定SIM卡插入SIM卡座，此时，开启SIM卡的电源，当判断结果为否时，判定SIM从SIM卡座拔出，此时，关闭SIM卡的电源。由此可有效地避免SIM卡由于热插拔导致的损坏。

请参阅图2，图2是本发明第二实施例的检测SIM卡热插拔的方法的流程图，如图2所示，本实施例的方法包括以下步骤：

步骤S201：检测设置在SIM卡座上的磁铁所产生的磁场的磁场强度；

在步骤S201中，检测设置在SIM卡座上的磁铁所产生的磁场的磁场强度的方法与第一实施例的步骤S101的相同，在此不再赘述。

步骤S202：预设一阈值，并判断磁场强度是否小于或等于阈值；

当判断结果为是时，跳转到步骤S203，当判断结果为否时，跳转到步骤S204中。

步骤S203：，判定SIM卡插入SIM卡座；

在步骤S203中，当判定SIM卡插入SIM卡座后，开启SIM卡的电源，以及开启SIM卡的相关应用程序，确保SIM卡能正常工作。

步骤S204：判定SIM卡从SIM卡座拔出；

在步骤S204中，当判定SIM卡从SIM卡座拔出后，关闭SIM卡的电源，在关闭电源前进一步关闭SIM卡的相关应用程序。

关闭SIM卡的电源能有效地避免SIM卡由于热插拔导致的损坏。

请一并参阅图3和图4，图3是本发明第三实施例的一种移动终端的示意框图，图4是图3所示的移动终端的SIM卡座与磁场检测单元的位置关系图。如图3和图4所示，本实施例的移动终端300包括处理单元310、分别与处理单元310连接的SIM卡座320和磁场检测单元330。

本实施例中，SIM卡座320用于收容SIM卡。其中，SIM卡座320包括本体321、设置在本体321上的铁壳322以及设置在铁壳322上的磁铁323。其中，本体321与铁壳322连接，磁铁323用于对外产生磁场。

磁场检测单元330设置在SIM卡座320的其中一端，用于检测磁铁323所产生的磁场的磁场强度。

处理单元310预设一阈值，并从磁场检测单元330获取磁场强度，然后判断该阈值是否小于或等于磁场检测单元330检测到的磁场强度，当判断结果为是时，则处理单元330判定SIM卡插入SIM卡座320，当判断结果为否时，则处理单元330判定SIM卡从SIM卡座320拔出。

其中，当处理单元310判定SIM卡插入SIM卡座320时，处理单元310开启SIM卡的电源，以及开启SIM卡的相关应用程序；当处理单元310判定SIM卡从SIM卡座320拔出时，处理单元310关闭SIM卡的电源，在关闭电源前进一步关闭SIM卡的相关应用程序。

本实施例中，SIM卡座320进一步包括连接端子324和卡扣325。其中，连接端子324用于连接SIM卡与处理单元310。具体而言，处理单元310通过连接端子324开启SIM卡的电源以及开启SIM卡的相关应用程序或者关闭SIM卡的相关的应用程序和电源。卡扣325设置在铁壳322上，用于连接本体321与铁壳322。

以下将具体说明移动终端300控制SIM卡热插拔的工作原理：

请一并参阅图3、图4和图5，其中，图5是图3所示的移动终端300的SIM卡座320在插入SIM卡和SIM卡从SIM卡座320拔出时的结构示意图。本实施例的磁场检测单元330设置在移动终端300的电路板上，并位于SIM卡座320中未设置有磁铁323的一端。在SIM卡从SIM卡座320拔出前，铁壳322首先如图4所示的方向移动L位移，然后如图5所示的方向向上旋转90度后将SIM卡拔出。值得注意的是，在铁壳322如图4所示的方向移动L位移时，设置在铁壳322上的磁铁323因铁壳322的移动也移动L位移。具体而言，铁壳322向靠近磁场检测单元330的方向移动。因此，磁场检测单元330检测到的磁场强度将变大，当磁场强度大于预设的阈值时，处理单元310判定为SIM卡从SIM卡座320拔出，因此关闭SIM卡的电源，使得SIM卡和移动终端300断开通信连接。值得注意的是，本实施例中预设的阈值的大小应小于磁铁323移动L位移后磁场检测单元330检测到的磁场强度，以确保在SIM卡从SIM卡座320拔出前，处理单元310可以关闭SIM卡的电源。

同理，在SIM卡插入SIM卡座320前，铁壳322首先如图5所示的方向向上旋转90度，然后SIM卡插入SIM卡座320中，铁壳322进一步如图5所示的方向的反方向旋转90度后如图4所示的方向的反方向移动L位移。值得注意的是，在铁壳322如图4所示的方向的反方向移动L位移时，设置在铁壳322上的磁铁323因铁壳322的移动也移动L位移。具体而言，铁壳322向远离磁场检测单元330的方向移动。因此，磁场检测单元330检测到的磁场强度将变小，当磁场强度小于或等于预设阈值时，处理单元310判定SIM卡插入SIM卡座320，因此，开启SIM卡的电源，使得SIM卡和移动终端300建立通信连接，开始正常工作。值得注意的是，本实施例中预设的阈值的大小将进一步大于或等于磁铁300如图4所示的方向的反方向移动L位移后磁场检测单元330检测的磁场强度，以确保在SIM卡完成插入SIM卡的操作后，处理单元310可以开启SIM卡的电源。

在其他优选实施例中，磁场检测单元330也可设置在SIM卡座320中设置有磁铁323的一端。因此，当磁场检测单元330检测磁铁323所产生的磁场的磁场强度小于或等于阈值时，处理单元310判定SIM卡从SIM卡座320拔出；当磁场强度大于阈值时，处理单元310判定SIM卡插入SIM卡座320。

区别于现有技术，本实施例中磁场检测单元330检测磁铁所产生的磁场的磁场强度，处理单元310判断磁场强度是否小于或等于预设的阈值，并当磁场强度小于或等于阈值时判定SIM卡插入SIM卡座320。当处理单元310判定SIM卡插入SIM卡座320时，开启SIM卡的电源，并进一步开启SIM卡的相关应用程序；当磁场强度大于阈值时，处理单元310判定SIM卡从SIM卡座320拔出，进而关闭SIM卡的电源，并在关闭电源前进一步关闭SIM卡的相关应用程序。因此，能够通过磁场强度的变化来提前判定SIM卡的插拔情况，进而有效地避免了SIM卡由于热插拔导致的损坏。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (4)

1.一种检测SIM卡热插拔的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

检测设置在SIM卡座上的磁铁所产生的磁场的磁场强度；

预设一阈值，并判断所述磁场强度是否小于或等于所述阈值；

当判断结果为是时，则判定所述SIM卡插入所述SIM卡座，开启所述SIM卡的电源，并进一步开启所述SIM卡的应用程序；当判断结果为否时，则判定所述SIM卡从所述SIM卡座拔出，关闭所述SIM卡的电源，并在关闭所述SIM卡的电源前进一步关闭所述SIM卡的应用程序。

2.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括：

SIM卡座，用于收容SIM卡，所述SIM卡座包括：本体、设置在所述本体上的铁壳以及设置在所述铁壳上的磁铁，所述本体与所述铁壳连接，所述磁铁产生磁场；

磁场检测单元，设置在所述SIM卡座的其中一端，用于检测所述磁铁所产生的磁场的磁场强度；

处理单元，用于预设一阈值，所述处理单元从所述磁场检测单元获取所述磁场强度，并判断所述磁场强度是否小于或等于所述阈值，当判断结果为是时，则所述处理单元判定所述SIM卡插入所述SIM卡座，所述处理单元开启所述SIM卡的电源及开启所述SIM卡的应用程序；当判断结果为否时，则所述处理单元判定所述SIM卡从所述SIM卡座拔出，所述处理单元关闭所述SIM卡的电源，并在关闭所述电源前进一步关闭所述SIM卡的应用程序。

3.根据权利要求2所述的移动终端，其特征在于，所述SIM卡座进一步包括连接端子，所述处理单元通过所述连接端子开启所述SIM卡的电源或者关闭所述SIM卡的电源。

4.根据权利要求2所述的移动终端，其特征在于，所述SIM卡座进一步包括卡扣，所述本体与所述铁壳通过所述卡扣连接。