JP2015225945A - Cleaning device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning device which reliably cleans a peripheral end side surface of a cleaned body even when a contour of the cleaned body is not a perfect circle.SOLUTION: A cleaning device 1 of the invention includes: a support body 20 which supports a cleaned body 10; a main surface brush 30 which contacts with a main surface 10a of the cleaned body 10 supported on the support body 20 and rotates to clean the main surface 10a; a side surface brush 35 which contacts with a peripheral edge side surface 10b of the cleaned body 10 to clean the side surface 10b; and a biasing mechanism 50 which constantly biases the side surface brush 35 toward a center O of the cleaned body 10.

Description

本発明は、半導体製造工程等に用いる洗浄装置に関し、より具体的には、ブラシを用いてシリコンウエハ等の被洗浄体の主表面および周端側面を洗浄するブラシスクラブ洗浄装置に関する。   The present invention relates to a cleaning apparatus used in a semiconductor manufacturing process or the like, and more specifically, to a brush scrub cleaning apparatus that cleans the main surface and peripheral end side surface of an object to be cleaned such as a silicon wafer using a brush.

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、エッチング、洗浄といったウェット処理における歩留まりの向上が重要な課題となっている。特に、洗浄装置においては、被洗浄体としての例えば半導体ウエハ(以下、単にウエハという)の表面に付着した汚染物やパーティクルを除去するため、水平方向(横方向)または垂直方向(縦方向)に配置されたウエハに円筒形ブラシをその円筒側面を接触面として接触させつつ回転させることにより、ブラシの回転に伴って回転するウエハの主表面および周端側面をブラシで擦って汚れを一方向に掻き出すブラシスクラブ装置が従来から知られている(例えば、特許文献1参照)。   In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, improvement in yield in wet processing such as etching and cleaning has become an important issue. In particular, in a cleaning apparatus, in order to remove contaminants and particles adhering to the surface of, for example, a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) as an object to be cleaned, it is horizontally (horizontal) or vertically (longitudinal). By rotating the cylindrical brush on the wafer placed in contact with the cylindrical side surface as the contact surface, the main surface and peripheral side surface of the wafer rotating as the brush rotates are rubbed with the brush in one direction. A brush scrub device that scrapes out is conventionally known (for example, see Patent Document 1).

特開2000−183020号JP 2000-183020 A

ところで、ウエハには、一般に、その結晶軸の方向が分かるように、ノッチまたは平坦面状の切り欠きであるオリエンテーションフラット(Orientation Flat;以下、オリフラと略称する)が設けられることがある。   By the way, in general, an orientation flat (hereinafter referred to as an orientation flat) which is a notch or a flat surface notch may be provided on the wafer so that the direction of the crystal axis is known.

しかしながら、前記オリフラが設けられていると、前述したブラシスクラブ装置において、回転するウエハの周端側面に接触して洗浄するサイドブラシがオリフラの部位でウエハに十分に接触できす、そのため、このオリフラの部位でウエハの洗浄が不十分となる或いは不可能となる場合がある。特に高集積半導体素子製造プロセスにおいては、高清浄な超精密洗浄が求められ、そのようなオリフラ部位の確実な洗浄が早急な課題である。   However, when the orientation flat is provided, in the brush scrubbing device described above, the side brush that cleans by contacting the peripheral end side surface of the rotating wafer can sufficiently contact the wafer at the orientation flat portion. There are cases where the cleaning of the wafer is insufficient or impossible at this part. Particularly in a highly integrated semiconductor device manufacturing process, highly clean ultra-precision cleaning is required, and reliable cleaning of such orientation flat parts is an urgent issue.

本発明は、上記した問題に着目してなされたものであり、被洗浄体の輪郭が真円でない場合でも、その主表面、及び周端側面を確実に洗浄できる洗浄装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made paying attention to the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a cleaning device that can reliably clean the main surface and the peripheral side surface even when the contour of the object to be cleaned is not a perfect circle. And

上記した目的を達成するために、本発明は、被洗浄体を位置規制しつつ回転可能に支持する支持体と、前記支持体上に支持された前記被洗浄体の主表面に接触して回転することにより前記主表面をスクラブ洗浄する主表面ブラシと、前記被洗浄体の周端側面に接触して該側面を洗浄する回転可能な側面ブラシとを備える洗浄装置であって、前記支持体上に支持される前記被洗浄体の周端側面と接触する前記側面ブラシを前記被洗浄体の中心へ向けて常時付勢する付勢機構を備えることを特徴とする。   In order to achieve the above-mentioned object, the present invention rotates in contact with the main surface of the object to be cleaned supported on the support, and a support that rotatably supports the object to be cleaned. A cleaning apparatus comprising: a main surface brush for scrub cleaning the main surface; and a rotatable side brush for cleaning the side surface in contact with a peripheral end side surface of the object to be cleaned. And an urging mechanism for constantly urging the side brush in contact with the peripheral side surface of the object to be cleaned toward the center of the object to be cleaned.

上記した構成によれば、被洗浄体の周端側面に接触して該側面を洗浄する側面ブラシが付勢機構によって被洗浄体の中心へ向けて常時付勢される。そのため、側面ブラシは、被洗浄体が真円でない場合でも、被洗浄体の外周の輪郭に追従するように径方向に移動して被洗浄体の全周にわたって被洗浄体の周端側面に所望の圧力で常時接触できる。このため上記した構成によれば、被洗浄体の輪郭が真円でない場合でもその周端側面を確実に洗浄することが可能となる。   According to the configuration described above, the side brush that contacts the peripheral side surface of the object to be cleaned and cleans the side surface is constantly urged toward the center of the object to be cleaned by the urging mechanism. Therefore, even when the object to be cleaned is not a perfect circle, the side brush moves in the radial direction so as to follow the contour of the outer periphery of the object to be cleaned, and is desired on the peripheral end side surface of the object to be cleaned. Always contact with the pressure of. For this reason, according to the above-described configuration, even when the contour of the object to be cleaned is not a perfect circle, the peripheral side surface can be reliably cleaned.

なお、上記構成において、「主表面」とは、被洗浄体を構成する面のうち面積が最も広い表および裏を含む面のことであり、例えば被洗浄体が半導体ウエハの場合には、トランジスタや配線等からなる回路、パターン等の機能層が堆積されるウエハの表面および裏面のことである。   In the above configuration, the “main surface” is a surface including the front and back having the largest area among the surfaces constituting the object to be cleaned. For example, when the object to be cleaned is a semiconductor wafer, a transistor These are the front and back surfaces of the wafer on which functional layers such as circuits and patterns composed of wires and wiring are deposited.

本発明によれば、被洗浄体の輪郭が真円でない場合でも、その主表面及び周端側面を確実に洗浄できる洗浄装置が得られる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even when the outline of a to-be-cleaned body is not a perfect circle, the washing | cleaning apparatus which can wash | clean the main surface and peripheral end side surface reliably is obtained.

本発明の一実施形態に係る洗浄装置の要部構成(補助ローラを含む)を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the principal part structure (an auxiliary roller is included) of the washing | cleaning apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る洗浄装置の要部構成(補助ローラを含まず)を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the principal part structure (an auxiliary roller is not included) of the washing | cleaning apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 支持体上に支持される被洗浄体の主表面に主表面ブラシが接触されていない洗浄待機状態の図1の洗浄装置の概略側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of the cleaning apparatus of FIG. 1 in a cleaning standby state in which a main surface brush is not in contact with a main surface of an object to be cleaned supported on a support. 支持体上に支持される被洗浄体の主表面に主表面ブラシが接触された洗浄状態の図1の洗浄装置の概略側面図である。It is a schematic side view of the washing | cleaning apparatus of FIG. 1 of the washing | cleaning state by which the main surface brush contacted the main surface of the to-be-cleaned body supported on a support body. 支持体上に支持される被洗浄体の周端側面と接触する側面ブラシを被洗浄体の中心へ向けて常時付勢する付勢機構の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the urging mechanism which always urges | biases the side brush which contacts the peripheral edge side surface of the to-be-cleaned body supported on a support body toward the center of a to-be-cleaned body. 乾燥装置を用いた乾燥工程時に被洗浄体に対して吹き付けられる乾燥用の気体の流れを示す側面図である。It is a side view which shows the flow of the gas for drying sprayed with respect to a to-be-cleaned body at the time of the drying process using a drying apparatus. 乾燥装置を用いた乾燥工程時に被洗浄体に対して吹き付けられる乾燥用の気体の流れを示す平面図である。It is a top view which shows the flow of the gas for drying sprayed with respect to a to-be-cleaned body at the time of the drying process using a drying apparatus.

以下、図面を参照しながら本発明に係る洗浄装置の実施形態について説明する。
なお、以下の実施形態では、洗浄される被洗浄体として、オリフラ10cを有する輪郭が真円でない半導体ウエハ10(図1参照)を例に挙げて説明するが、被洗浄体は、そのようなウエハ10でなくてもよく、また、輪郭が真円であっても構わない。
Hereinafter, an embodiment of a cleaning apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
In the following embodiments, a semiconductor wafer 10 (see FIG. 1) having a non-circular contour having an orientation flat 10c will be described as an example of the object to be cleaned. The wafer 10 may not be used, and the outline may be a perfect circle.

図1は、本発明の一実施形態に係る洗浄装置1の要部構成を示す概略平面図である。この洗浄装置1は、例えば、いわゆるインライン洗浄処理装置、すなわち、洗浄されるべき被洗浄体としてのウエハ10が搬入されて収容されるローダ部と、ウエハ10を回転させた状態でブラシ洗浄するブラシスクラブ洗浄部と、洗浄済みのウエハ10を乾燥するための乾燥部と、洗浄乾燥後のウエハを搬出のために収容するアンローダ部とを有し、内部の各種搬送ロボットが各部間でウエハ10を搬出入する洗浄処理装置内に設けられてもよく、あるいは、それ単独の洗浄装置として設けられてもよく、その構造配置形態は任意である。いずれにしても、この洗浄装置1に対しては、手動で或いは搬送ロボットを介して自動で、洗浄されるべきウエハ10が搬出入される。   FIG. 1 is a schematic plan view showing the main configuration of a cleaning apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The cleaning apparatus 1 is, for example, a so-called in-line cleaning processing apparatus, that is, a loader unit in which a wafer 10 as an object to be cleaned is carried and stored, and a brush that performs brush cleaning in a state where the wafer 10 is rotated. A scrub cleaning unit, a drying unit for drying the cleaned wafer 10, and an unloader unit for storing the cleaned and dried wafer for unloading. Various internal transfer robots move the wafer 10 between the units. It may be provided in the cleaning processing apparatus to be carried in or out, or may be provided as a single cleaning apparatus, and its structure arrangement form is arbitrary. In any case, the wafer 10 to be cleaned is loaded into and unloaded from the cleaning apparatus 1 manually or automatically via a transfer robot.

また、本実施形態では、洗浄装置1内でウエハ10が水平方向に配置された状態で洗浄される例について説明するが、本発明は、ウエハ10を任意の角度(水平方向から垂直方向に至る様々な角度)に配置した状態で洗浄する場合にも適用可能である。   Further, in the present embodiment, an example in which the wafer 10 is cleaned in a state in which the wafer 10 is disposed in the horizontal direction in the cleaning apparatus 1 will be described. However, the present invention is directed to an arbitrary angle (from the horizontal direction to the vertical direction). The present invention can also be applied to the case of cleaning in a state of being arranged at various angles.

図1に概略的に示されるように、本実施形態の洗浄装置1は、ウエハ10を位置規制しつつ回転可能に支持する支持体20と、支持体20上に支持されたウエハ10の主表面10aに接触して回転することにより主表面10aをスクラブ洗浄する主表面ブラシ30と、ウエハ10の周端側面10bに接触してこの側面10bを洗浄する回転可能な側面(端面)ブラシ(以下、サイドブラシとも称する)35とを備える。また、図示しないが、洗浄装置1は、支持体20に支持されるウエハ10に対してその周囲から洗浄液(例えば、アルカリ性洗浄液)を吹き付ける噴射ノズルを備えていてもよいし、ブラシ30,35を通じて洗浄液をウエハ10に対して供給できるようになっていてもよい。   As schematically shown in FIG. 1, the cleaning apparatus 1 of the present embodiment includes a support 20 that rotatably supports a wafer 10 while regulating the position of the wafer 10, and a main surface of the wafer 10 that is supported on the support 20. A main surface brush 30 that scrubs the main surface 10a by rotating in contact with the surface 10a, and a rotatable side surface (end surface) brush (hereinafter referred to as the surface 10b that contacts the peripheral end side surface 10b of the wafer 10 and cleans the side surface 10b). 35). Although not shown, the cleaning apparatus 1 may include an injection nozzle that sprays a cleaning liquid (for example, an alkaline cleaning liquid) from the periphery of the wafer 10 supported by the support 20, or through the brushes 30 and 35. The cleaning liquid may be supplied to the wafer 10.

支持体20は、支持すべきウエハ10の大きさに合わせて円形状に配置される複数(図1では6個)の支持ローラ20a〜20fとして構成され、ウエハ10の周縁部をその裏面(裏側の主表面)から支持するようになっている。なお、設置される支持体20の数は任意(例えば、4個、8個など偶数個であることが好ましい)であり、また、支持体20の位置を調整できるようになっていてもよい。この場合、支持体20(20a〜20f)は、ウエハ10を脱落させない(ウエハ10が外れない)ように安定して支持する配置、構成となっている。また、支持体20は、ブラシ30,35の最適な設置を妨げないように配設されるのが好ましく、更には、図示しない搬送ロボットの保持部(例えば、ウエハ保持用のアーム等)、搬送経路を遮断しないように配置されることが好ましい。   The support 20 is configured as a plurality (six in FIG. 1) of support rollers 20a to 20f arranged in a circular shape in accordance with the size of the wafer 10 to be supported. Main surface). In addition, the number of the support bodies 20 to be installed is arbitrary (for example, preferably an even number such as 4, 8), and the position of the support bodies 20 may be adjusted. In this case, the support 20 (20a to 20f) has an arrangement and configuration that stably supports the wafer 10 so that the wafer 10 is not dropped (the wafer 10 is not detached). Further, the support 20 is preferably arranged so as not to prevent the optimum installation of the brushes 30 and 35, and further, a holding unit (for example, an arm for holding a wafer) (not shown) of the transfer robot, transfer It is preferable to arrange so as not to block the route.

また、各支持体20(20a〜20f)は、図3および図4に示されるように、ウエハ10の厚さ寸法よりも十分に大きい高さ寸法を有してウエハ10の径方向の動きを規制する(位置規制する)支柱部21と、支柱部21の外周面から径方向に環状に張り出してウエハ10の裏側の主表面10aの外周縁部を受ける鍔状(フランジ状)の受け面22とを有する。この場合、受け面22は、ウエハ10と線接触して(線当たりして)これを支持できるように、支柱部21から下向きに傾斜されている。このように、ウエハ10と支持体20との接触面積を小さくすれば、ウエハ10の裏面の汚染を防止できるとともに、洗浄時のウエハ10の回転抵抗を減らすことができる。   Further, as shown in FIGS. 3 and 4, each support body 20 (20 a to 20 f) has a height dimension sufficiently larger than the thickness dimension of the wafer 10, and moves the wafer 10 in the radial direction. A supporting column 21 that restricts (position is controlled), and a hook-shaped (flange-shaped) receiving surface 22 that projects in an annular shape radially from the outer peripheral surface of the supporting column 21 and receives the outer peripheral edge of the main surface 10a on the back side of the wafer 10. And have. In this case, the receiving surface 22 is inclined downward from the support column 21 so that the wafer 10 can be in line contact with the wafer 10 and can support it. Thus, if the contact area between the wafer 10 and the support 20 is reduced, contamination of the back surface of the wafer 10 can be prevented, and the rotational resistance of the wafer 10 during cleaning can be reduced.

なお、本実施形態において、各支持体20は、ウエハ10の回転に従動して自由に回転する支持ローラとして構成されているが、モータによって駆動制御されてもよい。また、いずれの場合にも、支柱部21内にベアリングを内蔵することにより、ウエハ10の回転時の接触抵抗および摩耗抵抗を減らすようにしてもよい。   In the present embodiment, each support body 20 is configured as a support roller that freely rotates following the rotation of the wafer 10, but may be driven and controlled by a motor. In any case, the contact resistance and wear resistance during rotation of the wafer 10 may be reduced by incorporating a bearing in the support column 21.

洗浄装置1を構成する主表面ブラシ30は、本実施形態の場合、円筒状のロールブラシとして形成されており、ウエハ10の表裏の主表面10aを確実に且つ効率的に洗浄できるように所定の位置に設置される。また、本実施形態では、主平面ブラシ(以下、ロールブラシとも称する)30は、支持体20上に支持されるウエハ10の所定の周方向位置で、ウエハ10の周端縁からウエハ10の中心Oを越える長さにわたって(ウエハ10の半径よりも長く)ウエハ10の径方向に延びている。この場合、本実施形態では、ウエハ10の表裏に1つずつ合計2つのロールブラシ30が設けられる(図3および図4参照)が、設置されるべきロールブラシ30の数は任意である。   In the present embodiment, the main surface brush 30 constituting the cleaning apparatus 1 is formed as a cylindrical roll brush, and has a predetermined size so that the main surface 10a on the front and back surfaces of the wafer 10 can be cleaned reliably and efficiently. Installed in position. In the present embodiment, the main planar brush (hereinafter also referred to as a roll brush) 30 is a predetermined circumferential position of the wafer 10 supported on the support 20, and the center of the wafer 10 from the peripheral edge of the wafer 10. It extends in the radial direction of the wafer 10 over a length exceeding O (longer than the radius of the wafer 10). In this case, in this embodiment, a total of two roll brushes 30 are provided on the front and back of the wafer 10 (see FIGS. 3 and 4), but the number of roll brushes 30 to be installed is arbitrary.

前記ロールブラシ30は、図示しない駆動モータの駆動力を受けて回転されるようになっており、ウエハ10の主表面10aと接触することによりウエハ10に回転力を与えるようになっている。また、前記ロールブラシ30は、例えばエアシリンダを使用して、ウエハ10の主表面10aに対して離接自在に移動可能となっている。   The roll brush 30 is rotated by receiving a driving force of a driving motor (not shown), and applies a rotating force to the wafer 10 by contacting the main surface 10 a of the wafer 10. Further, the roll brush 30 can be moved to and away from the main surface 10a of the wafer 10 by using, for example, an air cylinder.

さらに、ウエハ10に対するロールブラシ30の接触面積は、ロールブラシ30の接触圧や接触位置等をセンサからの信号に基づきエアシリンダ等により上下(表裏)同時に或いは別々に調整することにより自在に設定可能である。この場合、ウエハ10の回転ブレや洗浄ムラを防止するため、ロールブラシ30の回転軸が傾かないようにすることが好ましい。   Furthermore, the contact area of the roll brush 30 with respect to the wafer 10 can be freely set by adjusting the contact pressure, contact position, etc. of the roll brush 30 up and down (front and back) simultaneously or separately using an air cylinder or the like based on a signal from the sensor. It is. In this case, it is preferable to prevent the rotation axis of the roll brush 30 from tilting in order to prevent the wafer 10 from rotating and cleaning unevenly.

なお、主平面ブラシについては、本実施形態のような円筒状のロールブラシ以外にも、例えば、円板状に構成されたブラシ(ディスク型のブラシ;ディスクブラシ)として構成されていても良い。このようなディスクブラシは、洗浄面がウエハの表面と平行となるように配設され、ウエハに対して垂直となる回転軸を中心として回転駆動され、ウエハの表面を洗浄する。そして、このようなディスクブラシは、その直径が、ウエハの半径よりも大きい構成であることが好ましく、これにより、ウエハ表面を万遍なく、均一に洗浄することが可能となる。また、ディスクブラシについては、例えば回転軸部分に輪帯状の任意の錘を付加して、ウエハに向けて荷重を付与する(ディスクブラシをウエハの面に押し付ける)ように構成しても良く、これにより、ウエハに対する押圧力を調整して均一に万遍なく洗浄することが可能となる。   In addition to the cylindrical roll brush as in the present embodiment, the main planar brush may be configured as, for example, a disc-shaped brush (disc-type brush; disc brush). Such a disk brush is disposed so that the cleaning surface is parallel to the surface of the wafer, and is driven to rotate about a rotation axis perpendicular to the wafer to clean the surface of the wafer. Such a disk brush preferably has a configuration in which the diameter is larger than the radius of the wafer, so that the wafer surface can be uniformly and uniformly cleaned. In addition, the disc brush may be configured, for example, by adding a ring-shaped weight to the rotating shaft portion and applying a load toward the wafer (pressing the disc brush against the wafer surface). Thus, it becomes possible to uniformly and evenly clean the wafer by adjusting the pressing force on the wafer.

また、洗浄装置1を構成するサイドブラシ35は、ウエハ10の厚さ寸法よりも大きい高さ寸法を有する円板状のブラシ(ディスクブラシ)として形成されている。前記サイドブラシ35は、支持体20上に支持されるウエハ10の周端側面10bと接触して該側面10bを洗浄できるように、ウエハ10の所定の周方向位置(本実施形態では、主平面ブラシ30と径方向でほぼ対向する位置)に設けられる。なお、本実施形態では、サイドブラシ35がウエハ10の周端側面10bと対向して1つ設けられるが、設置されるべきサイドブラシ35の数は任意である。   Further, the side brush 35 constituting the cleaning apparatus 1 is formed as a disc-shaped brush (disk brush) having a height dimension larger than the thickness dimension of the wafer 10. The side brush 35 is in contact with the peripheral end side surface 10b of the wafer 10 supported on the support 20 so that the side surface 10b can be cleaned in a predetermined circumferential position of the wafer 10 (in this embodiment, the main plane). Provided at a position substantially opposite to the brush 30 in the radial direction). In the present embodiment, one side brush 35 is provided to face the peripheral side surface 10b of the wafer 10, but the number of side brushes 35 to be installed is arbitrary.

また、サイドブラシ35は、図1に示されないが図5に示される駆動モータ60の駆動力を受けて回転されるようになっており、ウエハ10の周端側面10bと接触して回転することによりロールブラシ30によるウエハ10の回転の速度を調整できるようになっている。特に、本実施形態において、サイドブラシ35は、ウエハ10の回転にブレーキをかけるように回転することにより、すなわち、ロールブラシ30によるウエハ10の回転の速度よりも遅く回転することにより、その速度差に伴う摩擦でウエハ10の周端側面10bを洗浄するようになっている。   The side brush 35 is rotated by receiving the driving force of the driving motor 60 shown in FIG. 5 (not shown in FIG. 1), and rotates in contact with the peripheral side surface 10b of the wafer 10. Thus, the rotation speed of the wafer 10 by the roll brush 30 can be adjusted. In particular, in this embodiment, the side brush 35 is rotated so as to brake the rotation of the wafer 10, that is, by rotating slower than the rotation speed of the wafer 10 by the roll brush 30, the speed difference thereof. The peripheral end side surface 10b of the wafer 10 is cleaned by the friction caused by the above.

なお、サイドブラシ35は、例えばエアシリンダを使用して、ウエハ10の周端側面10bに対して離接自在に径方向に移動できるようにしてもよい。また、サイドブラシ35は、ウエハ10を支持体20に押し付けるようにウエハ10の周端側面10bに所定の接触圧で当て付くことによりウエハ10の回転時のブレ(径方向外側への振れ)を抑制するようにしてもよい。また、本実施形態において、サイドブラシ35は、モータ駆動により回転されるが、ウエハ10の回転に従動して自由に回転する構成であっても構わない。さらに、ロールブラシ30及びサイドブラシ35の回転方向については限定されることはない。   The side brush 35 may be moved in the radial direction so as to be detachable from the peripheral end side surface 10b of the wafer 10 by using, for example, an air cylinder. Further, the side brush 35 abuts against the peripheral end side surface 10b of the wafer 10 with a predetermined contact pressure so as to press the wafer 10 against the support body 20, thereby causing vibration (vibration outward in the radial direction) when the wafer 10 rotates. You may make it suppress. Further, in the present embodiment, the side brush 35 is rotated by a motor drive, but may be configured to freely rotate following the rotation of the wafer 10. Further, the rotation directions of the roll brush 30 and the side brush 35 are not limited.

また、本実施形態の洗浄装置1は、所定数の補助ローラ40を更に備える。本実施形態では、ウエハ10の表裏に2つずつ合計4つの補助ローラ40が設けられるが、設置されるべき補助ローラ40の数は任意であり、ウエハ10の表側、又は、裏面側のみに配設されていてもよい。   Further, the cleaning device 1 of the present embodiment further includes a predetermined number of auxiliary rollers 40. In the present embodiment, a total of four auxiliary rollers 40 are provided on the front and back sides of the wafer 10, but the number of auxiliary rollers 40 to be installed is arbitrary, and is arranged only on the front side or the back side of the wafer 10. It may be provided.

これらの補助ローラ40は、円筒状のロールブラシとして形成されており、前記ロールブラシ30とサイドブラシ35との間のウエハ10の周方向位置で(好ましくは、サイドブラシ35の近傍で)、ウエハ10の周端縁からロールブラシ30の長さよりも短い長さにわたってウエハ10の径方向に延びている。このような補助ローラ40は、ウエハ10の主表面10aと接触して回転することにより、ウエハ10の回転洗浄時にウエハ10が波打たないように(特にウエハ10の撓み(径方向に対して垂直な方向の撓み)が200μm以下となるように)安定させる撓み防止機能を果たす。   These auxiliary rollers 40 are formed as cylindrical roll brushes, and are positioned at the circumferential position of the wafer 10 between the roll brush 30 and the side brush 35 (preferably in the vicinity of the side brush 35). 10 extends from the peripheral edge of the wafer 10 in the radial direction of the wafer 10 over a length shorter than the length of the roll brush 30. Such an auxiliary roller 40 rotates in contact with the main surface 10a of the wafer 10 to prevent the wafer 10 from wavy during rotational cleaning of the wafer 10 (particularly with respect to the bending of the wafer 10 (relative to the radial direction). It achieves the function of preventing deflection that stabilizes (the deflection in the vertical direction) is 200 μm or less.

なお、補助ローラ40は、図示しない駆動モータの駆動力を受けて回転されるようになっており、また、例えばエアシリンダを使用してウエハ10の主表面10aに対して離接自在に移動するようにしてもよい。また、補助ローラ40は、ロールブラシ30の回転方向と同じ方向に回転してもよいが、逆方向に回転してもよい。逆方向に回転することにより、ウエハ10の主表面10aにこびり付いた汚れを落ち易くすることができる。あるいは、図2に示されるように、洗浄装置1Aは、補助ローラ40が設けられない構成であってもよい。   The auxiliary roller 40 is rotated by receiving a driving force of a driving motor (not shown), and moves detachably with respect to the main surface 10a of the wafer 10 using, for example, an air cylinder. You may do it. Moreover, although the auxiliary roller 40 may rotate in the same direction as the rotation direction of the roll brush 30, it may rotate in the reverse direction. By rotating in the reverse direction, the dirt stuck to the main surface 10a of the wafer 10 can be easily removed. Alternatively, as illustrated in FIG. 2, the cleaning device 1 </ b> A may have a configuration in which the auxiliary roller 40 is not provided.

また、本実施形態の洗浄装置1は、支持体20上に支持されるウエハ10の周端側面10bと接触するサイドブラシ35をウエハ10の中心Oへ向けて常時付勢する付勢機構を備える。特に、本実施形態において、この付勢機構は、サイドブラシ35に結合される錘に作用する重力を付勢力として利用することを特徴とする。具体的には、付勢機構は、図5に示されるように、一端がサイドブラシ35に直接的に或いは間接的に結合されるワイヤ(網糸)などの細い屈曲自在の線条体50と、線条体50に結合されるサイドブラシ35をウエハ10の中心Oへ向けて移動させる牽引方向(図5に矢印で示される方向;図1の破線矢印も参照)で線条体50を案内する案内手段と、線条体50の他端に結合されて鉛直方向に吊り下げられる錘55とを備える。   In addition, the cleaning apparatus 1 of the present embodiment includes a biasing mechanism that constantly biases the side brush 35 that contacts the peripheral end side surface 10 b of the wafer 10 supported on the support 20 toward the center O of the wafer 10. . In particular, in this embodiment, this urging mechanism uses the gravity acting on the weight coupled to the side brush 35 as the urging force. Specifically, as shown in FIG. 5, the urging mechanism includes a thin bendable linear member 50 such as a wire (net thread) whose one end is directly or indirectly coupled to the side brush 35. The guide member 50 is guided in a pulling direction (a direction indicated by an arrow in FIG. 5; see also a broken line arrow in FIG. 1) for moving the side brush 35 coupled to the guide member 50 toward the center O of the wafer 10. And a weight 55 coupled to the other end of the linear member 50 and suspended in the vertical direction.

前記案内手段については、例えば、線条体50を所定の方向に導くレールや線条体50が掛け渡される滑車58などを備え、これらはモータ60を支持するハウジング70やその他の支持部に支持されて設けられる。   The guide means includes, for example, a rail that guides the linear member 50 in a predetermined direction, a pulley 58 around which the linear member 50 is stretched, and the like, which are supported by a housing 70 that supports the motor 60 and other support portions. Is provided.

このような簡易な構成の付勢機構によれば、洗浄する部分の構造を簡易な構成にできるとともに、力の方向を変える滑車または滑りのある支点によって付勢力を得る位置を任意の位置に設定することができる。また、付勢力として錘55の重力を利用することにより、安定した付勢力を精度良く得ることができる。このように、本発明では、サイドブラシ35を保持する部分(本実施形態ではモータ60とされる)が、重力の作用によって、サイドブラシ35をウエハの端面に付勢するような構造となっていればよい。換言すれば、サイドブラシ35の回転中心軸が、ウエハの端面に向けて、重力の作用によって牽引されるような構造となっていればよい。このため、モータ60については、サイドブラシ35の下方に設置されていてもよいし、それ以外にも、例えば、ハウジング70に保持されて、ギヤトレイン等の動力伝達部材を介してサイドブラシの回転中心軸に連結されていてもよい。   According to the urging mechanism with such a simple configuration, the structure of the portion to be cleaned can be simplified, and the position where the urging force is obtained by the pulley that changes the direction of the force or the fulcrum with the slip is set to an arbitrary position. can do. Further, by using the gravity of the weight 55 as the urging force, a stable urging force can be obtained with high accuracy. Thus, in the present invention, the portion that holds the side brush 35 (which is the motor 60 in this embodiment) has a structure that urges the side brush 35 to the end surface of the wafer by the action of gravity. Just do it. In other words, it suffices if the rotation center axis of the side brush 35 is pulled by the action of gravity toward the end surface of the wafer. For this reason, the motor 60 may be installed below the side brush 35. In addition, for example, the motor 60 is held by the housing 70 and rotated by a side brush via a power transmission member such as a gear train. It may be connected to the central axis.

また、前記滑車58については、回転する案内ローラとして構成されたり、或いは非回転の湾曲面を有する案内部材として構成されていても良い。また、線条体50については、重量が作用する方向(軸方向)に伸縮しない構成であることが好ましく、これにより、錘55の負荷によって、サイドブラシ35が変位する(バラつく)ようなことがなく、安定して均一な洗浄をすることが可能となる。   Further, the pulley 58 may be configured as a rotating guide roller or may be configured as a guide member having a non-rotating curved surface. Further, the linear body 50 is preferably configured not to expand and contract in the direction in which the weight acts (axial direction), and thereby the side brush 35 is displaced (varied) by the load of the weight 55. It is possible to perform stable and uniform cleaning.

さらに、前記錘55については、線条体50に着脱可能であってもよく、錘55は増減可能であってもよい。また、本実施形態では、付勢機構は、錘55に作用する重力を付勢力として利用したが、コイルバネ等のバネ力、ゴム材料等の材料の引張り弾性力を付勢力として利用するようにしてもよい。   Further, the weight 55 may be detachable from the filament 50, and the weight 55 may be increased or decreased. In this embodiment, the urging mechanism uses the gravity acting on the weight 55 as the urging force. However, the urging mechanism uses a spring force such as a coil spring or a tensile elastic force of a material such as a rubber material as the urging force. Also good.

また、本実施形態の洗浄装置1では、各ブラシ30,35および補助ローラ40の回転速度および接触圧力において一定の関係を保つように構成されている。例えば、ロールブラシ30の回転速度V1がサイドブラシ35の回転速度V2よりも大きく、サイドブラシ35の回転速度V2が補助ローラ40の回転速度V3以上に設定されている(V1>V2≧V3)ことが好ましい。具体的には、ロールブラシ30の回転速度V1が100〜300rpm(例えば200rpm)に設定され、サイドブラシ35の回転速度V2が10〜50rpm(例えば20rpm)に設定され、補助ローラ40の回転速度V3が6〜8rpmに設定される。   Further, the cleaning device 1 of the present embodiment is configured to maintain a certain relationship in the rotation speeds and contact pressures of the brushes 30 and 35 and the auxiliary roller 40. For example, the rotational speed V1 of the roll brush 30 is higher than the rotational speed V2 of the side brush 35, and the rotational speed V2 of the side brush 35 is set to be equal to or higher than the rotational speed V3 of the auxiliary roller 40 (V1> V2 ≧ V3). Is preferred. Specifically, the rotation speed V1 of the roll brush 30 is set to 100 to 300 rpm (for example, 200 rpm), the rotation speed V2 of the side brush 35 is set to 10 to 50 rpm (for example, 20 rpm), and the rotation speed V3 of the auxiliary roller 40 is set. Is set to 6-8 rpm.

また、接触圧力に関しては、ウエハ10に対するロールブラシ30の接触圧力P1がウエハ10に対するサイドブラシ35の接触圧力P2よりも大きく、ウエハ10に対するサイドブラシ35の接触圧力P2がウエハ10に対する補助ローラ40の接触圧力P3よりも大きく設定されていることが好ましい。   Regarding the contact pressure, the contact pressure P1 of the roll brush 30 with respect to the wafer 10 is larger than the contact pressure P2 of the side brush 35 with respect to the wafer 10, and the contact pressure P2 of the side brush 35 with respect to the wafer 10 is greater than that of the auxiliary roller 40 with respect to the wafer 10. It is preferable that the pressure is set larger than the contact pressure P3.

回転速度および接触圧力の関係を、上記のように設定することにより、ウエハ10に対する洗浄効果を高めつつウエハ10の回転時の径方向の振れを抑制または防止できる。すなわち、ウエハ10の回転時の径方向外側への振れが5.0mm程度あっても良好な洗浄効果を得ることができ、更には、肉厚の薄いウエハ(被洗浄体)であっても安定した状態で確実に洗浄することが可能となる。   By setting the relationship between the rotation speed and the contact pressure as described above, it is possible to suppress or prevent radial deflection during rotation of the wafer 10 while enhancing the cleaning effect on the wafer 10. That is, a good cleaning effect can be obtained even if the wafer 10 is swung about 5.0 mm radially outward during rotation, and even a thin wafer (object to be cleaned) is stable. In this state, it is possible to perform cleaning with certainty.

次に、上記構成の洗浄装置1によってウエハ10を洗浄する動作について簡単に説明する。
まず、洗浄されるべきウエハ10がオペレータによって手動で或いは搬送ロボットにより自動で洗浄装置1内に搬入される。このとき、支持体20(20a〜20f)によって取り囲まれる円形の支持領域内に障害なくウエハ10を搬入できるように、各ブラシ30,35および補助ローラ40は、前述したエアシリンダなどの移動機構により所定の待機位置に待避される。
Next, an operation of cleaning the wafer 10 by the cleaning apparatus 1 having the above configuration will be briefly described.
First, a wafer 10 to be cleaned is carried into the cleaning apparatus 1 manually by an operator or automatically by a transfer robot. At this time, the brushes 30 and 35 and the auxiliary roller 40 are moved by a moving mechanism such as the air cylinder described above so that the wafer 10 can be carried into the circular support region surrounded by the support 20 (20a to 20f) without any obstacles. It is evacuated to a predetermined standby position.

支持体20(20a〜20f)によって取り囲まれる円形の支持領域内にウエハ10が搬入されて支持体20上にウエハ10が支持されると、続いて各ブラシ30,35および補助ローラ40が所定の洗浄位置へと移動される。このとき、各ブラシ30,35および補助ローラ40は前述した所定の接触圧力関係をもってウエハ10の主表面10aおよび周端側面10bに接触するとともに、好ましくは、ウエハ10を上下から挟持するロールブラシ30によってウエハ10を支持体20の受け面22上から若干浮き上がらせる。このようにすることで、ウエハ10の回転時の支持体20による摩擦抵抗を無くすことができる。   When the wafer 10 is loaded into the circular support region surrounded by the support 20 (20a to 20f) and the wafer 10 is supported on the support 20, the brushes 30 and 35 and the auxiliary roller 40 are subsequently set in a predetermined manner. Moved to the cleaning position. At this time, the brushes 30 and 35 and the auxiliary roller 40 are in contact with the main surface 10a and the peripheral end side surface 10b of the wafer 10 with the above-described predetermined contact pressure relationship, and preferably the roll brush 30 that holds the wafer 10 from above and below. Thus, the wafer 10 is slightly lifted from the receiving surface 22 of the support 20. By doing in this way, the frictional resistance by the support body 20 at the time of rotation of the wafer 10 can be eliminated.

そして、この状態で、今度は、モータによって各ブラシ30,35および補助ローラ40が前述した所定の回転速度関係をもって回転駆動される。このときの回転方向が図1,3,4に矢印で示されている(上下のロールブラシ30は、ウエハ10を一定方向に抵抗なく回転させるために、互いに逆方向に回転される)。この回転により、ウエハ10が回転されるとともに、支持体20もウエハ10の回転に追従して回転する。そして、このような回転状態で、図示しない噴射ノズルにより洗浄液がウエハ10の周囲から吹き付けられるとともに、必要に応じてブラシ30,35からも洗浄液が供給され、ロールブラシ30によってウエハ10の主表面10aが洗浄される。また、これとともに、サイドブラシ35によってウエハ10の周端側面10bが洗浄され、さらに、補助ローラ40の例えば逆向きの回転によってウエハ10の主表面10aにこびり付いた汚れの剥離が促進される。   In this state, the brushes 30 and 35 and the auxiliary roller 40 are now driven to rotate by the motor with the predetermined rotational speed relationship. The rotation directions at this time are indicated by arrows in FIGS. 1, 3 and 4 (the upper and lower roll brushes 30 are rotated in opposite directions to rotate the wafer 10 in a certain direction without resistance). By this rotation, the wafer 10 is rotated and the support 20 is also rotated following the rotation of the wafer 10. In such a rotating state, the cleaning liquid is sprayed from the periphery of the wafer 10 by an unillustrated spray nozzle, and the cleaning liquid is also supplied from the brushes 30 and 35 as necessary, and the main surface 10a of the wafer 10 is supplied by the roll brush 30. Is washed. At the same time, the side end surface 10b of the wafer 10 is cleaned by the side brush 35, and further, for example, the auxiliary roller 40 is rotated in the reverse direction to promote the separation of dirt stuck to the main surface 10a of the wafer 10.

そして、この洗浄工程では、前述した付勢機構が設けられていることにより、ウエハ10の周端側面10bに接触して側面10bを洗浄するサイドブラシ35がウエハ10の中心Oへ向けて常時付勢されるため、サイドブラシ35は、ウエハ10のオリフラ10cと対向した場合でも、ウエハ10の外周の輪郭に追従するように径方向内側に移動してオリフラ10cと所望の圧力で接触できる。この結果、ウエハ10は、オリフラ10cも含め、全周にわたって周端側面10bが確実に洗浄される。   In this cleaning step, the biasing mechanism described above is provided, so that the side brush 35 that cleans the side surface 10 b in contact with the peripheral side surface 10 b of the wafer 10 is always applied toward the center O of the wafer 10. Therefore, even when the side brush 35 faces the orientation flat 10c of the wafer 10, the side brush 35 moves inward in the radial direction so as to follow the contour of the outer periphery of the wafer 10 and can contact the orientation flat 10c with a desired pressure. As a result, the peripheral end side surface 10b of the wafer 10 including the orientation flat 10c is reliably cleaned over the entire periphery.

以上のようにして、洗浄装置1内での洗浄が完了すると、続いて、乾燥工程へと移行する。具体的には、この乾燥工程では、図6および図7に示される乾燥装置90内へウエハ10が手動または自動で搬入される。図6および図7に示されるように、乾燥装置90は、ハウジング91内にターンテーブル92が回転可能に配置された形態を成しており、円形の配置形態を成してターンテーブル92上に設けられる複数の支持体93によってウエハ10を支持するようになっている。また、乾燥装置90は、ターンテーブル92によって回転されるウエハ10に対して乾燥ガスを吹き付けるための上下面用の噴射ノズル94を備えている。この場合、下面(裏面用)の噴射ノズルについては、回転軸内に設置される構成であってもよい。   As described above, when the cleaning in the cleaning apparatus 1 is completed, the process proceeds to the drying process. Specifically, in this drying process, the wafer 10 is manually or automatically carried into the drying apparatus 90 shown in FIGS. As shown in FIGS. 6 and 7, the drying device 90 has a configuration in which a turntable 92 is rotatably arranged in a housing 91, and is arranged on the turntable 92 in a circular configuration. The wafer 10 is supported by a plurality of supports 93 provided. Further, the drying device 90 includes upper and lower spray nozzles 94 for spraying dry gas onto the wafer 10 rotated by the turntable 92. In this case, the lower surface (for the back surface) injection nozzle may be configured to be installed in the rotating shaft.

ここで、この乾燥装置90は、ウエハ10を支持体93に対して固定するための従来のチャックを不要にするガス吹き付け形態を特徴としている。従来のチャックは、例えば、ターンテーブル92の回転時にその回転遠心力によって振り子のように傾動してウエハ10の周縁をチャックするようになっているが、洗浄時にウエハ10上に残存した洗浄液がターンテーブル92の回転による遠心力でウエハ10の外周方向に移動してチャック部分に溜まり、この溜まった洗浄時の異物を含んだ洗浄液が空気中の異物も吸着しつつ乾燥ガスによって乾燥固化し易い。そして、このような乾燥固化物はウエハ不良(歩留まり低下)の原因となり好ましくない。   Here, the drying device 90 is characterized by a gas spraying configuration that eliminates the need for a conventional chuck for fixing the wafer 10 to the support 93. In the conventional chuck, for example, when the turntable 92 is rotated, the rotating centrifugal force is tilted like a pendulum to chuck the peripheral edge of the wafer 10, but the cleaning liquid remaining on the wafer 10 during the cleaning is turned. The centrifugal force generated by the rotation of the table 92 moves in the outer peripheral direction of the wafer 10 and accumulates in the chuck portion. The accumulated cleaning liquid containing the foreign matters at the time of cleaning is easily dried and solidified by the dry gas while adsorbing foreign matters in the air. Such a dried and solidified product is not preferable because it causes a wafer defect (decrease in yield).

そのため、この乾燥装置90では、支持体93により周縁が支持されるウエハ10の主表面10aを全体的に開放した状態で噴射ノズル94からウエハ10の主表面10aに対して乾燥ガスを吹き付ける際、上方から下方へ向かう吹き付け量をその他の方向への吹き付け量に対して多くするとともに、図示しない吸引口を通じて乾燥ガスを下方へ吸引することにより、その吸引力で同時にウエハ10をターンテーブル92側(支持体93)に押し付けて保持する(ウエハ10の浮き上がりを防止する)ようにしている。そのため、前述した問題を来す従来のチャックが不要となる。   Therefore, in this drying apparatus 90, when spraying a dry gas from the spray nozzle 94 to the main surface 10a of the wafer 10 with the main surface 10a of the wafer 10 supported at the periphery by the support 93 being totally open, The amount of spraying from above to below is increased with respect to the amount of spraying in the other direction, and the dry gas is sucked downward through a suction port (not shown), so that the wafer 10 is simultaneously pulled by the suction force on the turntable 92 side ( The support 93 is pressed against and held (to prevent the wafer 10 from being lifted). This eliminates the need for a conventional chuck that causes the aforementioned problems.

なお、図6および図7には、噴射ノズル94からの乾燥ガスの流れが矢印で示されている。このように、乾燥ガスの大部分は、ウエハ10の外周縁を支持体93に対して押し付けるように流れて、支持体93間の隙間を抜けるように下方へと吸引される。   In FIGS. 6 and 7, the flow of the dry gas from the injection nozzle 94 is indicated by arrows. In this way, most of the dry gas flows so as to press the outer peripheral edge of the wafer 10 against the support 93, and is sucked downward so as to pass through the gap between the supports 93.

なお、支持体93の支柱部93aに上下に貫通するスリット(図示せず)を形成することが好ましい。このようなスリットは、乾燥時に洗浄液を逃がして、支持体93に洗浄液が残存付着することを防止し、洗浄液と共に汚れや異物が支持体93付近に残留することを防止できる。   In addition, it is preferable to form a slit (not shown) penetrating vertically in the support column 93a of the support 93. Such slits allow the cleaning liquid to escape during drying and prevent the cleaning liquid from remaining on the support 93 and prevent dirt and foreign matter from remaining in the vicinity of the support 93 together with the cleaning liquid.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能である。例えば、前述した付勢機構は、サイドブラシ35の任意の位置で付勢力をサイドブラシ35に与えてもよいが、少なくともサイドブラシ35がウエハ10の周端側面10bと接触する接触位置で付勢力をサイドブラシ35に与えればよい。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation implementation is possible in the range which does not deviate from the summary. For example, the urging mechanism described above may apply the urging force to the side brush 35 at an arbitrary position of the side brush 35, but the urging force is at least in a contact position where the side brush 35 contacts the peripheral end side surface 10 b of the wafer 10. To the side brush 35.

1 洗浄装置
10 ウエハ(被洗浄体)
10a 主表面
10b 周端側面
20 支持体
30 主表面ブラシ(ロールブラシ)
35 側面(端面)ブラシ(サイドブラシ)
40 補助ローラ
50 線条体(付勢機構)
55 錘(付勢機構)
58 滑車(付勢機構)
1 Cleaning device 10 Wafer (object to be cleaned)
10a main surface 10b peripheral end side surface 20 support 30 main surface brush (roll brush)
35 Side (end face) brush (side brush)
40 Auxiliary roller 50 Striated body (biasing mechanism)
55 weight (biasing mechanism)
58 pulley (biasing mechanism)

Claims (6)

被洗浄体を位置規制しつつ回転可能に支持する支持体と、前記支持体上に支持された前記被洗浄体の主表面に接触して回転することにより前記主表面をスクラブ洗浄する主表面ブラシと、前記被洗浄体の周端側面に接触して該側面を洗浄する回転可能な側面ブラシとを備える洗浄装置であって、
前記支持体上に支持される前記被洗浄体の周端側面と接触する前記側面ブラシを前記被洗浄体の中心へ向けて常時付勢する付勢機構を備えることを特徴とする洗浄装置。
A support that rotatably supports the position of the object to be cleaned, and a main surface brush that scrubs and cleans the main surface by rotating in contact with the main surface of the object to be cleaned supported on the support And a cleaning device comprising a rotatable side brush that contacts the peripheral side surface of the object to be cleaned and cleans the side surface,
A cleaning apparatus comprising: an urging mechanism that constantly urges the side brush, which is in contact with a peripheral side surface of the object to be cleaned, supported on the support, toward the center of the object to be cleaned.
前記付勢機構は、前記側面ブラシに結合される錘に作用する重力を付勢力として利用することを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。   The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the biasing mechanism uses gravity acting on a weight coupled to the side brush as a biasing force. 前記主表面ブラシと前記側面ブラシとの間には前記被洗浄体の主表面と接触して回転する補助ローラが更に設けられることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の洗浄装置。   The cleaning apparatus according to claim 1, wherein an auxiliary roller that rotates in contact with the main surface of the object to be cleaned is further provided between the main surface brush and the side brush. 前記主表面ブラシは、前記被洗浄体の周端縁から前記被洗浄体の中心を越える長さにわたって前記被洗浄体の径方向に延び、前記補助ローラは、前記被洗浄体の周端縁から前記主表面ブラシの長さよりも短い長さにわたって前記被洗浄体の径方向に延びることを特徴とする請求項3に記載の洗浄装置。   The main surface brush extends from the peripheral edge of the object to be cleaned in a radial direction of the object to be cleaned over a length exceeding the center of the object to be cleaned, and the auxiliary roller extends from the peripheral edge of the object to be cleaned. The cleaning apparatus according to claim 3, wherein the cleaning object extends in a radial direction of the object to be cleaned over a length shorter than a length of the main surface brush. 前記主表面ブラシの回転速度が前記側面ブラシの回転速度よりも大きく、前記側面ブラシの回転速度が前記補助ローラの回転速度以上であることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の洗浄装置。   The cleaning speed according to claim 3 or 4, wherein a rotation speed of the main surface brush is higher than a rotation speed of the side brush, and a rotation speed of the side brush is equal to or higher than a rotation speed of the auxiliary roller. apparatus. 前記被洗浄体に対する前記主表面ブラシの接触圧力が前記被洗浄体に対する前記側面ブラシの接触圧力よりも大きく、前記被洗浄体に対する前記側面ブラシの接触圧力が前記被洗浄体に対する前記補助ローラの接触圧力よりも大きいことを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の洗浄装置。  The contact pressure of the main surface brush with respect to the object to be cleaned is larger than the contact pressure of the side brush with respect to the object to be cleaned, and the contact pressure of the side brush with respect to the object to be cleaned is in contact with the auxiliary roller with respect to the object to be cleaned. The cleaning apparatus according to claim 3, wherein the cleaning apparatus is larger than the pressure.
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