CN204119225U - 基于lte模块的sim卡热插拔电路及移动终端 - Google Patents
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Abstract
一种基于LTE模块的SIM卡热插拔电路及移动终端，该电路包括：LTE模块；SIM卡座，与所述LTE模块总线连接，具有第一端口，所述SIM卡座有SIM卡插入和无SIM卡插入时，该第一端口分别表现为高电平和低电平；电源模块，与所述LTE模块连接，为所述LTE模块供电；检测端口，接所述SIM卡座的第一端口；以及控制端口，接所述电源模块的使能引脚，与所述检测端口状态关联，输出控制电平使所述电源模块开或关。控制端口通过检测端口根据SIM卡座的指示电平输出控制电平以控制LTE模块的电源，当SIM未插入时，将LTE模块电源切断，当SIM卡插入后，给LTE模块通电，在SIM卡已经接入LTE模块后再开始上电初始化并进入工作状态，从而保证了LTE模块的正常工作。
Description
技术领域
本实用新型涉及移动终端领域，具体涉及一种基于LTE模块的SIM卡热插拔电路及移动终端。
背景技术
随着3G/4G的普及，路由器、网关等Internet接入设备选择LTE(Long TermEvolution，长期演进)模块作为一种备用的上行口已经成为一种趋势，加入LTE功能可以保证在无有线接入的场所也可以方便的实现Internet共享服务。
LTE是由3GPP(The 3rd Generation Partnership Project)第三代合作伙伴计划)组织制定的UMTS(Universal Mobile Telecommunications System，通用移动通信系统)技术标准的长期演进，直至2010年12月6日国际电信联盟把LTEAdvanced正式称为4G。LTE是应用于手机及数据卡终端的高速无线通讯标准，此方案中主要用LTE作为一个子模块给系统提供一种上行方式。
SIM卡是(Subscriber Identity Module，客户识别模块)的缩写，也称为用户身份识别卡、智能卡，它在一电脑芯片上存储了数字移动电话客户的信息，加密的密钥以及用户的电话簿等内容，可供GSM(Global System for MobileCommunication，全球移动通信系统)网络客户身份进行鉴别，并对客户通话时的语音信息进行加密，此方案中主要用于LTE用户注册。通常情况下LTE模块都必须带SIM进行身份注册，而SIM若需要频繁更换，系统需要支持热插拔功能，而LTE模块却又不支持热拔插功能。
实用新型内容
基于此，有必要提供一种可支持SIM卡热拔插的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路。
本实用新型提供一种基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，包括：
LTE模块；
SIM卡座，与所述LTE模块总线连接，具有第一端口，所述SIM卡座有SIM卡插入和无SIM卡插入时，该第一端口分别表现为高电平和低电平；
电源模块，与所述LTE模块连接，为所述LTE模块供电；
检测端口，接所述SIM卡座的第一端口；以及
控制端口，接所述电源模块的使能引脚，与所述第一端口状态关联，输出控制电平使所述电源模块开或关。
进一步地，还包括开关模块，所述开关模块包括第一三极管、第一电阻和第二电阻，所述第一三极管为PNP型三极管，所述第一三极管的基极接所述SIM卡座的CD引脚，集电极接地，发射极通过所述第一电阻接电源，通过所述第二电阻接地，并接所述电源模块的使能引脚。
在另一个实施例中，所述开关模块包括第二三极管、第三电阻和第四电阻，所述第二三极管为PNP型三极管，所述第二三极管的基极接所述检测端口，集电极接地，发射极通过所述第四电阻接所述控制端口，所述控制端口还通过所述第三电阻接电源。
进一步地，还包括具有两个以上I/O口的ARM主控芯片，其中一个I/O口接所述检测端口，另一个I/O口接所述控制端口。
进一步地，所述ARM主控芯片的型号为BCM4708。
进一步地，所述电源模块为DC-DC开关电源。
进一步地，所述DC-DC开关电源的型号为SY8120B。
进一步地，所述LTE模块为高通3G/4G上行解决方案。
进一步地，所述高通3G/4G上行解决方案的型号为LUA20。
此外，还提供了一种移动终端，包括上述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路。
上述基于LTE模块的SIM卡热插拔电路主要用到电源模块在电平信号的控制下实现enable(使能)/disable(失效)功能，控制端口通过关联检测端口根据SIM卡座的指示电平输出控制电平以控制LTE模块的电源，当SIM未插入时，将LTE模块电源切断，当SIM卡插入后，给LTE模块通电，此时虽然LTE模块本身不支持热插拔，但是在SIM卡已经接入LTE模块后再开始上电初始化并进入工作状态，从而保证了LTE模块的正常工作。
附图说明
图1为本实用新型较佳实施例中基于LTE模块的SIM卡热插拔电路的电路示意图；
图2为本实用新型第二实施例中基于LTE模块的SIM卡热插拔电路的电路示意图；
图3为本实用新型第三实施例中基于LTE模块的SIM卡热插拔电路的电路示意图。
图4为本实用新型第四实施例中基于LTE模块的SIM卡热插拔电路的电路示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参阅图1，本实用新型较佳实施例中一种基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，包括：LTE模块110、SIM卡座120、电源模块130、检测端口GPIO1和控制端口GPIO2。
SIM卡座120与LTE模块110总线连接，SIM卡座120具有第一端口CD，SIM卡座120有SIM卡200插入，该第一端口CD表现为高电平，SIM卡座120无SIM卡200插入时，该第一端口CD表现为低电平。电源模块130与LTE模块110连接，为LTE模块110供电。检测端口GPIO1接SIM卡座120的第一端口CD；控制端口GPIO2接电源模块的使能引脚(图未示)，与检测端口GPIO1状态关联，控制端口GPIO2根据SIM卡座120的第一端口CD的电平控制输出控制电平使电源模块130开或关。
参考图2，在一种的实施例中，SIM卡热插拔电路还包括开关模块140，利用该开关模块检测SIM卡座120的第一端口CD的状态，并控制电源模块130的开或关。
在一个实施例中，开关模块140包括第一三极管Q1、第一电阻R1和第二电阻R2，第一三极管Q1为PNP型三极管，第一三极管Q1的基极接检测端口GPIO1，第一三极管Q1的集电极接地，第一三极管Q1的发射极通过第一电阻R1接电源vcc，且通过第二电阻R2接地，且第一三极管Q1的发射极接控制端口GPIO2。
参考图3，在另一个实施例中，开关模块140包括第二三极管Q2、第三电阻R3和第四电阻R4，第二三极管Q2为PNP型三极管，第二三极管Q2的基极接检测端口GPIO1，第二三极管Q2的集电极接地，第二三极管Q2的发射极通过第四电阻R4接控制端口GPIO2，控制端口GPIO2还通过第三电阻R3接电源vcc。
参考图4，在另一种实施例中，SIM卡热插拔电路还包括有两个以上I/O口的ARM主控芯片150，其中一个I/O口P1接检测端口GPIO1，另一个I/O口P2接控制端口GPIO2。利用ARM主控芯片150检测SIM卡座120的第一端口CD的状态，并控制电源模块130的开或关。ARM主控芯片150可以为BCM4708。
进一步地，电源模块130为DC-DC开关电源。其型号优选为SY8120B。
进一步地，LTE模块110为高通3G/4G上行解决方案。其型号优选为LUA20。
结合附图2对基于LTE模块110的SIM卡200热插拔电路的原理进行详细说明。
图中所示SIM卡座120的第一端口CD在SIM卡200插入与未插入时状态的不同，再由开关模块140整个LTE模块110的电源，通过整个LTE模块110的重置实现对于整个系统而言SIM卡200的热插拔功能。通常默认情况下未插入SIM卡200时第一端口CD是保持低电平状态，在插入SIM卡200后通第一端口CD会被拉高。开关模块140的输入端in接检测端口GIIO1检测该第一端口CD的状态判断是否有SIM卡200插入，再通过输出端out接控制端口GPIO2控制LTE模块110的电源开或者关。
当SIM卡200未插入时，第一端口CD保持低电平，第一三极管Q1导通，使得电源模块130的使能引脚接地，电源模块130不输出电压，LTE模块110电源切断；当SIM卡200插入后，第一端口CD被置成高电平，第一三极管Q1不导通，使得电源模块130的使能引脚接高电平，电源模块130输出电压给LTE模块110通电，因此，LTE模块110在SIM卡200已经接入的情况下，再开始上电初始化并进入工作状态，从而保证了LTE模块110的正常工作。
此外，还提供了一种移动终端，包括上述的基于LTE模块110的SIM卡200热插拔电路。
上述基于LTE模块110的SIM卡200热插拔电路主要用到电源模块130在电平信号的控制下实现enable(使能)/disable(失效)功能，控制端口GPIO2通过关联检测端口GPIO1根据SIM卡座120的指示电平输出控制电平以控制LTE模块110的电源，当SIM未插入时，将LTE模块110电源切断，当SIM卡200插入后，给LTE模块110通电，此时虽然LTE模块110本身不支持热插拔，但是在SIM卡200已经接入LTE模块110后再开始上电初始化并进入工作状态，从而保证了LTE模块110的正常工作。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，包括：
LTE模块；
SIM卡座，与所述LTE模块总线连接，具有第一端口，所述SIM卡座有SIM卡插入和无SIM卡插入时，该第一端口分别表现为高电平和低电平；
电源模块，与所述LTE模块连接，为所述LTE模块供电；
检测端口，接所述SIM卡座的第一端口；以及
控制端口，接所述电源模块的使能引脚，与所述检测端口状态关联，输出控制电平使所述电源模块开或关。
2.根据权利要求1所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，还包括开关模块，所述开关模块包括第一三极管、第一电阻和第二电阻，所述第一三极管为PNP型三极管，所述第一三极管的基极接所述检测端口，集电极接地，发射极接所述控制端口，通过所述第一电阻接电源，并通过所述第二电阻接地。
3.根据权利要求1所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，还包括开关模块，所述开关模块包括第二三极管、第三电阻和第四电阻，所述第二三极管为PNP型三极管，所述第二三极管的基极接所述检测端口，集电极接地，发射极通过所述第四电阻接所述控制端口，所述控制端口还通过所述第三电阻接电源。
4.根据权利要求1所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，还包括具有两个以上I/O口的ARM主控芯片，其中一个I/O口接所述检测端口，另一个I/O口接所述控制端口。
5.根据权利要求4所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述ARM主控芯片的型号为BCM4708。
6.根据权利要求1至5任一项所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述电源模块为DC-DC开关电源。
7.根据权利要求6所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述DC-DC开关电源的型号为SY8120B。
8.根据权利要求1至5任一项所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述LTE模块为高通3G/4G上行解决方案。
9.根据权利要求8所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述高通3G/4G上行解决方案的型号为LUA20。
10.一种移动终端，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路。
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| CN110752857A (zh) * | 2019-10-11 | 2020-02-04 | 深圳震有科技股份有限公司 | 支持sim卡热插拔方法及装置、无线上网设备、介质 |
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