JP2015524980A - 書き込みアシスト回路を備えた、sramの読み出しに好適なビットセル - Google Patents
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Abstract
Description
[0026] スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)セルの書き込み能力、読み出し安定性、およびホールド安定性(hold stability)は、SRAMセル内のトランジスタの強度比に基づく。ホールド安定性は、プルアップ(PU)トランジスタ対プルダウン(PD)トランジスタ強度比(ガンマ比とも呼ばれる)によって決定され、読み出し安定性は、プルダウントランジスタ対パスゲート(PG)トランジスタ強度比(ベータ比とも呼ばれる)とガンマ比との両方によって決定される。
[0033] アシスト回路
[0034] 読み出しスタティックノイズマージンは、ベータおよびガンマ比を増加させることによって改善されることができるが、ベータ比は、ガンマ比に比べより直接的に読み出しスタティックノイズマージンに影響する。読み出しアシスト回路は、セル内のトランジスタのバックゲート電圧(back-gate voltage:VBG)、セルグラウンド(cell ground:VGND)、セル供給電圧(cell supply voltage:VCELL)、またはワードライン電圧を制御することによって、読み出しスタティックノイズマージンを改善する。読み出しアシスト回路は、行毎(row-by-row)または列毎(column-by-column)の読み出しアシスト回路に分類される。行毎の読み出しアシストは、選択された行のVWLを減らし得、よってパスゲートの強度を減らし、大きなベータ比を導く。
以下に本願出願当初の特許請求の範囲を付記する。
[C1] スタティックメモリセルであって、
第1のバックゲートノードを備える第1のパスゲートトランジスタと、
第2のバックゲートノードを備える第2のパスゲートトランジスタと、
第3のバックゲートノードを備える第1のプルダウントランジスタと、
第4のバックゲートノードを備える第2のプルダウントランジスタと、
を備え、
前記第1のプルダウントランジスタのソースノード、前記第2のプルダウントランジスタのソースノード、前記第1のバックゲートノード、前記第2のバックゲートノード、前記第3のバックゲートノード、前記第4のバックゲートノードは、共通ノードを形成するために互いに電気的に結合されている、
スタティックメモリセル。
[C2] 前記共通ノードが、ゼロボルトより高い電位に引き上げられる時、前記第1のパスゲートトランジスタは、前記第2のプルダウントランジスタにデータをパスするように構成され、前記共通ノードが、ゼロボルトより高い前記電位に引き上げられる時、前記第2のパスゲートトランジスタは、前記第1のプルダウントランジスタへデータをパスするように構成される、C1に記載のスタティックメモリセル。
[C3] 前記第1のプルダウントランジスタおよび前記第1のパスゲートトランジスタに結合された第1のプルアップトランジスタと、前記第2のプルダウントランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに結合された第2のプルアップトランジスタ、をさらに備える、C1に記載のスタティックメモリセル。
[C4] 前記第1のパスゲートトランジスタのボディが、前記第1のバックゲートノードを備える、C1に記載のスタティックメモリセル。
[C5] 前記第1のプルダウントランジスタのボディが、前記第3のバックゲートノードを備える、C1に記載のスタティックメモリセル。
[C6] スタティックメモリセルへ書き込むための方法であって、
第1のバックゲートノードを備える第1のパスゲートトランジスタと、
第2のバックゲートノードを備える第2のパスゲートトランジスタと、
第3のバックゲートノードを備える第1のプルダウントランジスタと、
第4のバックゲートノードを備える第2のプルダウントランジスタと、
を備えるメモリセルを提供することと、
前記第1のプルダウントランジスタのソースノード、前記第2のプルダウントランジスタのソースノード、前記第1のバックゲートノード、前記第2のバックゲートノード、前記第3のバックゲートノード、前記第4のバックゲートノードは、共通ノードを形成するために互いに電気的に結合されており、
前記共通ノードの電位をグラウンド電位より引き上げることと、
前記共通ノードの前記電位がグラウンド電位を上回る間、前記第1のパスゲートトランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに電流を流すことと、
を備える、方法。
[C7] 前記共通ノードが、ゼロボルトより高い電位に引き上げられる時、前記第1のパスゲートトランジスタは、前記第2のプルダウントランジスタにデータをパスするように構成され、前記共通ノードが、ゼロボルトより高い前記電位に引き上げられる時、前記第2のパスゲートトランジスタは、前記第1のプルダウントランジスタへデータをパスするように構成される、C6に記載の方法。
[C8] 前記第1のプルダウントランジスタおよび前記第1のパスゲートトランジスタに結合された第1のプルアップトランジスタと、前記第2のプルダウントランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに結合された第2のプルアップトランジスタ、をさらに備える、C6に記載の方法。
[C9] 前記第1のパスゲートトランジスタのボディが、前記第1のバックゲートノードを備える、C6に記載の方法。
[C10] 前記第1のプルダウントランジスタのボディが、前記第3のバックゲートノードを備える、C6に記載の方法。
[C11] スタティックメモリセルであって、
パスゲート読み出し好適ゲート長および第1のバックゲートノードを備える第1のパスゲートトランジスタと、
前記パスゲート読み出し好適ゲート長および第2のバックゲートノードを備える第2のパスゲートトランジスタと、
プルダウン読み出し好適ゲート幅および第3のバックゲートノードを備える第1のプルダウントランジスタと、
前記プルダウン読み出し好適ゲート幅および第4のバックゲートノードを備える第2のプルダウントランジスタと、
を備え、
前記第1のプルダウントランジスタのソースノード、前記第2のプルダウントランジスタのソースノード、前記第1のバックゲートノード、前記第2のバックゲートノード、前記第3のバックゲートノード、前記第4のバックゲートノードは、共通ノードを形成するために互いに電気的に結合されている、
スタティックメモリセル。
[C12] 前記第1のパスゲートトランジスタと前記第2のパスゲートトランジスタの各々は、読み出し好適ゲート長を有し、前記読み出し好適ゲート長は、前記スタティックメモリセルにおける他のデバイスのゲート長よりも長い、
C11に記載のスタティックメモリセル。
[C13] 前記第1のプルダウントランジスタと前記第2のプルダウントランジスタの各々は、読み出し好適ゲート幅を有し、前記読み出し好適ゲート幅は、前記スタティックメモリセルにおける他のデバイスのゲート幅よりも広い、
C11に記載のスタティックメモリセル。
[C14] 前記共通ノードが、ゼロボルトより高い電位に引き上げられる時、前記第1のパスゲートトランジスタは、前記第2のプルダウントランジスタにデータをパスするように構成され、前記共通ノードが、ゼロボルトより高い前記電位に引き上げられる時、前記第2のパスゲートトランジスタは、前記第1のプルダウントランジスタへデータをパスするように構成される、C11に記載のスタティックメモリセル。
[C15] 前記第1のプルダウントランジスタおよび前記第1のパスゲートトランジスタに結合された第1のプルアップトランジスタと、前記第2のプルダウントランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに結合された第2のプルアップトランジスタ、をさらに備える、C11に記載のスタティックメモリセル。
[C16] 前記第1のパスゲートトランジスタのボディが、前記第1のバックゲートノードを備える、C11に記載のスタティックメモリセル。
[C17] 前記第1のプルダウントランジスタのボディが、前記第3のバックゲートノードを備える、C11に記載のスタティックメモリセル。
[C18] スタティックメモリセルであって、
第1のパスゲートトランジスタをバイアスするための第1の手段を備える前記第1のパスゲートトランジスタと、
第2のパスゲートトランジスタをバイアスするための第2の手段を備える前記第2のパスゲートトランジスタと、
第1のプルダウントランジスタをバイアスするための第3の手段を備える前記第1のプルダウントランジスタと、
第2のプルダウントランジスタをバイアスするための第4の手段を備える前記第2のプルダウントランジスタと、
を備え、
前記第1のプルダウントランジスタのソースノード、前記第2のプルダウントランジスタのソースノード、前記第1の手段、前記第2の手段、前記第3の手段、前記第4の手段は、共通ノードを形成するために互いに電気的に結合されている、
スタティックメモリセル。
[C19] 前記共通ノードの電位をグラウンド電位より引き上げるための手段と、
前記共通ノードの前記電位がグラウンド電位を上回る間、前記第1のパスゲートトランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに電流を流すための手段と、
をさらに備える、C18に記載のスタティックメモリセル。
[C20] 前記第1の手段、第2の手段、第3の手段、および第4の手段のうちの少なくとも1つは、バックゲートである、C18に記載のスタティックメモリセル。
Claims (20)
- スタティックメモリセルであって、
第1のバックゲートノードを備える第1のパスゲートトランジスタと、
第2のバックゲートノードを備える第2のパスゲートトランジスタと、
第3のバックゲートノードを備える第1のプルダウントランジスタと、
第4のバックゲートノードを備える第2のプルダウントランジスタと、
を備え、
前記第1のプルダウントランジスタのソースノード、前記第2のプルダウントランジスタのソースノード、前記第1のバックゲートノード、前記第2のバックゲートノード、前記第3のバックゲートノード、前記第4のバックゲートノードは、共通ノードを形成するために互いに電気的に結合されている、
スタティックメモリセル。 - 前記共通ノードが、ゼロボルトより高い電位に引き上げられる時、前記第1のパスゲートトランジスタは、前記第2のプルダウントランジスタにデータをパスするように構成され、前記共通ノードが、ゼロボルトより高い前記電位に引き上げられる時、前記第2のパスゲートトランジスタは、前記第1のプルダウントランジスタへデータをパスするように構成される、請求項1に記載のスタティックメモリセル。
- 前記第1のプルダウントランジスタおよび前記第1のパスゲートトランジスタに結合された第1のプルアップトランジスタと、前記第2のプルダウントランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに結合された第2のプルアップトランジスタ、をさらに備える、請求項1に記載のスタティックメモリセル。
- 前記第1のパスゲートトランジスタのボディが、前記第1のバックゲートノードを備える、請求項1に記載のスタティックメモリセル。
- 前記第1のプルダウントランジスタのボディが、前記第3のバックゲートノードを備える、請求項1に記載のスタティックメモリセル。
- スタティックメモリセルへ書き込むための方法であって、
第1のバックゲートノードを備える第1のパスゲートトランジスタと、
第2のバックゲートノードを備える第2のパスゲートトランジスタと、
第3のバックゲートノードを備える第1のプルダウントランジスタと、
第4のバックゲートノードを備える第2のプルダウントランジスタと、
を備えるメモリセルを提供することと、
前記第1のプルダウントランジスタのソースノード、前記第2のプルダウントランジスタのソースノード、前記第1のバックゲートノード、前記第2のバックゲートノード、前記第3のバックゲートノード、前記第4のバックゲートノードは、共通ノードを形成するために互いに電気的に結合されており、
前記共通ノードの電位をグラウンド電位より引き上げることと、
前記共通ノードの前記電位がグラウンド電位を上回る間、前記第1のパスゲートトランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに電流を流すことと、
を備える、方法。 - 前記共通ノードが、ゼロボルトより高い電位に引き上げられる時、前記第1のパスゲートトランジスタは、前記第2のプルダウントランジスタにデータをパスするように構成され、前記共通ノードが、ゼロボルトより高い前記電位に引き上げられる時、前記第2のパスゲートトランジスタは、前記第1のプルダウントランジスタへデータをパスするように構成される、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のプルダウントランジスタおよび前記第1のパスゲートトランジスタに結合された第1のプルアップトランジスタと、前記第2のプルダウントランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに結合された第2のプルアップトランジスタ、をさらに備える、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のパスゲートトランジスタのボディが、前記第1のバックゲートノードを備える、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のプルダウントランジスタのボディが、前記第3のバックゲートノードを備える、請求項6に記載の方法。
- スタティックメモリセルであって、
パスゲート読み出し好適ゲート長および第1のバックゲートノードを備える第1のパスゲートトランジスタと、
前記パスゲート読み出し好適ゲート長および第2のバックゲートノードを備える第2のパスゲートトランジスタと、
プルダウン読み出し好適ゲート幅および第3のバックゲートノードを備える第1のプルダウントランジスタと、
前記プルダウン読み出し好適ゲート幅および第4のバックゲートノードを備える第2のプルダウントランジスタと、
を備え、
前記第1のプルダウントランジスタのソースノード、前記第2のプルダウントランジスタのソースノード、前記第1のバックゲートノード、前記第2のバックゲートノード、前記第3のバックゲートノード、前記第4のバックゲートノードは、共通ノードを形成するために互いに電気的に結合されている、
スタティックメモリセル。 - 前記第1のパスゲートトランジスタと前記第2のパスゲートトランジスタの各々は、読み出し好適ゲート長を有し、前記読み出し好適ゲート長は、前記スタティックメモリセルにおける他のデバイスのゲート長よりも長い、
請求項11に記載のスタティックメモリセル。 - 前記第1のプルダウントランジスタと前記第2のプルダウントランジスタの各々は、読み出し好適ゲート幅を有し、前記読み出し好適ゲート幅は、前記スタティックメモリセルにおける他のデバイスのゲート幅よりも広い、
請求項11に記載のスタティックメモリセル。 - 前記共通ノードが、ゼロボルトより高い電位に引き上げられる時、前記第1のパスゲートトランジスタは、前記第2のプルダウントランジスタにデータをパスするように構成され、前記共通ノードが、ゼロボルトより高い前記電位に引き上げられる時、前記第2のパスゲートトランジスタは、前記第1のプルダウントランジスタへデータをパスするように構成される、請求項11に記載のスタティックメモリセル。
- 前記第1のプルダウントランジスタおよび前記第1のパスゲートトランジスタに結合された第1のプルアップトランジスタと、前記第2のプルダウントランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに結合された第2のプルアップトランジスタ、をさらに備える、請求項11に記載のスタティックメモリセル。
- 前記第1のパスゲートトランジスタのボディが、前記第1のバックゲートノードを備える、請求項11に記載のスタティックメモリセル。
- 前記第1のプルダウントランジスタのボディが、前記第3のバックゲートノードを備える、請求項11に記載のスタティックメモリセル。
- スタティックメモリセルであって、
第1のパスゲートトランジスタをバイアスするための第1の手段を備える前記第1のパスゲートトランジスタと、
第2のパスゲートトランジスタをバイアスするための第2の手段を備える前記第2のパスゲートトランジスタと、
第1のプルダウントランジスタをバイアスするための第3の手段を備える前記第1のプルダウントランジスタと、
第2のプルダウントランジスタをバイアスするための第4の手段を備える前記第2のプルダウントランジスタと、
を備え、
前記第1のプルダウントランジスタのソースノード、前記第2のプルダウントランジスタのソースノード、前記第1の手段、前記第2の手段、前記第3の手段、前記第4の手段は、共通ノードを形成するために互いに電気的に結合されている、
スタティックメモリセル。 - 前記共通ノードの電位をグラウンド電位より引き上げるための手段と、
前記共通ノードの前記電位がグラウンド電位を上回る間、前記第1のパスゲートトランジスタおよび前記第2のパスゲートトランジスタに電流を流すための手段と、
をさらに備える、請求項18に記載のスタティックメモリセル。 - 前記第1の手段、第2の手段、第3の手段、および第4の手段のうちの少なくとも1つは、バックゲートである、請求項18に記載のスタティックメモリセル。
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