JP2015233115A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】トランジスタを金属と半導体との仕事関数差によって形成する構造を持つＳＧＴを提供する。
【解決手段】１０17ｃｍ-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、前記柱状半導体を囲む第１の絶縁物と、前記柱状半導体の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、前記柱状半導体の他方の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第２の金属と、前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記第１の絶縁物を取り囲む第３の金属と、前記第１の金属と前記第３の金属との間に形成された第２の絶縁物と、前記第２の金属と前記第３の金属との間に形成された第３の絶縁物と、前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第４の金属と、前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第５の金属を有し、前記第３の金属の仕事関数は４．２ｅＶから５．０ｅＶの間であることを特徴とすることにより、上記課題を解決する。
【選択図】図１
【解決手段】１０17ｃｍ-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、前記柱状半導体を囲む第１の絶縁物と、前記柱状半導体の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、前記柱状半導体の他方の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第２の金属と、前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記第１の絶縁物を取り囲む第３の金属と、前記第１の金属と前記第３の金属との間に形成された第２の絶縁物と、前記第２の金属と前記第３の金属との間に形成された第３の絶縁物と、前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第４の金属と、前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第５の金属を有し、前記第３の金属の仕事関数は４．２ｅＶから５．０ｅＶの間であることを特徴とすることにより、上記課題を解決する。
【選択図】図１
Description
本発明は半導体装置の製造方法、及び、半導体装置に関する。
半導体集積回路、特にＭＯＳトランジスタを用いた集積回路は、高集積化の一途を辿っている。この高集積化に伴って、その中で用いられているＭＯＳトランジスタはナノ領域まで微細化が進んでいる。このようなＭＯＳトランジスタの微細化が進むと、リーク電流の抑制が困難であり、必要な電流量確保の要請から回路の占有面積をなかなか小さくできない、といった問題があった。このような問題を解決するために、基板に対してソース、ゲート、ドレインが垂直方向に配置され、ゲート電極が柱状半導体層を取り囲む構造のSurrounding Gate Transistor（以下、「ＳＧＴ」という。）が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３を参照）。
シリコン柱が細くなると、シリコンの密度は５×１０22個／ｃｍ3であるから、シリコン柱内に不純物を存在させることが難しくなってくる。
従来のＳＧＴでは、チャネル濃度を１０17ｃｍ-3以下と低不純物濃度とし、ゲート材料の仕事関数を変えることによってしきい値電圧を決定することが提案されている（例えば、特許文献４を参照）。
平面型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＬＤＤ領域のサイドウォールが低濃度層と同一の導電型を有する多結晶シリコンにより形成され、ＬＤＤ領域の表面キャリアがその仕事関数差によって誘起され、酸化膜サイドウォールＬＤＤ型ＭＯＳトランジスタに比してＬＤＤ領域のインピーダンスが低減できることが示されている（例えば、特許文献５を参照）。その多結晶シリコンサイドウォールは電気的にゲート電極と絶縁されていることが示されている。また図中には多結晶シリコンサイドウォールとソース・ドレインとは層間絶縁膜により絶縁していることが示されている。
そこで、本発明は、トランジスタを金属と半導体との仕事関数差によって形成する構造を持つＳＧＴを提供することを目的とする。
第１の発明の半導体装置は、１０17ｃｍ-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、前記柱状半導体を囲む第１の絶縁物と、前記柱状半導体の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、前記柱状半導体の他方の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第２の金属と、前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記第１の絶縁物を取り囲む第３の金属と、前記第１の金属と前記第３の金属との間に形成された第２の絶縁物と、前記第２の金属と前記第３の金属との間に形成された第３の絶縁物と、前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第４の金属と、前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第５の金属を有し、前記第３の金属の仕事関数は４．２ｅＶから５．０ｅＶの間であることを特徴とする。
また、前記半導体は、シリコンであることを特徴とする。
また、前記第１の金属と前記第２の金属の仕事関数は４．０ｅＶから４．２ｅＶの間であることを特徴とする。
また、前記第１の金属と前記第２の金属の仕事関数は５．０ｅＶから５．２ｅＶの間であることを特徴とする。
第２の発明の半導体装置は、柱状半導体と、前記柱状半導体を囲む第１の絶縁物と、前記柱状半導体の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、前記柱状半導体の他方の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第２の金属と、前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記第１の絶縁物を取り囲む第３の金属と、前記第１の金属と前記第３の金属との間に形成された第２の絶縁物と、前記第２の金属と前記第３の金属との間に形成された第３の絶縁物と、前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第４の金属と、前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第５の金属を有することを特徴とする。
ここで、前記柱状半導体と前記第１の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第２の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起される。
第３の発明の半導体装置は、柱状半導体と、前記柱状半導体の一端を取り囲む第１の絶縁物と、前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、前記柱状半導体の他方の一端を取り囲む第４の絶縁物と、前記第４の絶縁物を取り囲む第２の金属と、前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体を取り囲む第５の絶縁物と、前記第５の絶縁物を取り囲む第３の金属と、前記第１の金属と前記第３の金属の間に形成された第２の絶縁物と、前記第２の金属と前記第３の金属の間に形成された第３の絶縁物と、前記第１の金属と前記柱状半導体の一端を接続する第４の金属と、前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端を接続する第５の金属を有することを特徴とする。
ここで、前記柱状半導体と前記第１の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第２の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起される。
第４の発明の半導体装置は、柱状半導体と、前記柱状半導体の一端の少なくとも一部を取り囲む第１の絶縁物と、前記第１の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第１の金属と、前記柱状半導体の他方の一端の少なくとも一部を取り囲む第４の絶縁物と、前記第４の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第２の金属と、前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体の少なくとも一部を取り囲む第５の絶縁物と、前記第５の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第３の金属と、前記第１の金属と前記第３の金属の間に形成された第２の絶縁物と、前記第２の金属と前記第３の金属の間に形成された第３の絶縁物と、前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とを接続する第４の金属と、前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とを接続する第５の金属を有することを特徴とする。
ここで、前記柱状半導体と前記第１の金属の仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第２の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起される。
本発明によれば、トランジスタを金属とシリコンとの仕事関数差によって形成する構造を持つＳＧＴを提供することができる。
前記柱状シリコンの一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、前記柱状シリコンの他方の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第２の金属と、によって、金属とシリコンとの仕事関数差によってキャリアが誘起されるため、第１の金属と前記第２の金属の仕事関数が４．０ｅＶから４．２ｅＶの間であればｎ型トランジスタとなり、前記第１の金属と前記第２の金属の仕事関数が５．０ｅＶから５．２ｅＶの間であればｐ型トランジスタとなる。不純物が柱状シリコン内に存在しない状態でトランジスタ動作が可能となる。従って、拡散層を形成するための不純物注入が不要となる。
以下、本発明の一実施形態に係る、ＳＧＴの構造を有する半導体装置を、図１を参照しながら説明する。
基板１１０上に、１０17ｃｍ-3以下の不純物濃度の柱状シリコン１０１と、前記柱状シリコン１０１を囲む第１の絶縁物１０２と、前記柱状シリコン１０１の一端の前記第１の絶縁物１０２を取り囲む第１の金属１０４と、前記柱状シリコン１０１の他方の一端の前記第１の絶縁物１０２を取り囲む第２の金属１０５と、前記第１の金属１０４と前記第２の金属１０５とに挟まれた領域で前記第１の絶縁物１０２を取り囲む第３の金属１０３と、前記第１の金属１０４と前記第３の金属１０３との間に形成された第２の絶縁物１０７と、前記第２の金属１０５と前記第３の金属１０３との間に形成された第３の絶縁物１０６と、前記第１の金属１０４と前記柱状シリコン１０１の一端とを接続する第４の金属１０８と、前記第２の金属１０５と前記柱状シリコン１０１の他方の一端とを接続する第５の金属１０９を有し、前記第３の金属１０３の仕事関数は４．２ｅＶから５．０ｅＶの間であることを特徴とする。
第４の金属１０８により、前記第１の金属１０４と前記柱状シリコン１０１の一端とは同電位が印加される。
同様に、第５の金属１０９により、前記第２の金属１０５と前記柱状シリコン１０１の他方の一端とは同電位が印加される。
従って、柱状シリコン１０１の一端と他方の一端は、金属とシリコンとの仕事関数差によってキャリアが誘起されることとなる。
前記第１の金属１０４と前記第２の金属１０５の仕事関数が４．０ｅＶから４．２ｅＶの間であるとき、ｎ型シリコンの仕事関数４．０５ｅＶの近傍であるため、柱状シリコン１０１の一端と他方の一端は、ｎ型シリコンとして機能する。前記第１の金属１０４と前記第２の金属１０５は、例えば、タンタルとチタンの化合物（ＴａＴｉ）や窒化タンタル（ＴａＮ）が好ましい。
前記第１の金属１０４と前記第２の金属１０５の仕事関数が５．０ｅＶから５．２ｅＶの間であるとき、ｐ型シリコンの仕事関数５．１５ｅＶの近傍であるため、柱状シリコン１０１の一端と他方の一端は、ｐ型シリコンとして機能する。前記第１の金属１０４と前記第２の金属１０５は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）や窒化チタン（ＴｉＮ）が好ましい。
このとき、前記第３の金属１０３の仕事関数は４．２ｅＶから５．０ｅＶの間であると、半導体装置はエンハンスメント型トランジスタとして動作することができる。
上記により、前記第１の金属１０４と前記第２の金属１０５の仕事関数が４．０ｅＶから４．２ｅＶの間であるとき、ｎ型シリコンの仕事関数４．０５ｅＶの近傍であるため、柱状シリコン１０１の一端と他方の一端は、ｎ型シリコンのソース・ドレインとして機能し、柱状シリコン１０１の第３の金属１０３に取り囲まれる部分は、ｉ型シリコン、もしくは薄い濃度のｎ型シリコン、もしくは薄い濃度のｐ型シリコンとして機能する。従って、ｎ型トランジスタとして機能する。
また、前記第１の金属１０４と前記第２の金属１０５の仕事関数が５．０ｅＶから５．２ｅＶの間であるとき、ｐ型シリコンの仕事関数５．１５ｅＶの近傍であるため、柱状シリコン１０１の一端と他方の一端は、ｐ型シリコンのソース・ドレインとして機能し、柱状シリコン１０１の第３の金属１０３に取り囲まれる部分は、ｉ型シリコン、もしくは薄い濃度のｎ型シリコン、もしくは薄い濃度のｐ型シリコンとして機能する。従って、ｐ型トランジスタとして機能する。
以上により、不純物が柱状シリコン内に存在しない状態でトランジスタ動作が可能となる。従って、拡散層を形成するための不純物注入が不要となる。
以下、本発明の他の実施形態に係る、ＳＧＴの構造を有する半導体装置を、図２を参照しながら説明する。
基板２１０上に、柱状半導体２０１と、前記柱状半導体２０１の一端の部分を囲む第１の絶縁物２１１と、前記第１の絶縁物２１１を囲む第１の金属２０４と、前記柱状半導体２０１の他端の部分を囲む第４の絶縁物２１２と、前記第４の絶縁物２１２を囲む第２の金属２０５と、前記第１の金属２０４と第２の金属２０５の間の前記柱状半導体２０１の部分を囲む第５の絶縁物２０２と、前記第５の絶縁物２０２を囲む第３の金属２０３と、前記第１の金属２０４と第３の金属２０３との間に配置される第２の絶縁物２０７と、前記第２の金属２０５と第３の金属２０３の間に配置される第３の絶縁物２０６と、前記第１の金属２０４と前記柱状半導体２０１の前記一端を接続する第４の金属２０８と、前記第５の金属２０５と前記柱状半導体２０１の前記他端とを接続する第５の金属２０９とが設けられている。
以下、本発明の更に別の実施形態に係る、ＳＧＴの構造を有する半導体装置を、図３を参照しながら説明する。
基板３１０上に、柱状半導体３０１と、前記柱状半導体３０１の少なくとも一端の部分を囲む第１の絶縁物３１１と、前記第１の絶縁物３１１の少なくとも一部を囲む第１の金属３０４と、前記柱状半導体３０１の前記一端で前記柱状半導体３０１の少なくとも一部を囲む第４の絶縁物３１２と、前記第４の絶縁物３１２の少なくとも一部を囲む第２の金属３０５と、前記第１の金属３０４と第２の金属３０５の間の前記柱状半導体３０１の部分の少なくとも一部を囲む第４の絶縁物３０２と、前記第４の絶縁物３０２の少なくとも一部を囲む第３の金属３０３と、前記第１の金属３０４と第３の金属３０３の間に配置される第２の絶縁物３０７と、前記第２の金属３０５と第３の金属３０３の間に配置される第３の絶縁物３０６と、前記第１の金属３０４と前記柱状半導体３０１の第１端とを接続する第４の金属３０８と、前記第２の金属３０５と前記柱状半導体３０１の第２端とを接続する第５の金属３０９とが設けられている。
なお、本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明の一実施例を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
１０１，２０１，３０１ 柱状シリコン
１０２，２１１，３１１ 第１の絶縁物
１０３，２０３，３０３ 第３の金属
１０４，２０４，３０４ 第１の金属
１０５，２０５，３０５ 第２の金属
１０６，２０６，３０６ 第３の絶縁物
１０７，２０７，３０７ 第２の絶縁物
１０８，２０８，３０８ 第４の金属
１０９，２０９，３０９ 第５の金属
１１０，２１０，３１０ 基板
１０２，２１１，３１１ 第１の絶縁物
１０３，２０３，３０３ 第３の金属
１０４，２０４，３０４ 第１の金属
１０５，２０５，３０５ 第２の金属
１０６，２０６，３０６ 第３の絶縁物
１０７，２０７，３０７ 第２の絶縁物
１０８，２０８，３０８ 第４の金属
１０９，２０９，３０９ 第５の金属
１１０，２１０，３１０ 基板
Claims (6)
- １０17ｃｍ-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第１の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第２の金属と、
前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記第１の絶縁物を取り囲む第３の金属と、
前記第１の金属と前記第３の金属との間に形成された第２の絶縁物と、
前記第２の金属と前記第３の金属との間に形成された第３の絶縁物と、
前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記第３の金属の仕事関数は４.２ｅＶから５.０ｅＶの間であり、前記第１の金属と前記第２の金属の仕事関数は４.０ｅＶから４.２ｅＶの間であることを特徴とする半導体装置。 - １０17ｃｍ-3以下の不純物濃度の柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第１の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第２の金属と、
前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記第１の絶縁物を取り囲む第３の金属と、
前記第１の金属と前記第３の金属との間に形成された第２の絶縁物と、
前記第２の金属と前記第３の金属との間に形成された第３の絶縁物と、
前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
前記第３の金属の仕事関数は４.２ｅＶから５.０ｅＶの間であり、前記第１の金属と前記第２の金属の仕事関数は５.０ｅＶから５.２ｅＶの間であることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体は、シリコンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
- 柱状半導体と、
前記柱状半導体を囲む第１の絶縁物と、
前記柱状半導体の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の前記第１の絶縁物を取り囲む第２の金属と、
前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記第１の絶縁物を取り囲む第３の金属と、
前記第１の金属と前記第３の金属との間に形成された第２の絶縁物と、
前記第２の金属と前記第３の金属との間に形成された第３の絶縁物と、
前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第１の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第２の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端を取り囲む第１の絶縁物と、
前記第１の絶縁物を取り囲む第１の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端を取り囲む第４の絶縁物と、
前記第４の絶縁物を取り囲む第２の金属と、
前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体を取り囲む第５の絶縁物と、
前記第５の絶縁物を取り囲む第３の金属と、
前記第１の金属と前記第３の金属の間に形成された第２の絶縁物と、
前記第２の金属と前記第３の金属の間に形成された第３の絶縁物と、
前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第１の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第２の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。 - 柱状半導体と、
前記柱状半導体の一端の少なくとも一部を取り囲む第１の絶縁物と、
前記第１の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第１の金属と、
前記柱状半導体の他方の一端の少なくとも一部を取り囲む第４の絶縁物と、
前記第４の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第２の金属と、
前記第１の金属と前記第２の金属とに挟まれた領域で前記柱状半導体の少なくとも一部を取り囲む第５の絶縁物と、
前記第５の絶縁物の少なくとも一部を取り囲む第３の金属と、
前記第１の金属と前記第３の金属の間に形成された第２の絶縁物と、
前記第２の金属と前記第３の金属の間に形成された第３の絶縁物と、
前記第１の金属と前記柱状半導体の一端とは電気的に接続され、
前記第２の金属と前記柱状半導体の他方の一端とは電気的に接続され、
を有し、
前記柱状半導体と前記第１の金属の仕事関数差によって前記柱状半導体の一端においてキャリアが誘起され、前記柱状半導体と前記第２の金属との仕事関数差によって前記柱状半導体の他方の一端においてキャリアが誘起されることを特徴とする半導体装置。
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