JP2015502455A - イオン・ビームによるフッ素系光学薄膜の成膜法 - Google Patents
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Abstract
今回開示されている技術は、光学損失が低い金属フッ化物薄膜をイオン・スパッタ成膜法で成膜することをアシストするために、解離したフッ素(120)と水素および酸素のうちの少なくとも一方(122)とを用いる。前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とは、前記スパッタ成膜法が実行される包囲体(116)内に注入される。前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とは、金属フッ化物材料をターゲット(104)からスパッタすること、および/または、そのスパッタされた金属フッ化物材料を1または複数の基板(106)上に成膜することをアシストする。【選択図】図1
Description
[関連出願に対する相互参照]本出願は、米国仮特許出願第61/558,853号の優先権の利益を主張しており、その仮特許出願は、発明の名称が「イオン・ビームによるフッ素系光学薄膜の成膜法」であるとともに、2011年11月11日に出願されたものであり、この仮特許出願は、明らかに、その仮特許出願が開示しまたは教示しているすべての事項につき、引用により本出願に合体させられる。本出願は、国際特許出願第13/674,709号に関連しており、その国際特許出願は、発明の名称が「イオン・ビームによるフッ素系光学薄膜の成膜法」であるとともに、2012年11月12日に出願されたものであり、この国際特許出願も、明らかに、その国際特許出願が開示しまたは教示しているすべての事項につき、引用により本出願に合体させられる。
本発明は、一般に、イオン・ビームを用いてスパッタリングを行う方法およびシステムならびに本明細書に開示された方法およびシステムを用いて取得されたスパッタ成膜コーティング(sputtered coatings、スパッタによって成膜されたコーティング、スパッタ皮膜)に関する。
いくつかのフッ素系光学薄膜(fuorine-based optical thin films)(例えば、MgF2, LaF3, AlF3, HfF4, GdF3, YF3およびLiF3 )が、光学コーティング(optical coatings)、例えば、紫外線(UV)反射防止(AR)コーティング用および真空紫外線(VUV)反射防止(AR)コーティング用として用いられるもののようなものを作製する際に用いられる。それらARコーティングは、複数の薄膜材料(thin film materials)から成る複数の層(layers、多層膜)であって高屈折率と低屈折率とに交互に変化する屈折率を有するものを光学基板(optical substrate)上に成膜する(deposit、製膜する、被着させる、被覆する、形成する)ことによって作製する(produce)ことが可能である。典型的には、その光学多層膜(optical film layers)は、電子ビーム(e−ビーム)蒸着法(electron beam evaporation)またはイオン・ビーム・アシスト成膜(IBAD)蒸着法(ion beam assisted deposition evaporation)によって成膜される。しかし、他のいくつかの実施態様においては、その光学多層膜が、スパッタ成膜法(sputte deposition)、例えば、イオン・ビーム・スパッタリング法もしくはデュアル・イオン・ビーム・スパッタリング法、またはマグネトロン・スパッタ成膜法のようなものを用いて成膜される可能性がある。
一般に、前述のいくつかのフッ素系光学薄膜(fuorine-based optical films)は、フッ素系化合物(fuorine-based compound)より成るバルク・サンプルまたはターゲットから蒸発させられる(evaporated)かまたはスパッタされる(sputtered、弾き飛ばされる、叩き出される)。しかし、それらフッ素系光学薄膜を成膜するためにスパッタ成膜法(sputter deposition)を用いる場合には、電子ビーム蒸着法を用いる場合と比較すると、その成膜される薄膜(film)においてフッ素濃度が化学量論比から見て(stoichiometry、化学量論組成から、化学量論的に)不足する可能性がある。その結果、電子ビーム蒸着法がそれらフッ素系光学薄膜を成膜するのに望ましい方法とされてきた。
しかしながら、その成膜される薄膜(film)においてフッ素濃度が化学量論的に十分である状況においては、電子ビーム蒸着法よりむしろスパッタ成膜法を使用することが望ましい可能性がある。電子ビーム蒸着法と比較すると、イオン・ビーム・スパッタリング成膜法により作製される薄膜は、高い材料充填密度(higher degree of material packing density)と、表面性状(morphology、モルフォロジー、形態)における低い粒状度(less granularity、低い結晶粒度、高い緻密さ、高いきめ細かさ)と、高い表面平滑度(higher surface smoothness)とを有する。したがって、イオン・ビーム・スパッタリングにより成膜される薄膜の光学的性能は、電子ビーム蒸着法により作製される薄膜より光学損失が少ない可能性がある。さらに、イオン・ビーム・スパッタリング成膜法により作製される高密度の光学薄膜は、いくつかの光学的用途において、環境に対する安定性が高い(more environmentally stable、環境によって変動し難い)とともに、高い耐久性を有する可能性がある。
本明細書に開示されるとともに特許請求の範囲の欄に記載される複数の実施態様は、ある方法を提供することにより前述の複数の問題に対処し、その方法は、解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とが存在する状態で、イオン・ビームによってスパッタされた金属フッ化物コーティングを基板上に成膜する工程を含む。
本明細書に開示されるとともに特許請求の範囲の欄に記載される複数の実施態様は、さらに、ある金属フッ化物コーティングを提供することにより前述の複数の問題に対処し、その金属フッ化物コーティングは、イオン・ビームによって基板上に、解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とが存在する状態でスパッタされた金属フッ化物コーティングであって、10オングストローム[RMS(二乗平均平方根)]より小さい量での表面粗さの増加を有する。
本明細書に開示されるとともに特許請求の範囲の欄に記載される複数の実施態様は、さらにまた、あるイオン・スパッタリング・システムを提供することにより前述の複数の問題に対処し、そのイオン・スパッタリング・システムは、解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とを包囲体内に注入するプロセス・ガス源と、前記包囲体内において、スパッタされた金属フッ化物コーティングを受け入れる基板とを有する。
複数の別の実施態様も、本明細書に開示されるとともに特許請求の範囲の欄に記載されている。
複数のイオン・ビーム・スパッタ成膜システム(ion beam sputtered deposition systems)においては、イオン源からの複数のイオンより成るビームが、目標材料より成る複数の原子をターゲットからスパッタして(sputter、弾き出して)プルーム(plume、高輝度発光体)に変化させる程度の運動エネルギーを有して、そのターゲットに衝突し、これにより、その後、上述の、目標材料より成る複数の原子を基板上に堆積させる(deposit、成膜する)ことが可能となる。
図1は、水素/酸素アシスト・イオン・ビーム・スパッタ成膜システム(ion beam sputtered deposition system、水素/酸素を用いてアシストが行われるイオン・ビーム・スパッタ成膜を行うシステム、イオン・スパッタ・システム)100の一例のブロック図を示している。このイオン・スパッタ・システム100の一実施態様がイオン・ビーム・スパッタ成膜システムとして実施されているが、今回開示される技術は、複数の他の型式のスパッタ成膜システムおよび/または電子ビーム蒸着システム(e-beam evaporation systems)であって、フッ素系光学薄膜(例えば、GdF3, MgF2, LaF3, AlF3, HfF4, YF3 およびLiF3)を作製するために使用されるものに適用してもよい。フッ素系光学薄膜は、この書類において言及されるように、例えば、金属フッ化物膜および金属オキシ・フッ化膜を含む。今回開示される技術は、紫外(UV)領域および真空紫外(VUV)領域内において低損失であるフッ素系光学薄膜を作製するために使用することが可能である。今回開示される技術は、他のいくつかの波長領域において低損失特性を実現する光学コーティングに適用してもよい。
その図示されている実施態様においては、イオン・スパッタ・システム100が、包囲体内116にイオン源102、ターゲット・アセンブリ104および基板アセンブリ106を有している。イオン源102は、ターゲット・アセンブリ104を標的とするかまたはターゲット・アセンブリ104に向けて進行させられるイオン・ビーム108を発生させる。このイオン源102は、例えば、直流(DC)型、高周波(radio frequency)(RF)型またはマイクロ波型のグリッド構造イオン源(gridded ion source)であってもよい。さらに、イオン・スパッタ・ガス(典型的には、アルゴンAr、クリプトンKrまたはキセノンXeのような不活性ガス)が、スパッタ・ガス源124を介してイオン源102に提供されてもよい。具体的には、このイオン・スパッタ・ガスは、このガスが最初に、ガス放電またはプラズマによってイオン化される場所であるイオン源102に向けて注入される。イオン源102内のそれらイオンは、その後、イオン源102の出力段において、一組のイオン・ビーム・グリッド光学機器によって加速させられ、それにより、イオン・ビーム108が形成される。
ターゲット・アセンブリ104は、回転または移動を所望の方式で行うことが可能であり、その方式は、ターゲット・アセンブリ104の、それの軸線114回りの回転、または、ターゲット・アセンブリ104を傾斜させてイオン・ビーム108に対するターゲット・アセンブリ104の角度を変化させるためのターゲット・アセンブリ104のピボット運動を含んでいる。イオン・ビーム108は、ターゲット・アセンブリ104に当たる(strike、入射する)と、ターゲット・アセンブリ104に装着された1または個別の(individual、互いに独立した)複数のターゲット(図示しない)から、ある材料より成るスパッタ・プルーム110を発生させる。
イオン・ビーム108は、ターゲット・アセンブリ104から発生させられるスパッタ・プルーム110が基板アセンブリ106に向かって進行する角度と同じ角度でターゲット・アセンブリ104に当たる。イオン・スパッタ・システム100についての一実施態様においては、スパッタ・プルーム110が、基板アセンブリ106に向かって進行するにつれて放射状に広がる(divergent)とともに、基板アセンブリ106に部分的に過剰に散布される可能性がある。別の実施態様においては、スパッタ・プルーム110によって最終的に形成されるある材料の成膜物(resulting deposition)が基板アセンブリ106の特定の部分を覆うように方向付けられるように、スパッタ・プルーム110が多かれ少なかれ集中させられる(concentrated、集束される)ことが可能である。
基板アセンブリ106は、単一の大きな基板、または、それより小さい複数の個別の基板(図示しない)を保持するサブアセンブリ・ホルダを意味してもよい。イオン・スパッタ・システム100の例示的な一実施態様においては、基板アセンブリ106が取付具112に装着されており、その取付具112により、基板アセンブリ106が回転または移動を所望の方式で行うことが可能であり、その方式は、基板アセンブリ106の、それの軸線118回りの回転、または、基板アセンブリ106を傾斜させてスパッタ・プルーム110に対する基板アセンブリ106の角度を変化させるための取付具112のピボット運動を含んでいる。
前記1または複数の基板は、実質的に平面であるか(例えば、ウェーハおよび光学レンズまたは光学平板)、または、種々の3次元特徴部(features)(例えば、立方体状の(または、複数の面を有する(faceted))光学結晶、曲面状の光学レンズ、および切削工具インサート(cutting tool inserts))を有してもよい。さらに、前記1または複数の基板は、機械的なテンプレートまたはパターン付きのエッチ・レジスト・レイヤ(patterned etch resist layers)(例えば、フォトレジスト)によってマスキングされ、それにより、前記1または複数の基板の複数の表面エリアを覆うように成膜された薄膜が、選択された(selected、所望の)パターンを有するようにパターン付けを行うこと(patterning、模様付けを行うこと)を促進することが支援されることが可能である。
包囲体116は、制御されたガス状の環境であり、その内部において、このイオン成膜システム100が作動する。その包囲体116内において真空圧または真空に近い圧力を用いることにより、望ましい紫外線光学薄膜コーティングという用途にとって過剰な吸収量(absorption、光吸収量)を有するように成膜されたフッ素系薄膜を生じさせる可能性がある。この過剰な吸収量の原因は、前記成膜された薄膜においてフッ素が、例えば、スパッタされつつある金属−フッ化物ターゲット材であって化学量論的に完全であるものに比べて化学量論的に欠乏することである可能性がある。前記成膜された薄膜における上述のフッ素欠乏を起こさせる潜在的な原因の一つは、ターゲット・アセンブリ104の表面を構成する種々の原子または分子という要素が、入射したイオン・ビーム108が衝突すると、相対的に互いに異なる速度または相対的に互いに異なる収率(yields、スパッタ率、照射粒子1個当たりにスパッタされる原子または分子の数)でスパッタされる(sputtered、弾き出される)性質があるということである。この物理現象は、しばしば、ディファレンシャル・スパッタリング(differential sputtering、不均一スパッタリング)と称される。さらに、スパッタされた複数の異なる原子的または分子的な構成要素は、イオン・ビームの入射角が同じでありながら、ターゲット・アセンブリ104からの複数の放出(ejection、出射)角度の分布(distribution、放出角度分布)に関してそれぞれ互いに異なるという性質を有する。その結果、スパッタ・プルーム110から出発して基板アセンブリ106上に到達する材料の束(flux、フラックス)が、スパッタ用のターゲット・アセンブリ104と化学量論的に同じ化合物を用いて凝縮する(condense、液化する)ことも薄膜を成膜(deposit)することもないかもしれない。イオン・ビームが金属−フッ化物材料をスパッタする際に、ディファレンシャル・スパッタリングが行われることが可能である結果、化学量論的にフッ素が不足した光学薄膜が成膜されることになる。イオン・ビームで成膜された金属−フッ化物で成膜された薄膜におけるフッ素のこのような欠乏は、成膜された薄膜における光学損失を特に紫外線領域において発生させることにつながる可能性がある。
フッ化物の欠乏に対抗するために、ガス状化合物についての分圧(a partial pressure、ガス状化合物についての分圧の追加分)または濃度の追加分(added concetration、量の追加分)を、前記成膜プロセスをアシストするために包囲体116内に注入することが可能である。例えば、ガス状反応性フッ素キャリア(例えば、フッ素ガスF2、三フッ化窒素NF3および四フッ化炭素CF4)をフッ素源120を介して包囲体116に添加し、それにより、反応性フッ素(フッ化物fluorideまたはF-)をスパッタ・プルーム110に添加することが可能である。この書類において使用されるF-は、フッ素の複数の非結合性(unbound)ラジカル種(すなわち、 F1 または F)を意味している。さらに、フッ素の複数のラジカル・イオン状態(すなわち、F-)をもフッ素源120を介して包囲体116に添加することが可能である。
このことは、このイオン・スパッタ・システム100のようなスパッタ成膜システムを使用する場合に、上述の、成膜された薄膜におけるフッ素の化学量論的な欠乏または欠損を防止するために有用である可能性がある。さらに、前述のガス状反応性フッ素キャリアの追加分は、基板アセンブリ106上に成膜されるフッ素系光学薄膜の表面性状的な(morphological、組織形態的な)性質または光学的な性質を改善することも可能である。
いくつかの実施態様においては、フッ素ガスF2(フッ素分子、二フッ素)が高い毒性を有することを理由に、そのフッ素ガスF2に代えて、三フッ化窒素NF3または四フッ化炭素CF4をガス状反応性フッ素キャリアとして使用することが可能である。しかし、三フッ化窒素NF3または四フッ化炭素CF3のみを使用する場合であっても、それらが解離して最終的に自由フッ素(free fluorine)(F-)またはフッ素ガスF2 を生成し得るため、包囲体116内に有毒ガスが発生してしまう。より具体的には、フッ素ガスF2、三フッ化窒素NF3または四フッ化炭素CF3の解離により、複数のF-原子が生成され、それらF-原子は、包囲体116内の複数の表面に付着し、このイオン・スパッタ・システム100が大気に開放させられるときに(例えば、基板がこのイオン・スパッタ・システム100に対して搬入・搬出されるときに)、フッ化水素(HF)蒸気として蒸発する(volatize)ことが可能である。フッ化水素HFの濃度が局所的に1ppm(パーツ・パー・ミリオン)を超えることが可能であり、よって、近くの作業員(nearby personnel)に対して局所的な危険を発生させ得る。このような安全性に対する危険が原因で、実務者たちは、このイオン・ビーム・スパッタ・システム100に対して安全に搬入・搬出を行うのに先立ち、個人的な防護装備(例えば、空気清浄機能付き呼吸器(air purifying respirator)および防護服)を用いることが必要である可能性がある。さらに、それら実務者たちは、放出されるフッ化水素(HF)蒸気の濃度を安全な濃度レベルまで希釈するために、真空系のイオン・ビーム・スパッタ・システム100の大気開放(vent)を徐々に、かつ、反復的に行うことが必要である可能性がある。
水素/酸素キャリア(hydrogen/oxygen carrier、水素と酸素とを有するキャリア)(例えば、ウォータH2O)をも水素/酸素源(hydrogen/oxygen resource、水素と酸素とを供給する供給源)122によって包囲体116内に添加し、それにより、光吸収量をさらに減少させる反応性水素(reactive hydrogen、活性水素)(H-)および/または反応性酸素(reactive oxygen、活性酸素)(O-)を添加することが可能である。この書類において使用されるH−およびO−は、それぞれ、水素および酸素の非結合性(unbound)ラジカル種を示している。さらに、水素および酸素のラジカル・イオン状態(すなわち、H+またはO-2)を水素/酸素源122によって包囲体116内に添加することも可能である。水素/酸素キャリアについての他のいくつかの例としては、過酸化水素水(H2O2)ガスや、水素(H2)および酸素(O2)の混合ガスがある。
前記水素/酸素キャリアが前記フッ素キャリアと混合されるいくつかの実施態様においては、包囲体116が大気に開放されたときに(when vented to atmosphere、大気への開放の開始時に)その包囲体116内に存在するフッ化水素(HF)蒸気の量を、近くの作業員に対する実質的に大きな危険が存在しない濃度まで低下させられるとともに、個人的な防護装備をすることも大気開放を繰り返すことも不要であるレベルまで低下させることが可能である。このことが達成される原因は、前記複数のF-原子が前記水素/酸素キャリアのうちの水素成分と結合し、それにより、前記フッ素系膜の成膜が行われている間および包囲体116が大気に開放されないうちに(prior to venting the enclosure 116 to atmosphere、包囲体116の大気開放前に)、揮発性(volatile)フッ化水素HFが形成されることである可能性がある。その揮発性フッ化水素HFは、その後、イオン・ビーム108、スパッタ・プルーム110および/または基板アセンブリ106のためのフッ素源として消費されることが可能である。
このイオン・スパッタ・システム100の一実施態様においては、ターゲット・アセンブリ114に装着された前記1または複数のターゲットが、単一の材料より構成されるか、または、ターゲット・アセンブリ114上に載置されるとともに相互に置換される複数の異種材料により構成されることが可能である。それら異種ターゲット材料(例えば、種々の金属フッ化物および/または金属合金)により、複数の異種材料から成る複数の層(layers、多層体、層状体)が、基板アセンブリ106上の1または複数の基板上に成膜され、それにより、多層膜コーティングを形成することが可能となる。前記基板上に成膜されるべきそのような材料のいくつかの例としては、いくつかの金属フッ化物(例えば、MgF2, LaF3, AlF3, HfF4, GdF3, YF3 およびLiF3 )があるが、それらに限定されない。
図2は、水素/酸素アシスト・イオン・ビーム・スパッタ成膜システム200の実施態様の一例を示している。さらに具体的には、このスパッタ成膜システム200は、デュアル・イオン・ビーム・スパッタ成膜システムである。このスパッタ成膜システム200は、主高周波アンテナ(RF)イオン源(main radio frequency antennae (RF) ion source、主イオン源)202と、ターゲット・アセンブリ204と、基板アセンブリ206とを有する。基板アセンブリ206は、シャフト219を中心にして傾斜することが可能である。主イオン源202は、ターゲット・アセンブリ204に向かうイオン・ビーム208を発生させる。一実施態様においては、その主イオン源202が、3つのグリッドを有し、それらグリッドは、100−1000mAの範囲内のビーム電流(a beam current、1つのビーム電流)と、+150Vと+1500Vとの間の範囲内の複数のビーム電圧と、−100Vと−1000Vとの間の範囲内の複数のグリッド電圧とを有する。さらに、そのイオン・ビーム208は、概して円形を成す断面形状を有することが可能である。
さらに、イオン・スパッタ・ガス(例えば、アルゴンAr、クリプトンKr、ネオンNe、キセノンXeまたはそれらの任意の組合せ)が主イオン源202に、スパッタ・ガス源232によって提供されることが可能である。それらスパッタ・ガスは、主イオン源202内においてイオン化されて放電(discharge、放電結果生成物)またはプラズマ(図示しない)を形成し、それらイオンは、その後、主イオン源202から取り出されてイオン・ビーム208を形成する。ターゲット・アセンブリ204は、イオン・ビーム208との相互作用が行われると、目標材料を基板アセンブリ206の1または複数の基板(例えば、基板226)上に成膜するスパッタ・プルーム210を発生させる。
このスパッタ成膜システム200は、チャンバ・ドア(chamber door、成膜室のドア)222を有することが可能であり、そのチャンバ・ドア222は、開いた状態において、このスパッタ成膜システム200内の内容物にアクセスすることを可能にする。このチャンバ・ドア222は、閉じた状態において(図示する)、スパッタ成膜システム200内の状態を真空状態に維持する。さらに、このスパッタ成膜システム200は、ロードロック(load-lock)・システムを有することが可能であり、そのロードロック・システムによれば、このシステム200を真空状態に維持したままで(例えば、チャンバ・ドア222を開放することなく)、基板アセンブリ206を交換することが可能となる。一実施態様においては、前記1または複数の基板が、実質的に平面である1枚のウェーハまたは光学レンズもしくは光学平板、または、実質的に平面である複数のウェーハまたは光学レンズもしくは光学平板が配列されたバッチ(batch、1回分のまとまり)により構成される。さらに、前記1または複数の基板は、例えば立方体状の(または、複数の面を有する(faceted))光学結晶または曲面状の光学レンズのような3次元特徴部をさらに有することが可能である。さらに、前記1または複数の基板は、機械的なテンプレートまたはパターン付きエッチ・レジスト・レイヤ(例えば、フォトレジスト)によってマスキングされ、それにより、前記1または複数の基板の表面エリア上に薄膜が、選択されたパターンを有するように成膜されること、または、前記1または複数の基板の表面エリアがイオンで、選択されたパターンを有するように処理されることが促進されることが支援されることが可能である。
ターゲット・アセンブリ204は、複数のターゲット214,215および216を有する。他のいくつかのシステムにおいては、それより少ないか多い数のターゲットを有することが可能である。一実施態様においては、ターゲット・アセンブリ204がシャフト218を中心に回転し、それにより、それらターゲットのうち選択されたものにイオン・ビーム208が照射される。さらに、それらターゲット214,215および216の各々は、スパッタリング用の材料に関して、互いに共通するか、または互いに異なることが可能である。さらにまた、その選択されたターゲット(例えば、ターゲット215)の向きは、成膜プロセス中に変化させ、それにより、消耗をターゲット・アセンブリ204および基板アセンブリ206の全体に分散させることを促進するとともに、成膜条件の一様性を向上させることが可能である。さらに、いくつかの実施態様においては、それらターゲット214,215および216の各々を回転させること(例えば、ターゲット215を軸線217回りに回転させること)が可能である。それらターゲット214,215および216の各々は、高純度フッ素系金属化合物またはフッ化物反応性金属(例えば、MgF2, AlF3, Al, GdおよびLaF3)により構成することが可能である。
さらに、アシストRFイオン源220(assist RF ion-source、アシスト・イオン源)が、スパッタ・プルーム210が基板アセンブリ206上に堆積することをアシストすることが可能である。このスパッタ成膜システム200の一実施態様においては、ゲート制御(gating)機構(図示しない)が、スパッタ・プルーム210が基板アセンブリ206上に堆積する量および位置を管理するために用いられる。例示的な一実施態様においては、そのアシスト・イオン源220が、基板アセンブリ206に向かうイオン・ビーム230を発生させる。そのイオン・ビーム230は、例えば、前記1または複数の基板の表面に対する事前洗浄(pre-clean)または事前加熱(pre-heat)のために用いることが可能である。別の実施態様においては、そのアシスト機能を有するイオン・ビーム230が、スパッタ・プルーム210と一緒に用いられ、それにより、基板アセンブリ206に対して行われる成膜の性能の向上(例えば、材料成膜密度(material deposition density)の向上、表面平滑度の向上、酸化(oxidation)の抑制、窒化(mitridation)の抑制など)が行われる。そのアシスト・イオン源220を、不活性ガス(例えば、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXe、ネオンNeおよび/またはヘリウムHe)、フッ素キャリア・ガス(上述)および/または水素/酸素(上述)のうちの1つまたは複数のものを、その具体的な用途(例えば、事前洗浄、事前加熱および/またはアシスト)に応じて用いて作動させることが可能である。
セーフティ・センサ240を、このスパッタ成膜システム200に設けることが可能であり、そのセーフティ・センサ240は、十分に高いレベルの有毒ガス(例えば、フッ素ガスF2およびフッ化水素HF)がこのスパッタ成膜システム200内に存在するか否かを検出し、その十分に高いレベルの有毒ガスは、このスパッタ成膜システム200を大気に開放させると、近くの作業員の安全が脅かされる恐れがある可能性がある。そのセーフティ・センサ240をインジケータ(図示しない)に連携させ、それにより、安全が脅かされる恐れがあるときにこのスパッタ成膜システム200が開放されてしまうことを防止することが可能である。このスパッタ成膜システム200の一実施態様は、このイオン・ビーム・システム200内に真空状態または近真空状態を生成してこのイオン・ビーム・システム200をその状態に維持する真空システム・ポンプ・アンド・プリーナム(vacuum system pump and prenum、ポンプがスパッタ成膜システム200の主チャンバからガスを排出して真空化し、その排出されたガスをプリーナム(plenum、高圧室)内に保存することにより、スパッタ成膜システム200の主チャンバを真空化するために用いられるポンプおよびプリーナム)224を備えている。さらに、ガス状の化合物または成分(例えば、フッ素、水素および/または酸素)を、目標濃度で、真空化された(evaculated、ガスが排出された)このスパッタ成膜システム200に添加し、それにより、成膜プロセスをアシストすることが可能である。
例えば、ガス状反応性フッ素キャリア(例えば、フッ素ガスF2、三フッ化窒素NF3、四フッ化炭素CF3またはそれらの任意の組合せ)を、ガス状フッ素源234によってこのスパッタ成膜システム200に添加し、それにより、余分のフッ素をこのスパッタ成膜システム200に添加することが可能である。一実施態様においては、前記ガス状反応性フッ素キャリアが、マス・フロー(mass flow、質量流量)・コントローラを用いて、約5−30sccm(標準状態で1分当たりに流れる流量(cc))の速度で添加される。これにより、このスパッタ成膜システム200を用いる場合に、前述の、成膜された薄膜においてフッ素が化学量論的に欠損することを防止することを促進することが可能である。さらに、上述の余分のガス状反応性フッ素キャリアにより、基板アセンブリ206上に成膜されるフッ素系光学薄膜の光学的性質の改善も行われることが可能である。そのフッ素キャリア・ガスをこの成膜システム200に直接的にかまたは2次遠隔プラズマ(secondary remote plasma)(すなわちICP(誘導結合型プラズマ))源238を経由して導入することも可能である。
水素/酸素キャリア(例えば、気化されたH2O(vaporized H2O、水蒸気))をも、水素/酸素源236によってこのスパッタ成膜システム200に添加し、それにより、成膜された光学薄膜の光吸収量をさらに減少させる反応性水素(H+)および/または反応性酸素(O-)を添加することが可能である。気化されたH2O(水蒸気)を前記水素/酸素キャリアとして用いる一実施態様においては、そのH2Oを測定するためにマス・フロー(mass flow、質量流量)・コントローラを用いること、および/または、そのH2O蒸気(H2O vapor、水蒸気)の流量(flow)を約5sccmと約50sccmとの間の範囲内において制御するためにメータリング・バルブ(metering valve)を用いることにより、そのH2Oを供給することが可能である。一実施態様においては、そのH2Oの分圧が、約0.1mTorrと約0.5mTorrとの間の範囲内にある。前記フッ素キャリアと前記水素/酸素キャリアとの双方を用いる一実施態様においては、その混合されたガス流れについての作動圧(the operating pressure、上記制御部が作動を開始するときの圧力)が、例えば、約0.3mTorrと約1.0mTorrとの間の範囲内にあることが可能である。
前記フッ素キャリアと前記水素/酸素キャリアとの反応し易さを高めるために、それらフッ素キャリアおよび水素/酸素キャリアを、遠隔プラズマ源238を通過させることが可能であり、その遠隔プラズマ源238は、それらフッ素キャリアおよび水素/酸素キャリアを、より反応性の高い複数の原子的構成要素(reactive atomic constituents)または複数のラジカル化分子的構成要素(radicalized molecular constituents)(例えば、F-, NF-, NF2-, OH-およびO-)および/または複数のイオン化構成要素(ionized constituents)(例えば、F-, O-2, OH-)に解離させる。それらフッ素キャリアおよび水素/酸素キャリアより成る前記複数の反応性の高い原子的構成要素または複数のラジカル化分子的構成要素は、イオン・ビーム208、ターゲット・アセンブリ204、スパッタ・プルーム210および/または基板アセンブリ206に対する反応を、前記フッ素キャリアおよび前記水素/酸素キャリアがより安定的な形態(forms、状態)を取る場合に比較して、より効果的に行うことが可能である。
上述のフッ素および水素/酸素のキャリア・ガス(gases、フッ素キャリア・ガスと水素/酸素キャリア・ガスとの混合ガス)(例えば、F2, NF3, CF3およびH2O)に加えて、不活性ガス源(図示しない)が、少量の(例えば、前記フッ素キャリア・ガスの容積の20%または3−5sccmを上限とする)不活性ガス(例えば、アルゴンAr、ネオンNe、ヘリウムHe、クリプトンKrおよび/またはキセノンXe)を遠隔プラズマ源238に添加し、それにより、プラズマ放電のシード(seed、種、元、核)を生成し、それにより、前記キャリア混合ガス(carrier gases)の解離をより効率的に行わせることが可能である。このことにより、さらに、遠隔プラズマ源238の起動がより容易になることおよび/またはその遠隔プラズマ源238の作動がより安定化することが実現される可能性がある。
さらに、前記フッ素キャリア・ガスおよび/または前記水素/酸素キャリア・ガスを、導管(directing tube)241を介して、スパッタ成膜システム200のうちの目標領域(例えば、イオン・ビーム208がターゲット・アセンブリ204に入射する領域、または、スパッタ・プルーム210が基板アセンブリ206に入射する領域)に向かって進行させることが可能である。その導管241は、任意の便利な材料(例えば、金属合金またはアルミナ(Al2O3)のようなセラミック)によって製造することが可能であり、また、任意の適した形状およびサイズを有することが可能である。他のいくつかの実施態様においては、導管241が存在せず、前記フッ素キャリア・ガスおよび/または前記水素/酸素キャリア・ガスが、スパッタ成膜システム200内の特定の位置に向かって進行させられることなく、スパッタ成膜システム200の全体にわたって効果的に分散させられる。
いくつかの実施態様においては、フッ素ガスF2(フッ素分子、二フッ素)が高い毒性を有することを理由に、そのフッ素ガスF2に代えて、三フッ化窒素NF3または四フッ化炭素CF4を使用することが可能である。しかし、三フッ化窒素NF3および/または四フッ化炭素CF3を使用する場合であっても、それらが解離して最終的に自由フッ素(free fluorine)(F-)またはフッ素ガスF2 を生成し得るため、スパッタ成膜システム200内に有毒ガスが発生してしまう。より具体的には、フッ素ガスF2、三フッ化窒素NF3および/または四フッ化炭素CF4の、遠隔プラズマ源238を用いた解離により、複数のF-原子が生成され、それらF-原子は、スパッタ成膜システム200の複数の内側表面に付着し、スパッタ成膜システム200が大気に開放させられるときに(例えば、基板がスパッタ成膜システム200に対して搬入・搬出されるときに)、フッ化水素(HF)蒸気として蒸発する(volatize)ことが可能である。フッ化水素HFの濃度が局所的に1ppm(パーツ・パー・ミリオン)を超えることが可能であり、よって、近くの作業員(personnel)に対して局所的な危険を発生させ得る。
前記水素/酸素キャリアが前記フッ素キャリアと混合されるいくつかの実施態様においては、スパッタ成膜システム200が大気に開放させられるときに(when vented to atmosphere、大気への開放の開始時に)そのスパッタ成膜システム200内に存在するフッ化水素(HF)蒸気の量を、近くの作業員に対して実質的なリスクが発生せず、個人的な防護装備を用いることが不要であるか、または、この成膜システム200内のフッ化水素(HF)蒸気の濃度を希釈するために大気開放(vent)を反復的に行う措置を追加することが不要であるレベルに減少させることが可能である。このことが達成される原因は、前記複数のF-原子が前記水素/酸素キャリアのうちの水素成分と結合し、それにより、成膜中およびスパッタ成膜システム200が大気に開放されないうちに(prior to venting the sputter deposigion system 200 to atmosphere)揮発性フッ化水素(HF)を生成することである可能性がある。その揮発性フッ化水素(HF)は、その後、イオン・ビーム208、スパッタ・プルーム210および/または基板アセンブリ206のためのフッ素源として消費されることが可能である。
例示的なある実施態様においては、LaF3/AlF3またはGdF3/AlF3が融解シリカ(fused-silica)基板またはCaF2基板上に成膜されて成る3層ARコーティングを用いて99.0%より高い透過率が約193nmのUVスペクトル線において(at UV spectral line of about 193 nm)達成されるように、光学損失が、解離されたNF3および解離されたH2Oがイオン・ビーム・スパッタ成膜システム(例えば、システム200)内に添加されることによって低下させられる。さらに、この例示的な実施態様においては、フッ素系光学薄膜の成膜の工程中にH2Oが注入される限り、高い毒性を有するある濃度のフッ素ガスF2の蒸気(F2 vapor concentration、ある量のフッ素ガスF2の蒸気)および高い毒性を有するある濃度のフッ化水素(HF)の蒸気(HF vapor concentration、ある量のフッ化水素(HF)の蒸気)のうちの大半が大気開放時に存在しない。
基板に関してロードロック(load-lock)方式を採用する例示的な実施態様においては、1秒当たり約3.2オングストロームという速度で成膜されたAlF3の単層膜が、193nmにおいて(at 193 nm、193nmである波長について、または193nmである波長を有する光について)約1.42の屈折率を達成し、また、1秒当たり約1.6オングストロームという速度で成膜されたGdF3の単層膜が、193nmにおいて約1.64の屈折率を達成する。それらAlF3膜およびGdF3膜の双方が組み合わせられて成るARコーティングは、193nmにおいて約99.0%の透過率と約0.05%の反射率とを達成した。それらAlF3膜およびGdF3膜が組み合わせられて成る高反射(HR)コーティングは、193nmにおいて約97.5%の反射率と約0.06%の透過率とを達成した。
バッチ構成(batch configuration、1回の成膜が終わるごとに成膜室を開放するバッチ処理方式)を採用する例示的な実施態様においては、1秒当たり約2.7オングストロームという速度で成膜されたAlF3の単層膜が、193nmにおいて約1.39の屈折率を達成し、また、1秒当たり約1.3オングストロームという速度で成膜されたLaF3の単層膜が、193nmにおいて約1.67の屈折率を達成する。それらAlF3膜およびLaF3膜の双方が組み合わせられて成るARコーティングは、193nmにおいて約99.0%の透過率と約0.24%の反射率とを達成した。それらAlF3膜およびGdF3膜が組み合わせられて成る高反射(HR)コーティングは、193nmにおいて約97.3%の反射率と約0.2%の透過率とを達成した。
光学薄膜の光学損失量は、当該薄膜を透過している光の波長に依存するとともに、多数のファクターに依拠し、それらファクターは、吸収(absorbtion、光吸収)(当該薄膜の化学組成/化学量論比に依存する)、結晶の構造/表面性状(morphology、形態)に依拠する光の散乱(scattering)および/または当該薄膜内の欠陥密度(defect density)および当該薄膜の表面における散乱(これは、表面粗さ(surface roughness、表面凹凸度)に依拠するとともに、薄膜層内の薄膜表面性状(morphology、形態)および/または薄膜層内の欠陥密度を示す指標である可能性がある)を含んでいる。特に、散乱損失量は、短い波長の領域内、例えば、250nmより短いUV波長の領域内において、波長が短いほど増加する可能性がある。表面平滑度(surface smoothness)は、光学薄膜における低散乱損失に関連付けられる重要なパラメータである。
表面平滑度を特徴付ける(characterize、定量化する)方法の一つは、超研磨基板(super polished substrate)(すなわち、約1オングストロームRMSより小さい凹凸度を有する基板)上での成膜の前および後にそれぞれ表面粗さを測定することである。表面粗さの増加量が少ないほど散乱損失量が少ないというように、表面粗さの増加量は散乱損失量に関連付けられる。一実施態様においては、スパッタで成膜された(evaporated)コーティングが、明るい可視光で照射されると、乳白色の外観を有するように観察され、このことは、一般的に、約10オングストロームRMSより大きい表面粗さに関連付けられる。イオン・ビームで成膜されたコーティングであってこの書類に開示されているものは、無色透明な(clear and transparent)外観を有する可能性があり、このことは、約10オングストロームRMSより小さい表面粗さに関連付けられる。
上述のAlF3単層膜およびGdF3単層膜のうちの1つまたは複数のものの表面粗さの増加量(コーティング前の基板と比較して)を解析すると、次の結果が得られる。AlF3単層膜の表面粗さの増加量は、コーティング前の基板に対して、約5から6オングストロームRMSまでの範囲内にある。GdF3単層膜については、測定分解能(すなわち、0.2オングストロームRMS未満、または、高さが2nm未満である凹凸部についてプラス・マイナス10%)の範囲内において、表面粗さの変化が検出されなかった。表面粗さの測定は、AlF3とGdF3との組合せとAlF3とLaF3との組合せとの中から選択されて成る種々の複数の組合せより成る2層ARコーティングおよび3層ARコーティングについても行われた。それら多層膜ARコーティングについての表面粗さ変化量は、約0.2から0.5オングストロームRMSまでの範囲内にあった。
上述のAlF3単層膜およびLaF3単層膜の表面および表面下部(sub-surface)についての化学量論的解析により、次の結果が得られる。そのAlF3単層膜の表面は、約56.5%のフッ素と、約19.3%のアルミニウムと、約13.3%の酸素と、約9.5%の炭素とを示している。このAlF3単層膜の表面の、フッ素対アルミニウム比は、約2.93%である。このAlF3単層膜の表面下部は、約61.4%のフッ素と、約23.7%のアルミニウムと、約13.0%の酸素と、約0.3%の炭素とを示している。このAlF3単層膜の表面の、フッ素対アルミニウム比は、約2.59%である。このAlF3単層膜の表面の炭素含有量は、表面汚染(surface contamination、成膜後に膜に残存する材料)に起因する可能性がある。
前記LaF3単層膜の表面は、約56.1%のフッ素と、約21.6%のランタンと、約13.5%の酸素と、約8.7%の炭素とを示している。このLaF3単層膜の表面の、フッ素対ランタン比は、約2.60%である。このLaF3単層膜の表面下部は、約55.2%のフッ素と、約34.0%のランタンと、約10.4%の酸素と、約0.0%の炭素とを示している。このLaF3単層膜の表面の、フッ素対ランタン比は、約1.62%である。このLaF3単層膜の表面の炭素含有量は、表面汚染(surface contamination、成膜後に膜に残存する材料)に起因する可能性がある。上述のいくつかの百分率は、X線光電子分光法によって観察されたものであり、これは、上述の複数の構成要素のうちの原子の百分率の近似値を示している。
GdF3単層膜は、前記LaF3単層膜および前記AlF3単層膜のうちの一方または両方に関して上述された、表面および/または表面下部についての化学量論的特性と同様なものを有することが可能である。
特にUV領域において光学損失量が少ないことが求められる用途については、前記薄膜内に酸素が存在すると、光吸収量が増加する可能性がある。しかし、酸素含有率が比較的に高い場合であっても、上述のいくつかの薄膜であれば、全体的な光学損失量が比較的少ない。このことは、前述の、表面粗さが低いという性質に起因する可能性があり、これは、この書類に開示されている薄膜を、UV用のARコーティングに適したものとするとともに、他のいくつかの用途についてこの成膜プロセスの実用可能性が存在することを示している。具体的には、この書類に開示されている金属−オキシ−フッ化物製の薄膜は、それの機械的性質、電気的性質および誘電的性質(dielectrical property、誘電体として作用する場合に示す性質)を根拠に、他のいくつかの光学的用途において有用である可能性がある。
図3は、例示的な三フッ化アルミニウム(AlF3)製の単層膜のスペクトル透過率のスキャン結果(spectral transmission scan)300を示しており、そのAlF3単層膜は、ウォータ・アシスト(water-assisted)・イオン・ビーム・スパッタ成膜システムを用いて、融解石英(fused quarz)(すなわち、シリカ)製の基板上に成膜されたものである。そのAlF3単層膜の成膜中、H2O蒸気がイオン源を約10−20sccmで貫流する。その成膜されたAlF3膜の厚さは、約40−60nmである。
カーブ305は、コーティング前の石英基板のスペクトル透過率を示し、カーブ310は、ウォータH2Oを使用せずに前記石英基板上に成膜されたAlF3単層膜を示し、カーブ315は、ウォータH2Oを使用して前記石英基板上に成膜されたAlF3単層膜を示している。理想的なAlF3単層膜については、スペクトル透過率のスキャン結果を示す波形が、前記コーティング前の基板についての波形より上方にあり、そのとき、透過率の最低点が、前記コーティング前の基板のスペクトル透過率を表すラインに接近している。
複数の局所的なスペクトル最低点(spectral minima、スペクトルのうちの透過率が最低である点)(例えば、カーブ310の最低点320と、カーブ315の最低点325)が、「コーティングなし」の場合のカーブのスペクトル・ライン(spectral line、分光結果を表す線)に接近する場合には、前記AlF3単層膜の損失量が少ない(a low loss、光学損失が少ない)。逆に、複数の局所的なスペクトル最低点が、「コーティングなし」の場合のカーブのスペクトル・ライン(spectral line、分光結果を表す線)の下方に移動する場合には、前記AlF3膜の損失量が増加する。低損失であるという状態は、たいていのUVコーティングにとって望ましいことである。
カーブ315は、前記AlF3膜を塗布する際にウォータH2Oプロセス・ガスを使用する(H2O process gas、ウォータH2Oより成るプロセス・ガス(スパッタ・ガス))と、スペクトル最低点325が、同様なAlF3膜であって前記ウォータH2Oプロセス・ガスを使用せずに塗布されたものを示すカーブ310に比較すると、前記コーティング前の基板のスペクトル透過率に実質的により接近することを示している。その結果、ウォータH2Oプロセス・ガスを使用して塗布されたコーティングは、損失量が非常により少ないという状態を示す。AlF3単層膜を製造するための環境にウォータを添加することにより、低損失薄膜を提供することが可能であり、このような薄膜は、UVコーティングを製造するために望ましい。
図4は、例示的な三フッ化ランタン(LaF3)製の単層膜のスペクトル透過率のスキャン結果(spectral transmission scan)400を示しており、そのLaF3単層膜は、ウォータ・アシスト(water-assisted)・イオン・ビーム・スパッタ成膜システムを用いて、融解石英(fused quarz)(すなわち、シリカ)製の基板上に成膜されたものである。LaF3単層膜の成膜中、H2O蒸気がイオン源を約10−20sccmで貫流する。その成膜されたLaF3膜の厚さは、約40−60nmである。
カーブ405は、コーティング前の石英基板のスペクトル透過率を示し、カーブ410は、ウォータH2Oを使用せずに前記石英基板上に成膜されたLaF3単層膜を示し、カーブ415は、ウォータH2Oを使用して前記石英基板上に成膜されたLaF3単層膜を示している。理想的なLaF3単層膜については、スペクトル透過率のスキャン結果を示す波形が、前記コーティング前の基板についての波形より下方にあり、そのとき、透過率の最高点が、前記コーティング前の基板のスペクトル透過率を表すラインに接近している。
カーブ410および415がカーブ405に接近する場合には、前記LaF3単層膜の損失量が少ない(a low loss、光学損失が少ない)。逆に、カーブ410および415がカーブ405から離れる向きに移動するにつれて、前記LaF3膜の損失量が増加する。低損失であるという状態は、たいていのUVコーティングにとって望ましいことである。カーブ410および415のいずれも、図示された波長範囲の全域にわたって高い損失量を示すが、その波長範囲のうちの短波長域(例えば、190−230nm)において、カーブ415の損失量がカーブ410の損失量よりかなり少ないことをカーブ415が示している。その結果、LaF3単層膜を製造するための環境にウォータを添加することにより、低損失を提供することが可能であり、このような薄膜は、UVコーティングを製造するために望ましい可能性がある。
図5は、例示的なAlF3/LaF3製のARコーティングのスペクトル透過率のスキャン結果(spectral transmission scan)500を示しており、そのARコーティングは、ウォータ・アシスト(water-assisted)・イオン・ビーム・スパッタ成膜システムを用いて、融解石英(fused quarz)(すなわち、シリカ)製の基板の両面上にそれぞれ成膜されたものである。AlF3/LaF3製のARコーティングが成膜された例示的な基板(カーブ505によって示される)の透過率は、193nmにおいて約99.0%より高く、これは、「コーティング前」のシリカ基板についての約90%という透過率(カーブ510によって示される)であってカーブ505と同じ波長帯域内で示されるものより遙かに改善されている。さらに、このARコーティングの光学的性能は、193nmという波長および248nmという波長の一方または双方を中心としたそれぞれの領域において特に実用的である(relevant around)可能性があり、それら波長は、エキシマ・レーザを用いた用途に対応する。
図6は、例示的な複数の工程(operations、工程群)600であって、解離したフッ素と水素および酸素のうちの一方または双方とを用いてフッ素系光学薄膜を成膜することをアシストするものを示している。搬入工程602においては、1または複数の基板がイオン・スパッタリング成膜システム内に搬入され、そのシステムの圧力がポンプで下げられてそのシステムが真空(または真空に近い)状態にされる。準備工程605においては、フッ素源および水素/酸素源が準備される。そのフッ素源は、ガス状のフッ素キャリア(例えば、F2, NF3およびCF4)とすることが可能である。前記水素/酸素源は、ガス状の水素/酸素キャリア(例えば、H2O)とすることが可能である。
解離工程610においては、前記準備されたフッ素源におけるフッ素が、高い反応性を有する複数の原子または分子に解離される。例えば、前記ガス状のフッ素源は、より反応性の高い複数の原子的構成要素(reactive atomic constituents)または複数のラジカル化分子的構成要素(radicalized molecular constituents)(例えば、F-, NF- およびNF2-)に解離されることが可能である。いくつかの実施態様においては、この解離工程610が、さらに、前記準備された水素/酸素源における水素および/または酸素が、より反応性の高い複数の原子または分子に解離されるように実施される。例えば、前記ガス状のH2Oは、より反応性の高い複数の原子的構成要素(reactive atomic constituents)または複数のラジカル化分子的構成要素(radicalized molecular constituents)(例えば、OH-およびO-)に解離されることが可能である。一実施態様においては、この解離工程610が、遠隔ICP(誘導結合型プラズマ)源を用いて実施される。
注入工程620においては、それら解離されたフッ素、水素および/または酸素がイオン・スパッタリング成膜システム内に注入される。前記フッ素源、水素源および/または酸素源は、当該システム内に真空(または真空に近い)状態で導入される。当該イオン・スパッタリング成膜システムは、イオン・ビームを金属−フッ化化合物(metal-fluoride compound)製のターゲット上に集中的に照射する。そのイオン・ビームは、前記ターゲットから、金属−フッ化物材料(metal-fluoride material)より成るプルームをスパッタし(sputter、たたき出し)、そのプルームを基板に向かわせる。その金属−フッ化物材料より成るプルームは、フッ素系光学薄膜(例えば、GdF3, MgF2, LaF3, AlF3, HfF4,YF3およびLiF3)を前記基板上に形成するために用いられる。
アシスト工程625においては、前記解離されたフッ素、水素および/または酸素を用いることにより、前記フッ素系光学薄膜を上述の1または複数の基板上に成膜することがアシストされる(assist、支援される、促進される)。その成膜された薄膜においては、フッ素が化学量論的にフッ素系ターゲット材より減少する可能性がある。この現象の原因は、前記ターゲットの表面からの複数の材料構成要素のディファレンシャル・スパッタリング(a differential sputtering)である可能性があり、そのスパッタリングの結果、最終的に成膜される薄膜においてフッ素が欠乏し、よって、その成膜された薄膜の、紫外線領域における光学損失につながる。前記解離されたフッ素により、当該イオン・スパッタリング成膜システムに余分なフッ素が供給され、これにより、前記成膜された薄膜においてフッ素の濃度が化学量論的に欠乏することを防止することに役立つ可能性がある。
例示的な一実施態様においては、150−200nmのUV波長スペクトル線領域において光学損失を有するフッ素系単層薄膜が工程群600を用いて生成される。別の例示的な実施態様においては、高屈折率フッ素系薄膜および低屈折率フッ素系薄膜(例えば、AlF3/LaF3およびMgF2/LaF3)より成る多層積層体(multi-layer stack)が工程群600を用いて生成される。上述の、高屈折率フッ素系薄膜および低屈折率フッ素系薄膜より成る多層積層体は、基板の片面または両面上に高透過率・低損失ARコーティングを有するとともに、99.0%より高い透過率を実現することが可能である。種々の実施態様においては、上述の透過効率を、前述のいくつかのフッ素系薄膜をUV硬化(UV cure)させる前またはUV硬化させた後に達成することが可能である。
反応工程630においては、前記解離されたフッ素であって当該イオン・スパッタリング成膜システムの内部表面に付着したものが、前記水素および/または酸素と反応させられる。例えば、前記解離された複数のF-原子が、前記水素/酸素キャリアのうちの水素成分と反応し、それにより、揮発性HFが、アシスト工程625が実施されるタイミングと同じタイミングと、当該スパッタ成膜システムが大気に開放されるタイミングより前のタイミングで形成される。その揮発性HFは、その後、ベント(vent)工程635に先立ち、フッ素源として消費されて前記イオン・ビーム、スパッタ・プルームおよび/または前記基板アセンブリ上のフッ素系薄膜となる。
そのベント工程635においては、当該イオン・スパッタリング成膜システムが大気に開放される。このベント工程635により、前記フッ素系光学薄膜を有する前記基板が当該イオン・スパッタリング成膜システムから取り外されること、および/または、1または複数のフッ素系光学薄膜を新たな基板上に成膜するためにその基板が当該イオン・スパッタリング成膜システム内に挿入されることとが可能となる。前記反応工程630により、当該イオン・スパッタリング成膜システムの内部表面に付着した複数のF-原子であって、大気と反応すると高い有毒性を有するHFガスを形成するものの量が減少する。その結果、ベント工程635は、近くの作業員を危険にさらすことなく実施されることが可能である。
例示的な一実施態様においては、そのベント工程635が、ベント・サイクル(vent-purge cycles)が2回行われ、一時的に発生するフッ化水素HFの濃度のピーク値が1ppmよりはるかに低い(水素/酸素キャリアを用いない場合のフッ化水素HFのピーク値である1−3ppmに比べて)状態で実施される。
上述の論理的な複数の工程は、特許請求の範囲において断りが明記されていないか、または、特定の順序が特許請求の範囲内の文言によって本質的に必要とされていない限り、いかなる順序で実施してもよいし、また、必要に応じ、工程を追加したり、工程を省略してもよい。以上説明した仕様、いくつかの例およびデータにより、本発明のいくつかの例示的な実施形態につき、構成および用途が完全に説明される。本発明の多くの実施形態を、本発明の主旨および範囲を逸脱することなく、実現可能であるため、本発明は、添付された特許請求の範囲の欄に存在する。さらに、記載された特許請求の範囲から逸脱することなく、それら互いに異なる複数の実施形態の構造的特徴を組み合せてさらに別の実施形態とすることが可能である。
Claims (33)
- 解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とが存在する状態で、イオン・ビームによってスパッタされた金属フッ化物コーティングを基板上に成膜する(depositing)成膜工程を含む方法。
- 前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とは、前記成膜工程をアシストする請求項1に記載の方法。
- さらに、イオン・ビームを用いて、金属フッ化物材料をターゲットから前記基板上にスパッタするスパッタ工程を含む請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲットは、金属合金および金属フッ化物のうちの一方または両方によって構成される請求項3に記載の方法。
- 前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とは、前記スパッタ工程をアシストする請求項3に記載の方法。
- さらに、前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とを、前記成膜工程が実行される包囲体内に注入する注入工程を含む請求項1に記載の方法。
- 前記解離したフッ素は、前記成膜工程の実行中に、前記金属フッ化物コーティングの一部となる請求項1に記載の方法。
- 前記解離したフッ素は、前記成膜工程の実行中に、前記基板および前記ターゲットのうちの一方または両方と反応する請求項3に記載の方法。
- 前記水素および前記酸素のうちの一方または両方は、解離状態、ガス状態および水蒸気状態のうちの1または複数の状態にある請求項1に記載の方法。
- 前記注入工程は、さらに、前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方と共に、アルゴン、ネオン、ヘリウム、クリプトンおよびキセノンのうちの1または複数のものを用いて実行される請求項6に記載の方法。
- 前記解離したフッ素は、フッ化水素を生成するために前記水素と反応し、前記フッ化水素は、前記成膜工程において少なくとも部分的に消費される請求項1に記載の方法。
- さらに、前記フッ化水素のうちの少なくとも一部であって前記成膜工程によって消費されないものを排出する排出工程を含む請求項11に記載の方法。
- 前記金属フッ化物コーティングは、光学コーティングである請求項1に記載の方法。
- 前記金属フッ化物コーティングは、10オングストローム[RMS]より小さい量での表面粗さの増加を引き起こす請求項1に記載の方法。
- 前記金属フッ化物コーティングは、容積を基準にすると、0.1%と20%との間の範囲内の酸素内容物を含有する請求項1に記載の方法。
- イオン・ビームによって基板上に、解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とが存在する状態でスパッタされた金属フッ化物コーティングであって、10オングストローム[RMS]より小さい量での表面粗さの増加を有する金属フッ化物コーティング。
- 前記解離したフッ素は、当該金属フッ化物コーティングの一部である請求項16に記載の金属フッ化物コーティング。
- 前記水素および前記酸素のうちの一方または両方は、解離状態、ガス状態および水蒸気状態のうちの1または複数の状態にある請求項16に記載の金属フッ化物コーティング。
- 前記金属フッ化物コーティングは、光学コーティングである請求項16に記載の金属フッ化物コーティング。
- 当該金属フッ化物コーティングは、容積を基準にすると、0.1%と20%との間の範囲内の酸素内容物を含有する請求項16に記載の金属フッ化物コーティング。
- イオン・ビーム・スパッタリング・システムであって、
解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とを包囲体内に注入するプロセス・ガス源と、
前記包囲体内において、スパッタされた金属フッ化物コーティングを受け入れる基板と
を含むイオン・ビーム・スパッタリング・システム。 - さらに、イオン・ビームによって金属フッ化物材料がスパッタされるターゲットを含む請求項21に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- さらに、前記ターゲットに向けられる前記イオン・ビームを発生させるイオン源を含む請求項22に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記ターゲットは、金属合金および金属フッ化物のうちの一方または両方によって構成される請求項22に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記解離したフッ素は、前記金属フッ化物コーティングの一部となる請求項21に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記解離したフッ素は、前記基板および前記ターゲットのうちの一方または両方と反応する請求項22に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記水素および前記酸素のうちの一方または両方は、解離状態、ガス状態および水蒸気状態のうちの1または複数の状態にある請求項21に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記プロセス・ガス源は、さらに、前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方と共に、アルゴン、ネオン、ヘリウム、クリプトンおよびキセノンのうちの1または複数のものを前記包囲体内に注入する請求項21に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記解離したフッ素は、フッ化水素を生成するために前記水素と反応し、前記フッ化水素は、前記金属フッ化物コーティングによって少なくとも部分的に消費される請求項21に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- さらに、前記フッ化水素のうちの少なくとも一部であって前記金属フッ化物コーティングによって消費されないものを排出する排出工程を含む請求項29に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記金属フッ化物コーティングは、光学コーティングである請求項21に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記金属フッ化物コーティングは、10オングストローム[RMS]より小さい量での表面粗さの増加を引き起こす請求項21に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
- 前記金属フッ化物コーティングは、容積を基準にすると、0.1%と20%との間の範囲内の酸素内容物を含有する請求項21に記載のイオン・ビーム・スパッタリング・システム。
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