JP2015229327A - 画像処理装置、画像処理方法および画像記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】インクの吐出量に応じて発生する渦気流による濃度むらを抑制した画像記録装置を提供する。
【解決手段】記録許容率の偏りが相対的に小さいマスクパターンＡと記録許容率の偏りが相対的に大きいマスクパターンＢのいずれのマスクパターンを適用するかを記録デューティに応じて決定する。
【選択図】図１１

Description

本発明は画像処理装置、画像処理方法および画像記録装置に関する。

インクを吐出するための複数の吐出口を配列した吐出口列を有する記録ヘッドを記録媒体上の単位領域に対して複数回走査させながらインクを吐出する記録走査を行い、単位領域上に画像を形成する、いわゆるマルチパス記録方式が従来より知られている。

このようなマルチパス記録方式では、記録ヘッドの１回の走査におけるインクの吐出量が多い場合、吐出口列の端部側から中央側に向かって気流（以下、自己気流とも称する）が発生することが知られている。この自己気流により、吐出口列の端部の吐出口から吐出されたインク滴が吐出口列の中央側に引き寄せられ、記録された画像において白すじが表れる場合がある。これに対し、特許文献１には、吐出口列の端部側に配置された吐出口からのインクの吐出量を中央側に配置された吐出口からのインクの吐出量よりも少なくすることにより、上記の白すじの発生を抑制すると記載されている。

一方、近年の吐出口の高密度化や走査速度の高速化に伴って、上述の自己気流と、記録ヘッドと記録媒体を支持するプラテンとの間に流入する気流（以下、流入気流とも称する）と、の影響により、インクを吐出する際に記録ヘッドとプラテンの間に乱流（渦気流）が発生する虞があることが知られている。このような渦気流の影響により、インクの吐出に付随して発生する小インク滴（以下、サテライトとも称する）の着弾位置にずれが発生し、記録された画像に濃度むらが生じてしまう場合がある。特許文献２には、高い記録率で記録する領域と低い記録率で記録する領域を記録媒体上に吐出口列の配列方向に沿って交互に形成することにより、上記の渦気流の発生を抑制すると記載されている。

特開２００２−０９６４５５号公報 特開２００６−１９２８９２号公報

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、吐出口列の端部に近い吐出口からも高い記録率にて記録される場合があるため、自己気流による白すじの発生を十分に抑制できない場合があることがわかった。

更に、単位領域に対する１回の走査当たりのインクの吐出量に応じて上述の渦気流の強さが異なり、強い渦気流が発生した場合において濃度むらが特に顕著に発生する虞があることがわかった。

本願発明は上記の課題を鑑みて為されたものであり、インクの吐出量に応じて発生する渦気流を抑制し、濃度むらの低下を好適に抑制した記録を行うことを目的とするものである。

そこで、本発明は、インクを吐出するための複数の吐出口が所定方向に配列された吐出口列を有する記録ヘッドと、記録媒体と、を相対的に走査させ、Ｎ（Ｎ≧３）回の前記相対的な走査のそれぞれにおいて、前記吐出口列を前記所定方向に沿って分割してなるＮ個の吐出口群のそれぞれから前記記録媒体上の単位領域内の複数の画素相当の画素領域それぞれへのインクの吐出または非吐出を定める記録データにしたがってインクを吐出することにより前記単位領域に画像を記録するために、インクの吐出を許容する記録許容画素とインクの吐出を許容しない非記録許容画素とが配置されたマスクパターンを用いて前記単位領域に対応する画像データに基づき、前記記録データを生成するための処理を行う画像処理装置であって、所定領域へのインクの吐出量に関する情報を取得する第１の取得手段と、前記所定領域に記録する画像に応じた、前記所定領域内の複数の前記画素領域のそれぞれに対するインクの吐出または非吐出を定める吐出用データを取得する第２の取得手段と、前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第１の前記マスクパターンと、前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第２の前記マスクパターンと、のうち、前記所定領域に対応する前記吐出用データに対して適用するＮ個の前記マスクパターンを決定する決定手段と、前記決定手段により決定された前記Ｎ個のマスクパターンと、前記第２の取得手段により取得された前記吐出用データと、に基づいて、前記Ｎ回の走査のそれぞれでの記録に用いられるＮ個の前記記録データを生成する生成手段と、を有し、それぞれのマスクパターンに配置された記録許容画素と非記録許容画素の数の和に対する記録許容画素の数の比率である記録許容率に関し、前記Ｎ個の第１のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差は、前記Ｎ個の第２のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差よりも小さく、前記決定手段は、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量に基づいて、前記Ｎ個のマスクパターンを決定することを特徴とする

本発明に係る画像処理装置、画像処理方法および画像記録装置によれば、インクの吐出量に応じて発生する渦気流を抑制し、濃度むらの低下を好適に抑制した記録を行うことが可能となる。

実施形態に係る画像記録装置の斜視図である。 実施形態に係る画像記録装置の内部機構の側面図である。 実施形態に係る記録ヘッドの模式図である。 一般的なマルチパス記録方式を説明するための図である。 一般的なマルチパス記録方式で適用するマスクパターンの模式図である。 実施形態における記録制御系を説明するための図である。 実施形態に係るマスクパターンを示す模式図である。 実施形態に係るマスクパターンを示す模式図である。 記録デューティに応じた渦気流の発生を説明するための図である。 記録デューティに応じた渦気流の発生を説明するための図である。 実施形態におけるデータの処理過程を示す図である。 実施形態におけるマスクパターンの決定の一例を説明するための図である。 実施形態におけるマスクパターンの設定方法を説明するための図である。 実施形態におけるデータの処理過程を示す図である。 実施形態におけるマスクパターンの決定の一例を説明するための図である。 実施形態におけるデータの処理過程を示す図である。 実施形態における閾値の決定方法を説明するための図である。

以下に図面を参照し、本発明の第１の実施形態について詳細に説明する。

（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係る画像記録装置１０００の内部の構成を部分的に示す斜視図である。また、図２は本発明の第１の実施形態に係る画像記録装置１０００の内部の構成を部分的に示す側面図である。

画像記録装置内１０００にはプラテン（支持部材）２が配置されており、このプラテン２には記録媒体３を吸着させて浮き上がらないようにするために多数の吸引孔３４が形成されている。この吸引孔３４はダクトと繋がっており、さらにダクトの下部に吸引ファン３６が配置され、この吸引ファン３６が動作することでプラテン２に対する記録媒体３の吸着を行っている。

キャリッジ６は、延伸して設置されたメインレール５に支持され、Ｘ方向（走査方向）に往復移動することが可能なように構成されている。キャリッジ６は、後述するインクジェット方式の記録ヘッド７を搭載している。なお、記録ヘッド７は、発熱体を用いたサーマルジェット方式、圧電素子を用いたピエゾ方式等、さまざまな記録方式を適用することが可能である。キャリッジモータ８は、キャリッジ６をＸ方向に移動させるための駆動源であり、その回転駆動力はベルト９でキャリッジ６に伝達される。

記録媒体３は、ロール状に巻かれた媒体２３から巻き出すことで給送される。記録媒体３は、プラテン２の上でＸ方向と交差するＹ方向（搬送方向）に搬送される。記録媒体３は、先端をピンチローラ１６と搬送ローラ１１に挟持されており、搬送ローラ１１が駆動することによって搬送が行われる。また、記録媒体３はプラテン２よりＹ方向の下流ではローラ３１と排送ローラ３２に挟持され、さらにターンローラ３３を介して記録媒体３は巻取りローラ２４に巻きつけられている。

図３は本実施形態で使用する記録ヘッドを示す。

記録ヘッド７は、ブラック（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）、グレー（Ｇｙ）、ライトシアン（Ｌｃ）、ライトマゼンタ（Ｌｍ）のインクをそれぞれ吐出する７つの吐出口列２２Ｋ、２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｇｙ、２２Ｌｃ、２２ＬｍがＸ方向に並んで並列されることにより構成される。これらの吐出口列２２Ｋ、２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｇｙ、２２Ｌｃ、２２Ｌｍのそれぞれは、インクを吐出する１２８０個の吐出口３０が１２００ｄｐｉの密度でＹ方向（所定方向）に配列されることで構成されている。なお、本実施形態における一つの吐出口３０から一度に吐出されるインクの吐出量は約４．５ｐｌである。

これらの吐出口列２２Ｋ、２２Ｃ、２２Ｍ、２２Ｙ、２２Ｇｙ、２２Ｌｃ、２２Ｌｍは、それぞれ対応するインクを貯蔵する不図示のインクタンクに接続され、インクの供給が行われる。なお、本実施形態にて用いる記録ヘッド７とインクタンクは一体的に構成されるものでも良いし、それぞれが分離可能な構成のものでも良い。

本実施形態では、マルチパス記録方式に従って画像を形成する。以下にマルチパス記録方式について詳細に説明する。

図４は４回の記録走査により記録媒体上の単位領域内に記録を行う際に用いる一般的なマルチパス記録方式について説明するための図である。

また、図５は上述のマルチパス記録方式におけるそれぞれの記録走査において適用するマスクパターンについて説明するための図である。

インクを吐出する吐出口列２２に設けられたそれぞれの吐出口３０は、副走査方向に沿って４つの吐出口群２０１、２０２、２０３、２０４に分割される。

各マスクパターン２２１、２２２、２２３、２２４はそれぞれ複数のインクの吐出を定める記録許容画素とインクの非吐出を定める非記録許容画素が配置されることで構成されている。図５において、黒く塗りつぶされている箇所が記録許容画素を、白抜けで表されている箇所が非記録許容画素を表している。記録許容画素では入力された画像データがインクの吐出を表す画像データである場合にインクを吐出する記録データとする。また、非記録許容画素では、インクの吐出を表す画像データが入力された場合であってもインクを吐出しない記録データとする。

なお、これらのマスクパターン２２１、２２２、２２３、２２４における記録許容画素は、それぞれ互いに異なる位置であり、且つ、それぞれの論理和が全画素となるような関係となる位置に配置されている。

ここで、各マスクパターン２２１、２２２、２２３、２２４内に配置された記録許容画素の数と非記録許容画素の数の和に対する記録許容画素の数の比率である記録許容率は、いずれも２５％となる。

以下は記録媒体上にデューティが１００％の画像（以下、ベタ画像とも称する）を形成する例について説明する。なお以下の説明では、記録媒体上における画素相当の領域を「画素領域」と称する。

１回目の記録走査では、記録媒体３上の領域２１１に対して吐出口群２０１からマスクパターン２２１に従ってインクが吐出される。この結果、記録媒体上では図６のＡの黒色で示す画素領域にインクが吐出される。

次に、記録媒体３を記録ヘッド７に対してＹ方向の上流側から下流側にＬ／４の距離だけ相対的に搬送する。

この後に２回目の記録走査を行う。２回目の記録走査では、記録媒体上の領域２１１に対しては吐出口群２０２からマスクパターン２２２に、領域２１２に対しては吐出口群２０３からマスクパターン２２１に従ってインクが吐出される。この２回目の記録走査が行われた後、記録媒体３には図４のＢの黒色で示す画素領域にインクが付与されたことになる。

以下、記録ヘッド７の記録走査と記録媒体３の相対的な搬送を交互に繰り返す。この結果、４回目の記録走査が行われた後には、記録媒体３のＤの領域２１１ではすべての画素領域に対してインクの吐出が完了し、ベタ画像が形成される。

図６は、本実施形態における制御系の概略構成を示すブロック図である。主制御部３００は、演算、選択、判別、制御などの処理動作を実行するＣＰＵ３０１と、ＣＰＵ３０１によって実行すべき制御プログラム等を格納するＲＯＭ３０２と、記録データのバッファ等として用いられるＲＡＭ３０３、および入出力ポート３０４等を備えている。また、ＲＯＭ３０３には後述するマスクパターン等も合わせて格納されている。そして、入出力ポート３０４には、搬送モータ（ＬＦモータ）３０９、キャリッジモータ（ＣＲモータ）３１０、記録ヘッド７及び切断ユニットにおけるアクチュエータなどの各駆動回路３０５、３０６、３０７、３０８が接続されている。さらに、主制御部３００はインターフェイス回路３１１を介してホストコンピュータであるＰＣ３１２に接続されている。

次に、渦気流の発生原理についての推定メカニズムを説明する。記録ヘッドの走査によって記録ヘッド下面と記録媒体間に流入する気流（流入気流）とインクの吐出により発生する気流（自己気流）の干渉により発生する渦気流により、吐出されたインク滴（主滴）、および、付随して発生する小さなインク滴（サテライト）の記録媒体上への着弾が乱れることにより、濃度むらは発生する。特に、サテライトは体積が小さく、飛翔速度が遅いため、気流の影響を受けやすく着弾の乱れが大きくなる。

鋭意検討の結果、濃度むらの発生レベルは、渦気流の状態が強く影響しているとの推察が得られた。一般の画像記録装置の記録条件（記録ヘッドの走査速度や記録ヘッドとプラテンの間の距離）においては、流入気流と自己気流の強さが均衡する（自己気流の強さと流入気流の強さの差が小さい）条件にて渦気流の強さが不均一に変動しやすいことがわかった。このような領域では、主滴、およびサテライトの着弾の乱れが大きくなり、濃度むらが最も悪くなる。それに対し、相対的に自己気流が小さい、つまり、記録デューティが小さい条件では、渦気流が発生しないため、主滴、およびサテライトの着弾の乱れは小さく、濃度むらの程度は最も良好となる。逆に、相対的に自己気流が大きい、つまり、記録デューティが大きい条件では、渦気流が均一に発生するため、主滴、およびサテライトの着弾の乱れは比較的小さくなり、濃度むらは比較的良好となる。

上記の推察によると、濃度むらが顕著となるのは中間的な記録デューティ範囲であり、
その上下の記録デューティでは濃度むらは然程目立たない。

本実施形態では、単位領域に対して８回（Ｎ＝８）の走査を行うことにより画像を記録する。なお、本実施形態は単位領域に対して３回以上（Ｎ≧３）以上の走査を行う形態であれば適用することができる。

ここで、本実施形態において上述の渦気流によって発生する濃度むらの程度について以下に詳細に記載する。

本実施形態では、記録ヘッドの走査速度：３５ｉＮｃｈ／ｓｅｃ、記録ヘッド下面―プラテン間隔：２．０ｍｍ、記録媒体：光沢紙の条件で記録を行う。発明者らの検討の結果、この条件の場合、記録デューティが６％〜１０％の範囲に含まれる場合に渦気流が顕著に発生することが実験によりわかっている。

本実施形態では、上記の渦気流を鑑み、記録デューティに応じて記録データの生成に用い８回の走査のそれぞれに対応する８個のマスクパターンの組を切り替えて適用する。図７、図８は本実施形態で適用するマスクパターンを示す模式図である。なお、図７（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ１〜８回目の走査に対応するマスクパターンＡを示している。また、図８（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ１〜８回目の走査に対応するマスクパターンＢを示している。なお、図７、図８には簡単のための８画素×８画素の領域からなるマスクパターンを記載しているが、これはマスクパターンの繰り返し単位を示している。実際には図示のそれぞれのマスクパターンがＸ方向、Ｙ方向に進むにしたがって繰り替えし用いられる。

ここで、図７（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＡ１２１〜１２８それぞれの記録許容画素は互いに異なる位置であり、且つ、それぞれの記録許容画素の論理和が全画素となるような位置に配置されている。同様に、図８（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８それぞれの記録許容画素は互いに異なる位置であり、且つ、それぞれの記録許容画素の論理和が全画素となるような位置に配置されている。したがって、ベタ画像に対応する２値データ（吐出用データ）が入力された場合、１回目から８回目までの記録走査によって記録媒体上の単位領域内のすべての吐出可能な位置にインクを付与することができる。

ここで、図７に示すマスクパターンＡ１２１〜１２８のそれぞれの記録許容率は互いにほぼ同じであり、いずれも１２．５（＝８／６４×１００）％となる。

一方、図８に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８には、端部の吐出口群に対応するマスクパターンＢであるほど記録許容比率が低くなるように定められている。具体的には、吐出口列の端部に位置する第１、第８の吐出口群に対応するマスクパターンＢ１３１、１３８の記録許容率は６．２５（＝４／６４×１００）％となる。また、第１、第８の吐出口群よりも吐出口列の中央側に位置する第２、第７の吐出口群に対応するマスクパターンＢ１３２、１３７の記録許容率は９．３７５（＝６／６４×１００）％となる。また、第２、第７の吐出口群よりも吐出口列の中央側に位置する第３、第６の吐出口群に対応するマスクパターンＢ１３３、１３６の記録許容率は１５．６２５（＝１０／６４×１００）％となる。更に、最も吐出口列の中央側に位置する第４、第５の吐出口群に対応するマスクパターンＢ１３４、１３５の記録許容率は１８．７５（＝１２／６４×１００）％となる。

ここで、上記のマスクパターンを適用して生成した記録データにおける各走査での記録率と渦気流による着弾乱れの影響について以下に詳細に説明する。

図９（ａ）は記録デューティが４０％、７０％、１００％の２値データ（吐出用データ）に対しそれぞれ図７（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＡを適用して生成した記録データにおける各走査での記録率を示す図である。また、図９（ｂ）は記録デューティが４０％、７０％、１００％の２値データに対しそれぞれ図８（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＢを適用して生成した記録データにおける各走査での記録率を示す図である。

前述したように、マスクパターンＡ１２１〜１２８の記録許容率は１２．５％である。そのため、４０％の記録デューティの２値データにマスクパターンＡ１２１〜１２８を適用した場合、それぞれ記録率が５（＝４０×０．１２５）％の８つの記録データが生成される。同様にして、７０％の記録デューティの２値データにマスクパターンＡ１２１〜１２８を適用した場合、それぞれ記録率が８．７５（＝７０×０．１２５）％の８つの記録データが生成される。また、１００％の記録デューティの２値データにマスクパターンＡ１２１〜１２８を適用した場合、それぞれ記録率が１２．５（＝１００×０．１２５）％の８つの記録データが生成される。

ここで、前述したように、本実施形態における記録条件では記録デューティが６％〜１０％の範囲に含まれる場合に渦気流が顕著に発生する。よって、マスクパターンＡ１２１〜１２８を適用した場合、記録デューティが４０％、１００％の２値データが入力された場合には渦気流はそれ程発生せず、着弾乱れによる濃度むらは発生しにくい。一方、記録デューティが７０％の２値データが入力された場合、渦気流が顕著に発生し強い濃度むらが発生する虞がある。

一方、マスクパターンＢ１３１〜１３８の記録許容率は、吐出口群の位置が端部（第１、第８の吐出口群）から中央部（第４、第５の吐出口群）まで向かうにしたがって、６．２５％、９．３７５％、１５．６２５％、１８．７５％となる。

ここで、記録デューティが４０％の２値データにマスクパターンＢ１３１〜１３８を適用した場合、吐出口群の位置が端部（第１、第８の吐出口群）から中央部（第４、第５の吐出口群）まで向かうにしたがって２．５（＝４０×０．０６２５）％、３．７５（＝４０×０．０９３７５）％、６．２５（＝４０×０．１５６２５）％、７．５（＝４０×０．１８７５）％となる記録データが生成される。そのため、８回の走査のうち３〜６回目の走査における第３〜第６の吐出口群からのインクの吐出において渦気流が顕著に発生する虞がある。ここで、３〜６回目の走査はインクの吐出量が相対的に多いため、該渦気流の影響により生じた濃度むらが記録される画像の画質を顕著に低下させる虞がある。

また、記録デューティが７０％の２値データにマスクパターンＢ１３１〜１３８を適用した場合、吐出口群の位置が端部（第１、第８の吐出口群）から中央部（第４、第５の吐出口群）まで向かうにしたがって４．３７５（＝７０×０．０６２５）％、６．５６２５（＝７０×０．０９３７５）％、１０．９３７５（＝７０×０．１５６２５）％、１３．１２５（＝７０×０．１８７５）％となる記録データが生成される。そのため、８回の走査のうち２、４回目の走査におけるインクの吐出において渦気流が顕著に発生する虞がある。しかしながら、２、４回目の走査はインクの吐出量が相対的に少ないため、２、４回目の走査において渦気流により濃度むらが発生した場合であっても、該濃度むらが画像の画質に寄与する程度は小さい。

また、記録デューティが１００％の２値データにマスクパターンＢ１３１〜１３８を適用した場合、吐出口群の位置が端部（第１、第８の吐出口群）から中央部（第４、第５の吐出口群）まで向かうにしたがって６．２５（＝１００×０．０６２５）％、９．３７５（＝１００×０．０９３７５）％、１５．６２５（＝１００×０．１５６２５）％、１８．７５（＝１００×０．１８７５）％となる記録データが生成される。そのため、８回の走査のうち１、２、７、８回目の走査におけるインクの吐出において渦気流が顕著に発生する虞がある。しかしながら、記録デューティが７０％の２値データが入力された場合と同じように、１、２、７、８回目の走査はインクの吐出量が相対的に少ないため、渦気流により濃度むらが発生した場合であってもその影響は小さい。

図１０に記録デューティが４０％、７０％、１００％の２値データのそれぞれにマスクパターンＡ、Ｂのそれぞれを適用して生成した記録データにしたがってインクを吐出した際に、渦気流による濃度むらが記録される画像の画質に対して寄与する程度をまとめて示す。

上述したように、４０％、１００％の記録デューティの２値データにマスクパターンＡを適用した場合には渦気流が然程発生しないため、渦気流による濃度むらは殆ど発生しない（評価：◎）。一方、７０％の記録デューティの２値データにマスクパターンＡを適用した場合、全ての走査において渦気流が発生し易いため、濃度むらにより画質が低下する虞がある（評価：△）。

また、７０％、１００％の記録デューティの２値データにマスクパターンＢを適用した場合、一部の走査で渦気流が発生する場合があるため濃度むらが発生する虞があるが、該一部の走査はインクの吐出量が相対的に少ない走査であるため、最終的に得られる画像に与える影響は小さい（評価：○）。一方、４０％の記録デューティの２値データにマスクパターンＢを適用した場合、インクの吐出量が相対的に多い走査にて渦気流が発生する場合があるため、濃度むらにより画質が低下する虞がある（評価：△）。

このように、端部からの吐出量が少なくなるようなマスクパターン（マスクパターンＢ）を用いた場合、記録デューティが相対的に低い場合において渦気流による濃度むらが顕著なものとなることがわかる。一方、吐出口群間における吐出量の差が小さいマスクパターンを用いた場合、記録デューティが中間程度の場合において渦気流による濃度むらが顕著になることもわかる。

以上の点を鑑み、本実施形態では、ある所定領域に対応する２値データの記録デューティが第１の閾値以下である場合に図７（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＡを選択して適用する。また、他の所定領域に対応する２値データの記録デューティが該第１の閾値よりも多い場合に図８（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＢを選択して適用する。なお、本実施形態では第１の閾値は５０％であるものとする。

本実施形態におけるデータの処理過程について以下に詳細に記載する。

図１１は本実施形態の画像処理部（主制御部３００）における画像処理の過程を説明するためのフローチャートである。

色変換処理ステップＳ８０１では、画像入力部であるホストコンピュータ３１２から取得されたＲＧＢ形式の多値データが、記録に用いるインクの色に対応するＣＭＹＫＬｃＬｍＧｙ形式の多値データに変換される。

次に、２値化処理ステップＳ８０２では、色変換処理ステップＳ８０１にて変換されたインクの色に対応する多値データのそれぞれに２値化処理を実行し、インクの色に対応する２値の画像データに展開される。２値化処理としては誤差拡散処理やディザ処理、濃度パターン処理等を実行することができる。この２値化処理により、ブラックインク、シアンインク、マゼンタインク、イエローインク、ライトシアンインク、ライトマゼンタインク、グレーインクのそれぞれを吐出するための２値データが生成される。

記録デューティ取得ステップＳ８０３では、１２８０画素×１２８０画素からなる所定領域ごとに２値化処理ステップＳ８０２により生成されたそれぞれのインクに対応する２値データの記録デューティを取得する。なお、本実施形態における所定領域は、後述する図１２に示すように、Ｙ方向には吐出口列２２のＹ方向における長さとほぼ同じ長さを有し、且つ、Ｘ方向には記録媒体３を１２８０ｄｐｉごとに複数に分割してなる領域とほぼ同じ長さを有する。また、記録デューティに換算せず、所定領域内に吐出されるインクの量を直接取得しても良いし、所定領域毎の画像ドット数を既定の閾値ドット数を取得しても良い。

マスクパターン決定ステップＳ８０７では、記録デューティ取得ステップＳ８０３で取得された記録デューティ（インクの吐出量に関する情報）に基づき、図７に示すマスクパターンＡ１２１〜１２８と、図８に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８のいずれを設定するかを所定領域ごとに決定する。具体的には、ある所定領域における記録デューティが５０％以下である場合、該所定領域に対応する２値データはマスクパターンＡ設定ステップＳ８０４へと進み、図７（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＡ１２１〜１２８が設定される。一方、ある所定領域における記録デューティが５０％よりも多い場合、該所定領域に対応する２値データはマスクパターンＢ設定ステップＳ８０５へと進み、図８（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８が設定される。

マスク処理ステップＳ８０６では、マスクパターンＡ設定ステップＳ８０４、マスクパターンＢ設定ステップＳ８０５において各所定領域に対応する２値データに設定されたマスクパターンを用いてマスクパターン処理を行い、それぞれのインクに関して８回の記録走査に分配された記録データを生成する。

このように生成された記録データに基づき、画像記録装置１０００の記録ヘッド７からインクの吐出を実行し、画像を形成する。

図１１に示すデータの処理過程のマスクパターン決定ステップＳ８０７における処理の一例を以下に詳細に記載する。

図１２（ａ）はマスクパターン決定ステップＳ８０７に入力される２値データの一例を模式的に示す図である。図１２（ａ）には、２０％の記録デューティの１２８０画素（ピクセル）×１２８０画素からなる所定領域の複数からなる第１の領域９１、４０％の記録デューティの複数の所定領域からなる第２の領域９２、６０％の記録デューティの複数の所定領域からなる第３の領域９３、８０％の記録デューティの複数の所定領域からなる第４の領域９４、１００％の記録デューティの複数の所定領域からなる第５の領域９５の５つの領域を有する２値データを示している。

本実施形態では、上述のように記録デューティが５０％以下である場合にマスクパターンＡを、記録デューティが５０％よりも多い場合にマスクパターンＢを選択して適用する。したがって、図１２（ａ）に示す２値データが入力された場合、図１２（ｂ）に示すように、第１、第２の領域９１、９２に対応する２値データにはマスクパターンＡが設定される。一方、第３、第４、第５の領域９３、９４、９５に対応する２値データにはマスクパターンＢが設定される。

図１３は図１２に示すようにマスクパターンが設定された場合における各走査において各吐出口群に対してどのような制御を行うかを模式的に示す図である。なお、図１３では一例として図１２における第１の領域９１と第４の領域の境界部を示している。

第Ｎ記録走査、第（Ｎ＋１）記録走査では、すべての吐出口群は記録デューティが８０％の領域に対応するため、マスクパターンＢ１３１〜１３８が選択される。第（Ｎ＋２）記録走査では、第１の吐出口群は記録デューティが２０％の領域に対応するため、マスクパターンＡ１２１が選択され、第２から第８ノズル群は記録デューティが８０％の領域に対応するため、マスクパターンＢ１２２〜１２８が選択される。以降の記録走査も同様に、吐出口群毎に対応する記録デューティによってマスクパターンが選択される。第（Ｎ＋９）記録走査からは全てのノズル領域が画像デューティ２０％の領域に対応するため、マスクパターンＡ１２１〜１２８が選択される。

以上記載したように、本実施形態によれば、記録デューティが相対的に低い２値データに対し、端部の吐出口群に対応するマスクパターンの記録許容率が小さくなるようなマスクパターンの組を適用した場合における渦気流の発生を好適に抑制できる。また、記録デューティが中間程度の２値データに対し、マスクパターン間の記録許容率の差が小さいマスクパターンの組を適用した場合における渦気流の発生もまた好適に抑制できる。これにより、渦気流よる濃度むらを効果的に抑制した記録を行うことが可能となる。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、２値データの記録デューティと第１の閾値に応じて適用するマスクパターンを切り替える形態について記載した。

これに対し、本実施形態では、２値データの記録デューティ、第１の閾値および第１の閾値より大きい第２の閾値に応じて適用するマスクパターンを切り替える形態について記載する。

なお、前述した第１の実施形態と同様の部分については説明を省略する。

図１０からわかるように、記録デューティが相対的に高い（１００％）場合、図８に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８を適用して記録データを生成すると渦気流により濃度むらが若干ながら発生する虞がある。

そこで、本実施形態では、記録デューティが第１の閾値以下である場合と、記録デューティが第１の閾値よりも大きい第２の閾値よりも高い場合において図７に示すマスクパターンＡを選択する。一方、記録デューティが第１の閾値よりも高く、第２の閾値以下である場合に図８に示すマスクパターンＢを選択する。なお、本実施形態では第１の閾値は５０％、第２の閾値は９０％であるものとする。

本実施形態におけるデータの処理過程について以下に詳細に記載する。

図１４は本実施形態の画像処理部における画像処理の過程を説明するためのフローチャートである。

色変換処理ステップＳ９０１、２値化処理ステップＳ９０２、記録デューティ取得ステップＳ９０３、マスク処理ステップＳ９０８については、それぞれ図１１に示す色変換処理ステップＳ８０１、２値化処理ステップＳ８０２、記録デューティ取得ステップＳ８０３、マスク処理ステップＳ８０６と同じであるため、説明を省略する。

マスクパターン決定ステップＳ９０４では、記録デューティ取得ステップＳ９０３で取得された記録デューティに基づき、図７に示すマスクパターンＡ１２１〜１２８と、図８に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８と、のいずれのマスクパターンの組を設定するかを所定領域ごとに決定する。

具体的には、ある所定領域における記録デューティが５０％以下である場合、該所定領域に対応する２値データはマスクパターンＡ設定ステップＳ９０５へと進み、図７（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＡ１２１〜１２８が設定される。また、ある所定領域における記録デューティが５０％よりも多く、９０％以下である場合、該所定領域に対応する２値データはマスクパターンＢ設定ステップＳ９０６へと進み、図８（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８が設定される。更に、ある所定領域における記録デューティが９０％よりも多い場合、該所定領域に対応する２値データはマスクパターンＢ設定ステップＳ９０７へと進み、図７（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＢ１２１〜１２８が設定される。

このように生成された記録データに基づき、画像記録装置１０００の記録ヘッド７からインクの吐出を実行し、画像を形成する。

図１４に示すデータの処理過程のマスクパターン決定ステップＳ８０７における処理の一例を以下に詳細に記載する。

図１５（ａ）はマスクパターン決定ステップＳ８０７に入力される２値データの一例を模式的に示す図である。なお、図１５（ａ）に模式的に示す２値データは図１２（ａ）に模式的に示す２値データと同じである。

本実施形態では、記録デューティが５０％以下である場合と、記録デューティが９０％よりも高い場合にマスクパターンＡを選択する。また、記録デューティが５０％よりも多く、９０％以下である場合にマスクパターンＢを選択して適用する。したがって、図１５（ａ）に示す２値データが入力された場合、図１５（ｂ）に示すように、第１、第２、第５の領域９１、９２、９５に対応する２値データにはマスクパターンＡが設定される。一方、第３、第４の領域９３、９４に対応する２値データにはマスクパターンＢが設定される。

以上記載したように、本実施形態によれば、第１の実施形態に加えて記録デューティが相対的に高い２値データに対し、端部の吐出口群に対応するマスクパターンの記録許容率が小さくなるようなマスクパターンの組を適用した場合における渦気流の発生を更に抑制できる。これにより、渦気流よる濃度むらをより効果的に抑制することが可能となる。

（第３の実施形態）
第１、第２の実施形態では、記録ヘッドとプラテンの間の距離や記録ヘッドの走査速度等の記録条件が同じであり、流入気流の強さがほぼ一定である場合について記載した。

これに対し、本実施形態では上述の記録条件が変化し、流入気流の強さが異なる場合における処理について記載する。

なお、前述した第１、第２の実施形態と同様の部分については説明を省略する。

記録ヘッドの走査速度が速い場合や、記録ヘッドとプラテンの間の距離が短い場合、流入気流は強くなる。一方、上述したように、自己気流と流入気流がほぼ同じ強さで生じている場合に渦気流が強く発生することが実験的にわかっている。すなわち、流入気流が強いほど渦気流が顕著に発生する記録デューティの値は高くなることがわかる。

上記の点を鑑み、本実施形態では、記録ヘッドの走査速度や記録ヘッドとプラテン間の距離に応じて第１の閾値Ｔｈ１と該第１の閾値Ｔｈ１よりも大きい第２の閾値Ｔｈ２を取得し、２値データの記録デューティと取得された第１、第２の閾値Ｔｈ１、Ｔｈ２とに応じて適用するマスクパターンの組を切り替える。

本実施形態におけるデータの処理過程について以下に詳細に記載する。

図１６は本実施形態の画像処理部における画像処理の過程を説明するためのフローチャートである。

色変換処理ステップＳ１００１、２値化処理ステップＳ１００２、記録デューティ取得ステップＳ１００３、マスク処理ステップＳ１００８については、それぞれ図１４に示す色変換処理ステップＳ９０１、２値化処理ステップＳ９０２、記録デューティ取得ステップＳ９０３、マスク処理ステップＳ９０８と同じであるため、説明を省略する。

本実施形態では、記録デューティ取得ステップＳ１００３の後、閾値決定ステップＳ１００９にて記録条件に応じて第１の閾値Ｔｈ１、第２の閾値Ｔｈ２を取得する。なお、具体的な決定応報については後述する。

マスクパターン決定ステップＳ１００４では記録デューティ取得ステップＳ９０３で取得された記録デューティと閾値決定ステップＳ１００９にて決定された第１、第２の閾値Ｔｈ１、Ｔｈ２とに基づき、図７に示すマスクパターンＡ１２１〜１２８と、図８に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８と、のいずれのマスクパターンの組を設定するかを所定領域ごとに決定する。

すなわち、ある所定領域における記録デューティが第１の閾値Ｔｈ１以下である場合、該所定領域に対応する２値データはマスクパターンＡ設定ステップＳ１００５へと進み、図７（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＡ１２１〜１２８が設定される。また、ある所定領域における記録デューティが第１の閾値Ｔｈ１よりも多く、第２の閾値以下である場合、該所定領域に対応する２値データはマスクパターンＢ設定ステップＳ１００６へと進み、図８（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＢ１３１〜１３８が設定される。更に、ある所定領域における記録デューティが第２の閾値よりも多い場合、該所定領域に対応する２値データはマスクパターンＢ設定ステップＳ１００７へと進み、図７（ａ）〜（ｈ）に示すマスクパターンＢ１２１〜１２８が設定される。

このように生成された記録データに基づき、画像記録装置１０００の記録ヘッド７からインクの吐出を実行し、画像を形成する。

図１７は本実施形態における閾値決定ステップＳ１００９にて用いるテーブルを示す図である。なお、本実施形態では記録条件として記録ヘッドの走査速度と記録ヘッドとプラテンの間の距離を考慮した制御を行うが、例えば記録媒体の種類や記録モードなど、他の記録条件を更に考慮した形態であっても良い。

本実施形態では、記録ヘッドとプラテンの間の距離は１．６ｍｍまたは２．０ｍｍのいずれかを設定することができる。これは、記録ヘッドとプラテンの間の距離を１．６ｍｍにするか２．０ｍｍにするかユーザーが直接設定する形態であっても良いし、例えば使用する記録媒体の種類に応じて記録ヘッドとプラテンの間の距離が自動的に設定される形態であっても良い。

また、本実施形態では、記録ヘッドの走査速度は３５ｉｎｃｈ／ｓｅｃまたは４０ｉｎｃｈ／ｓｅｃのいずれかを設定することができる。これは、ユーザーが走査速度を３５ｉｎｃｈ／ｓｅｃと４０ｉｎｃｈ／ｓｅｃのいずれにするかを直接設定しても良い。また、例えば高画質記録モードで記録を行う場合には走査速度を３５ｉｎｃｈ／ｓｅｃに自動的に設定し、高速記録モードにて記録を行う場合には走査速度を４０ｉｎｃｈ／ｓｅｃに自動的に設定する形態であっても良い。

ここで、上述のように、記録ヘッドとプラテンの間の距離が相対的に短い（１．６ｍｍ）場合、長い（２．０ｍｍ）場合に比べて流入気流は強くなる。そのため、渦気流が顕著になる条件、すなわち流入気流と自己気流がほぼ同じになる条件は記録デューティが高い側に遷移する。したがって、図１７に示すように、本実施形態では記録ヘッドとプラテンの間の距離が相対的に短い場合には、相対的に長い場合に比べて第１、第２の閾値Ｔｈ１、Ｔｈ２ともに大きい値とする。

また、記録ヘッドの走査速度が相対的に速い（４０ｉｎｃｈ／ｓｅｃ）場合には、遅い（３５ｉｎｃｈ／ｓｅｃ）場合に比べて流入気流が強くなる。したがって、走査速度が速い場合には、記録ヘッドとプラテンの間の距離が相対的に短い場合と同様に渦気流が顕著になる条件は記録デューティが高い側に遷移する。そのため、走査速度が遅い場合に比べて第１、第２の閾値Ｔｈ１、Ｔｈ２ともに大きい値とする。

以上記載したように、本実施形態によれば、記録条件に応じて第１、第２の閾値を決定するため、流入気流が変化する場合であっても渦気流の発生を好適に抑制することができる。これにより、濃度むらを更に効果的に抑制できる。

なお、以上で説明した各実施形態では、記録デューティが低い場合に適用するマスクパターンＡとして記録許容率が互いにほぼ等しいマスクパターンを記載したが、他の形態による実施も可能である。マスクパターンＡは、マスクパターンＢよりも記録許容率の偏りが小さいマスクパターンであれば良い。具体的には、単位領域に対するＮ回の走査にそれぞれ対応するＮ個のマスクパターンＡとＮ個のマスクパターンＢに関し、Ｎ個のマスクパターンＡのうちの最大の記録許容率のマスクパターンＡの記録許容率と最小の記録許容率のマスクパターンＡの記録許容率の差が、Ｎ個のマスクパターンＢのうちの最大の記録許容率のマスクパターンＢの記録許容率と最小の記録許容率のマスクパターンＢの記録許容率の差よりも小さい、という条件を満たしていれば良い。

また、以上で説明した各実施形態では、記録デューティが中間程度の場合に適用するマスクパターンＢとして端部の吐出口群に対応するマスクパターンＢの記録許容率が中央部の吐出口群に対応するマスクパターンＢの記録許容率よりも低くなるようなマスクパターンを記載したが、他の形態による実施も可能である。上述のように、マスクパターンＢはマスクパターンＡよりも記録許容率の偏りが大きいという条件を満たしていれば良い。例えば、端部の吐出口群に対応するマスクパターンＢの記録許容率が中央部の吐出口群に対応するマスクパターンＢの記録許容率よりも高くなるようなマスクパターンであっても良い。

また、以上で説明した各実施形態では一般の画像記録装置の記録条件（記録ヘッドの走査速度、記録ヘッドとプラテンの間の距離）を想定したため、記録デューティが中間程度の際に渦気流が最も強く、且つ、不均一に発生する場合を記載した。しかしながら、記録条件によっては渦気流が顕著に発生する記録デューティが例えば低デューティの範囲である場合や、高デューティの範囲である場合も考えられる。そのような場合であっても、渦気流が顕著に発生する記録デューティの範囲において記録許容率の偏りが大きいマスクパターンを適用すれば本発明の効果を得ることができる。

また、以上に説明した各実施形態では、Ｎ個の第１、第２のマスクパターンのそれぞれにおける記録許容率は、１つのマスクパターン内においてほぼ一定である形態について記載したが、他の形態による実施も可能である。すなわち、１つのマスクパターン内において記録許容率が異なる形態であっても良い。この場合、１つのマスクパターン内における記録許容率の平均が本実施形態に記載した条件を満たしていれば良い。

また、各実施形態では加熱により生じる発泡のエネルギーによりインクの吐出を行ういわゆるサーマルジェット型のインクジェット記録装置および記録方法について記載した。しかし、本発明はサーマルジェット型のインクジェット記録装置に限定されるものではない。例えば圧電素子を利用してインクの吐出を行ういわゆるピエゾ型のインクジェット記録装置等、様々な画像記録装置に対して有効に適用できる。

また、各実施形態には画像記録装置を用いた画像記録方法について記載したが、各実施形態に記載の画像記録方法を行うためのデータを生成する画像処理装置または画像処理方法、プログラムを画像記録装置とは別体に用意する形態にも適用できる。また、画像記録装置の一部に備える形態にも広く適用できることは言うまでもない。

３ 記録媒体
７ 記録ヘッド
２２ 吐出口列
１２１〜１２８ 第１のマスクパターン
１３１〜１３８ 第２のマスクパターン
３０２ ＲＯＭ

Claims (13)

1. インクを吐出するための複数の吐出口が所定方向に配列された吐出口列を有する記録ヘッドと、記録媒体と、を相対的に走査させ、Ｎ（Ｎ≧３）回の前記相対的な走査のそれぞれにおいて、前記吐出口列を前記所定方向に沿って分割してなるＮ個の吐出口群のそれぞれから前記記録媒体上の単位領域内の複数の画素相当の画素領域それぞれへのインクの吐出または非吐出を定める記録データにしたがってインクを吐出することにより前記単位領域に画像を記録するために、インクの吐出を許容する記録許容画素とインクの吐出を許容しない非記録許容画素とが配置されたマスクパターンを用いて前記単位領域に対応する画像データに基づき、前記記録データを生成するための処理を行う画像処理装置であって、
   所定領域へのインクの吐出量に関する情報を取得する第１の取得手段と、
   前記所定領域に記録する画像に応じた、前記所定領域内の複数の前記画素領域のそれぞれに対するインクの吐出または非吐出を定める吐出用データを取得する第２の取得手段と、
   前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第１の前記マスクパターンと、前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第２の前記マスクパターンと、のうち、前記所定領域に対応する前記吐出用データに対して適用するＮ個の前記マスクパターンを決定する決定手段と、
   前記決定手段により決定された前記Ｎ個のマスクパターンと、前記第２の取得手段により取得された前記吐出用データと、に基づいて、前記Ｎ回の走査のそれぞれでの記録に用いられるＮ個の前記記録データを生成する生成手段と、を有し、
   それぞれのマスクパターンに配置された記録許容画素と非記録許容画素の数の和に対する記録許容画素の数の比率である記録許容率に関し、前記Ｎ個の第１のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差は、前記Ｎ個の第２のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差よりも小さく、
   前記決定手段は、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量に基づいて、前記Ｎ個のマスクパターンを決定することを特徴とする画像処理装置。
2. 前記決定手段は、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が第１の量である場合に前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第１の量よりも多い第２の量である場合に前記Ｎ個の第２のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
3. 前記決定手段は、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第２の量よりも多い第３の量である場合に前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
4. 前記決定手段は、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が第１の閾値以下である場合に前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第１の閾値よりも多い場合に前記Ｎ個の第２のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
5. 前記決定手段は、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第１の閾値よりも多く、且つ、前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値以下である場合に前記Ｎ個の第２のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第２の閾値よりも多い場合に前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
6. 前記Ｎ個の吐出口群のうちの第１の吐出口群に対応する前記第２のマスクパターンにおける記録許容率は、前記Ｎ個の吐出口群のうちの前記第１の吐出口群よりも前記吐出口列の前記所定方向における端部から遠い第２の吐出口群に対応する前記第２のマスクパターンにおける記録許容率よりも低いことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
7. 前記第１の吐出口群に対応する前記第１のマスクパターンにおける記録許容率は、前記第２の吐出口群に対応する前記第１のマスクパターンにおける記録許容率よりも低く、
   前記第２の吐出口群に対応する前記第２のマスクパターンにおける記録許容率は、前記第２の吐出口群に対応する前記第１のマスクパターンにおける記録許容率よりも高く、
   前記第１の吐出口群に対応する前記第２のマスクパターンにおける記録許容率は、前記第１の吐出口群に対応する前記第１のマスクパターンにおける記録許容率よりも低いことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
8. 前記Ｎ個の第１のマスクパターンのそれぞれにおける記録許容率は、互いにほぼ等しいことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
9. 前記決定手段は、（ｉ）前記記録ヘッドと記録装置内に設けられた前記記録媒体を支持する支持部材との距離が第１の距離であり、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が第１の閾値以下である場合に前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、（ｉｉ）前記記録ヘッドと前記支持部材との距離が前記第１の距離であり、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第１の閾値よりも多い場合に前記Ｎ個の第２のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、（ｉｉｉ）前記記録ヘッドと前記支持部材との距離が前記第１の距離よりも短い第２の距離であり、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第１の閾値よりも高い第３の閾値以下である場合に前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、（ｉｖ）前記記録ヘッドと前記支持部材との距離が前記第２の距離であり、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第３の閾値よりも多い場合に前記Ｎ個の第２のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
10. 前記決定手段は、（ｉ）前記記録ヘッドの走査の速度が第１の速度であり、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が第１の閾値以下である場合に前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、（ｉｉ）前記記録ヘッドの走査の速度が前記第１の速度であり、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第１の閾値よりも多い場合に前記Ｎ個の第２のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、（ｉｉｉ）前記記録ヘッドの走査の速度が前記第１の速度よりも速い第２の速度であり、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第１の閾値よりも高い第４の閾値以下である場合に前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定し、（ｉｖ）前記記録ヘッドの走査の速度が前記第２の速度であり、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量が前記第４の閾値よりも多い場合に前記Ｎ個の第２のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像処理装置。
11. インクを吐出するための複数の吐出口が所定方向に配列された吐出口列を有する記録ヘッドと、記録媒体と、を相対的に走査させ、Ｎ（Ｎ≧３）回の前記相対的な走査のそれぞれにおいて、前記吐出口列を前記所定方向に沿って分割してなるＮ個の吐出口群のそれぞれから前記記録媒体上の単位領域内の複数の画素相当の画素領域それぞれへのインクの吐出または非吐出を定める記録データにしたがってインクを吐出することにより前記単位領域に画像を記録するために、インクの吐出を許容する記録許容画素とインクの吐出を許容しない非記録許容画素とが配置されたマスクパターンを用いて前記単位領域に対応する画像データに基づき、前記記録データを生成するための処理を行う画像処理装置であって、
    前記所定領域に記録する画像に応じた、前記所定領域内の複数の前記画素領域のそれぞれに対するインクの吐出または非吐出を定める吐出用データを取得する取得手段と、
    前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第１の前記マスクパターンと、前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第２の前記マスクパターンと、のうち、前記所定領域に対応する前記吐出用データに対して適用するＮ個の前記マスクパターンを決定する決定手段と、
    前記決定手段により決定された前記Ｎ個のマスクパターンと、前記取得手段により取得された前記吐出用データと、に基づいて、前記Ｎ回の走査のそれぞれでの記録に用いられるＮ個の前記記録データを生成する生成手段と、を有し、
    それぞれのマスクパターンに配置された記録許容画素と非記録許容画素の数の和に対する記録許容画素の数の比率である記録許容率に関し、前記Ｎ個の第１のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差は、前記Ｎ個の第２のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差よりも小さく、
    前記決定手段は、前記取得手段により取得された前記吐出用データと、前記Ｎ個の第１のマスクパターンと、に基づいて生成されたデータに基づいてインクを吐出した場合に生じる、インクの吐出により発生する気流である自己気流の強さと前記記録ヘッドの走査によって前記記録ヘッドと前記記録媒体の間に流入する気流である流入気流の強さの差が、前記取得手段により取得された前記吐出用データと、前記Ｎ個の第２のマスクパターンと、に基づいて生成されたデータに基づいてインクを吐出した場合に生じる前記自己気流の強さと前記流入気流の強さの差よりも大きい場合において、前記Ｎ個の第１のマスクパターンを前記Ｎ個のマスクパターンに決定することを特徴とする画像処理装置。
12. インクを吐出するための複数の吐出口が所定方向に配列された吐出口列を有する記録ヘッドと、記録媒体と、を相対的に走査させ、Ｎ（Ｎ≧３）回の前記相対的な走査のそれぞれにおいて、前記吐出口列を前記所定方向に沿って分割してなるＮ個の吐出口群のそれぞれから前記記録媒体上の単位領域内の複数の画素相当の画素領域それぞれへのインクの吐出または非吐出を定める記録データにしたがってインクを吐出することにより前記単位領域に画像を記録するために、インクの吐出を許容する記録許容画素とインクの吐出を許容しない非記録許容画素とが配置されたマスクパターンを用いて前記単位領域に対応する画像データに基づき、前記記録データを生成するための処理を行う画像処理方法であって、
    所定領域へのインクの吐出量に関する情報を取得し、
    前記所定領域に記録する画像に応じた、前記所定領域内の複数の前記画素領域のそれぞれに対するインクの吐出または非吐出を定める吐出用データを取得し、
    前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第１の前記マスクパターンと、前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第２の前記マスクパターンと、のうち、前記所定領域に対応する前記吐出用データに対して適用するＮ個の前記マスクパターンを決定し、
    決定された前記Ｎ個のマスクパターンと、取得された前記吐出用データと、に基づいて、前記Ｎ回の走査のそれぞれでの記録に用いられるＮ個の前記記録データを生成する生成し、
    それぞれのマスクパターンに配置された記録許容画素と非記録許容画素の数の和に対する記録許容画素の数の比率である記録許容率に関し、前記Ｎ個の第１のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差は、前記Ｎ個の第２のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差よりも小さく、
    取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量に基づいて、前記Ｎ個のマスクパターンを決定することを特徴とする画像処理方法。
13. インクを吐出するための複数の吐出口が所定方向に配列された吐出口列を有する記録ヘッドと、
    前記記録ヘッドと、記録媒体と、を相対的に走査させ、Ｎ（Ｎ≧３）回の前記相対的な走査のそれぞれにおいて、前記吐出口列を前記所定方向に沿って分割してなるＮ個の吐出口群のそれぞれから前記記録媒体上の単位領域内の複数の画素相当の画素領域それぞれへのインクの吐出または非吐出を定める記録データにしたがってインクを吐出することにより前記単位領域に画像を記録する記録制御手段と、
    所定領域へのインクの吐出量に関する情報を取得する第１の取得手段と、
    前記所定領域に記録する画像に応じた、前記所定領域内の複数の前記画素領域のそれぞれに対するインクの吐出または非吐出を定める吐出用データを取得する第２の取得手段と、
    前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第１の前記マスクパターンと、前記Ｎ回の走査のそれぞれにおける前記Ｎ個の吐出口群のそれぞれに対応するＮ個の第２の前記マスクパターンと、のうち、前記所定領域に対応する前記吐出用データに対して適用するＮ個の前記マスクパターンを決定する決定手段と、
    前記決定手段により決定された前記Ｎ個のマスクパターンと、前記第２の取得手段により取得された前記吐出用データと、に基づいて、前記Ｎ回の走査のそれぞれでの記録に用いられるＮ個の前記記録データを生成する生成手段と、を有する画像記録装置であって、
    それぞれのマスクパターンに配置された記録許容画素と非記録許容画素の数の和に対する記録許容画素の数の比率である記録許容率に関し、前記Ｎ個の第１のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差は、前記Ｎ個の第２のマスクパターンのうちの記録許容率が最大である前記マスクパターンと記録許容率が最小である前記マスクパターンにおける記録許容率の差よりも小さく、
    前記決定手段は、前記第１の取得手段により取得された前記情報が示す前記所定領域に対するインクの吐出量に基づいて、前記Ｎ個のマスクパターンを決定することを特徴とする画像記録装置。
    

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