JP2015231111A - 人工磁気導体及びアンテナ用反射器 - Google Patents
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Abstract
Description
具体的には、グランド素子の材料を完全電気導体と仮定すると、最も高いアンテナ特性が得られる条件は、アンテナ素子とグランド素子の間隔が使用する電波の波長の4分の1波長の長さである。この条件を満たすようにすると、アンテナは大きさを小さくする場合の制限を受ける。
非特許文献1においては、FSS(Frequency Selective Surface、周波数選択表面)と地板との間が空気(εr=1)である人工磁気導体において、FSSと地板との距離を適切に設計する方法が示されている。
非特許文献2においては、誘電体層を用いたFSSによる人工磁気導体の設計についての記述がなされている。
図1は、本実施形態による人工磁気導体(メタマテリアル)の構成例を示す図である。本実施形態における寸法はあくまで一例であり、以下説明するように2.4GHz帯と5GHz帯との各々の周波数の電磁波を透過させるための寸法である。他の周波数を透過させようとする場合には、当然に各部の寸法は対象の周波数に応じて異なったものとなる。この図1は、後述する本発明における人工磁気導体の基本構成の概念図である図20の構成を、以下に示す実施形態に対応させてより具体化したものである。
本実施形態においては、以下の人工磁気導体10の設計における演算に用いる、基本セル100が配置されるFSS11のフィルタ特性、すなわちSパラメータS11(反射係数)、S12(透過係数)、S21(透過係数)、S22(反射係数)の各々については、実測あるいはシミュレーションによって求めている。ここで、シミュレーションは、FDTD(Finite Difference Time Domain method)法、あるいは有限要素法を用いた電磁界・電磁場解析のシミュレーションである。すでに述べたが、本実施形態においては、ある特定の周波数でPMC(Perfect Magnetic Conductor)特性を示す、地板13とFSS11との距離dを設定することにより、人工磁気導体10を設計する。
図4は、入射した電磁波の人工磁気導体10における反射波(Reflected wave)及びFSS11のSパラメータの関係を説明する概念図である。この図4において、誘電体基板12の表面にFSS11が形成され、裏面に地板13が形成されている。誘電体基板12のFSS11が形成されている表面における電磁波の反射係数がS11であり、表面から誘電体基板12の内部に透過する電磁波の透過係数がS21である。また、誘電体基板12に入射し、地板13で反射して表面を透過する電磁波の透過係数がS12であり、FSS11及び誘電体基板12の界面で反射する電磁波の反射係数がS22である。基本モデル(非特許文献2)においては、誘電体基板12において、位相回転量φε(第2の位相変化)のみ位相変化が発生し、地板13に電界が入射して、その反射位相が−π(rad)となると記載されている。
図6は、FSS11に表面に対し、入射した電磁波の電界をEinとし、反射位相φFSSと位相回転量φshiftとの対応関係を複素平面上で表した図である。縦軸が虚数軸(Im(Etotal))であり、横軸が実数軸(Rm(Etotal))である。
電界Einを複素平面上において1とすると、電界Etotalの偏角が0のとき、電界の偏角と位相回転量φFSSとが一致する。ことのき、位相回転量φshiftは0となり、人工磁気導体10は完全磁気導体の特性を示す。
上記(6)式に対し、(1)式、(2)式及び(3)式の各々を代入し、かつEtotal=0を代入すると、以下の(7)式が得られる。
ここで、実効比誘電率εeffは、以下の(10)式で表すことができる。この(10)式において、εrが比誘電率であり、Wがパッチ101のパターンの幅であり、dが誘電体基板12の厚さであり、tがパッチ101及びループ102の各々のパターンの膜厚である。
また、入射する電磁波の周波数がパッチ101の並列共振周波数fPの2倍以上であり、かつ並列共振周波数fPの3倍以下である場合、パッチ101は容量性リアクタンスとなる。同様に、入射する電磁波の周波数がループ102の並列共振周波数fLの2倍以上であり、かつ並列共振周波数fLの3倍以下である場合、ループ102は容量性リアクタンスとなる。
f<fP 、2fP<f<3fP
同様に、ループ102が容量性リアクタンスの特性となる場合の関係は、入射される電磁波の周波数をfとすると、以下のように示すことができる。
f<fL 、2fL<f<3fL
また、パッチ101が誘導性リアクタンスの特性となる場合の関係は、入射される電磁波の周波数をfとすると、以下のように示すことができる。
fP<f<2fP
同様に、ループ102が誘導性リアクタンスの特性となる場合の関係は、入射される電磁波の周波数をfとすると、以下のように示すことができる。
fL<f<2fL
一方、周波数5GHz〜6GHzの場合、並列共振周波数fPが2.07GHzであり、並列共振周波数fPが3.68GHzであるため、パッチ101は誘導性リアクタンスの特性を有し、ループ102は容量性リアクタンスの特性を有する。
このエバネッセント波が、誘導性リアクタンスの特性を有するパッチ101及びループ102のいずれか一方のパターンにおいて、入射した電磁波により発生し、容量性リアクタンスの特性を有する他方のパターンに対して遷移する。
そして、ループ102のパターンの一辺(長さWP+2WL+2g)に一様な電束が分布している場合、パッチ101及びループ102のパターン間の間隙の静電容量Cgは、C=Q/Vから、以下の(16)式により表される。
図11は、(19)式により求めた、誘電体基板12の厚さと位相回転量との関係を示す図である。この図11において、縦軸は位相変化φshiftを示し、横軸が誘電体基板12の厚さdを示している。実線が電磁波の周波数がf=2.45GHzの場合の関係を示し、破線が電磁波の周波数がf=5.44GHzの場合の関係(変化曲線)を示している。
図12から判るように、基本モデル(Basic model)で求めた結果は、電磁界シミュレーション(FEM simulation)の結果とあまり一致していない。この基本モデルは、間隙の静電容量Ggによる位相変化φgを考慮せずに、(9)式で示された誘電体基板12における位相回転量φεのみを考慮したモデルである。
しかしながら、本実施形態における修正モデル(Modified model)の(21)式で求めた結果は、電磁界シミュレーションの結果と、基本モデルと比較して良く一致していることが判る。
図13は、(23)式により求めた、必要な誘電体基板12の厚さ(Required Substrate Thickness)dと電磁波の周波数(Frequency)との関係を示すグラフである。図13において、縦軸は必要な誘電体基板12の厚さを示し、横軸は電磁波の周波数を示している。ここで、誘電体基板12の厚さdが負となる周波数領域における誘電体基板12は作成することができない。本実施形態の場合、異なる2つの周波数帯域において、人工磁気導体10を完全磁気導体の特性を得るための誘電体基板12の厚さdの検討を行う。
次に、FSS11を構成するパッチ101及びループ102のパターン形状が、三角形以上の頂点を有する多角形で構成されている場合、パターン形状を変更することによる周波数特性の調整について説明する。この周波数特性は、Sパラメータにおける反射係数S11が極小値を取る周波数を示している。
この周波数特性の調整は、多角形で構成されているパッチ101のパターン形状において、頂点と多角形の中心とを結ぶ線分に対して直角の線分により、頂点の領域を切断する(面取りする)ことにより行う。
図16(a)において、パッチ101の外周が正四角形であるため、ループ102の内周は、パッチ101と相似形の正四角形の形状となっている。一方、図16(b)において、パッチ101の外周が八角形であるため、ループ102の内周は、パッチ101と相似形の八角形の形状となっている。
上述したように、本実施形態によれば、基本セル100においてパッチ101の面取りを行い、面取りしたパッチ101の外周に対応するよう、ループ102の内周の形状の面取りを行うことにより、基本セル100の面積を代えることなく、反射係数S11の位相特性を低周波側に補正(調整)することができる。
図2に示すように、本実施形態における人工磁気導体10は、アンテナ装置において、アンテナ基板300から放射される電磁波を反射し、指向性のアンテナ装置の電磁波の放射方向に放射させる。この電磁波を反射させる反射板として、本実施形態による人工磁気導体10を用いている。
アンテナ用反射器としては、支持体200が主たる構成となる。この支持体200に対して、人工磁気導体10の反射板を取り外し可能となるように配設する。すなわち、本実施形態においては、スリット202に対して、人工磁気導体10の対向する辺の端部を挿入して、アンテナ基板300と対向するように配設されている。
また、従来の人工磁気導体は、設計値に対して精度の高い周波数特性が得られないため、着脱可能とする際の配設の誤差により、大きく周波数特性がずれてしまう。
しかしながら、本実施形態によれば、設計値に対応した精度の高い周波数特性を有する人工磁気導体10を反射板として用いるため、着脱可能としても従来の人工磁気導体に比較して高い精度の周波数特性を得ることができる。
また、本実施形態によれば、反射板に人工磁気導体を用いているため、反射板を着脱可能とするアンテナ用反射器を小型に構成することができ、アンテナ装置自体を小型化することが可能となる。
実線が本実施形態における人工磁気導体10を反射板として用いた場合の放射パターンを示している(HP: horizontall polarization、すなわち水平偏波の場合)。メインローブがバックローブ及びサイドローブに比較して強度が強く、反射器が2.45GHzの電磁波を良く反射し、アンテナ装置が指向性を有することが判る。破線が本実施形態における人工磁気導体10を反射板として用いた場合の放射パターンを示している(VP:vertical polarization、すなわち垂直偏波の場合)。全体的に実線の場合に比較して強度は大きいが、実線の場合と同様に、メインローブがバックローブ及びサイドローブに比較して強度が強く、反射器が2.45GHzの電磁波を良く反射し、アンテナ装置が指向性を有することが判る。
実線が本実施形態における人工磁気導体10を反射板として用いた場合の放射パターンを示している(HPの場合)。破線が本実施形態における人工磁気導体10を反射板として用いた場合の放射パターンを示している(VPの場合)。実線及び破線ともに、メインローブの強度がバックローブの強度に比較して強く、反射器が2.45GHzの電磁波を良く反射し、アンテナ装置が指向性を有することが判る。
したがって、本実施形態の人工磁気導体10を用いた場合には、従来の完全電気導体を用いた場合に比較して、2.45GHzの電磁波の放射の指向性を向上させることができる。また、従来の完全電気導体を用いた反射板の場合、アンテナ基板と反射板との離間距離が30mm以上必要であり、本実施形態の人工磁気導体10を用いた場合には、離間距離が15mm程度で済むため、アンテナ装置を従来に比較して小型化することができる。
本発明においては、誘電体基板12(誘電体基板)の厚さdを求める際、誘電体基板12(誘電体基板)における入射波と反射波との位相変化を、距離gの間隙における位相変化φg(第1の位相変化)と、誘電体基板12(誘電体基板)における基本セル100(基本セル)及び地板13(導体膜)間における位相回転量φε(第2の位相変化)との加算値として求める。そして、誘電体基板12(誘電体基板)の厚さdは、求めた加算値に基づいて所定の演算式(例えば、(23)式)により算出されている。
一方、人工磁気導体10に入射する電磁波(入射波:Incident wave)が5.44GHzの場合、パターン101が誘導性リアクタンスを有し、パターン102が容量性リアクタンスを有する。このため、エバネッセント波は、パターン101で発生して、パターン101及びパターン102間の容量Cgを介して、パターン102に対して伝達される。
入射波(Incident wave)が2.45GHzあるいは5.44GHzのいずれの周波数の場合においても、誘導性リアクタンスのパターンで生成されたエバネッセント波(Evanescent wave)が容量Cgを介して容量性パターンに伝達されることにより、発生する位相変化φg(第1の位相変化)は同一である。
また、「コンピュータシステム」は、ホームページ提供環境(あるいは表示環境)を備えたWWWシステムも含むものとする。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、CD−ROM等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ(RAM)のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
Claims (9)
- 誘電体基板と、
前記誘電体基板の表面側に形成されており、パッチパターンと当該パッチパターンと所定の間隙を有して形成されたループパターンとから構成された基本セルと、
前記基本セルが縦横に周期的に前記誘電体基板の表面に配列された周波数選択表面と、
前記誘電体基板の裏面側に形成されている導体膜と
を備え、
前記誘電体基板における入射波と反射波との位相変化を、前記間隙における第1の位相変化と、前記誘電体基板における前記基本セル及び前記導体膜間における第2の位相変化との加算値とし、当該加算値を用いて所定の演算式により前記誘電体基板の厚さが算出されている
ことを特徴とする人工磁気導体。 - 前記周波数選択表面及び前記導体膜間の距離である前記誘電体基板の厚さに応じて生じる位相回転量である前記第2の位相変化と、前記周波数選択表面を構成する基本セルにおける前記パッチパターン及び前記ループパターン間の前記間隙により形成される静電容量による前記第1の位相変化とを加算した加算位相変化量に基づき、前記誘電体基板の厚さが決定される
ことを特徴とする請求項1に記載の人工磁気導体。 - 前記所定の演算式が、
前記周波数選択表面のSパラメータに基づいて求められる前記誘電体基板で必要な位相変化量から前記第1の位相変化を減算し、減算結果として得られる前記第2の位相変化を算出し、当該第2の位相変化から誘電体基板の厚さを算出する式である
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の人工磁気導体。 - 所定の周波数帯域において、前記パッチパターン及び前記ループパターンのいずれか一方が誘導性リアクタンスを有する場合、他方が容量性リアクタンスとなるように、前記周波数選択表面を形成する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の人工磁気導体。 - 複数の周波数に対応させる周波数特性を有する場合、前記複数の周波数の各々の誘電体厚と位相との変化曲線を求め、その位相が前記複数の周波数全てにおいて±45%°以内となるように、前記誘電体基板の厚さが求められている
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の人工磁気導体。 - 前記所定の計算式により前記誘電体基板の厚さを決定した場合、決定した前記誘電体基板の厚さが、当該厚さを算出した際における前記間隙の距離より大きい
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の人工磁気導体。 - 前記パッチパターンが多角形で形成されている場合、前記多角形の頂点部分の領域を、当該頂点と多角形の中心を結ぶ線に対して垂直方向に削り、より頂点の数を増加させることで、前記周波数選択表面の周波数特性を調整することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の人工磁気導体。
- 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の人工磁気導体を反射板として用いた
ことを特徴とするアンテナ用反射器。 - 前記人工磁気導体が取り外し可能に配設されている
ことを特徴とする請求項8に記載のアンテナ用反射器。
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