JP2015213949A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、炭酸ガスレーザを用いてガラス板に穴あけする場合に好適なレーザ加工方法に係るものである。
近年、携帯電話、薄型テレビ、パソコンディスプレイ等の普及に伴い、ICチップ(シ
リコン:2.6ppm/℃)とマザーボード(FR4等の樹脂:横方向10〜15ppm/℃)との熱膨張率の差を緩和するために、その中間的な熱膨張率を持つガラス板(例えば無アルカリガラスの場合3.8〜4.9ppm/℃)に貫通穴をあけ、貫通電極を形成してICチップへの中継基板(インターポーザ)とする需要が高まっている。
リコン:2.6ppm/℃)とマザーボード(FR4等の樹脂:横方向10〜15ppm/℃)との熱膨張率の差を緩和するために、その中間的な熱膨張率を持つガラス板(例えば無アルカリガラスの場合3.8〜4.9ppm/℃)に貫通穴をあけ、貫通電極を形成してICチップへの中継基板(インターポーザ)とする需要が高まっている。
従来、ガラス基板への穴あけは(超音波)ドリル加工が主流であったが、ドリルの激しい磨耗やクラックが入りやすいなどの問題があった(特許文献1段落0004参照)。そのため、レーザによる穴あけ加工が検討されているが、高出力が得られる炭酸ガスレーザではやはりクラックが入りやすいなどの問題があり(例えば、特許文献1段落0014、特許文献2段落0004参照)、紫外線レーザが主流であった(例えば、特許文献2、特許文献3参照)。尚、特許文献1には、炭酸ガスレーザでのガラス基板への穴あけ加工方法が開示されているが、穴壁面の品質が悪いために紫外線レーザを用いて仕上げ加工を行うというものである。
しかしながら、UVレーザやピコ秒グリーンレーザを用いた場合は2穴/秒程度の生産性であるのに対し、高出力の炭酸ガスレーザを用いた場合は500穴/秒以上の生産性を期待できるため、炭酸ガスレーザでの加工方法の確立が急がれているが、厚さ100μmのガラス基板に穴あけを行うとき、穴のピッチが125μm未満では穴の周りにクラックが入ってしまう場合があることがわかった。
図3は、厚さ100μmの無アルカリガラス基板に対し、穴ピッチ100μmで連続的に加工した場合のセナルモン光学系により撮影した暗視野像(a)と明視野像(b)の図面代用写真を示す。この暗視野像(a)の中で、穴の周りで模様が乱れている部分(四角で囲んだ部分)は、穴の周りの応力分布が乱れている部分であり、この部分を拡大して明視野像にしたものが明視野像(b)である。明視野像(b)を見ると、穴の周りにクラックが入り、さらにはレーザ光が照射されて溶融したガラスがデブリのように表面に流れ出て固まっていることがわかる。
このような場合、特許文献4に記載されているごとく、穴をあける順番を菱形格子状にする加工がまず考えられるが、やはりクラックが発生することがわかった。
本発明の目的は、ピッチが狭い穴を連続的に加工しても穴の周りにクラックが入らないようにすることにある。
上記課題を解決するため、本発明では、炭酸ガスレーザを用いてガラス板に穴あけするレーザ加工方法において、加工予定の穴を複数のグループに分け当該グループ内での加工ピッチは加工予定の穴のピッチよりも大きくして当該グループ毎に穴あけを行う工程と、各グループ毎での前記穴あけ工程の後に行う歪取りのためのアニーリング工程とを含むことを特徴とする。
本発明により、ピッチが狭い穴を連続的に加工しても穴の周りにクラックが入らないようにすることができる。
図4は本発明に係るレーザ加工装置の概略図である。レーザ加工装置の光学系は、レーザ発振器8、ビーム径調整器20、パルス整形器21、X方向及びY方向にレーザビームを偏向するためのガルバノミラー1a,1b、ガルバノモータ2a,2b及びガルバノ制御部3a,3bからなるガルバノスキャナ、Fθレンズ22、及びこれらを制御する制御装置52から基本的に構成されており、ガラス基板50を載置してX方向及びY方向に移動できるX−Yテーブル51を有する。レーザ発振器8は波長9.4μmのレーザビーム9をパルス出力する炭酸ガスレーザ発振器である。レーザ発振器8から出力されたレーザビーム9は、ビーム径調整器20により外径を整形され、音響光学変調器21(以下、「AOM21」という。)により、加工条件に合わせたパルス幅に変調されたレーザビーム9kを加工用の光軸に分岐する。なお、変調されたレーザビーム9k以外の廃棄レーザビーム9dは図示を省略するダンパに照射され、熱に変換される。
以下、本発明に係るレーザ加工方法について図1を用いて説明する。加工予定の穴のピッチは100μmとする。まず、穴あけの一列目を1番目から一つ置きに行い、二列目では2番目から一つ置きに行う(ステップ1)。以下、同様に互い違いに、菱形格子状になるようにして穴あけを行う。これにより、加工される穴の最小間隔をピッチ100μmの1.4倍にすることができる。
次に、歪取りのためのアニーリングを行う。その温度は使用した無アルカリガラスの歪点650℃であり、時間は5分間である。アニーリング温度は歪点より上は+10度、下は−20度の範囲内で設定できるが、低い温度でアニーリングするためには時間を延長する必要がある。
その後、ステップ1で後回しにした残りの穴のグループの穴あけを行う(ステップ2)。このように、まず加工予定の穴を、クラックの入らない間隔を持つ2つのグループに分け、第1グループを加工した後に歪取りアニーリングを行った後、第2グループを加工する。これにより、穴の周りにクラックが入らないで穴あけを行うことができる。
図2は、本発明に係るレーザ加工方法により、後述する加工条件で穴あけした試料の暗視野像(a)と明視野像(b)で、第2グループの加工を行った直後の歪取りアニーリングを行う前のものである。明視野像(b)は図3(b)と同様の部分拡大画面である。暗視野像(a)では、ステップ1で加工した穴の周りの残留応力が歪取りアニーリングによって緩和してパターンが現れず、ステップ2で加工した穴の周りだけに残留応力が発生していることを示している。
前述の加工条件は下記の通りである。
ガラス板:無アルカリガラス(歪点650℃)、厚さ100μm
保護シート:ポリエチレンテレフタレート(PET)、厚さ125μm
レーザ:炭酸ガスレーザ(9.4μm)、平均パワー24W、
繰り返し周波数:5kHz、
パルス幅 :36μs、
加工穴個数:10201個
ガラス板:無アルカリガラス(歪点650℃)、厚さ100μm
保護シート:ポリエチレンテレフタレート(PET)、厚さ125μm
レーザ:炭酸ガスレーザ(9.4μm)、平均パワー24W、
繰り返し周波数:5kHz、
パルス幅 :36μs、
加工穴個数:10201個
本実施例では加工予定の穴のピッチが100μmであるが、ステップ1における上下左右の穴ピッチは200μm、加工される穴の最小間隔は140μmとなる。より狭いピッチの穴をあける場合には、一つ置きではクラックの入らない加工ピッチ125μm以上を達成できない場合がある。その場合には、加工予定の穴を、グループ内の穴あけにより穴の周りにクラックが入ることの無い穴のピッチ(125μm)以上となるように、より多くのグループに分け、各グループの穴あけ工程の間に歪取りのためのアニーリング工程を行う。
また、本実施例では、無アルカリガラスを用いたが、他にホウ珪酸ガラスやソーダライムガラス等のガラス一般に対して適用できる。但し、その場合アニーリング温度を、ホウ珪酸ガラス、ソーダライムガラスの歪点がそれぞれ560℃程度、510℃程度であることを考慮して決定する必要がある。
1a ガルバノミラー(X軸)、 1b ガルバノミラー(Y軸)
2a ガルバノモータ(X軸)、 2b ガルバノモータ(Y軸)
3a ガルバノ制御部(X軸)、 3b ガルバノ制御部(Y軸)
8 レーザ発振器、 9 レーザビーム、 9k 変調後のレーザビーム
9d ダンパに向かうレーザビーム、 20 ビーム径調整器
21 音響光学変調器(AOM)、 22 集光レンズ
50 ガラス基板、 51 X−Yテーブル、 52 制御部
2a ガルバノモータ(X軸)、 2b ガルバノモータ(Y軸)
3a ガルバノ制御部(X軸)、 3b ガルバノ制御部(Y軸)
8 レーザ発振器、 9 レーザビーム、 9k 変調後のレーザビーム
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21 音響光学変調器(AOM)、 22 集光レンズ
50 ガラス基板、 51 X−Yテーブル、 52 制御部
Claims (1)
- 炭酸ガスレーザを用いてガラス板に穴あけするレーザ加工方法において、加工予定の穴を複数のグループに分け当該グループ内での加工ピッチは加工予定の穴のピッチよりも大きくして当該グループ毎に穴あけを行う工程と、各グループ毎での前記穴あけ工程の後に行う歪取りのためのアニーリング工程とを含むことを特徴とするレーザ加工方法。
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JP2014098173A JP2015213949A (ja) | 2014-05-09 | 2014-05-09 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014098173A JP2015213949A (ja) | 2014-05-09 | 2014-05-09 | レーザ加工方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015213949A JP2015213949A (ja) | 2015-12-03 |
JP2015213949A5 true JP2015213949A5 (ja) | 2017-04-27 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014098173A Pending JP2015213949A (ja) | 2014-05-09 | 2014-05-09 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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2014
- 2014-05-09 JP JP2014098173A patent/JP2015213949A/ja active Pending
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