JP2015517866A - 超音波トランスデューサアセンブリ、及び超音波トランスデューサヘッドの駆動方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、超音波トランスデューサアセンブリ（１０）に関する。超音波トランスデューサアセンブリは、超音波トランスデューサヘッド（１４）と、超音波トランスデューサヘッドを基地局（１２）の電源（２０）へ接続し、電源から超音波トランスデューサヘッドへ電力を伝送する導電体（１６）と、導電体を電源へ接続し、電源から入力電圧（Ｖ２０）を受け取るコネクタ素子（２２）と、１００μＦ以上のキャパシタンスを有し、電荷を蓄えるよう導電体へ電気的に接続されるか又は電気的に接続可能なキャパシタ（３４）とを有する。

Description

本発明は、超音波トランスデューサアセンブリと、超音波トランスデューサヘッドの駆動方法とに関する。

剪断波（shear waves）の超音波撮像の分野において、米国特許第７２５２００４号明細書（特許文献１）で記載されるように、２つの異なるエネルギレベルの超音波励起を使用することが知られている。“プッシュパルス”と呼ばれる第１の高エネルギ励起は、組織内で運動を励起するために使用される。一連のその後の低エネルギ励起は、結果として起こる組織運動の画像を形成するために使用される。画像誘導超音波治療はまた、一方が治療用、他方が撮像用である２つの異なるエネルギレベルの励起を必要とする。米国特許第６０１３０３２号明細書（特許文献２）で記載されるように、３次元撮像のためのトランスデューサを用いて剪断波撮像又は治療を実行することが望ましい。３Ｄ撮像のためのそのようなトランスデューサは、トランスデューサアセンブリ内に埋め込まれた送電励起回路を備える。超音波撮像システムは、基地局と、基地局へ可撓ケーブルを介して接続された別個のトランスデューサヘッドとを備えることが知られる。電気エネルギは、超音波トランスデューサを駆動するよう、基地局から接続ケーブルを介してトランスデューサヘッド内の送電励起回路へ供給される。

種々の超音波トランスデューサ励起は、種々の用途のために、例えば、異なる電力消費量を有する撮像、診断、治療及び剪断波プッシュパルスのために、知られている。電源及び接続ケーブルの技術的制限に起因して、トランスデューサヘッドへ供給されるパワースペクトルは低く、従って、トランスデューサヘッド内の異なる超音波トランスデューサ励起の可能な組み合わせは、夫々の電力消費量に制限される。

米国特許第７２５２００４号明細書 米国特許第６０１３０３２号明細書

本発明の目的は、異なる電力消費量により異なる超音波トランスデューサ励起を駆動するようパワースペクトルが大きい、超音波トランスデューサヘッドを有する改善された超音波トランスデューサアセンブリと、対応する超音波トランスデューサヘッド駆動方法とを提供することである。

本発明の一態様に従って、
超音波トランスデューサヘッドと、
前記超音波トランスデューサヘッドを基地局の電源へ接続し、該電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ電力を伝送する導電体と、
前記導電体を前記電源へ接続し、該電源から入力電圧を受け取るコネクタ素子と、
１００μＦよりも大きいか又はそれに等しいキャパシタンスを有し、電荷を蓄えるよう前記導電体へ電気的に接続されるか又は電気的に接続可能であるキャパシタと
を有する超音波トランスデューサアセンブリが提供される。

本発明の他の態様に従って、
超音波トランスデューサヘッドと、
前記超音波トランスデューサヘッドを基地局の電源へ接続し、該電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ電力を伝送する導電体と、
前記導電体を前記電源へ接続し、該電源から入力電圧を受け取るコネクタ素子と
を有し、
前記導電体は、該導電体の電気抵抗及びインダクタンスを小さくするよう複数の別個の並列な接続ケーブルを有する、
超音波トランスデューサアセンブリが提供される。

本発明の他の態様に従って、超音波トランスデューサヘッドの駆動方法であって、
前記超音波トランスデューサヘッドを導電体によって電源へ接続するステップと、
１００μＦより大きいか又はそれに等しいキャパシタンスを有する充電キャパシタを前記導電体へ接続するステップと、
前記電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ第１の電力レベルで電力を供給するステップと、
前記電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ、前記第１の電力レベルよりも高い第２の電力レベルで電力を供給するステップと
を有する超音波トランスデューサヘッドの駆動方法が提供される。

本発明の更なる他の態様に従って、
１又はそれ以上の電源ユニットを有する基地局と、
本発明に従って提供される超音波トランスデューサアセンブリと
を有する超音波装置が提供される。

本発明の好適な実施形態は、従属請求項において定義される。請求される方法は、請求される装置と及び従属請求項で定義されるものと類似する及び／又は同じ好適な実施形態を有する。

本発明は、電源から超音波トランスデューサヘッドへ供給される電力が１の電力レベルから他の電力レベルへ切り替えられるべきであるように、異なる電力消費量を有する異なる超音波トランスデューサ励起を有する超音波トランスデューサヘッドへ適切な電力を供給するという考えに基づく。より低い電力レベルからより高い電力レベルへ切り替える場合に、供給電圧は低下し、導電体における電流は、ケーブルコネクタピンの電流定格を上回って大きくなる。１００μＦよりも大きいキャパシタンスを有する充電キャパシタによって、異なる電力レベルの間の切り替えは、電力レベルが増大する前にキャパシタが供給電圧によって緩やかに充電されるので、電流の顕著な増大を伴わずに且つ顕著な電圧低下を伴わずに達成され得る。よって、高められた電力分配がトランスデューサヘッドへ供給され得、従って、異なる超音波トランスデューサが、異なる電力消費量を有するトランスデューサヘッドに組み込まれ得る。

本発明の第２の態様に従って、より低い電力レベルをより高い電力レベルへ切り替える最中の電圧低下及び電流の増大は、複数の別個の並列な接続ケーブルによって、望ましくは４倍だけ、低減された抵抗及び低減されたインダクタンスを有する接続ケーブルを設けることによって、低減される。よって、電力分配は増大され得、異なる電力消費量を有する異なる超音波トランスデューサがトランスデューサヘッドに組み込まれ得る。

概して、本発明は、より低い電力のために設計される標準の撮像超音波システムとの互換性を保ちながら最小限の電源垂下を有して、例えば、プッシュパルス又は治療励起のいずれかを励起するよう十分に高い電力により超音波トランスデューサヘッドへ適切な電力を供給することができる。

好適な実施形態において、当該超音波トランスデューサアセンブリは、前記キャパシタを前記導電体へ電気的に接続する制御可能なスイッチを更に有する。これは、増大された電力分配が必要とされる場合にのみ前記キャパシタを使用する可能性を提供する。

更なる実施形態において、当該超音波トランスデューサアセンブリは、前記キャパシタを放電するよう該キャパシタへ並列接続される放電素子を更に有する。この放電素子によって、前記キャパシタに蓄えられる電荷は、該キャパシタが使用されないか、又は前記トランスデューサヘッドが感電を避けるために基地局からプラグを抜かれる場合に、取り除かれ得る。

更なる実施形態において、前記放電素子は、前記キャパシタを放電するよう第２の制御可能なスイッチ及び抵抗を有する。これは、前記キャパシタを放電し且つ夫々の放電電流を制限する簡単な解決法を提供する。

好適な実施形態において、前記放電素子は、前記キャパシタが前記導電体から切り離される場合に前記キャパシタを放電するよう設けられる。これは、前記キャパシタが使用中でない場合に該キャパシタが放電されることを確かにする簡単な解決法である。

更に好適な実施形態において、当該超音波トランスデューサアセンブリは、充電電流を制限するよう前記キャパシタを前記コネクタ素子へ電気的に接続する抵抗を更に有する。これは、電流定格を上回る充電電流の増大を回避するよう、前記キャパシタが充電される場合に充電電流を制限する簡単な解決法である。

更なる実施形態において、前記導電体は、前記キャパシタを前記超音波トランスデューサヘッドへ接続する複数の並列な接続ケーブルを有する。これは、前記導電体の抵抗を低減し且つ前記導電体のインダクタンスを低減して、電力レベルが増大される場合の電圧低下を更に小さくする簡単な解決法である。

好適な実施形態において、前記キャパシタは、前記超音波トランスデューサヘッドの筐体内に実装される。これは、前記導電体のサイズを小さくする簡単な解決法であり、当該超音波トランスデューサアセンブリのコンパクト構造を提供する。

更に好適な実施形態において、前記キャパシタは、前記超音波トランスデューサヘッドのハンドル内に実装される。これは、更にコンパクトな設計と、前記超音波トランスデューサヘッドの快適な操作とを提供する。

更に好適な実施形態において、前記キャパシタの前記キャパシタンスは少なくとも５００μＦである。これは、電力レベルが変化する場合に、電圧低下を更に小さくし且つ電流増大を更に小さくする解決法である。

更なる実施形態に従って、前記超音波トランスデューサヘッドは、剪断波エラストグラフィ撮像のための超音波トランスデューサを有する。これは、２つの診断システムを結合し、試験可能性を改善する。

更なる実施形態に従って、前記導電体は、電力を前記超音波トランスデューサへ供給するために少なくとも２つの異なる電力レベルで電力を伝送するよう設けられる。これは、電力を異なるレベルで撮像トランスデューサへ供給し、試験可能性を更に改善する解決法を提供する。

更なる実施形態に従って、当該超音波トランスデューサアセンブリは、前記超音波トランスデューサヘッドを前記基地局の対応する複数の電源へ接続し、該複数の電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ異なる電力レベルで電力を伝送する複数の導電体を有する。これは、前記超音波トランスデューサヘッドにおける電力分配を増大させ、異なるトランスデューサを並行して使用する更なる解決法を提供する。

好適な実施形態に従って、前記複数の導電体の夫々は、１００μＦよりも大きいキャパシタンスを有するキャパシタへ接続されるか、又は接続可能である。これは、前記複数の導電体の夫々における電力分配を別個に増大させる解決法を提供する。

上述されたように、本発明は、超音波トランスデューサヘッドを備える超音波トランスデューサアセンブリの電力分配を増大させる簡単な方法を提供し、それにより、異なるトランスデューサが、異なる電力消費量を有する超音波トランスデューサヘッドに組み込み可能であり、あるいは、異なる励起レベルが、複合トランスデューサによって達成可能である。

本発明のこれら及び他の態様は、以降で記載される実施形態から明らかであり、それらを参照して説明される。

基地局及びトランスデューサヘッドを有する超音波システムの概略図を示す。 既知の電源及び超音波トランスデューサの回路図を示す。 図２に示される電源の電圧曲線を示す。 図２に示される電源の電流曲線を示す。 本発明に従う電源、コネクタ、及び超音波トランスデューサの略ブロック図である。 図４の電源の電圧曲線を示す。 図４の電源の電流を示す。

図１は、全体として１０で表される超音波システムの概略図を示す。超音波システム１０は、トランスデューサケーブル１６によって互いに電気的に接続されている基地局１２及び超音波トランスデューサヘッド１４を有する。基地局１２は、ディスプレイ１８を有する。基地局１２は、電力を超音波トランスデューサヘッド１４へ供給する電源２０と、トランスデューサケーブル１６を電源２０へ接続するコネクタ２２とを有する。

トランスデューサヘッド１４は、１又はそれ以上の超音波トランスデューサ、例えば、超音波撮像トランスデューサ、エラストグラフィ超音波トランスデューサ、剪断波エラストグラフィ撮像のための複合トランスデューサ、及び／又は他の治療用トランスデューサ素子を有する。電源２０は、電力をトランスデューサケーブル１６を介して超音波トランスデューサヘッド１４にある超音波トランスデューサへ供給する。トランスデューサケーブル１６は可撓ケーブルである。基地局１２は、例えば、トランスデューサヘッド１４の超音波撮像トランスデューサによって供給される画像を表示するようディスプレイ１８を有する。

超音波撮像トランスデューサ並びにエラストグラフィ超音波トランスデューサのような他の治療及び／又は診断用トランスデューサ素子は、電源２０によって供給される異なる電力レベルで駆動される。超音波撮像トランスデューサは、通常は、１０Ｗに満たない電力しか必要とせず、例えば、エラストグラフィ超音波トランスデューサは、通常は、“プッシュ”励起の間に駆動されるよう２００Ｗを必要とする。超音波トランスデューサヘッド１４は、好適に、超音波撮像トランスデューサ及びエラストグラフィ超音波トランスデューサを駆動するのを切り替え、それにより、電源２０からトランスデューサケーブル１６を通じて供給されるか、又はトランスデューサヘッド１４から引き込まれる電力は、撮像中の低電力レベルから、プッシュパルスがエラストグラフィ超音波トランスデューサによって供給される場合の高電力レベルへ、そして高電力レベルから低電力レベルへ切り替わる。剪断波エラストグラフィ撮像のための複合トランスデューサの場合に、トランスデューサは、撮像の間の及びプッシュパルスが供給される場合の異なる励起のための２つの異なる電力レベルで駆動される。

図２は、電源２０、トランスデューサケーブル１６及びトランスデューサヘッド１４の略ブロック図を示す。電源２０は、駆動電圧Ｖ１０をコネクタピン２４へ供給する。コネクタピン２４は、電源２０をトランスデューサケーブル１６へ接続する。トランスデューサケーブル１６は、抵抗２６として図２に概略的に示される約２オームの抵抗を有する。トランスデューサケーブル１６は、全体としてインダクタンス２７として図２において示される約４μＨのインダクタンスを有する。トランスデューサヘッド１４は、超音波トランスデューサに相当する、全体として２８で表される電気負荷を有する。キャパシタ３０は、電気負荷２８へ並列接続され、通常は４μＦのキャパシタンスを有する。

電気負荷２８は、夫々の超音波トランスデューサによって引き込まれる電力に依存して、電源２０から電流Ｉ１０を引き込む。超音波システム１０が撮像モードにある、すなわち、超音波撮像トランスデューサが使用中である場合は、電源２０から引き込まれる電流Ｉ１０は、通常は２０ｍＡであり、エラストグラフィ超音波トランスデューサが使用中である場合は、電源２０から引き込まれる電流Ｉ１０は、通常は５Ａである。超音波システムの使用中に、それは頻繁に撮像モードからエラストグラフィモードへ、そしてエラストグラフィモードから撮像モードへ切り替えられる。撮像モードが使用中である夫々の時間フレームは、通常は、エラストグラフィモードよりも５倍長い。

図３ａ及び図３ｂは、超音波システム１０が撮像モードからエラストグラフィモードへ切り替えられる場合、すなわち、言い換えると、電気負荷２８から引き込まれる電力が約１Ｗから約２００Ｗへ急激に増大する場合の、供給電圧Ｖ１０の電圧曲線及び電流Ｉ１０を示す。電力レベルの切り替え時点は、矢印３２によって図３ａ及び図３ｂに示されている。図３ａに示されるように、電圧Ｖ１０は、電気負荷２８によって引き込まれる電力が増大する場合に、４０Ｖから３０Ｖへ急降下する。図３ｂに示されるように、電流Ｉ１０は、電気負荷２８によって引き込まれる電力が増大する場合に、５Ａまで急上昇する。コネクタピン２４は、通常は１Ａの電流低下を有するので、更には、ケーブルは２オームの抵抗を有するので、トランスデューサケーブル１６によって伝送される電力は制限され、電気負荷から引き込まれる電力は、トランスデューサケーブル１６によって伝送され得ない。

図４は、電源２０、トランスデューサケーブル１６及びトランスデューサヘッド１４を有する超音波システム１０の略ブロック図を示す。同じ要素は同じ参照符号によって表されており、ここでは相違点のみが詳細に説明される。電源２０は、通常４０Ｖである駆動電圧Ｖ２０を供給し、且つ、電気負荷２８及び電気負荷２８から引き込まれる電流に依存する駆動電流Ｉ２０を供給する。

充電キャパシタ３４は、トランスデューサケーブル１６へ接続される。充電キャパシタ３４は、少なくとも１００μＦ、望ましくは５００μＦ、より望ましくは１０００μＦの大きいキャパシタンスを有する。充電キャパシタ３４は、制御可能なスイッチ３６によってトランスデューサケーブル１６へ接続可能である。放電素子３８は、キャパシタ３４を放電するよう充電キャパシタ３４へ並列接続される。放電素子３８は、互いに直列接続されている制御可能なスイッチ４０及び抵抗４２を有する。充電キャパシタ３４は、超音波システム１０が使用中である場合に、制御可能なスイッチ３６によってケーブル１６へ接続される。超音波システム１０が電源を切られる場合に、充電キャパシタ３４は切り離され、制御可能なスイッチ４０を閉じることで放電される。抵抗４２を通る放電電流は、この場合に、充電キャパシタ３４から電荷を取り除き、キャパシタ３４を放電する。

トランスデューサケーブル１６は、充電キャパシタ３４と電源２０との間に接続される抵抗４４を有する。抵抗４４は、通常は１．５オームの抵抗を有する。抵抗４４は、充電キャパシタ３４が充電される場合に充電電流を制限する電流制限抵抗である。

トランスデューサケーブル１６は、複数の並列な別個の可撓ケーブルから形成される。好適に、トランスデューサケーブル１６は、３、４、５、６又はそれ以上の倍数だけトランスデューサケーブル１６の抵抗を小さくするよう、且つ、トランスデューサケーブル１６のインダクタンスを小さくするよう、３、４、５、６又はそれ以上の本数のケーブルによって形成される。並列なケーブルの抵抗は、全体として抵抗４６によって図４では示されている。抵抗４６は、通常は０．５オームの抵抗を有する。並列なケーブルのインダクタンスは、全体として、約１μＨであるインダクタンス４８によって図４では示されている。

超音波システム１０が電源を入れられ、制御可能なスイッチ３６が閉じられる場合に、充電キャパシタ３４は電流制限抵抗４４を介して充電される。撮像モードの間、低電流Ｉ２０が電気負荷２８から引き込まれる。電気負荷２８から引き込まれる電力が高レベルへ増大する場合に、駆動電圧Ｖ２０の電圧降下は、以下で示されるように、充電されたキャパシタ３４によって小さくされる。更に、電流Ｉ２０は、充電されたキャパシタ３４により且つ電流制限抵抗４４により緩やかに増大し、入力ピン２４の電流定格を下回ったままとされる。使用中に、超音波システム１０は撮像モードにあり、頻繁に、短い時間フレームの間、音響プッシュを供給するようエラストグラフィモードへ切り替えられる。よって、トランスデューサヘッド１４から引き込まれる電力レベルは、低電力レベルから高電力レベルへ頻繁に切り替わる。

図５ａは、電気負荷２８によって引き込まれる電力が増大する場合の図４の供給電圧Ｖ２０の電圧曲線を示す。更に、図５ｂは、電気負荷２８によって引き込まれる電力が増大する場合の図４からの電流Ｉ２０を示す。図５ａに示されるように、電圧Ｖ２０は４０Ｖから約３７Ｖへ落ち、電圧降下は１０％を下回ったままである。図５ｂに示される電流Ｉ２０は、電流定格が到達されないように、電力パルスの間、線形に最大１Ａまで増大する。よって、充電キャパシタ３４によって、電圧降下は小さくされ得、電流は電流定格を下回ったままとされ得、この場合に２００Ｗの必要な電力は、電源２０からトランスデューサヘッド１４へトランスデューサケーブル１６を介して伝導され得る。

充電キャパシタ３４及び放電素子３８は、好適に、システムコネクタ２２とともにトランスデューサケーブル１６の端部に実装される。例えば、充電キャパシタ３４及び放電素子３８は、コネクタの筐体において実装される。代替の実施形態では、充電キャパシタ３４及び放電素子３８は、トランスデューサヘッド１４において実装される。

更に好適な実施形態において、基地局２０は複数の電源２０を有し、それらの電源は夫々、別個のトランスデューサケーブル１６によってトランスデューサヘッド１４へ接続され、夫々が別個の充電キャパシタ３４を有する。この実施形態において、異なる電力レベルは、異なるトランスデューサケーブル１６によってトランスデューサヘッドへ供給され、更には、並行してトランスデューサヘッド内の異なる超音波トランスデューサを駆動することができる。

更なる実施形態において、充電キャパシタ３４は、約２５００μＦ、望ましくは２７００μＦよりも大きいキャパシタンスを有する。

本発明は、図面及び上記の説明において詳細に図示及び記載されてきたが、そのような図示及び記載は、制限ではなく実例又は例示と見なされるべきである。本発明は、開示されている実施形態に制限されない。開示されている実施形態に対する他の変形例は、図面、本開示、及び添付の特許請求の範囲の検討から、請求される発明を実施する際に当業者によって理解され成立され得る。

特許請求の範囲において、語“有する（comprising）”は、他の要素又はステップを除外せず、単称（不定冠詞のa又はan）は、複数個を除外しない。単一の素子又は他のユニットが、特許請求の範囲において挙げられている複数の事項の機能を満たしてよい。特定の手段が相互に異なる従属請求項において挙げられているという単なる事実は、それらの手段の組み合わせが有利に使用され得ないことを示すわけではない。

コンピュータプログラムは、他のハードウェアとともに又はその部分として供給される適切な媒体、例えば、光記憶媒体又は固体状態媒体において記憶／分配されてよいが、他の形態において、例えば、インターネット又は他の有線若しくは無線の電気通信システムを介して、分配されてもよい。

特許請求の範囲における如何なる参照符号も、適用範囲を制限すると解釈されるべきではない。

Claims (15)

1. 超音波トランスデューサヘッドと、
   前記超音波トランスデューサヘッドを基地局の電源へ接続し、該電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ電力を伝送する導電体と、
   前記導電体を前記電源へ接続し、該電源から入力電圧を受け取るコネクタ素子と、
   １００μＦよりも大きいか又はそれに等しいキャパシタンスを有し、電荷を蓄えるよう前記導電体へ電気的に接続されるか又は電気的に接続可能であるキャパシタと
   を有する超音波トランスデューサアセンブリ。
2. 前記キャパシタを前記導電体へ電気的に接続する制御可能なスイッチ
   を更に有する請求項１に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
3. 前記キャパシタを放電するよう該キャパシタへ並列接続される放電素子
   を更に有する請求項２に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
4. 前記放電素子は、前記キャパシタを放電するよう第２の制御可能なスイッチ及び抵抗を有する、
   請求項３に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
5. 前記放電素子は、前記キャパシタが前記導電体から切り離される場合に前記キャパシタを放電するよう構成される、
   請求項３又は４に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
6. 充電電流を制限するよう前記キャパシタを前記コネクタ素子へ電気的に接続する抵抗
   を更に有する請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
7. 前記導電体は、前記キャパシタを前記超音波トランスデューサヘッドへ接続する複数の別個の並列な接続ケーブルを有する、
   請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
8. 前記キャパシタは、前記超音波トランスデューサヘッドの筐体内に実装される、
   請求項１乃至７のうちいずれか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
9. 前記キャパシタは、前記超音波トランスデューサヘッドのハンドル内に実装される、
   請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
10. 前記キャパシタの前記キャパシタンスは、少なくとも５００μＦである、
    請求項１乃至９のうちいずれか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
11. 超音波トランスデューサヘッドと、
    前記超音波トランスデューサヘッドを基地局の電源へ接続し、該電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ電力を伝送する導電体と、
    前記導電体を前記電源へ接続し、該電源から入力電圧を受け取るコネクタ素子と
    を有し、
    前記導電体は、該導電体の電気抵抗及びインダクタンスを小さくするよう複数の別個の並列な接続ケーブルを有する、
    超音波トランスデューサアセンブリ。
12. 前記超音波トランスデューサヘッドは、剪断波エラストグラフィ撮像のための超音波トランスデューサを有する、
    請求項１乃至１１のうちいずれか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
13. 前記導電体は、電力を前記超音波トランスデューサへ供給するために少なくとも２つの異なる電力レベルで電力を伝送するよう設けられる、
    請求項１２に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
14. 前記超音波トランスデューサヘッドを前記基地局の対応する複数の電源へ接続し、該複数の電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ異なる電力レベルで電力を伝送する複数の導電体
    を有する請求項１乃至１３のうちいずれか一項に記載の超音波トランスデューサアセンブリ。
15. 超音波トランスデューサヘッドの駆動方法であって、
    前記超音波トランスデューサヘッドを導電体によって電源へ接続するステップと、
    １００μＦより大きいか又はそれに等しいキャパシタンスを有する充電キャパシタを前記導電体へ接続するステップと、
    前記電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ第１の電力レベルで電力を供給するステップと、
    前記電源から前記超音波トランスデューサヘッドへ、前記第１の電力レベルよりも高い第２の電力レベルで電力を供給するステップと
    を有する超音波トランスデューサヘッドの駆動方法。

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