JP2015511011A - ウェハおよびレチクル検査システムならびに照明瞳配置を選択するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2012年3月7日にGrace Chenらによって出願された、「光画像ベース検査システムの照明および集光配置を最適化する方法および装置(METHODS AND APPARATUS TO OPTIMIZE THE ILLUMINATION AND COLLECTION CONFIGURATION OF AN OPTICAL IMAGE BASED INSPECTION SYSTEM)」と題される米国仮特許出願第61/607,588号の優先権を主張し、上記仮特許出願は参照によりその全体があらゆる目的で本明細書に組み込まれる。
Claims (25)
- 光学検査装置を用いて試料の検査を促進する方法であって、
照明瞳領域に散在している複数の各開口位置において照明開口を一度に1つ開くステップと、
各開口位置において照明開口を開く一方で、検査装置の入射ビームを前記照明瞳領域に方向付け、そのような照明開口は、照明ビームの対応する光線束が対応するセットの1つ以上の入射角で試料に向かって選択的に通過するように入射ビームを操作し、対応するセットの1つ以上の入射角で試料に入射する入射ビームに対応する光線束に反応して試料から放射する出力ビームを検知するステップと、
各開口位置について検知された前記出力ビームに基づいて、各開口位置に関する欠陥検知特性を決定するステップと、
各開口位置について決定された欠陥検知特性に基づいて、最適開口配置を決定するステップと、
を含む、方法。 - 照明開口をそれぞれ開く場所である前記開口位置が、前記照明瞳領域に一連の格子点を含む、請求項1に記載の方法。
- 複数の開口位置において複数の開口を開くことが異なる入射角をもたらす、請求項1または2に記載の方法。
- 前記欠陥検知特性を、前記出力ビームから作成される画像または信号に前記瞳領域の各開口位置をマッピングする欠陥グラフィカル要素として表示するステップ、をさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記欠陥グラフィカル要素が、前記瞳領域の対応する位置が互いに配置されるのと同じように互いに配置された欠陥画像を含む、請求項4に記載の方法。
- 各開口位置について決定された前記欠陥検知特性の基準セットに基づいて、2つ以上の開口位置の複数の組み合わせのそれぞれに開口を配置するために欠陥検知特性を推定するステップをさらに含み、
前記最適開口配置を決定するステップは、どの位置またはどの位置の組み合わせが最適な欠陥検知特性を有するかを決定することで最適開口配置を決定する、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。 - 前記2つ以上の開口位置の複数の組み合わせのそれぞれに開口を配置するために欠陥検知特性を推定するステップは、各開口位置に関する欠陥検知特性を2つ以上の開口位置の対応する組み合わせに加えることで達成する、請求項6に記載の方法。
- 各開口位置に関する前記欠陥検知特性が、対象欠陥(DOI)画像、ニューサンス欠陥画像またはバックグランド画像を含み、2つ以上の開口位置の複数の組み合わせのそれぞれに関する欠陥検知特性を、2つ以上の開口位置の各組み合わせの各開口位置についてのDOI画像、ニューサンス画像またはバックグランドノイズ画像を加えることで決定する、請求項7に記載の方法。
- 前記最適開口配置が前記検査装置上でまだ利用可能ではない、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記最適開口配置が前記検査装置上で利用可能であり、前記最適開口配置を用いて前記試料の欠陥を検査することをさらに含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 複数のディスクを互いに配置して、各ディスクの異なる開口配置が互いにアラインされて各開口位置にて単一の開口を形成し、異なる開口配置が前記瞳領域内および入射ビームの光軸に垂直に配置されるようにすることで、各開口位置において照明開口を一度に1つ開く操作を成し遂げる、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 各開口位置に関する前記欠陥検知特性が次の測定基準、対象欠陥(DOI)画像、ニューサンス欠陥画像、バックグランドノイズ画像、DOI強度値、ニューサンス欠陥強度値、バックグランドノイズ強度値、DOI信号対ノイズ比(SNR)値、DOI信号対ニューサンス値、DOI画像質感値、ニューサンス欠陥画像質感値、バックグランドノイズ画像質感値、DOI極性値、バックグランドノイズ極性、平均DOI強度値、平均ニューサンス欠陥強度値、平均バックグランドノイズ値、検知DOIの数、検知ニューサンス欠陥の数、DOIおよびニューサンス欠陥の数比、のうち1つ以上を含む、請求項1〜7または請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。
- フォトリソグラフィーレチクルまたはウェハの欠陥を検査するための検査システムであって、
入射ビームを発生させるための光源と、
前記入射ビームを受け取るための構成可能な照明瞳開口と、
前記照明瞳開口を通って試料に前記入射ビームを方向付けるための照明光学部モジュールと、
前記入射ビームに反応して前記試料から放射する出力ビームを方向付けるための集光光学部モジュールと、
前記出力ビームを検知し、前記出力ビームについての画像または信号を作成するためのセンサと、
コントローラを含み、
前記コントローラは、
照明瞳領域に散在している複数の各開口位置において照明セレクタの照明開口を一度に1つ開き、
各開口位置において照明開口を開く一方で、光源からの入射ビームを前記照明瞳領域へ方向付けさせ、そのような照明開口は、照明ビームの対応する光線束が対応するセットの1つ以上の入射角で試料に向かって選択的に通過するように入射ビームを操作し、対応するセットの1つ以上の入射角で試料に入射する入射ビームの対応する光線束に反応して試料から放射する出力ビームを、センサに検知させ、
各開口位置について検知された前記出力ビームに基づいて、各開口位置に関する欠陥検知特性を決定し、
各開口位置について決定された欠陥検知特性に基づいて、最適開口配置を決定するように構成されている、
検査システム。 - 照明開口をそれぞれ開く場所である前記開口位置が、前記照明瞳領域に一連の格子点を含む、請求項13に記載のシステム。
- 複数の開口位置において複数の開口を開くことが異なる入射角をもたらす、請求項13または14に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記欠陥検知特性を、前記出力ビームから作成される画像または信号に前記瞳領域の各開口位置をマッピングする欠陥グラフィカル要素として表示するようにさらに構成される、請求項13〜15のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記欠陥グラフィカル要素が、前記瞳領域の対応する位置が互いに配置されるのと同じように互いに配置された欠陥画像を含む、請求項16に記載のシステム。
- 前記コントローラが、各開口位置について決定された前記欠陥検知特性の基準セットに基づいて、2つ以上の開口位置の複数の組み合わせのそれぞれに開口を配置するために欠陥検知特性を推定し、どの位置またはどの位置の組み合わせが最適な欠陥検知特性を有するかを決定することで最適開口配置を決定するようにさらに構成されており、請求項13〜17のいずれか1項に記載のシステム。
- 2つ以上の開口位置の複数の組み合わせのそれぞれに開口を配置するために欠陥検知特性を推定することを、各開口位置に関する前記欠陥検知特性を2つ以上の開口位置の対応する組み合わせに加えることで達成する、請求項18に記載のシステム。
- 各開口位置に関する前記欠陥検知特性が、対象欠陥(DOI)画像、ニューサンス欠陥画像またはバックグランド画像を含み、2つ以上の開口位置の複数の組み合わせのそれぞれに関する前記欠陥検知特性を、2つ以上の開口位置の各組み合わせの各開口位置についてのDOI画像、ニューサンス画像またはバックグランドノイズ画像を加えることで決定する、請求項19に記載のシステム。
- 前記照明セレクタが前記最適開口配置を含まない、請求項13〜20のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記照明セレクタが前記最適開口配置を含み、前記コントローラが、前記最適開口配置を前記照明セレクタ上にセッティングし、前記システムを用いて前記試料の欠陥を検査するようにさらに構成されている、請求項13〜20のいずれか1項に記載のシステム。
- 前記照明セレクタが複数の開口配置をそれぞれ有する複数のディスクを含み、ここで、各ディスクの異なる開口配置が互いにアラインされて各開口位置にて単一の開口を形成し、異なる開口配置が瞳領域内および入射ビームの光軸に垂直に配置されるように前記複数のディスクを互いに配置することで、各開口位置において照明開口を一度に1つ開く、請求項13〜22のいずれか1項に記載のシステム。
- 各開口位置に関する前記欠陥検知特性が次の測定基準、対象欠陥(DOI)画像、ニューサンス欠陥画像、バックグランドノイズ画像、DOI強度値、ニューサンス欠陥強度値、バックグランドノイズ強度値、DOI信号対ノイズ比(SNR)値、DOI信号対ニューサンス値、DOI画像質感値、ニューサンス欠陥画像質感値、バックグランドノイズ画像質感値、DOI極性値、バックグランドノイズ極性、平均DOI強度値、平均ニューサンス欠陥強度値、平均バックグランドノイズ値、検知DOIの数、検知ニューサンス欠陥の数、DOIおよびニューサンス欠陥の数比、のうち1つ以上を含む、請求項1〜19または請求項20〜23のいずれか1項に記載のシステム。
- 複数の入射ビームを発生させるための複数の光源をさらに含み、ここで、前記照明セレクタが、各入射ビームを方向付けるための選択可能なファイバの束を含む、請求項13〜22または24のいずれか1項に記載のシステム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019049520A (ja) * | 2017-06-14 | 2019-03-28 | カムテック エルティーディー. | マルチモードシステムおよび方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013134068A1 (en) | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Wafer and reticle inspection systems and method for selecting illumination pupil configurations |
US9116103B2 (en) * | 2013-01-14 | 2015-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Multiple angles of incidence semiconductor metrology systems and methods |
US9696264B2 (en) * | 2013-04-03 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for determining defect depths in vertical stack memory |
KR102134943B1 (ko) | 2013-09-16 | 2020-08-26 | 케이엘에이 코포레이션 | 반도체 샘플의 계측을 수행하기 위한 타원편광 측정기 장치 |
US9726615B2 (en) * | 2014-07-22 | 2017-08-08 | Kla-Tencor Corporation | System and method for simultaneous dark field and phase contrast inspection |
JP6394422B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2018-09-26 | 信越化学工業株式会社 | 欠陥検査方法及び検査光の照射方法 |
NZ734940A (en) | 2015-02-25 | 2022-05-27 | Geo40 Ltd | Method of production of a colloidal silica concentrate |
US9915524B2 (en) * | 2015-05-11 | 2018-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology with small illumination spot size |
JP6192880B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2017-09-06 | 三菱電機株式会社 | 検出装置および検出方法 |
NL2017766A (en) | 2015-12-09 | 2017-06-14 | Asml Holding Nv | A flexible illuminator |
WO2017153130A1 (en) | 2016-03-07 | 2017-09-14 | Asml Netherlands B.V. | Illumination system and metrology system |
US10295476B1 (en) * | 2018-08-14 | 2019-05-21 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for multiple mode inspection of a sample |
CN108991751B (zh) * | 2018-08-20 | 2021-05-14 | 江西强庭实业发展集团有限公司 | 一种方便取书的学生书桌 |
KR102278782B1 (ko) * | 2019-09-16 | 2021-07-20 | 주식회사 스몰머신즈 | 능동 가변 스펙클 조명 대면적 고해상도 영상 기기 및 이를 이용한 이미징 방법 |
US20230314336A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | Kla Corporation | Multi-mode optical inspection |
US11922619B2 (en) | 2022-03-31 | 2024-03-05 | Kla Corporation | Context-based defect inspection |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0682373A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-03-22 | Nikon Corp | 欠陥検査方法 |
US20050141810A1 (en) * | 2003-12-29 | 2005-06-30 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Illumination apparatus and methods |
US20060262297A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for defect inspection |
JP2010107466A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Nikon Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
WO2010095420A1 (ja) * | 2009-02-18 | 2010-08-26 | 株式会社ニコン | 表面検査装置および表面検査方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3398472B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2003-04-21 | 株式会社日立製作所 | 検査方法および検査装置 |
US5774222A (en) * | 1994-10-07 | 1998-06-30 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected |
JP3744966B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2006-02-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体基板の製造方法 |
JP4005881B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 露光装置の検査方法 |
CN1788193A (zh) * | 2003-05-13 | 2006-06-14 | 阿菲梅特里克斯公司 | 用于提供波长可调的激发光束的系统、方法和产品 |
US7295303B1 (en) * | 2004-03-25 | 2007-11-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Methods and apparatus for inspecting a sample |
JP4723362B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
JP5182090B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2013-04-10 | 株式会社ニコン | 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 |
JPWO2010050488A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | 株式会社ニコン | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
KR101511158B1 (ko) * | 2008-12-16 | 2015-04-13 | 삼성전자주식회사 | 레티클 에러 검출 방법 |
WO2013134068A1 (en) | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Wafer and reticle inspection systems and method for selecting illumination pupil configurations |
-
2013
- 2013-03-01 WO PCT/US2013/028650 patent/WO2013134068A1/en active Application Filing
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- 2013-03-01 EP EP13757677.3A patent/EP2823288B1/en active Active
- 2013-03-01 JP JP2014560981A patent/JP6345125B2/ja active Active
-
2014
- 2014-09-07 IL IL234504A patent/IL234504B/en active IP Right Grant
-
2016
- 2016-05-18 US US15/158,413 patent/US9523646B2/en active Active
-
2018
- 2018-03-27 JP JP2018060555A patent/JP6598914B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0682373A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-03-22 | Nikon Corp | 欠陥検査方法 |
US20050141810A1 (en) * | 2003-12-29 | 2005-06-30 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Illumination apparatus and methods |
JP2007517230A (ja) * | 2003-12-29 | 2007-06-28 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 照射装置および方法 |
US20060262297A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for defect inspection |
JP2006329630A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
JP2010107466A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Nikon Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
WO2010095420A1 (ja) * | 2009-02-18 | 2010-08-26 | 株式会社ニコン | 表面検査装置および表面検査方法 |
US20120050739A1 (en) * | 2009-02-18 | 2012-03-01 | Fuminori Hayano | Surface inspection device and surface inspection method |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019049520A (ja) * | 2017-06-14 | 2019-03-28 | カムテック エルティーディー. | マルチモードシステムおよび方法 |
JP7165849B2 (ja) | 2017-06-14 | 2022-11-07 | カムテック エルティーディー. | マルチモードシステムおよび方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP6598914B2 (ja) | 2019-10-30 |
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EP2823288A4 (en) | 2015-09-23 |
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