JP2015210080A - Surface acoustic wave sensor - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave sensor that can separate a plurality of analyte liquids having a droplet performed, and can attain a plurality of different inspections.SOLUTION: A surface acoustic wave sensor comprises: a piezoelectric element substrate that propagates a surface acoustic wave; and a convexity member in which a channel has an electrode performing a conversion of an electric signal and the surface acoustic wave, and a plurality of detection areas, which is arranged in a propagation path of the surface acoustic wave and into which a liquid serving as an analyte is introduced, is plurally provided in a direction perpendicular to a propagation direction, and which is longer than a side facing an adjacent detection area.

Description

本発明は、弾性表面波センサに関する。   The present invention relates to a surface acoustic wave sensor.

弾性表面波センサは、検体である液体又は液体中に含まれる検体(検査対象となる物質)を検査(又は成分分析)するためのセンサである。
一般に、弾性表面波センサは、圧電性基板上に形成された1対の櫛形電極(IDT(Inter Digital Transducer))と、その1対の櫛形電極の間に形成され、検体である液体が滴下される検出領域とを備えている。
The surface acoustic wave sensor is a sensor for inspecting (or component analysis) a liquid as a specimen or a specimen (substance to be examined) contained in the liquid.
In general, a surface acoustic wave sensor is formed between a pair of comb electrodes (IDT (Inter Digital Transducer)) formed on a piezoelectric substrate and the pair of comb electrodes, and a liquid as a specimen is dropped. Detection area.

特許文献1には、1つの圧電基板上に複数の弾性表面波センサを備える弾性表面波センサが提案されている。特許文献1に記載された弾性表面波センサは、複数の検出領域を備えているため、1つの圧電基板上で複数の物質の検出や物性値等の測定を同時に行うことができる。または、複数の検出領域を備えているため、検出領域に個別の認識機能を持たせることで、1つの検体を同時に複数の異なる検査をすることも可能である。   Patent Document 1 proposes a surface acoustic wave sensor including a plurality of surface acoustic wave sensors on one piezoelectric substrate. Since the surface acoustic wave sensor described in Patent Document 1 includes a plurality of detection regions, it can simultaneously detect a plurality of substances and measure physical properties on one piezoelectric substrate. Alternatively, since a plurality of detection regions are provided, it is possible to simultaneously perform a plurality of different tests on one specimen by providing the detection regions with individual recognition functions.

特開2013−96866号公報JP 2013-96866 A

しかしながら、特許文献1に記載の弾性表面波センサは、各検出領域にそれぞれ異なる検体液を滴下する場合に、検出領域に滴下する検体液の量および滴下位置が不均一になりやすい。よって、検体液の量が多い場合や滴下位置が中心から大きくずれる場合、検体液が異なる検出領域に流れてしまい、複数の検体液を分離できない場合があった。
また、各検出領域に個別にバイオ膜を溶液により形成する場合にも、異なる検出領域に流れてしまい、各検出領域に個別にバイオ膜を形成できない場合があった。
However, in the surface acoustic wave sensor described in Patent Document 1, when different specimen liquids are dropped on each detection area, the amount and the dropping position of the specimen liquid dropped on the detection area are likely to be uneven. Therefore, when the amount of the sample liquid is large or when the dropping position is greatly deviated from the center, the sample liquid may flow to different detection regions, and a plurality of sample liquids may not be separated.
In addition, when a biofilm is individually formed with a solution in each detection region, it may flow to a different detection region, and a biofilm may not be formed individually in each detection region.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的は、液滴された複数の検体液を分離することができることと複数の異なる検査を実現できる弾性表面波センサを提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave sensor capable of separating a plurality of droplets of a specimen liquid and realizing a plurality of different tests. It is.

本発明の一態様は、弾性表面波を伝播する圧電素子基板と、電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極と、前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される複数の検出領域とを有するチャンネルが伝搬方向の垂直方向に複数設けられ、隣接する検出領域に対向する辺より長い凸部材と、を備える弾性表面波センサである。   In one embodiment of the present invention, a piezoelectric element substrate that propagates a surface acoustic wave, an electrode that converts an electric signal and the surface acoustic wave, and a liquid that is a specimen are disposed in a propagation path of the surface acoustic wave. A surface acoustic wave sensor comprising: a plurality of channels each having a plurality of detection regions provided in a direction perpendicular to the propagation direction; and a convex member longer than a side facing the adjacent detection region.

本発明の一態様は、上述した弾性表面波センサであって、前記検出領域の外側に前記凸部材をさらに設ける。   One aspect of the present invention is the surface acoustic wave sensor described above, further including the convex member outside the detection region.

本発明の一態様は、上述した弾性表面波センサであって、前記凸部材は、中央部分に所定の深さの溝を設ける請求項1又は請求項2に記載の弾性表面波センサ。   One aspect of the present invention is the surface acoustic wave sensor described above, wherein the convex member is provided with a groove having a predetermined depth in a central portion.

本発明の一態様は、上述した弾性表面波センサであって、前記凸部材の溝の幅は、前記弾性表面波の伝搬方向に対して垂直方向の前記検出領域の距離の10分の1以上長い。   One aspect of the present invention is the above-described surface acoustic wave sensor, wherein the width of the groove of the convex member is one tenth or more of the distance of the detection region in the direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave. long.

本発明の一態様は、上述した弾性表面波センサであって、前記凸部材は、高さが異なる複数の段部から構成される。   One aspect of the present invention is the surface acoustic wave sensor described above, wherein the convex member includes a plurality of step portions having different heights.

本発明の一態様は、上述した弾性表面波センサであって、前記電極が液体と接触することを防ぐ封止構造とをさらに備え、前記複数の凸部材は、互いに交わらずに前記封止構造まで伸長する。   One aspect of the present invention is the above-described surface acoustic wave sensor, further including a sealing structure that prevents the electrode from coming into contact with a liquid, wherein the plurality of convex members are not crossed with each other. Extend to.

本発明の一態様は、上述した弾性表面波センサであって、前記複数の凸部材は、表面が疎水性である。   One aspect of the present invention is the surface acoustic wave sensor described above, wherein the plurality of convex members have a hydrophobic surface.

以上説明したように、本発明によれば、液滴された複数の検体液を分離することができることと複数の異なる検査を実現できる弾性表面波センサを提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a surface acoustic wave sensor capable of separating a plurality of droplets of a specimen liquid and realizing a plurality of different tests.

本発明の第1実施形態の弾性表面波センサ(以下、SAWセンサ)の概略構成を示した模式図である。1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of a surface acoustic wave sensor (hereinafter, a SAW sensor) according to a first embodiment of the present invention. 凸部20の構造のパターンを説明する概略的な断面図である。3 is a schematic cross-sectional view for explaining a pattern of a structure of a convex portion 20. FIG. 反応領域薄膜13へ検体液を滴下したときの一例を示す図である。It is a figure which shows an example when a test substance liquid is dripped at the reaction area | region thin film. 本発明の第2実施形態のSAWセンサの概略構成を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed schematic structure of the SAW sensor of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態のSAWセンサの概略構成を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed schematic structure of the SAW sensor of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態のSAWセンサの概略構成を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed schematic structure of the SAW sensor of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態のSAWセンサの概略構成を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed schematic structure of the SAW sensor of 5th Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態のSAWセンサ1の駆動回路の一例を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating an example of the drive circuit of SAW sensor 1 of 1st Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態のSAWセンサ1−1の駆動回路の一例を説明するためのブロック図である。It is a block diagram for demonstrating an example of the drive circuit of SAW sensor 1-1 of 3rd Embodiment of this invention.

(第1実施形態)
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施形態に係るSAWセンサ1の概略的な模式図である。図1(a)は、SAWセンサ1の概略的な上面図であり、図1(b)はSAWセンサ1を切断面Aから見た概略的な断面図である。また、図1(c)はSAWセンサ1を切断面Bから見た概略的な断面図である。
(First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram of a SAW sensor 1 according to this embodiment. FIG. 1A is a schematic top view of the SAW sensor 1, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1 as viewed from the cut surface A. FIG. 1C is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1 as viewed from the cut surface B.

SAWセンサ1(弾性表面波センサ)は、圧電素子基板10、複数の櫛形電極11(櫛形電極11−1〜11−4)、複数の反応領域薄膜13(13−1、13−2)、複数の封止構造14(14−1、14−2)及び凸部材20(20−1〜20−6)を含んでいる。   The SAW sensor 1 (surface acoustic wave sensor) includes a piezoelectric element substrate 10, a plurality of comb-shaped electrodes 11 (comb-shaped electrodes 11-1 to 11-4), a plurality of reaction region thin films 13 (13-1, 13-2), a plurality of The sealing structure 14 (14-1, 14-2) and the convex member 20 (20-1 to 20-6) are included.

圧電素子基板10は、SAW(弾性表面波)を伝播する基板である。圧電素子基板10は、横波の伝播する弾性表面波が好適であり、例えば36度Y板90度X伝播の水晶基板や36度Y板X伝搬LiTaOである。 The piezoelectric element substrate 10 is a substrate that propagates SAW (surface acoustic wave). The piezoelectric element substrate 10 is preferably a surface acoustic wave through which a transverse wave propagates, such as a 36 ° Y plate 90 ° X propagation quartz substrate or a 36 ° Y plate X propagation LiTaO 3 .

櫛形電極11は、圧電素子基板10上に構成される電極である。櫛形電極11は、対向した一対の電極である。IDT11は、例えばアルミニウム薄膜によって構成される。
櫛形電極11−1及び櫛形電極11−2は、送信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。櫛形電極11−1は、送信電極11−1a及び送信電極11−1bを有する。送信電極11−1a及び送信電極11−1bは、電気信号とSAWとの変換を行う電極である。櫛形電極11−2は、送信電極11−2a及び送信電極11−2bを有する。送信電極11−2a及び送信電極11−2bは、電気信号とSAWとの変換を行う電極である。なお、上述した電気信号とSAWとの変換は双方向で可能である。
The comb-shaped electrode 11 is an electrode configured on the piezoelectric element substrate 10. The comb electrode 11 is a pair of electrodes facing each other. The IDT 11 is made of, for example, an aluminum thin film.
The comb-shaped electrode 11-1 and the comb-shaped electrode 11-2 are metal electrodes formed by a comb-like pattern constituting the transmission-side electrode unit. The comb electrode 11-1 includes a transmission electrode 11-1a and a transmission electrode 11-1b. The transmission electrode 11-1a and the transmission electrode 11-1b are electrodes that perform conversion between an electric signal and SAW. The comb electrode 11-2 includes a transmission electrode 11-2a and a transmission electrode 11-2b. The transmission electrode 11-2a and the transmission electrode 11-2b are electrodes that perform conversion between an electric signal and SAW. Note that the conversion between the electrical signal and the SAW described above is possible in both directions.

櫛形電極11−3及び櫛形電極11−4は、受信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。櫛形電極11−3は、受信電極11−3a及び受信電極11−3bを有する。受信電極11−3a及び受信電極11−3bは、SAWと電気信号との変換を行う電極である。櫛形電極11−4は、受信電極11−4a及び受信電極11−4bを有する。受信電極11−4a及び受信電極11−4bは、SAWと電気信号との変換を行う電極である。   The comb-shaped electrode 11-3 and the comb-shaped electrode 11-4 are metal electrodes formed by a comb-like pattern constituting the reception-side electrode unit. The comb-shaped electrode 11-3 includes a reception electrode 11-3a and a reception electrode 11-3b. The reception electrode 11-3a and the reception electrode 11-3b are electrodes that perform conversion between the SAW and the electric signal. The comb electrode 11-4 includes a reception electrode 11-4a and a reception electrode 11-4b. The reception electrode 11-4a and the reception electrode 11-4b are electrodes that perform conversion between the SAW and the electric signal.

反応領域薄膜13は、金を蒸着して生成した薄膜である。反応領域薄膜13は、表面に抗体を担持した薄膜である。反応領域薄膜13−1は、圧電素子基板10上であって、櫛形電極11−1と櫛形電極11−3との間に形成される。反応領域薄膜13−2は、圧電素子基板10上であって、櫛形電極11−2と櫛形電極11−4との間に形成される。
圧電素子基板10と反応領域薄膜13との重なる部分が、検体である液体が導入される検出領域(センサ表面となる領域)となる。上述したように、本願では反応領域薄膜13と反応領域薄膜13上に固定されたバイオ膜とから検出領域が構成されているものとする。この検出領域は、SAWの伝播路に配置され、検体である液体が導入される。
The reaction region thin film 13 is a thin film formed by vapor deposition of gold. The reaction region thin film 13 is a thin film having an antibody supported on the surface. The reaction region thin film 13-1 is formed on the piezoelectric element substrate 10 and between the comb electrode 11-1 and the comb electrode 11-3. The reaction region thin film 13-2 is formed on the piezoelectric element substrate 10 and between the comb electrode 11-2 and the comb electrode 11-4.
A portion where the piezoelectric element substrate 10 and the reaction region thin film 13 overlap becomes a detection region (region serving as a sensor surface) into which a liquid as a specimen is introduced. As described above, in the present application, it is assumed that the detection region is composed of the reaction region thin film 13 and the biofilm fixed on the reaction region thin film 13. This detection region is arranged in the SAW propagation path, and a liquid as a specimen is introduced.

凸部材20は、複数の反応領域薄膜13に滴下された検体の液滴を、滴下された反応領域薄膜に保持し、また、各反応領域薄膜13への検体の滴下量を一定にするために設けられた凸部である。凸部材20は、凸部の高さが数百ミクロン以下で形成されている。凸部材20−1及び凸部材20−2(総称して凸部20Aと呼ぶ)は、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部20Aは、反応領域薄膜13−1の外側(+Y方向側)に配置されている。凸部材20−3と凸部材20−4(総称して凸部20Bと呼ぶ)とは、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部20Bは、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間に配置されている。凸部材20−5と凸部材20−6(総称して凸部20Cと呼ぶ)とは、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部20Cは、反応領域薄膜13−2の外側(−Y方向側)に配置されている。すなわち、凸部材20は、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間及び反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との外側に複数設けられている。   The convex member 20 holds the droplets of the sample dropped on the plurality of reaction region thin films 13 in the dropped reaction region thin film, and also makes the amount of the sample dropped onto each reaction region thin film 13 constant. It is the convex part provided. The convex member 20 is formed so that the height of the convex portion is several hundred microns or less. The convex member 20-1 and the convex member 20-2 (collectively referred to as the convex portion 20 </ b> A) have a length that is 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13. Further, the convex portion 20A is disposed on the outer side (+ Y direction side) of the reaction region thin film 13-1. The convex member 20-3 and the convex member 20-4 (collectively referred to as the convex portion 20B) have a length that is 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13. Moreover, the convex part 20B is arrange | positioned between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2. The convex member 20-5 and the convex member 20-6 (collectively referred to as a convex portion 20C) have a length that is 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13. Moreover, the convex part 20C is arrange | positioned on the outer side (-Y direction side) of the reaction region thin film 13-2. That is, a plurality of convex members 20 are provided between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2 and outside the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2.

なお、上述した凸部20Aと凸部20Bと凸部20Cとの各々の構造は一例であって、これに限定されない。例えば、凸部20Aと凸部20Bと凸部20Cとの各々の構造は、図2に示す構造であってもよい。以下に、凸部20Bの他の構造パターンについて説明するが、図2は、凸部20Bの構造のパターンを示す切断面Bから見た概略的な断面図である。図2(a)に示すように、凸部20Bの構造は、凸部20Bの上部が分離されていればよく、凸部20Bの下部が一体で形成されていてもよい。すなわち、凸部20Bは、中央部分に所定の深さの溝を有していればよい。なお、その溝の幅は、反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、図2(b)に示すように、凸部20Bの構造は、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直なY軸方向に連続する段部(段部25、段部26、段部27)を3段有し、左右の段部25及び段部27の高さは、中央の段部26よりも低ければよい。また、図2(c)に示すように、凸部20Bの構造は、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直なY軸方向に連続する高さの異なる段部(段部28、段部29)を2段有してもよい。なお、上述したように、凸部20Bの構造について図2を用いて説明したが、凸部20A及び凸部20Cについても、図2に示す凸部20Bと同様の構造が可能であることは述べるまでもない。なお、凸部20において、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直なY軸方向の幅は、表面張力により検体液が凸部20の上面で結合しない幅である。   In addition, each structure of 20 A of convex parts, the convex part 20B, and the convex part 20C mentioned above is an example, Comprising: It is not limited to this. For example, the structure shown in FIG. 2 may be used for each of the protrusions 20A, the protrusions 20B, and the protrusions 20C. Hereinafter, other structural patterns of the convex portion 20B will be described. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view seen from the cut surface B showing the structure pattern of the convex portion 20B. As shown in FIG. 2A, the structure of the convex portion 20B is sufficient if the upper portion of the convex portion 20B is separated, and the lower portion of the convex portion 20B may be integrally formed. That is, the convex part 20B should just have the groove | channel of predetermined depth in the center part. The width of the groove is not more than 1/10 of the distance d of the reaction region thin film 13. Further, as shown in FIG. 2B, the structure of the convex portion 20B is a step portion (step portion 25, step portion 26, step portion 27) continuous in the Y-axis direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave. ), And the height of the left and right step portions 25 and 27 should be lower than the center step portion 26. Further, as shown in FIG. 2C, the structure of the convex portion 20B has a step portion (step portion 28, step portion 29) having different heights continuous in the Y-axis direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave. ) May be provided in two stages. As described above, the structure of the convex portion 20B has been described with reference to FIG. 2, but it is described that the convex portion 20A and the convex portion 20C can have the same structure as the convex portion 20B shown in FIG. Not too long. Note that the width in the Y-axis direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave in the convex portion 20 is a width in which the specimen liquid is not bonded on the upper surface of the convex portion 20 due to surface tension.

凸部材20は、後述する封止構造14−1及び封止構造14−2と同様な構造を有するものであってもよいし、あるいはワイヤーボンディングなどの保護で使用されるエポキシ樹脂や、ダイボンディングなどでパッケージと圧電基板を接着する目的で利用される樹脂(主にエポキシ樹脂)等であってもよい。また、凸部材20は、図1に示した形状及び配置と異なり、封止構造14−1又は封止構造14−2と一体として形成されていてもよい。あるいは、凸部材20は、図1には示していないSAWセンサ1のプラスチック製等の外部筐体と一体として形成されるものであってもよい。また、検体液が凸部材20の上部にはい上がるのを防止するために、凸部材20の表面が疎水性膜等で被覆されていてもよい。   The convex member 20 may have a structure similar to a sealing structure 14-1 and a sealing structure 14-2, which will be described later, or an epoxy resin used for protection such as wire bonding, or die bonding. For example, a resin (mainly epoxy resin) used for bonding the package and the piezoelectric substrate may be used. Further, unlike the shape and arrangement shown in FIG. 1, the convex member 20 may be formed integrally with the sealing structure 14-1 or the sealing structure 14-2. Alternatively, the convex member 20 may be formed integrally with an external housing made of plastic or the like of the SAW sensor 1 not shown in FIG. Further, the surface of the convex member 20 may be covered with a hydrophobic film or the like in order to prevent the sample liquid from rising above the convex member 20.

封止構造14は、櫛形電極11(端部を除き)を外部から密閉して櫛形電極11上に空間を形成するように覆い、櫛形電極11が検体液と接触することを防ぐ封止構造である。これら封止構造14により、検出領域における雰囲気(例えば湿度)の変化があったとしても、櫛形電極11は、その影響を受けにくくなる。
送信電極部側の封止構造14−1は、封止壁14−1aと封止天井14−1bとを備えている。なお、封止壁14−1aと封止天井14−1bとの間には両者を接着するための接着層が設けられるが、図1においては省略している。
The sealing structure 14 is a sealing structure that seals the comb-shaped electrode 11 (excluding the end) from the outside so as to form a space on the comb-shaped electrode 11 and prevents the comb-shaped electrode 11 from coming into contact with the sample liquid. is there. Even if there is a change in the atmosphere (for example, humidity) in the detection region, the comb-shaped electrode 11 is less affected by the sealing structure 14.
The sealing structure 14-1 on the transmission electrode unit side includes a sealing wall 14-1a and a sealing ceiling 14-1b. In addition, although the contact bonding layer for adhere | attaching both is provided between the sealing wall 14-1a and the sealing ceiling 14-1b, it is abbreviate | omitting in FIG.

封止壁14−1aは、櫛形電極11−1及び櫛形電極11−2を覆う壁であり、圧電素子基板10上に矩形状に形成される。封止壁14−1aは、例えば感光性樹脂により構成される。
また、封止天井14−1bは、封止壁14−1aの上側を塞ぎ、櫛形電極11−1及び櫛形電極11−2を外部から密閉するための天井である。封止天井14−1bは、封止天井14−1bの平面領域内に封止壁14−1aが収まるように封止壁14−1aの上側に配置される。封止天井14−1bは、例えばガラス基板で構成される。なお、封止壁14−1aと封止天井14−1bとの間には、不図示の接着層が設けられ、封止壁14−1aと封止天井14−1bとの間を密封して接着する。
The sealing wall 14-1 a is a wall that covers the comb electrode 11-1 and the comb electrode 11-2 and is formed in a rectangular shape on the piezoelectric element substrate 10. The sealing wall 14-1a is made of, for example, a photosensitive resin.
The sealing ceiling 14-1b is a ceiling for closing the upper side of the sealing wall 14-1a and sealing the comb electrode 11-1 and the comb electrode 11-2 from the outside. The sealing ceiling 14-1b is disposed on the upper side of the sealing wall 14-1a so that the sealing wall 14-1a fits in the planar area of the sealing ceiling 14-1b. The sealed ceiling 14-1b is made of, for example, a glass substrate. An adhesive layer (not shown) is provided between the sealing wall 14-1a and the sealing ceiling 14-1b, and the space between the sealing wall 14-1a and the sealing ceiling 14-1b is sealed. Glue.

また、受信電極部側の封止構造14−2は、封止構造14−1と同様に、封止壁14−2aと封止天井14−2bとを備えている。封止構造14−2は、櫛形電極11−3及び櫛形電極11−4を外部から密閉して櫛形電極11−3及び櫛形電極11−4上に空間を形成するように覆い、櫛形電極11−3及び櫛形電極11−4が液体と接触することを防ぐ封止構造である。   Further, the sealing structure 14-2 on the reception electrode unit side includes a sealing wall 14-2a and a sealing ceiling 14-2b, similarly to the sealing structure 14-1. The sealing structure 14-2 covers the comb-shaped electrode 11-3 and the comb-shaped electrode 11-4 from outside so as to form a space on the comb-shaped electrode 11-3 and the comb-shaped electrode 11-4. 3 and the comb-shaped electrode 11-4 are sealing structures that prevent the liquid from coming into contact with the liquid.

図3は、反応領域薄膜13へ検体液を滴下したときの一例を示す図である。図3(a)は、従来のSAWセンサの反応領域薄膜13へ検体液を滴下したときの一例を示す図である。
図3(b)は、SAWセンサ1の反応領域薄膜13へ検体液を滴下したときの一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example when the sample liquid is dropped onto the reaction region thin film 13. FIG. 3A is a diagram showing an example when the specimen liquid is dropped onto the reaction region thin film 13 of the conventional SAW sensor.
FIG. 3B is a diagram illustrating an example when the sample liquid is dropped onto the reaction region thin film 13 of the SAW sensor 1.

従来のSAWセンサには、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間に1つの凸部材を配置する構成がある。例えば、測定者は検体液Aをマイクロピペット等で反応領域薄膜13−1に滴下する。また、例えば、測定者は検体液Aとは異なる検体液Bをマイクロピペット等で反応領域薄膜13−2に滴下する。すると、検体液A、Bの液面は、毛細管現象により上昇し、凸部材20−3の上面で結合する。これより、従来のSAWセンサは、反応領域薄膜13毎に検体液を一定に保つことができない。   The conventional SAW sensor has a configuration in which one convex member is disposed between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2. For example, the measurer drops the sample liquid A onto the reaction region thin film 13-1 with a micropipette or the like. Further, for example, the measurer drops the sample liquid B different from the sample liquid A onto the reaction region thin film 13-2 with a micropipette or the like. Then, the liquid surfaces of the sample liquids A and B rise due to capillary action and are combined on the upper surface of the convex member 20-3. Thus, the conventional SAW sensor cannot keep the sample liquid constant for each reaction region thin film 13.

しかしながら、図3(b)に示すとおり、上述した第1実施形態では、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間、及び反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との外側に、複数の凸部材20を配置する。これにより、検体液A、Bの液面は、毛細管現象により上昇しても、凸部材20−3又は凸部材20−4の上面で結合することはない。よって、SAWセンサ1は、検体液Aが反応領域薄膜13−1以外の領域に広がることを防ぎ、反応領域薄膜13−1の検体液Aの滴下量を一定にすることができる。また、SAWセンサ1は、検体液Bが反応領域薄膜13−2以外の領域に広がることを防ぎ、反応領域薄膜13−2の検体液Bの滴下量を一定にすることができる。すなわち、SAWセンサ1は、反応領域薄膜毎に検体液を保持し、反応領域薄膜毎の滴下された検体液の量を一定にすることができる。   However, as shown in FIG. 3B, in the first embodiment described above, the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2 and the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2 are included. A plurality of convex members 20 are arranged on the outside. Thereby, even if the liquid surfaces of the sample liquids A and B rise due to the capillary phenomenon, they do not bind on the upper surface of the convex member 20-3 or the convex member 20-4. Therefore, the SAW sensor 1 can prevent the sample liquid A from spreading to a region other than the reaction region thin film 13-1, and can keep the amount of the sample liquid A dropped on the reaction region thin film 13-1. Further, the SAW sensor 1 can prevent the sample liquid B from spreading to a region other than the reaction region thin film 13-2, and can keep the amount of the sample liquid B dropped on the reaction region thin film 13-2 constant. That is, the SAW sensor 1 can hold the sample liquid for each reaction region thin film, and can make the amount of the sample liquid dropped for each reaction region thin film constant.

また、上述した第1実施形態では、凸部材20の表面が疎水性膜等で被覆されているため、液滴の滴下量を多く保持することができる。   In the first embodiment described above, since the surface of the convex member 20 is covered with a hydrophobic film or the like, a large amount of droplets can be retained.

(第2実施形態)
以下、図面を参照して第2実施形態について説明する。図4は、本実施形態に係るSAWセンサ1aの概略的な模式図である。図4(a)は、SAWセンサ1aの概略的な上面図であり、図4(b)はSAWセンサ1aを切断面Aから見た概略的な断面図である。また、図4(c)はSAWセンサ1aを切断面Cから見た概略的な断面図である。なお、図4において図1に示したものと同一の構成には同一の符号を付け説明を省略する。
(Second Embodiment)
The second embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic diagram of the SAW sensor 1a according to the present embodiment. 4A is a schematic top view of the SAW sensor 1a, and FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1a as viewed from the cut surface A. FIG. FIG. 4C is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1a viewed from the cut surface C. In FIG. 4, the same components as those shown in FIG.

SAWセンサ1aは、圧電素子基板10、複数の櫛形電極11(櫛形電極11−1〜11−4)、複数の反応領域薄膜13(13−1、13−2)、複数の封止構造14(14−1、14−2)及び凸部材21(21−1〜21−6)を含んでいる。
凸部材21は、第1実施形態の凸部材21の+X方向(弾性表面波の伝搬方向)の長さを封止構造14の下部まで伸長したものである。
The SAW sensor 1a includes a piezoelectric element substrate 10, a plurality of comb electrodes 11 (comb electrodes 11-1 to 11-4), a plurality of reaction region thin films 13 (13-1, 13-2), and a plurality of sealing structures 14 ( 14-1, 14-2) and convex member 21 (21-1 to 21-6).
The convex member 21 is obtained by extending the length of the convex member 21 of the first embodiment in the + X direction (surface acoustic wave propagation direction) to the lower portion of the sealing structure 14.

凸部材21−1及び凸部材21−2(総称して凸部21Aと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部21Aは、反応領域薄膜13−1の外側(+Y方向側)に配置されている。また、凸部21Aの各々は、封止壁14−1a及び封止壁14−2aに垂直に交わっている。
凸部材21−3及び凸部材21−4(総称して凸部21Bと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。凸部21Bは、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間に配置されている。また、凸部21Bの各々は、封止壁14−1a及び封止壁14−2aに垂直に交わっている。
凸部材21−5及び凸部材21−6(総称して凸部21Cと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部21Cは、反応領域薄膜13−2の外側(−Y方向側)に配置されている。また、凸部21Cの各々は、封止壁14−1a及び封止壁14−2aに垂直に交わっている。
The convex member 21-1 and the convex member 21-2 (collectively referred to as the convex portion 21 </ b> A) have a length that is 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13 without intersecting each other. Further, the convex portion 21A is arranged on the outer side (+ Y direction side) of the reaction region thin film 13-1. Each of the convex portions 21A intersects the sealing wall 14-1a and the sealing wall 14-2a perpendicularly.
The convex member 21-3 and the convex member 21-4 (collectively referred to as the convex portion 21B) do not intersect with each other, and the distance between them is one tenth or less of the distance d of the reaction region thin film 13. The convex portion 21B is disposed between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2. Further, each of the convex portions 21B intersects the sealing wall 14-1a and the sealing wall 14-2a perpendicularly.
The convex member 21-5 and the convex member 21-6 (collectively referred to as the convex portion 21C) have a distance of 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13 without intersecting each other. Moreover, the convex part 21C is arrange | positioned on the outer side (-Y direction side) of the reaction region thin film 13-2. Each of the convex portions 21C intersects the sealing wall 14-1a and the sealing wall 14-2a perpendicularly.

上述した第2実施形態によれば、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間、及び反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との外側に、複数の凸部材21を配置する。また、複数の凸部材21の各々は、封止壁14−1a及び封止壁14−2aに垂直に交わっている。これにより、第1の実施形態と同様の効果を得ることができるとともに、第1実施形態と比べて、反応領域薄膜毎に封止構造14の近傍まで正確に検体液の液滴を保持することができる。   According to the second embodiment described above, a plurality of convex members are provided between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2 and outside the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2. 21 is arranged. Further, each of the plurality of convex members 21 intersects the sealing wall 14-1a and the sealing wall 14-2a perpendicularly. As a result, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the liquid droplets of the specimen liquid can be accurately retained to the vicinity of the sealing structure 14 for each reaction region thin film as compared with the first embodiment. Can do.

(第3実施形態)
図5は、第3実施形態に係るSAWセンサ1−1の概略的な模式図である。図5(a)は、SAWセンサ1−1の概略的な上面図であり、図5(b)はSAWセンサ1−1を切断面Aから見た概略的な断面図である。また、図5(c)はSAWセンサ1−1を切断面Bから見た概略的な断面図である。なお、図5において図1又は図4に示したものと同一の構成には同一の符号を付け説明を省略する。
(Third embodiment)
FIG. 5 is a schematic diagram of a SAW sensor 1-1 according to the third embodiment. 5A is a schematic top view of the SAW sensor 1-1, and FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1-1 as viewed from the cut surface A. FIG. FIG. 5C is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1-1 as viewed from the cut surface B. In FIG. 5, the same components as those shown in FIG. 1 or FIG.

第1実施形態のSAWセンサ1及び第2実施形態のSAWセンサ1aが送信用の櫛形電極と受信用の櫛形電極とを個別に設けるトランスバーサル型と呼ばれるSAWセンサであるのに対して、第3実施形態のSAWセンサ1−1は、反射型と呼ばれる構造を有している。すなわち、第3実施形態のSAWセンサ1−1は、一方の櫛形電極を無くして代わりに検出領域を挟んで櫛形電極に対向する位置に反射器30−1及び反射器30−2を設けている。この構成では、1個の櫛形電極を例えば時分割で切り替えることで送信用と受信用とで共用することができる。なお、第3実施形態のSAWセンサ1−1は、第1実施形態のSAWセンサ1と同様に、2チャンネルのセンサである。   The SAW sensor 1 according to the first embodiment and the SAW sensor 1a according to the second embodiment are SAW sensors called transversal types in which a comb-shaped electrode for transmission and a comb-shaped electrode for reception are separately provided. The SAW sensor 1-1 of the embodiment has a structure called a reflection type. That is, the SAW sensor 1-1 according to the third embodiment is provided with the reflector 30-1 and the reflector 30-2 at a position facing the comb electrode with the detection region interposed therebetween instead of the one comb electrode. . In this configuration, one comb-shaped electrode can be shared for transmission and reception by switching, for example, in a time division manner. Note that the SAW sensor 1-1 of the third embodiment is a two-channel sensor, similar to the SAW sensor 1 of the first embodiment.

なお、図5において、反射器30−1は櫛形電極11−1から送信されたSAWを反射する。この反射器30−1は、櫛形電極11−1と反応領域薄膜13−1を挟んで対向する位置に配置され、例えば、櫛形電極11−1と同様の電極材を使用するSAWの1波長の1/4の線幅を持ち2分の1波長の間隔で複数整列させた構造を有している。また、反射器30−2は櫛形電極11−2から送信されたSAWを反射する。この反射器30−2は、櫛形電極11−2と反応領域薄膜13−2を挟んで対向する位置に配置され、例えば、反射器30−1と同様の構造を有している。図5に示した構成例では、反射器30−1及び反射器30−2は、圧電素子基板10上に露出した形で形成されていて、反射器30−1及び反射器30−2上には封止構造14−1のような封止構造は設けられていない。なお、図5に示した例ではSAWを反射する構造物を、電極を用いて電気的に反射する反射器を用いて構成しているが、SAWの反射は機械的反射とすることもできる。例えば、圧電素子基板10の端面より弾性表面波を反射することも可能である。すなわち、SAWを反射する手法は、反射器を設置する以外のものであってもよい。   In FIG. 5, the reflector 30-1 reflects the SAW transmitted from the comb electrode 11-1. The reflector 30-1 is disposed at a position facing the comb electrode 11-1 and the reaction region thin film 13-1, and is, for example, one wavelength of SAW using the same electrode material as the comb electrode 11-1. It has a structure in which a plurality of lines are arranged at intervals of a half wavelength with a line width of 1/4. The reflector 30-2 reflects the SAW transmitted from the comb electrode 11-2. The reflector 30-2 is disposed at a position facing the interdigital electrode 11-2 and the reaction region thin film 13-2, and has, for example, the same structure as the reflector 30-1. In the configuration example shown in FIG. 5, the reflector 30-1 and the reflector 30-2 are formed on the piezoelectric element substrate 10 so as to be exposed, and are placed on the reflector 30-1 and the reflector 30-2. Is not provided with a sealing structure like the sealing structure 14-1. In the example shown in FIG. 5, the structure that reflects SAW is configured using a reflector that electrically reflects using electrodes, but the reflection of SAW may be mechanical reflection. For example, a surface acoustic wave can be reflected from the end face of the piezoelectric element substrate 10. That is, the method of reflecting the SAW may be other than installing a reflector.

上述した第3実施形態によれば、SAWセンサ1−1は、第1実施形態と同様に、複数の凸部材20を圧電素子基板10上に配置したので、検体液Aが反応領域薄膜13−1以外の領域に広がることを防ぎ、反応領域薄膜13−1の検体液Aの滴下量を一定にすることができる。また、SAWセンサ1は、検体液Bが反応領域薄膜13−2以外の領域に広がることを防ぎ、反応領域薄膜13−2の検体液Bの滴下量を一定にすることができる。すなわち、SAWセンサ1は、反応領域薄膜毎に検体液を保持し、反応領域薄膜毎の滴下された検体液の量を一定にすることができる。また、凸部材20の表面が疎水性膜等で被覆されているため、液滴の滴下量を多く保持することができる。   According to the third embodiment described above, the SAW sensor 1-1 has the plurality of convex members 20 arranged on the piezoelectric element substrate 10 as in the first embodiment. It is possible to prevent the sample liquid A from dropping in the region other than 1, and to make the amount of the sample liquid A dropped in the reaction region thin film 13-1. Further, the SAW sensor 1 can prevent the sample liquid B from spreading to a region other than the reaction region thin film 13-2, and can keep the amount of the sample liquid B dropped on the reaction region thin film 13-2 constant. That is, the SAW sensor 1 can hold the sample liquid for each reaction region thin film, and can make the amount of the sample liquid dropped for each reaction region thin film constant. Further, since the surface of the convex member 20 is covered with a hydrophobic film or the like, a large amount of droplets can be retained.

(第4実施形態)
以下、図面を参照して第4実施形態について説明する。図6は、本実施形態に係るSAWセンサ1−1aの概略的な模式図である。図6(a)は、SAWセンサ1−1aの概略的な上面図であり、図6(b)はSAWセンサ1−1aを切断面Aから見た概略的な断面図である。また、図6(c)はSAWセンサ1−1aを切断面Cから見た概略的な断面図である。なお、図6において図5に示したものと同一の構成には同一の符号を付け説明を省略する。
(Fourth embodiment)
The fourth embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 6 is a schematic diagram of the SAW sensor 1-1a according to the present embodiment. 6A is a schematic top view of the SAW sensor 1-1a, and FIG. 6B is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1-1a as viewed from the cut surface A. FIG. FIG. 6C is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1-1a as viewed from the cut surface C. In FIG. 6, the same components as those shown in FIG.

SAWセンサ1−1aは、圧電素子基板10、櫛形電極11−1、櫛形電極11−2、複数の反応領域薄膜13(13−1、13−2)、複数の封止構造14−1及び凸部材22(22−1〜22−6)を含んでいる。
凸部材22は、第3実施形態の凸部材20の長さを封止構造14−1の下部まで伸長したものである。
The SAW sensor 1-1a includes a piezoelectric element substrate 10, a comb electrode 11-1, a comb electrode 11-2, a plurality of reaction region thin films 13 (13-1, 13-2), a plurality of sealing structures 14-1, and a convex. The member 22 (22-1 to 22-6) is included.
The convex member 22 is obtained by extending the length of the convex member 20 of the third embodiment to the lower part of the sealing structure 14-1.

凸部材22−1及び凸部材22−2(総称して凸部22Aと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部22Aは、反応領域薄膜13−1の外側(+Y方向側)に配置されている。また、凸部22Aの各々は、封止壁14−1aに垂直に交わっている。
凸部材22−3及び凸部材22−4(総称して凸部22Bと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部22Bは、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間に配置されている。また、凸部22Bの各々は、封止壁14−1aに垂直に交わっている。
凸部材22−5及び凸部材22−6(総称して凸部22Cと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部22Cは、反応領域薄膜13−2の外側(−Y方向側)に配置されている。また、凸部22Cの各々は、封止壁14−1aに垂直に交わっている。
The convex member 22-1 and the convex member 22-2 (collectively referred to as the convex portion 22A) do not cross each other, and the distance between them is 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13. Further, the convex portion 22A is arranged on the outer side (+ Y direction side) of the reaction region thin film 13-1. Each of the convex portions 22A intersects the sealing wall 14-1a perpendicularly.
The convex member 22-3 and the convex member 22-4 (collectively referred to as the convex portion 22B) have a length of 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13 without intersecting each other. The convex portion 22B is arranged between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2. Further, each of the convex portions 22B intersects the sealing wall 14-1a perpendicularly.
The convex member 22-5 and the convex member 22-6 (collectively referred to as the convex portion 22C) do not intersect with each other, and the distance between them is one tenth or less of the distance d of the reaction region thin film 13. Moreover, the convex part 22C is arrange | positioned on the outer side (-Y direction side) of the reaction region thin film 13-2. Further, each of the convex portions 22C intersects the sealing wall 14-1a perpendicularly.

上述した第4実施形態によれば、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間、及び反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との外側に、複数の凸部材22を配置する。また、複数の凸部材22の各々は、封止壁14−1a及び封止壁14−2aに垂直に交わっている。これにより、第1の実施形態と同様の効果を得ることができるとともに、第3実施形態と比べて、反応領域薄膜毎に封止構造14の近傍まで正確に検体液の液滴を保持することができる。   According to the fourth embodiment described above, a plurality of convex members are provided between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2 and outside the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2. 22 is arranged. In addition, each of the plurality of convex members 22 intersects the sealing wall 14-1a and the sealing wall 14-2a perpendicularly. As a result, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the liquid droplets of the specimen liquid can be accurately retained to the vicinity of the sealing structure 14 for each reaction region thin film as compared with the third embodiment. Can do.

(第5実施形態)
以下、図面を参照して第5実施形態について説明する。図7は、本実施形態に係るSAWセンサ1−1bの概略的な模式図である。図7(a)は、SAWセンサ1−1bの概略的な上面図であり、図7(b)はSAWセンサ1−1bを切断面Aから見た概略的な断面図である。また、図7(c)はSAWセンサ1−1cを切断面Cから見た概略的な断面図である。なお、図7において図5に示したものと同一の構成には同一の符号を付け説明を省略する。
(Fifth embodiment)
The fifth embodiment will be described below with reference to the drawings. FIG. 7 is a schematic diagram of the SAW sensor 1-1b according to the present embodiment. 7A is a schematic top view of the SAW sensor 1-1b, and FIG. 7B is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1-1b as viewed from the cut surface A. FIG. FIG. 7C is a schematic cross-sectional view of the SAW sensor 1-1c as viewed from the cut surface C. In FIG. 7, the same components as those shown in FIG.

SAWセンサ1−1bは、圧電素子基板10、櫛形電極11−1、櫛形電極11−2、複数の反応領域薄膜13(13−1、13−2)、複数の封止構造14−1、凸部材23(23−1〜23−6)及び壁部40(40−1、40−2)を含んでいる。   The SAW sensor 1-1b includes a piezoelectric element substrate 10, a comb electrode 11-1, a comb electrode 11-2, a plurality of reaction region thin films 13 (13-1, 13-2), a plurality of sealing structures 14-1, a convex shape. The member 23 (23-1 to 23-6) and the wall part 40 (40-1, 40-2) are included.

凸部材23−1及び凸部材23−2(総称して凸部23Aと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部23Aは、反応領域薄膜13−1の外側(+Y方向側)に配置されている。また、凸部22Aの各々は、一方が封止壁14−1aに垂直に交わっており、他方が壁部40−1に接続されている。
凸部材23−3及び凸部材23−4(総称して凸部23Bと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部23Bは、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間に配置されている。また、凸部材23−3及び凸部材23−4は、一方が封止壁14−1aに垂直に交わっている。凸部材23−3は、他方が壁部40−1に接続されている。凸部材23−4は、他方が壁部40−2に接続されている。
凸部材23−5及び凸部材23−6(総称して凸部23Cと呼ぶ)は、互いに交わらずに、間隔が反応領域薄膜13の距離dの10分の1以下の長さである。また、凸部23Cは、反応領域薄膜13−2の外側(−Y方向側)に配置されている。凸部23Cの各々は、一方が封止壁14−1aに垂直に交わっており、他方が壁部40−2に接続されている。
The convex member 23-1 and the convex member 23-2 (collectively referred to as the convex portion 23 </ b> A) do not cross each other, and the distance between them is 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13. Moreover, the convex part 23A is arrange | positioned on the outer side (+ Y direction side) of the reaction region thin film 13-1. Moreover, as for each of convex part 22A, one cross | intersects perpendicularly to the sealing wall 14-1a, and the other is connected to the wall part 40-1.
The convex member 23-3 and the convex member 23-4 (collectively referred to as the convex portion 23B) do not cross each other, and the distance between them is 1/10 or less of the distance d of the reaction region thin film 13. Moreover, the convex part 23B is arrange | positioned between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2. Further, one of the convex member 23-3 and the convex member 23-4 intersects the sealing wall 14-1a perpendicularly. The other end of the convex member 23-3 is connected to the wall 40-1. The other end of the convex member 23-4 is connected to the wall 40-2.
The convex member 23-5 and the convex member 23-6 (collectively referred to as the convex portion 23C) do not cross each other, and the distance between them is one tenth or less of the distance d of the reaction region thin film 13. Moreover, the convex part 23C is arrange | positioned on the outer side (-Y direction side) of the reaction region thin film 13-2. One of the protrusions 23C intersects the sealing wall 14-1a perpendicularly, and the other is connected to the wall 40-2.

壁部40は、複数の反応領域薄膜13に滴下された検体の液滴を滴下された反応領域薄膜13に保持し、SAWの伝搬方向に流出することを防ぐために設けられたものである。また、壁部40の各々は、図に示すように、くの字に屈曲している。これにより、壁部40で反射する不要なSAWを減衰させることができる。   The wall 40 is provided to hold the droplets of the sample dropped on the plurality of reaction region thin films 13 on the dropped reaction region thin film 13 and prevent the sample from flowing out in the SAW propagation direction. Further, each of the wall portions 40 is bent into a dogleg shape as shown in the figure. Thereby, unnecessary SAW reflected by the wall part 40 can be attenuated.

上述した第5実施形態によれば、反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との間、及び反応領域薄膜13−1と反応領域薄膜13−2との外側に、複数の凸部材23を配置する。これにより、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。   According to the fifth embodiment described above, a plurality of convex members are provided between the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2 and outside the reaction region thin film 13-1 and the reaction region thin film 13-2. 23 is arranged. Thereby, the effect similar to 1st Embodiment can be acquired.

(第1実施形態及び第2実施形態のSAWセンサの駆動回路)
次に、図8を参照して、第1実施形態のSAWセンサ1−1及び第2実施形態のSAWセンサ1−1の各1チャネル分のセンサの駆動及び検出のための回路(以下、「駆動回路」という。)の構成例について説明する。
(SAW sensor drive circuit of the first and second embodiments)
Next, referring to FIG. 8, a circuit for driving and detecting sensors for each channel of the SAW sensor 1-1 of the first embodiment and the SAW sensor 1-1 of the second embodiment (hereinafter referred to as “ A configuration example of a “driving circuit” will be described.

図8に示した駆動回路100は、駆動回路100の構成例を説明するためのブロック図である。駆動回路100は、発振器101、分配器102、弾性波検出器103、処理部104を有する。   The drive circuit 100 illustrated in FIG. 8 is a block diagram for explaining a configuration example of the drive circuit 100. The drive circuit 100 includes an oscillator 101, a distributor 102, an elastic wave detector 103, and a processing unit 104.

発振器101は、高周波発振信号を生成する。分配器102は、高周波発振信号を櫛形電極11−1(又は11−2)に供給するとともに、弾性波検出器103に供給する。
弾性波検出器103は、分配器102で分配された高周波発振信号と、櫛形電極11−3(又は11−4)により受信された弾性表面波に基づく信号との振幅比、位相差及び伝搬遅延差を検出し、検出した振幅比、位相差及び伝搬遅延差に基づく信号を処理部104に出力する。
処理部104は、弾性波検出器103から供給される信号に基づき、被測定物の物理的特性を求める。なお、物理的特性とは、例えば、被測定物の粘度、密度等である。処理部104は、例えば、反応領域薄膜13に何も滴下されていない状態で、供給された信号の振幅変化、位相変化を求める。反応領域薄膜13に何も滴下しない場合、被測定物は空気である。次に、反応領域薄膜13に被測定物が滴下されている状態で、供給された信号の振幅変化、位相変化を求める。処理部104は、この2つの測定データの算出することで、滴下された被測定物の粘度や密度等を算出する。
The oscillator 101 generates a high frequency oscillation signal. The distributor 102 supplies the high-frequency oscillation signal to the comb-shaped electrode 11-1 (or 11-2) and also supplies the elastic wave detector 103.
The acoustic wave detector 103 has an amplitude ratio, a phase difference, and a propagation delay between the high-frequency oscillation signal distributed by the distributor 102 and the signal based on the surface acoustic wave received by the comb electrode 11-3 (or 11-4). The difference is detected, and a signal based on the detected amplitude ratio, phase difference, and propagation delay difference is output to the processing unit 104.
The processing unit 104 obtains the physical characteristics of the object to be measured based on the signal supplied from the elastic wave detector 103. The physical characteristics are, for example, the viscosity and density of the object to be measured. For example, the processing unit 104 obtains an amplitude change and a phase change of the supplied signal in a state where nothing is dropped on the reaction region thin film 13. When nothing is dropped on the reaction region thin film 13, the object to be measured is air. Next, an amplitude change and a phase change of the supplied signal are obtained in a state where an object to be measured is dropped on the reaction region thin film 13. The processing unit 104 calculates the viscosity, density, and the like of the dropped measurement object by calculating these two measurement data.

(動作の説明)
SAWセンサ1の測定者は、SAWセンサ1の反応領域薄膜13−1、13−2に被測定物を滴下する。この場合、櫛形電極11−1、11−2は、封止構造14によって密閉されているため、櫛形電極11−1、11−2に被測定物が付着することで測定精度が低下する事態を回避することができる。なお、被測定物としては、液体状のものであれば、例えば、純液、混合液のいずれであってもよく、メタノール、エタノール等のアルコールの物理的特性を測定する場合に特に有効である。また、被測定物に抗原、抗体、バクテリア等が含まれる状態においても、物理的特性を測定できることは言うまでもない。
(Description of operation)
The measurer of the SAW sensor 1 drops the object to be measured on the reaction region thin films 13-1 and 13-2 of the SAW sensor 1. In this case, since the comb electrodes 11-1 and 11-2 are hermetically sealed by the sealing structure 14, there is a situation in which the measurement accuracy deteriorates due to the measurement object attached to the comb electrodes 11-1 and 11-2. It can be avoided. The object to be measured may be a pure liquid or a mixed liquid as long as it is liquid, and is particularly effective when measuring physical properties of alcohols such as methanol and ethanol. . Needless to say, physical properties can be measured even in a state in which an object to be measured includes antigens, antibodies, bacteria, and the like.

次に、発振器101でバースト的に生成された高周波発振信号は、分配器102で分配され、櫛形電極11−1、11−2及び弾性波検出器103に同一の高周波発振信号が供給される。
櫛形電極11−1、11−2は、供給された高周波発振信号に基づいて励振して弾性波を発生させる。ここで、櫛形電極11−1により発生された弾性波は、圧電素子基板10の表層部分を伝搬し、被測定物が滴下された反応領域薄膜13−1に沿って矢印X方向に伝搬する。そして、櫛形電極11−3は、弾性波を受信し、受信した弾性波を弾性表面波信号に変換する。
Next, the high-frequency oscillation signal generated in a burst manner by the oscillator 101 is distributed by the distributor 102 and the same high-frequency oscillation signal is supplied to the comb electrodes 11-1 and 11-2 and the elastic wave detector 103.
The comb electrodes 11-1 and 11-2 are excited based on the supplied high-frequency oscillation signal to generate an elastic wave. Here, the elastic wave generated by the comb-shaped electrode 11-1 propagates in the surface layer portion of the piezoelectric element substrate 10, and propagates in the arrow X direction along the reaction region thin film 13-1 on which the object to be measured is dropped. The comb-shaped electrode 11-3 receives the elastic wave and converts the received elastic wave into a surface acoustic wave signal.

また、櫛形電極11−2により発生された弾性波は、圧電素子基板10の表層部分を伝搬し、被測定物が滴下された反応領域薄膜13−2に沿って+X方向に伝搬する。そして、櫛形電極11−4は、弾性波を受信し、受信した弾性波を弾性表面波信号に変換する。   The elastic wave generated by the comb electrode 11-2 propagates in the surface layer portion of the piezoelectric element substrate 10 and propagates in the + X direction along the reaction region thin film 13-2 on which the object to be measured is dropped. The comb-shaped electrode 11-4 receives the elastic wave and converts the received elastic wave into a surface acoustic wave signal.

櫛形電極11−3、11−4により受信された弾性表面波は、弾性表面波信号に変換された後、弾性波検出器103に供給される。弾性波検出器103は、分配器102から供給された高周波発振信号と、受信した信号との振幅比、位相差及び伝搬遅延差を検出し、当該検出された振幅比、位相差及び伝搬遅延差に基づく信号を処理部104に出力する。処理部104は、弾性波検出器103から供給されたこれらの信号に基づき被測定物の物理的特性を求める。   The surface acoustic waves received by the comb electrodes 11-3 and 11-4 are converted into surface acoustic wave signals and then supplied to the acoustic wave detector 103. The elastic wave detector 103 detects the amplitude ratio, phase difference, and propagation delay difference between the high-frequency oscillation signal supplied from the distributor 102 and the received signal, and the detected amplitude ratio, phase difference, and propagation delay difference. Is output to the processing unit 104. The processing unit 104 obtains physical characteristics of the object to be measured based on these signals supplied from the elastic wave detector 103.

(第3実施形態、第4実施形態及び第5実施形態のSAWセンサの駆動回路)
次に、図9を参照して、第3実施形態、第4実施形態及び第5実施形態のSAWセンサの各1チャネル分のセンサの駆動及び検出のための回路(以下、「駆動回路」という。)の構成例について説明する。
(Drive circuit of SAW sensor of 3rd Embodiment, 4th Embodiment, and 5th Embodiment)
Next, referring to FIG. 9, a circuit for driving and detecting a sensor for each one channel of the SAW sensors of the third embodiment, the fourth embodiment, and the fifth embodiment (hereinafter referred to as “drive circuit”). .) Will be described.

図9は、駆動回路200の構成例を説明するためのブロック図である。駆動回路200は、発振器101、分配器102、弾性波検出器103、処理部104A、スイッチ105を有する。   FIG. 9 is a block diagram for explaining a configuration example of the drive circuit 200. The drive circuit 200 includes an oscillator 101, a distributor 102, an elastic wave detector 103, a processing unit 104A, and a switch 105.

処理部104Aは、弾性波検出器103から供給される信号に基づき、被測定物の物理的特性を求める。また、処理部104は、所定のタイミングで、スイッチ105の端子1と端子3との接続、または端子2と端子3との接続を切り替える。なお、物理的特性とは、例えば、被測定物の粘度、密度等である。処理部104Aは、例えば、反応領域薄膜13に何も滴下されていない状態で、供給された信号の振幅変化、位相変化を求める。反応領域薄膜13に何も滴下しない場合、被測定物は空気である。次に、反応領域薄膜13に被測定物が滴下されている状態で、供給された信号の振幅変化、位相変化を求める。処理部104は、この2つの測定データの算出することで、滴下された被測定物の粘度や密度等を算出する。   The processing unit 104A obtains the physical characteristics of the object to be measured based on the signal supplied from the elastic wave detector 103. Further, the processing unit 104 switches the connection between the terminal 1 and the terminal 3 of the switch 105 or the connection between the terminal 2 and the terminal 3 at a predetermined timing. The physical characteristics are, for example, the viscosity and density of the object to be measured. For example, the processing unit 104A obtains the amplitude change and phase change of the supplied signal in a state where nothing is dropped on the reaction region thin film 13. When nothing is dropped on the reaction region thin film 13, the object to be measured is air. Next, an amplitude change and a phase change of the supplied signal are obtained in a state where an object to be measured is dropped on the reaction region thin film 13. The processing unit 104 calculates the viscosity, density, and the like of the dropped measurement object by calculating these two measurement data.

(動作の説明)
SAWセンサ1の測定者は、SAWセンサ1の反応領域薄膜13−1、13−2に被測定物を滴下する。この場合、櫛形電極11−1、11−2は、封止構造14によって密閉されているため、櫛形電極11−1、11−2に被測定物が付着することで測定精度が低下する事態を回避することができる。なお、被測定物としては、液体状のものであれば、例えば、純液、混合液のいずれであってもよく、メタノール、エタノール等のアルコールの物理的特性を測定する場合に特に有効である。また、被測定物に抗原、抗体、バクテリア等が含まれる状態においても、物理的特性を測定できることは言うまでもない。
(Description of operation)
The measurer of the SAW sensor 1 drops the object to be measured on the reaction region thin films 13-1 and 13-2 of the SAW sensor 1. In this case, since the comb electrodes 11-1 and 11-2 are hermetically sealed by the sealing structure 14, there is a situation in which the measurement accuracy deteriorates due to the measurement object attached to the comb electrodes 11-1 and 11-2. It can be avoided. The object to be measured may be a pure liquid or a mixed liquid as long as it is liquid, and is particularly effective when measuring physical properties of alcohols such as methanol and ethanol. . Needless to say, physical properties can be measured even in a state in which an object to be measured includes antigens, antibodies, bacteria, and the like.

次に、発振器101でバースト的に生成された高周波発振信号は、分配器102で分配され、櫛形電極11−1、11−2及び弾性波検出器103に同一の高周波発振信号が供給される。
櫛形電極11−1、11−2は、供給された高周波発振信号に基づいて励振して弾性波を発生させる。ここで、櫛形電極11−1により発生された弾性波は、圧電素子基板10の表層部分を伝搬し、被測定物が滴下された反応領域薄膜13−1に沿って+X方向に伝搬する。そして、反応領域薄膜13−1を伝搬した弾性波が反射器30−1によって反射された後、反射波となって、再度、反応領域薄膜13−1を伝搬し、櫛形電極11−1で受信される。
Next, the high-frequency oscillation signal generated in a burst manner by the oscillator 101 is distributed by the distributor 102 and the same high-frequency oscillation signal is supplied to the comb electrodes 11-1 and 11-2 and the elastic wave detector 103.
The comb electrodes 11-1 and 11-2 are excited based on the supplied high-frequency oscillation signal to generate an elastic wave. Here, the elastic wave generated by the comb-shaped electrode 11-1 propagates in the surface layer portion of the piezoelectric element substrate 10, and propagates in the + X direction along the reaction region thin film 13-1 on which the object to be measured is dropped. Then, after the elastic wave propagated through the reaction region thin film 13-1 is reflected by the reflector 30-1, it becomes a reflected wave, propagates again through the reaction region thin film 13-1, and is received by the comb electrode 11-1. Is done.

また、櫛形電極11−2により発生された弾性波は、圧電素子基板10の表層部分を伝搬し、被測定物が滴下された反応領域薄膜13−2に沿って+X方向に伝搬する。そして、反応領域薄膜13−2を伝搬した弾性波が反射器30−2によって反射された後、反射波となって、再度、反応領域薄膜13−2を伝搬し、櫛形電極11−2で受信される。   The elastic wave generated by the comb electrode 11-2 propagates in the surface layer portion of the piezoelectric element substrate 10 and propagates in the + X direction along the reaction region thin film 13-2 on which the object to be measured is dropped. Then, after the elastic wave propagated through the reaction region thin film 13-2 is reflected by the reflector 30-2, it becomes a reflected wave, propagates again through the reaction region thin film 13-2, and is received by the comb electrode 11-2. Is done.

櫛形電極11−1、11−2により受信された弾性表面波は、弾性表面波信号に変換された後、弾性波検出器103に供給される。弾性波検出器103は、分配器102から供給された高周波発振信号と、受信した信号との振幅比、位相差及び伝搬遅延差を検出し、当該検出された振幅比、位相差及び伝搬遅延差に基づく信号を処理部104に出力する。処理部104は、弾性波検出器103から供給されたこれらの信号に基づき被測定物の物理的特性を求める。   The surface acoustic waves received by the comb electrodes 11-1 and 11-2 are converted into surface acoustic wave signals and then supplied to the acoustic wave detector 103. The elastic wave detector 103 detects the amplitude ratio, phase difference, and propagation delay difference between the high-frequency oscillation signal supplied from the distributor 102 and the received signal, and the detected amplitude ratio, phase difference, and propagation delay difference. Is output to the processing unit 104. The processing unit 104 obtains physical characteristics of the object to be measured based on these signals supplied from the elastic wave detector 103.

以上、この発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計等も含まれる。   The embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings. However, the specific configuration is not limited to this embodiment, and includes designs and the like that do not depart from the gist of the present invention.

1 SAWセンサ
10 圧電素子基板
11 櫛形電極
13 反応領域薄膜
14 封止構造
20、21、22、23 凸部材
30 反射器
40 壁部
100 段部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 SAW sensor 10 Piezoelectric element board | substrate 11 Comb-shaped electrode 13 Reaction area | region thin film 14 Sealing structure 20, 21, 22, 23 Convex member 30 Reflector 40 Wall part 100 Step part

Claims (7)

弾性表面波を伝播する圧電素子基板と、
電気信号と前記弾性表面波との変換を行う電極と、前記弾性表面波の伝播路に配置され、検体である液体が導入される複数の検出領域とを有するチャンネルが伝搬方向の垂直方向に複数設けられ、隣接する検出領域に対向する辺より長い凸部材と、
を備える弾性表面波センサ。
A piezoelectric element substrate that propagates a surface acoustic wave;
There are a plurality of channels in the direction perpendicular to the propagation direction, each having an electrode for converting an electric signal and the surface acoustic wave, and a plurality of detection regions arranged in a propagation path of the surface acoustic wave and into which a liquid as an analyte is introduced. A convex member that is provided and is longer than the side facing the adjacent detection region;
A surface acoustic wave sensor.
前記検出領域の外側に前記凸部材をさらに設ける請求項1に記載の弾性表面波センサ。   The surface acoustic wave sensor according to claim 1, wherein the convex member is further provided outside the detection region. 前記凸部材は、中央部分に所定の深さの溝を設ける請求項1又は請求項2に記載の弾性表面波センサ。   The surface acoustic wave sensor according to claim 1, wherein the convex member is provided with a groove having a predetermined depth in a central portion. 前記凸部材の溝の幅は、前記弾性表面波の伝搬方向に対して垂直方向の前記検出領域の距離の10分の1以上長い請求項3に記載の弾性表面波センサ。   The surface acoustic wave sensor according to claim 3, wherein a width of the groove of the convex member is one tenth or more of a distance of the detection region in a direction perpendicular to a propagation direction of the surface acoustic wave. 前記凸部材は、高さが異なる複数の段部から構成される請求項1又は請求項2に記載の弾性表面波センサ。   The surface acoustic wave sensor according to claim 1, wherein the convex member includes a plurality of step portions having different heights. 前記電極が液体と接触することを防ぐ封止構造とをさらに備え、
前記複数の凸部材は、互いに交わらずに前記封止構造まで伸長する請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の弾性表面波センサ。
A sealing structure for preventing the electrode from coming into contact with a liquid;
The surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 5, wherein the plurality of convex members extend to the sealing structure without crossing each other.
前記複数の凸部材は、表面が疎水性である請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の弾性表面波センサ。   The surface acoustic wave sensor according to any one of claims 1 to 6, wherein the plurality of convex members have a hydrophobic surface.
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