CN202551148U - 一种sim卡热插拔电路及其手机 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种SIM卡热插拔电路及其手机，所述电路包括基带芯片、SIM卡连接器和在SIM卡连接器内设置的开关，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚，通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚；所述第一分压模块的电阻小于第二分压模块的电阻。本实用新型通过设置在SIM卡连接器内的开关，来检测SIM卡插入与否，通过场效应管的各管脚电压来判定是否导通基带芯片的SIM卡连接器，这样可有效地保护SIM卡，防止SIM卡因热插拔而造成损坏。
Description
技术领域
本实用新型涉及手机电路，尤其涉及一种SIM卡热插拔电路及其手机。
背景技术
现有的大多数手机设计里都是允许用户在正常工作的时候进行SIM卡热插拔，在这种情况下，经常性地进行热插拔会导致SIM卡的损坏或者基带芯片SIM卡接口损坏。
因此，现有技术有待于完善和发展。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种可以有效防止SIM卡热插拔造成损坏的SIM卡热插拔电路及其手机。
本实用新型的技术方案如下：
一种SIM卡热插拔电路，包括基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。
所述的SIM卡热插拔电路，其中，所述第一分压模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接场效应管的栅极和第二分压模块，另一端连接基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端。
所述的SIM卡热插拔电路，其中，所述第二分压模块包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；另一端连接场效应管的栅极和第一电阻的一端。
所述的SIM卡热插拔电路，其中，所述第二电阻的阻值是第一电阻的十倍。
所述的SIM卡热插拔电路，其中，所述场效应管为N沟道MOS管。
一种手机，包括外壳，以及设置在外壳内的主板，所述主板上设置基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。
所述的手机，其中，所述第一分压模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接场效应管的栅极和第二分压模块，另一端连接基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端。
所述的手机，其中，所述第二分压模块包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；另一端连接场效应管的栅极和第一电阻的一端。
所述的手机，其中，所述第二电阻的阻值是第一电阻的十倍。
所述的手机，其中，所述场效应管为N沟道MOS管。
本实用新型通过设置在SIM卡连接器内的开关，来检测SIM卡插入与否，然后在SIM卡插入的时候，由于开关接通，并在第一分压模块和第二分压模块的分压作用下，结合高低电平，使得基带芯片的SIMDET管脚被拉低后导通场效应管，从而基带芯片的VSIM管脚输出电压到SIM卡连接器，此时SIM卡能正常运行。当SIM卡拔出的时候，开关会恢复断开状态，此时，SIMDET会被拉高，而场效应管的栅极会因此将基带芯片的VSIM管脚与SIM卡连接器断开，这样就有效地保护了SIM卡，防止SIM卡因热插拔而造成损坏。
附图说明
图1为本实用新型一种SIM卡热插拔电路的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型提供了一种SIM卡热插拔电路及其手机，为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实例对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1所示，为本实用新型一种SIM卡热插拔电路的示意图。包括基带芯片、SIM卡连接器以及设置在SIM卡连接器内用于检测SIM卡插入状态的开关K1，所述开关K1一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，所述基带芯片与SIM卡连接器连接，另外，还包括场效应管Q1、第一分压模块和第二分压模块，由于第一分压模块和第二分压模块是用于分压，对各自包括的电阻数量和阻值大小没有限定，如所述第一分压模块包括第一电阻R1，所述第二分压模块包括第二电阻R2，为了使场效应管产生高低电平，从而导通源极S和漏极D，所述第一分压模块的电压应小于第二分压模块的电压。本实用新型就以第一电阻R1和第二电阻R2为较佳实施例具体阐述。
所述场效应管Q1可以为N沟道MOS管，所述场效应管Q1的源极S连接基带芯片的VSIM管脚，漏极D连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极G通过第一电阻R1连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关K1的一端，栅极通过第二电阻R2连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管Q1的源极S，SIM卡连接器内没有插入SIM卡时，基带芯片的SIMDET管脚的电压是内部拉高的，所以在没有插卡的时候，该信号是高电平。此时因为没有插SIM卡，所以基带芯片的VSIM管脚也是没有输出的。当插入SIM卡后，基带芯片的SIMDET管脚的电压会被拉低。此时，基带芯片的VSIM管脚通过SIM卡连接器输出高电平到SIM卡。在拔出SIM卡的时候，基带芯片的SIMDET管脚会被开关K1断开接地端，此时，SIMDET管脚的电压又会被拉高，而场效应管Q1的栅极G端会因为SIMDET管脚的电压拉高，而将基带芯片的VSIM管脚与SIM卡连接器断开连接。这样就有效地保护了SIM卡。
在本实用新型中所述基带芯片主要用于完成SIM卡的接口信号，如图1所示，包括SIMRST管脚、SIMCLK管脚、SIMDATA管脚、SIMDET管脚和VSIM管脚，其中SIMRST管脚用于收发SIM卡的复位信号，SIMCLK管脚用于收发SIM卡的时钟信号，SIMDATA管脚用于收发SIM卡的数据信号，SIMDET管脚用于接收SIM卡的插入检测信号，而VSIM管脚则用于向SIM卡输出电压。所述基带芯片与SIM连接器均为现有技术，具体的实现原理在此不再赘述。
在本实用新型当中，因为第二电阻R2和第一电阻R1组成分压，所以场效应管Q1的栅极G端的电压=基带芯片VSIM管脚的输出电压×(R1/(R1+R2))，具体地，第二电阻R2的阻值=10×第一电阻R1的阻值，在SIM卡插入时，使场效应管Q1的源极S与漏极D导通，基带芯片的VSIM管脚的高电平输出到SIM卡连接器，供SIM卡正常运行。当然，后续基带芯片可以继续做SIM卡的启动时序。
本实用新型还公开了一种手机，包括外壳，以及设置在外壳内的主板，所述主板上设置基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，其中，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。具体的电路原理及改进请参见上述关于一种SIM卡热插拔电路的表述。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种SIM卡热插拔电路，包括基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，其特征在于，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。
2.如权利要求1所述的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述第一分压模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接场效应管的栅极和第二分压模块，另一端连接基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端。
3.如权利要求2所述的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述第二分压模块包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；另一端连接场效应管的栅极和第一电阻的一端。
4.如权利要求3所述SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述第二电阻的阻值是第一电阻的十倍。
5.如权利要求1～4任一所述的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述场效应管为N沟道MOS管。
6.一种手机，包括外壳，以及设置在外壳内的主板，所述主板上设置基带芯片和SIM卡连接器，所述基带芯片与SIM卡连接器连接；在SIM卡连接器内设置有用于检测SIM卡插入状态的开关，所述开关一端连接基带芯片的SIMDET管脚，另一端接地，其特征在于，还包括场效应管、第一分压模块和第二分压模块，所述场效应管的源极连接基带芯片的VSIM管脚，漏极连接所述SIM卡连接器的VSIM管脚、栅极通过第一分压模块连接所述基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端，栅极还通过第二分压模块连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；所述第一分压模块的电压小于第二分压模块的电压。
7.如权利要求6所述的手机，其特征在于，所述第一分压模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接场效应管的栅极和第二分压模块，另一端连接基带芯片的SIMDET管脚和开关的一端。
8.如权利要求7所述的手机，其特征在于，所述第二分压模块包括第二电阻，所述第二电阻的一端连接基带芯片的VSIM管脚和场效应管的源极；另一端连接场效应管的栅极和第一电阻的一端。
9.如权利要求8所述的手机，其特征在于，所述第二电阻的阻值是第一电阻的十倍。
10.如权利要求6～9任一所述的手机，其特征在于，所述场效应管为N沟道MOS管。
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