JP2015207745A - Print wiring plate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable suppression of warp of a print wiring plate at one side of which a conductor pattern is buried.SOLUTION: A print wiring plate 10 has a first interlayer resin insulating layer 30, a first conductor layer 30 which is buried at the first face F1 side of the first interlayer resin insulating layer 20 and whose uppermost face is exposed, a second conductor layer 50 formed on the second face F2 of the first interlayer resin insulating layer 20, a first via conductor 25a which is provided to penetrate through the first interlayer resin insulating layer 20 and electrically connects the first conductor layer 30 and the second conductor layer 50, a second interlayer resin insulating layer 40 laminated on the first interlayer resin insulating layer 20 and the second conductor layer 50 at the second face F2 side, and a second via conductor 45a which is provided to penetrate through the second interlayer resin insulating layer 40 and a third conductor layer 60 formed on the second interlayer resin insulating layer 40, and filled with metal for electrically connecting the second conductor layer 50 and the third conductor layer 60. The thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulating layer 20 is larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulating layer 40.

Description

本発明は、プリント配線板に関し、特に、導体配線層の一部が層間樹脂絶縁層内に埋め込まれるプリント配線板に関する。   The present invention relates to a printed wiring board, and more particularly to a printed wiring board in which a part of a conductor wiring layer is embedded in an interlayer resin insulating layer.

近年、薄型の電子機器の需要が高まっており、それに伴い、電子機器に用いられる配線板にも、より薄いものが求められている。薄型化の要求に応えるものとして、従来から、支持体(キャリア)の一方の側だけに絶縁層と導体層とが順に積層された配線板が提案されている。このような構造によれば、積層方向の中央などに適度な剛性を備える絶縁材(コア基板)が設けられる必要が無く、また、支持体は用済み後製造工程中で除去され得るので、薄い配線板が形成される。たとえば、特許文献1には、樹脂フィルムの片面に金属層が貼り付けられ、この金属層が所定のパターンにパターニングされた後、この金属層上に絶縁性シートが圧着されることにより金属層が絶縁性シート内に埋め込まれ、その後、樹脂フィルムが絶縁性シートから引き剥がされる配線板の製造方法が開示されている。   In recent years, the demand for thin electronic devices has increased, and accordingly, wiring boards used in electronic devices are also required to be thinner. Conventionally, a wiring board in which an insulating layer and a conductor layer are sequentially laminated only on one side of a support (carrier) has been proposed as a response to the demand for thinning. According to such a structure, it is not necessary to provide an insulating material (core substrate) having appropriate rigidity at the center in the stacking direction, and the support can be removed in the manufacturing process after use, so that it is thin. A wiring board is formed. For example, in Patent Document 1, a metal layer is attached to one side of a resin film, and after the metal layer is patterned into a predetermined pattern, an insulating sheet is pressure-bonded onto the metal layer, whereby the metal layer is formed. A method of manufacturing a wiring board is disclosed in which the resin film is embedded in an insulating sheet and then the resin film is peeled off from the insulating sheet.

また、特許文献2には、銅箔上に設けられた剥離層上に導体パターンが形成され、この導体パターンが絶縁材の表面付近に埋め込まれ、絶縁材の反対側の面にも導体パターンが形成された後に、または、絶縁材と金属層の積層およびパターニングがさらに所定回数繰り返された後に、銅箔が除去されて完成する配線板が開示されている。   In Patent Document 2, a conductor pattern is formed on a release layer provided on a copper foil, the conductor pattern is embedded in the vicinity of the surface of the insulating material, and a conductor pattern is also formed on the surface opposite to the insulating material. A wiring board is disclosed in which a copper foil is removed and completed after being formed or after the lamination and patterning of an insulating material and a metal layer are further repeated a predetermined number of times.

特開平10−173316号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-173316 特開2004−311804号公報JP 2004-318044 A

特許文献1や特許文献2に開示される配線板は、コア基板の両側に導体層および絶縁層が積層されて形成される配線板と異なり、絶縁層の一方の側に導体層が埋め込まれ、絶縁層の他方の側だけに他の導体層および絶縁層が積層されて形成される(以下、このように形成される配線板は、単にコアレス基板とも称される)。このため、配線板の両側が非対称な構造になり易く、プリント配線板に反りが生じ易い。プリント配線板に反りが生じると、プリント配線板と電子部品との間に接続不良が生じたり、接続信頼性が低下したりすることがある。特許文献2に開示される配線基板では、補強材を絶縁材に貼り付けることにより反りの抑制が図られているが、このような補強材を使用すると、プリント配線板の材料費および加工費が高くなる。   Unlike the wiring board formed by laminating a conductor layer and an insulating layer on both sides of the core substrate, the wiring board disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 has a conductor layer embedded in one side of the insulating layer, Other conductor layers and insulating layers are laminated only on the other side of the insulating layer (hereinafter, the wiring board formed in this way is also simply referred to as a coreless substrate). For this reason, both sides of the wiring board are likely to have an asymmetric structure, and the printed wiring board is likely to be warped. If the printed wiring board is warped, connection failure may occur between the printed wiring board and the electronic component, or connection reliability may be reduced. In the wiring board disclosed in Patent Document 2, warping is suppressed by attaching a reinforcing material to an insulating material. However, when such a reinforcing material is used, the material cost and processing cost of the printed wiring board are reduced. Get higher.

本発明の目的は、一方の側に導体パターンが埋め込まれる構造であっても、温度変化による反りが抑制されるプリント配線板を提供することである。そして、そのような反りが抑制されることにより、補強材や工程の追加を必要とすることなく、電子部品との接続不良が抑制されると共に、電子部品との高い接続信頼性が得られるプリント配線板を提供することである。   An object of the present invention is to provide a printed wiring board in which warpage due to a temperature change is suppressed even when a conductor pattern is embedded on one side. And by suppressing such warpage, it is possible to suppress poor connection with electronic components without requiring additional reinforcing materials and processes, and to obtain high connection reliability with electronic components. It is to provide a wiring board.

本発明のプリント配線板は、第1面と該第1面と反対側の第2面とを有する第1層間樹脂絶縁層と、前記第1面側の第1層間樹脂絶縁層内に埋め込まれ、最上面が露出される第1導体層と、前記第2面側の第1層間樹脂絶縁層上に形成される第2導体層と、前記第1層間樹脂絶縁層を貫通して設けられ、前記第1導体層と前記第2導体層とを電気的に接続する第1ビア導体と、前記第2面側の第1層間樹脂絶縁層および前記第2導体層上に積層される第2層間樹脂絶縁層と、前記第2層間樹脂絶縁層上に形成される第3導体層と、前記第2層間樹脂絶縁層を貫通して設けられ、前記第2導体層と前記第3導体層とを電気的に接続する金属を充填してなる第2ビア導体と、を備えた、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されている。そして、前記第1層間樹脂絶縁層の熱膨張率は、前記第2層間樹脂絶縁層の熱膨張率より大きい。   The printed wiring board of the present invention is embedded in a first interlayer resin insulation layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the first interlayer resin insulation layer on the first surface side. The first conductor layer exposed at the top surface, the second conductor layer formed on the first interlayer resin insulation layer on the second surface side, and the first interlayer resin insulation layer, A first via conductor that electrically connects the first conductor layer and the second conductor layer; a first interlayer resin insulating layer on the second surface side; and a second interlayer laminated on the second conductor layer A resin insulation layer; a third conductor layer formed on the second interlayer resin insulation layer; and the second interlayer resin insulation layer, the second conductor layer and the third conductor layer provided through the second interlayer resin insulation layer. Interlayer resin insulation layers and conductor layers, which are provided with second via conductors filled with electrically connecting metals, are alternately laminated. The thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer is greater than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer.

本発明のプリント配線板によれば、加熱時や冷却時の第1導体層側の伸縮と第2導体層側の伸縮との間のプリント配線板の反りに対する作用の不均衡が緩和され、温度変化によるプリント配線板の反りが抑制される。その結果、電子部品との接続不良が抑制されると共に、接続信頼性が高まる。   According to the printed wiring board of the present invention, the imbalance of the action on the warp of the printed wiring board between the expansion and contraction on the first conductor layer side and the expansion and contraction on the second conductor layer side during heating and cooling is alleviated, and the temperature Warpage of the printed wiring board due to changes is suppressed. As a result, connection failures with electronic components are suppressed and connection reliability is increased.

本発明の一実施形態のプリント配線板の一実施例の断面図。Sectional drawing of one Example of the printed wiring board of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のプリント配線板の他の実施例であって、層間樹脂絶縁層の厚さを変えずに無機繊維の重量比を変える例を示す断面図。Sectional drawing which is another Example of the printed wiring board of one Embodiment of this invention, Comprising: The example which changes the weight ratio of an inorganic fiber, without changing the thickness of an interlayer resin insulation layer. 本発明の一実施形態のプリント配線板のさらに別の実施例であって、層間樹脂絶縁層の樹脂成分の材質を変える例を示す断面図。Sectional drawing which is another Example of the printed wiring board of one Embodiment of this invention, Comprising: The example which changes the material of the resin component of an interlayer resin insulation layer. 本発明の他の実施形態のプリント配線板の断面図。Sectional drawing of the printed wiring board of other embodiment of this invention. 図1に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。Explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the printed wiring board shown by FIG. 図1に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。Explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the printed wiring board shown by FIG. 図1に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。Explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the printed wiring board shown by FIG. 図1に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。Explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the printed wiring board shown by FIG. 図1に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。Explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the printed wiring board shown by FIG. 図1に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。Explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the printed wiring board shown by FIG. 図1に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。Explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the printed wiring board shown by FIG. 図1に示されるプリント配線板の製造方法の各工程の説明図。Explanatory drawing of each process of the manufacturing method of the printed wiring board shown by FIG. 従来技術によるプリント配線板の断面図。Sectional drawing of the printed wiring board by a prior art. 図6Aに示される従来技術によるプリント配線板に反りが生じている状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state which the curvature has produced in the printed wiring board by the prior art shown by FIG. 6A.

つぎに、本発明の一実施形態のプリント配線板が、図面を参照しながら説明される。本発明の一実施形態のプリント配線板10(以下、プリント配線板は単に配線板とも称される)は、図1に示されるように、第1面F1と第1面F1と反対側の第2面F2とを有する第1層間樹脂絶縁層20と、第1面F1側の第1層間樹脂絶縁層20内に埋め込まれ、最上面が露出される第1導体層30と、第1層間樹脂絶縁層20の第2面F2上に形成されている第2導体層50と、第1層間樹脂絶縁層20の第2面F2上および第2導体層50上に積層される第2層間樹脂絶縁層40と、第2層間樹脂絶縁層40上に形成されている第3導体層60とを備えている。また、本実施形態の配線板10は、第1層間樹脂絶縁層20を貫通して設けられ、第1導体層30と第2導体層50とを電気的に接続する第1ビア導体25aと、第2層間樹脂絶縁層40を貫通して設けられ、第2導体層50と第3導体層60とを電気的に接続する第2ビア導体45aとを備えている。   Next, a printed wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, a printed wiring board 10 according to an embodiment of the present invention (hereinafter, the printed wiring board is also simply referred to as a wiring board) has a first surface F1 and a first surface F1 opposite to the first surface F1. A first interlayer resin insulation layer 20 having two surfaces F2, a first conductor layer 30 embedded in the first interlayer resin insulation layer 20 on the first surface F1 side and exposed at the uppermost surface, and a first interlayer resin. The second conductor layer 50 formed on the second surface F2 of the insulating layer 20 and the second interlayer resin insulation laminated on the second surface F2 and the second conductor layer 50 of the first interlayer resin insulating layer 20 A layer 40 and a third conductor layer 60 formed on the second interlayer resin insulation layer 40 are provided. Further, the wiring board 10 of the present embodiment is provided through the first interlayer resin insulation layer 20, and a first via conductor 25a that electrically connects the first conductor layer 30 and the second conductor layer 50; A second via conductor (45a) is provided to penetrate the second interlayer resin insulation layer (40) and electrically connect the second conductor layer (50) and the third conductor layer (60).

本実施形態の配線板10では、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率より大きくなるように構成される点に特徴がある。その作用が以下に説明される。図6Aには、従来技術のコアレス基板の構造に形成されたプリント配線板90が示されている。一方の側に導体層92aが埋め込まれている絶縁層91aの他方の側に、導体層92b、絶縁層91bおよび導体層92cが順次積層されて形成され、導体層92a、92cの表面上にソルダーレジスト94a、94bがそれぞれ形成されている。絶縁層91aおよび絶縁層91bは、それぞれ、ガラス繊維のような無機繊維911および無機繊維911に含浸される絶縁性樹脂912からなる同じ材料で、略同じ厚さに形成されている。なお、ビア導体93aは導体層92aと導体層92bとを接続し、ビア導体93bは導体層92bと導体層92cとを接続している。   The wiring board 10 according to the present embodiment is characterized in that the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 is configured to be larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer 40. The operation will be described below. FIG. 6A shows a printed wiring board 90 formed in the structure of a conventional coreless substrate. A conductive layer 92b, an insulating layer 91b, and a conductive layer 92c are sequentially stacked on the other side of the insulating layer 91a in which the conductive layer 92a is embedded on one side, and solder is formed on the surfaces of the conductive layers 92a and 92c. Resists 94a and 94b are respectively formed. The insulating layer 91a and the insulating layer 91b are made of the same material made of an insulating resin 912 impregnated with inorganic fibers 911 and inorganic fibers 911 such as glass fibers, respectively, and are formed to have substantially the same thickness. The via conductor 93a connects the conductor layer 92a and the conductor layer 92b, and the via conductor 93b connects the conductor layer 92b and the conductor layer 92c.

図6Aに示されるプリント配線板90は、導体層92a、92cが絶縁層91a、91b内に埋め込まれているか否かの違いなどにより、プリント配線板の両側が非対称な構造になり易く、製造中の熱によるひずみも蓄積され易い。たとえば、後の記載に詳述するように、導体層92aが絶縁層91a内に埋め込まれているのに対して、導体層92cは絶縁層91bの表面上に形成されているので、ソルダーレジスト94bは、ソルダーレジスト94aよりも厚く形成される。さらに、導体層92aのような絶縁層内に埋め込まれた導体層の露出面には、一般的に狭ピッチで大型の電子部品(たとえば、半導体装置など)が接続されることが多くあり、そのような電子部品が実装される部分のソルダーレジスト94aには、図6Aに示されるような大きな開口部95が設けられるため、ソルダーレジスト94aの面積は、ソルダーレジスト94bの面積よりも小さくされ易い。このため、ソルダーレジスト94aの体積が、ソルダーレジスト94bの体積よりも小さくなる傾向にある。このため、プリント配線板90が加熱または冷却されるときの熱膨張または熱収縮は、導体層92a側よりも導体層92c側の方が大きくなり、導体層92c側の膨張/収縮の方がプリント配線板90の屈曲に対して強く作用することになる。このため、たとえば、プリント配線板90が電子部品の実装時などに加熱されると、図6Bに示されるように、導体層92c側に凸となる反りが生じ易い。   The printed wiring board 90 shown in FIG. 6A is likely to have an asymmetric structure on both sides of the printed wiring board depending on whether or not the conductor layers 92a and 92c are embedded in the insulating layers 91a and 91b. The strain due to heat is also easy to accumulate. For example, as described in detail later, the conductor layer 92a is embedded in the insulating layer 91a, whereas the conductor layer 92c is formed on the surface of the insulating layer 91b. Is formed thicker than the solder resist 94a. Further, a large electronic component (for example, a semiconductor device) is generally connected at a narrow pitch to the exposed surface of a conductor layer embedded in an insulating layer such as the conductor layer 92a. Since the solder resist 94a where the electronic component is mounted is provided with a large opening 95 as shown in FIG. 6A, the area of the solder resist 94a is likely to be smaller than the area of the solder resist 94b. For this reason, the volume of the solder resist 94a tends to be smaller than the volume of the solder resist 94b. Therefore, the thermal expansion or thermal contraction when the printed wiring board 90 is heated or cooled is larger on the conductor layer 92c side than on the conductor layer 92a side, and the expansion / shrinkage on the conductor layer 92c side is printed. This strongly acts on the bending of the wiring board 90. For this reason, for example, when the printed wiring board 90 is heated at the time of mounting an electronic component or the like, as shown in FIG. 6B, a warp that protrudes toward the conductor layer 92c is likely to occur.

プリント配線板90に反りが生じると、図6Bに示されるように、プリント配線板90に実装される電子部品100の電極110と、電極110が接続される導体層92aの導体パターン921との間の一部が、はんだ120などの接合材を介しても、接触しないことがある。また、プリント配線板90が冷却されると、逆向きの、すなわち、導体層92a側に凸となる反りが生じるため、使用時の温度変化により電子部品100とプリント配線板90との接続部に応力が反復的に生じ、その結果、接続信頼性が低下することがある。   When the printed wiring board 90 is warped, as shown in FIG. 6B, the gap between the electrode 110 of the electronic component 100 mounted on the printed wiring board 90 and the conductor pattern 921 of the conductor layer 92a to which the electrode 110 is connected. Some of them may not come into contact even with a bonding material such as solder 120. Further, when the printed wiring board 90 is cooled, a reverse warp, that is, a convex warp on the conductor layer 92a side occurs, so that a temperature change during use causes a connection between the electronic component 100 and the printed wiring board 90. Stress can occur repeatedly, resulting in poor connection reliability.

本実施形態の配線板10では、前述のように、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率より大きくなるように構成されるので、周囲の温度変化により生じる配線板10の反りが抑制される。すなわち、本実施形態の配線板10では、前述のように、加熱または冷却されるときに第3導体層60側の伸縮よりも第1導体層30側の伸縮の方が配線板10の屈曲に強く作用する構造であっても、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率より大きいため、第3導体層60側よりも第1導体層30側において、加熱時または冷却時の伸び縮みの量そのものが大きくなり、第1導体層30側と第3導体層60側との配線板10の反りに対する作用の不均衡が緩和される。その結果、温度変化による配線板10の反りが抑制される。そして、その結果、配線板10と電子部品88(図5H参照)との接続不良が抑制されると共に、電子部品88との接続信頼性が高まる。   As described above, the wiring board 10 of the present embodiment is configured such that the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 is larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer 40, so that the ambient temperature Warpage of the wiring board 10 caused by the change is suppressed. That is, in the wiring board 10 of the present embodiment, as described above, the expansion / contraction on the first conductor layer 30 side is more bent than the expansion / contraction on the third conductor layer 60 side when heated or cooled. Even in the structure that acts strongly, the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 is larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer 40, and therefore the first conductor layer 30 side rather than the third conductor layer 60 side. In this case, the amount of expansion / contraction during heating or cooling increases, and the imbalance of the action of the wiring board 10 on the first conductor layer 30 side and the third conductor layer 60 side is alleviated. As a result, warping of the wiring board 10 due to temperature change is suppressed. As a result, connection failure between the wiring board 10 and the electronic component 88 (see FIG. 5H) is suppressed, and connection reliability with the electronic component 88 is increased.

図1に示されるように、本実施形態の配線板10には、第1導体層30の一部である第1パターン30aの表面上、および、第1導体層30が埋め込まれている側の第1層間樹脂絶縁層20の一部の表面上に第1ソルダーレジスト35が形成されている。また、第3導体層60の表面上、および、第2層間樹脂絶縁層40の表面の第3導体層60が形成されていない部分上に第2ソルダーレジスト55が形成されている。   As shown in FIG. 1, the wiring board 10 of the present embodiment has a surface on the surface of the first pattern 30 a that is a part of the first conductor layer 30 and a side where the first conductor layer 30 is embedded. A first solder resist 35 is formed on a part of the surface of the first interlayer resin insulation layer 20. The second solder resist 55 is formed on the surface of the third conductor layer 60 and on the portion of the surface of the second interlayer resin insulation layer 40 where the third conductor layer 60 is not formed.

一般的に、ソルダーレジストは、絶縁層の表面上に露出する導体層の表面の絶縁性の確保などを目的として設けられる。このため、図1に示される配線板10では、第1ソルダーレジスト35は第1導体層30の表面上において、また、第2ソルダーレジスト55は第3導体層60の表面上において、それぞれ所定の厚さになるように形成される。その結果、図1に示されるように、第1導体層30が埋め込まれている第1層間樹脂絶縁層20の表面上に設けられる第1ソルダーレジスト35の方が、第3導体層60が表面上に形成される第2層間樹脂絶縁層40の表面上に形成される第2ソルダーレジスト55よりも薄くなっている。このため、配線板10の周囲の温度が変化すると、第1ソルダーレジスト35の伸縮よりも第2ソルダーレジスト55の伸縮の方が配線板10の屈曲に対して強く作用する。また、図1に示されるように、本実施形態では、第1導体層30の第2パターン30bの表面上および第2パターン30bの周囲の第1層間樹脂絶縁層20の表面上は、電子部品88(図5H参照)の実装領域にあたるため、第1ソルダーレジスト35が形成されていない。このため、配線板10の周囲の温度が変化すると、第2ソルダーレジスト55の方が、第1ソルダーレジスト35よりも多く伸び縮みする。しかしながら、本実施形態では、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率より大きいため、前述の緩和作用と同様に、第1および第2ソルダーレジスト35、55の伸縮による配線板10の反りに対する作用の不均衡が緩和されると共に、両者の伸縮量の相違も相殺され得る。その結果、温度変化による配線板10の反りが抑制される。そして、その結果、配線板10と電子部品88(図5H参照)との接続不良が抑制されると共に、電子部品88との接続信頼性が高まる。   Generally, the solder resist is provided for the purpose of ensuring the insulation of the surface of the conductor layer exposed on the surface of the insulating layer. For this reason, in the wiring board 10 shown in FIG. 1, the first solder resist 35 is on the surface of the first conductor layer 30 and the second solder resist 55 is on the surface of the third conductor layer 60. It is formed to have a thickness. As a result, as shown in FIG. 1, the first solder resist 35 provided on the surface of the first interlayer resin insulation layer 20 in which the first conductor layer 30 is embedded has the third conductor layer 60 on the surface. It is thinner than the second solder resist 55 formed on the surface of the second interlayer resin insulation layer 40 formed thereon. For this reason, when the temperature around the wiring board 10 changes, the expansion / contraction of the second solder resist 55 acts more strongly on the bending of the wiring board 10 than the expansion / contraction of the first solder resist 35. Further, as shown in FIG. 1, in this embodiment, the surface of the second pattern 30b of the first conductor layer 30 and the surface of the first interlayer resin insulation layer 20 around the second pattern 30b are electronic components. Since it corresponds to the mounting area 88 (see FIG. 5H), the first solder resist 35 is not formed. For this reason, when the temperature around the wiring board 10 changes, the second solder resist 55 expands and contracts more than the first solder resist 35. However, in this embodiment, since the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 is larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer 40, the first and second solder resists 35 are similar to the above-described relaxation action. , 55 can reduce the imbalance of the action on the warp of the wiring board 10 due to the expansion / contraction of 55, and the difference between the expansion / contraction amounts can be offset. As a result, warping of the wiring board 10 due to temperature change is suppressed. As a result, connection failure between the wiring board 10 and the electronic component 88 (see FIG. 5H) is suppressed, and connection reliability with the electronic component 88 is increased.

本実施形態では、第1層間樹脂絶縁層20は、図1に示されるように、無機繊維21と無機繊維21に含浸される絶縁性樹脂22とを含んでいる。同様に、第2層間樹脂絶縁層40は、無機繊維41と無機繊維41に含浸される絶縁性樹脂42とを含んでいる。無機繊維21、41の材料は特に限定されないが、絶縁性樹脂22、42よりも熱膨張率の小さい材料が好ましく、たとえばガラスクロスが用いられる。また、絶縁性樹脂22、42の材料も特に限定されず、たとえば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)、イミド樹脂(ポリイミド)、フェノール樹脂、およびアリル化フェニレンエーテル樹脂(A−PPE樹脂)などから選択され、好ましくはエポキシ樹脂が用いられる。   In the present embodiment, the first interlayer resin insulation layer 20 includes inorganic fibers 21 and an insulating resin 22 impregnated in the inorganic fibers 21 as shown in FIG. Similarly, the second interlayer resin insulation layer 40 includes inorganic fibers 41 and an insulating resin 42 impregnated in the inorganic fibers 41. The material of the inorganic fibers 21 and 41 is not particularly limited, but a material having a smaller coefficient of thermal expansion than the insulating resins 22 and 42 is preferable. For example, glass cloth is used. Also, the material of the insulating resins 22 and 42 is not particularly limited. For example, an epoxy resin, a polyester resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), an imide resin (polyimide), a phenol resin, and an allylated phenylene ether resin (A -PPE resin) and the like, and preferably an epoxy resin is used.

絶縁性樹脂22、42には、前述のような樹脂材料による主材の他に粒子状のフィラーなどの副材(図示せず)が添加されていてもよい。フィラーの材料は、たとえば、シリカ、アルミナおよび窒化ケイ素などから選択され、好ましくは、シリカが用いられる。しかしながら、フィラーの材料はこれらに限定されず、他の材料が用いられてもよい。このようにフィラーが添加され、その添加量が調整されることにより、第1および第2層間樹脂絶縁層20、40の熱膨張率が調整されてもよい。   Insulating resins 22 and 42 may be added with a sub-material (not shown) such as a particulate filler in addition to the main material of the resin material as described above. The filler material is selected from, for example, silica, alumina, silicon nitride, and the like, and preferably silica is used. However, the filler material is not limited to these, and other materials may be used. Thus, the thermal expansion coefficient of the 1st and 2nd interlayer resin insulation layers 20 and 40 may be adjusted by adding a filler and adjusting the addition amount.

また、第1および第2層間樹脂絶縁層20、40は、無機繊維21、41を含んでいなくてもよい。   The first and second interlayer resin insulation layers 20 and 40 may not include the inorganic fibers 21 and 41.

図1に示される本実施形態の一実施例では、第1層間樹脂絶縁層20に含まれる絶縁性樹脂22の量が、第2層間樹脂絶縁層40に含まれる絶縁性樹脂42の量よりも多くされている。すなわち、第1層間樹脂絶縁層20全体に対する無機繊維21の重量比が、第2層間樹脂絶縁層40全体に対する無機繊維41の重量比よりも小さくされている。また、その結果、第1層間樹脂絶縁層20が第2層間樹脂絶縁層40よりも厚くされている。無機繊維21、41が絶縁性樹脂22、42よりも熱膨張率の低い材料から形成されていると、このように、無機繊維21の第1層間樹脂絶縁層20全体に対する重量比が無機繊維41の第2層間樹脂絶縁層40全体に対する重量比よりも小さくされることにより、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率より大きくなり得る。   In one example of the present embodiment shown in FIG. 1, the amount of the insulating resin 22 included in the first interlayer resin insulating layer 20 is larger than the amount of the insulating resin 42 included in the second interlayer resin insulating layer 40. There have been many. That is, the weight ratio of the inorganic fibers 21 to the entire first interlayer resin insulation layer 20 is made smaller than the weight ratio of the inorganic fibers 41 to the entire second interlayer resin insulation layer 40. As a result, the first interlayer resin insulation layer 20 is thicker than the second interlayer resin insulation layer 40. When the inorganic fibers 21 and 41 are formed of a material having a lower coefficient of thermal expansion than the insulating resins 22 and 42, the weight ratio of the inorganic fibers 21 to the entire first interlayer resin insulating layer 20 is thus the inorganic fibers 41. By making it smaller than the weight ratio of the second interlayer resin insulation layer 40 as a whole, the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 can be larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer 40.

図1に示される例では、第1層間樹脂絶縁層20を構成する無機繊維21と第2層間樹脂絶縁層40を構成する無機繊維41とは、同じ材料で構成されてもよく、異なる材料で構成されてもよい。同様に絶縁性樹脂22と絶縁性樹脂42とは、同じ材料で構成されてもよく、異なる材料で構成されてもよい。たとえば、絶縁性樹脂42の材料よりも熱膨張率の小さい材料で絶縁性樹脂22が構成される場合でも、無機繊維21の第1層間樹脂絶縁層20全体に対する重量比が、無機繊維41の第2層間樹脂絶縁層40全体に対する重量比よりも、なおいっそう小さくされて、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率よりも大きくなるように構成されればよい。   In the example shown in FIG. 1, the inorganic fibers 21 constituting the first interlayer resin insulation layer 20 and the inorganic fibers 41 constituting the second interlayer resin insulation layer 40 may be made of the same material or different materials. It may be configured. Similarly, the insulating resin 22 and the insulating resin 42 may be made of the same material or different materials. For example, even when the insulating resin 22 is made of a material having a smaller coefficient of thermal expansion than the material of the insulating resin 42, the weight ratio of the inorganic fibers 21 to the entire first interlayer resin insulating layer 20 is the first of the inorganic fibers 41. The thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 is made smaller than the weight ratio with respect to the entire two interlayer resin insulation layer 40 so that the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 is larger than that of the second interlayer resin insulation layer 40. Just do it.

無機繊維21、41に含浸される絶縁性樹脂22、42の量は、第1および第2層間樹脂絶縁層20、40の製造時に、たとえば、無機繊維21、41が、絶縁性樹脂22、42の溶液が入れられた槽に浸漬される時間により調整され得る。無機繊維21、41が、絶縁性樹脂22、42の溶液が入れられた槽に長く浸漬されるほど、無機繊維21、41に含浸される絶縁性樹脂22、42の量が増加する。無機繊維21、41への絶縁性樹脂22、42の含浸方法および含浸量の調整方法は、これに限定されず、他の方法が用いられてもよい。たとえば、絶縁性樹脂22、42が無機繊維21、41に含浸された後に一次乾燥され、その後、さらに1回または複数回、絶縁性樹脂が含浸されることにより、含浸量を多くされてもよい。   The amount of the insulating resins 22 and 42 impregnated in the inorganic fibers 21 and 41 is the same as that of the insulating resins 22 and 42 when the first and second interlayer resin insulating layers 20 and 40 are manufactured. It can be adjusted by the time to be immersed in the bath containing the solution. The longer the inorganic fibers 21 and 41 are immersed in the tank in which the solution of the insulating resins 22 and 42 is placed, the more the amount of the insulating resins 22 and 42 impregnated in the inorganic fibers 21 and 41 increases. The method of impregnating the inorganic resins 21 and 41 with the insulating resin 22 and 42 and the method of adjusting the amount of impregnation are not limited to this, and other methods may be used. For example, the impregnation amount may be increased by impregnating the inorganic fibers 21 and 41 with the insulating resins 22 and 42 and then drying them first, and then impregnating the insulating resin one or more times. .

第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率よりも大きくされる方法としては、前述のように、単に無機繊維21、41に含浸される絶縁性樹脂22、42の量が調整される方法が、第1および第2層間樹脂絶縁層20、40の構成材料として多種の無機繊維および絶縁性樹脂材料を準備することが必要とされない点で好ましい。しかしながら、このような方法に限定されず、あらゆる方法を用いて、第1層間樹脂絶縁層20および/または第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率が調整されてもよい。以下に、幾つかの例が示される。   In order to make the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer 40, as described above, the insulating resin simply impregnated in the inorganic fibers 21 and 41 is used. The method of adjusting the amounts of 22 and 42 is preferable in that it is not necessary to prepare various inorganic fibers and insulating resin materials as the constituent materials of the first and second interlayer resin insulating layers 20 and 40. However, the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 and / or the second interlayer resin insulation layer 40 may be adjusted by using any method without being limited to such a method. Below are some examples.

図2には、本実施形態の他の実施例の配線板10が示されている。図2に示される配線板10では、第1層間樹脂絶縁層20の無機繊維21が、第2層間樹脂絶縁層40の無機繊維41と同じ材料で、しかしながら、無機繊維41よりも少ない量で形成されている。また、図2に示される例では、第1層間樹脂絶縁層20と第2層間樹脂絶縁層40の厚さが同じ厚さに形成されている。こうすることにより、図1に示される例と同様に、第1層間樹脂絶縁層20全体に対する無機繊維21の重量比が、第2層間樹脂絶縁層40全体に対する無機繊維41の重量比よりも小さくなる。このため、無機繊維21、41が絶縁性樹脂22、42よりも熱膨張率の低い材料から形成されていると、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率よりも大きくなる。   FIG. 2 shows a wiring board 10 of another example of the present embodiment. In the wiring board 10 shown in FIG. 2, the inorganic fibers 21 of the first interlayer resin insulation layer 20 are made of the same material as the inorganic fibers 41 of the second interlayer resin insulation layer 40, but in a smaller amount than the inorganic fibers 41. Has been. In the example shown in FIG. 2, the first interlayer resin insulation layer 20 and the second interlayer resin insulation layer 40 are formed to have the same thickness. By doing so, as in the example shown in FIG. 1, the weight ratio of the inorganic fibers 21 to the entire first interlayer resin insulation layer 20 is smaller than the weight ratio of the inorganic fibers 41 to the entire second interlayer resin insulation layer 40. Become. For this reason, when the inorganic fibers 21 and 41 are formed of a material having a lower thermal expansion coefficient than the insulating resins 22 and 42, the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulating layer 20 is the same as that of the second interlayer resin insulating layer 40. It becomes larger than the thermal expansion coefficient.

また、無機繊維21の量と無機繊維41の量との差が適切に調整されることにより、第1層間樹脂絶縁層20が、図2に示されるように第2層間樹脂絶縁層40と同じ厚さにされることも可能である。さらに、第1層間樹脂絶縁層20が第2層間樹脂絶縁層40よりも薄くされながら、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40よりも大きくされることも可能である。なお、第1層間樹脂絶縁層20の方が第2層間樹脂絶縁層40よりも厚く形成されてもよいことはいうまでもない。   Further, by appropriately adjusting the difference between the amount of the inorganic fibers 21 and the amount of the inorganic fibers 41, the first interlayer resin insulation layer 20 is the same as the second interlayer resin insulation layer 40 as shown in FIG. It can also be made thick. Furthermore, the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 can be made larger than that of the second interlayer resin insulation layer 40 while the first interlayer resin insulation layer 20 is made thinner than the second interlayer resin insulation layer 40. It is. Needless to say, the first interlayer resin insulation layer 20 may be formed thicker than the second interlayer resin insulation layer 40.

図2に示される本実施形態の配線板10の他の実施例の説明では、第1層間樹脂絶縁層20の無機繊維21が、第2層間樹脂絶縁層40の無機繊維41と同じ材料であることが前提とされたが、第1および第2層間樹脂絶縁層20、40を構成する材料は、このような条件に限定されず、あらゆる材料が用いられてよい。たとえば、無機繊維41の材料よりも熱膨張率の小さい材料で無機繊維21が構成される場合でも、無機繊維21の量が無機繊維41の量よりも、なおいっそう少なくされて、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率よりも大きくなるように構成されればよい。   In the description of another example of the wiring board 10 of the present embodiment shown in FIG. 2, the inorganic fiber 21 of the first interlayer resin insulation layer 20 is the same material as the inorganic fiber 41 of the second interlayer resin insulation layer 40. However, the material constituting the first and second interlayer resin insulation layers 20 and 40 is not limited to such a condition, and any material may be used. For example, even when the inorganic fiber 21 is made of a material having a smaller coefficient of thermal expansion than the material of the inorganic fiber 41, the amount of the inorganic fiber 21 is still smaller than the amount of the inorganic fiber 41, and the first interlayer resin What is necessary is just to be comprised so that the thermal expansion coefficient of the insulating layer 20 may become larger than the thermal expansion coefficient of the 2nd interlayer resin insulation layer 40. FIG.

図3には、本実施形態のさらに別の実施例の配線板10が示されている。図3に示される配線板10では、第1層間樹脂絶縁層20の絶縁性樹脂22aが、第2層間樹脂絶縁層40の絶縁性樹脂42aよりも熱膨張率の大きい材料で構成されている。このため、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が、第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率よりも大きくなり得る。図3に示される配線板10では、第1層間樹脂絶縁層20と第2層間樹脂絶縁層40とが同じ厚さに形成されているが、第1層間樹脂絶縁層20と第2層間樹脂絶縁層40とは、異なる厚さに形成されていてもよい。   FIG. 3 shows a wiring board 10 of still another example of the present embodiment. In the wiring board 10 shown in FIG. 3, the insulating resin 22 a of the first interlayer resin insulating layer 20 is made of a material having a higher coefficient of thermal expansion than the insulating resin 42 a of the second interlayer resin insulating layer 40. For this reason, the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 can be larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer 40. In the wiring board 10 shown in FIG. 3, the first interlayer resin insulation layer 20 and the second interlayer resin insulation layer 40 are formed to have the same thickness, but the first interlayer resin insulation layer 20 and the second interlayer resin insulation layer are formed. The layer 40 may be formed to have a different thickness.

なお、図3に示される例では、第1層間樹脂絶縁層20の絶縁性樹脂22aが第2層間樹脂絶縁層40の絶縁性樹脂42aよりも熱膨張率が大きい材料で構成されているが、絶縁性樹脂22a、42aに代えて、または、これらに加えて、第1層間樹脂絶縁層20の無機繊維21が第2層間樹脂絶縁層40の無機繊維41の材料よりも熱膨張率の高い材料で構成されてもよい。   In the example shown in FIG. 3, the insulating resin 22a of the first interlayer resin insulating layer 20 is made of a material having a larger coefficient of thermal expansion than the insulating resin 42a of the second interlayer resin insulating layer 40. In place of or in addition to the insulating resins 22a and 42a, the inorganic fiber 21 of the first interlayer resin insulating layer 20 has a higher thermal expansion coefficient than the material of the inorganic fiber 41 of the second interlayer resin insulating layer 40. It may be constituted by.

第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率よりも大きくされる方法は、前述の図1〜図3に例示される方法に限定されず、あらゆる方法が用いられ得る。   The method for making the coefficient of thermal expansion of the first interlayer resin insulation layer 20 larger than the coefficient of thermal expansion of the second interlayer resin insulation layer 40 is not limited to the method illustrated in FIGS. Can be used.

本実施形態の配線板10の第1導体層30は、あらゆる導電性材料から形成され得る。好ましくは、短い時間で厚い膜が形成され得る電気めっきにより形成される銅電気めっき膜である。また、第2および第3導体層50、60も、同様に、あらゆる導電性材料から形成され得る。好ましくは、第2および第3導体層50、60は銅から形成され、銅箔、無電解めっきにより形成される無電解めっき膜、および、電気めっきにより形成される電気めっき膜(いずれも図示せず)の3層から構成される。しかしながら、第2および第3導体層50、60は、このような構成に限定されず、単層もしくは4層以上で構成されてもよく、めっき以外の方法、たとえば、スパッタリング法などにより形成されるスパッタ膜が含まれていてもよく、ニッケル箔などが含まれていてもよい。   The first conductor layer 30 of the wiring board 10 of the present embodiment can be formed from any conductive material. A copper electroplating film formed by electroplating that can form a thick film in a short time is preferable. Similarly, the second and third conductor layers 50 and 60 can be formed of any conductive material. Preferably, the second and third conductor layers 50 and 60 are made of copper, and copper foil, an electroless plating film formed by electroless plating, and an electroplating film formed by electroplating (all shown). 3). However, the second and third conductor layers 50 and 60 are not limited to such a configuration, and may be formed of a single layer or four or more layers, and are formed by a method other than plating, such as a sputtering method. A sputtered film may be included, and a nickel foil or the like may be included.

本実施形態では、図1に示されるように、第1および第2ビア導体25a、45aは、それぞれ、第1および第2層間樹脂絶縁層20、40にそれぞれ設けられる導通用孔25b、45bの内面に形成される金属膜により構成されている。図1に示される例では、導通用孔25b、45bが金属膜により完全に埋められているが、これに限定されず、導通用孔25b、45bは完全に埋められていなくてもよい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the first and second via conductors 25a and 45a are respectively connected to the conduction holes 25b and 45b provided in the first and second interlayer resin insulation layers 20 and 40, respectively. It is comprised by the metal film formed in an inner surface. In the example shown in FIG. 1, the conduction holes 25b and 45b are completely filled with the metal film. However, the present invention is not limited to this, and the conduction holes 25b and 45b may not be completely filled.

本実施形態では、図1に示されるように、第1および第2ビア導体25a、45aは、それぞれ、第3導体層60側から第1導体層30側に向かってビア径が小さくなっており、このため、第1および第2ビア導体25a、45aの配線板10の積層方向に直交する断面の大きさが、第1層間樹脂絶縁層20の第1面F1に向って小さくなっている。配線板10が、たとえば、コアレス基板の場合、第1層間樹脂絶縁層20の第1導体層30が埋め込まれる側と反対側の面だけに導体層と絶縁層とが順次積層され、第3導体層60が形成される側から、たとえば、CO2レーザーなどが照射されることにより導通用孔25b、45bが設けられるため、第1および第2ビア導体25a、45aは、図1に示される形状になり易い。しかしながら、第1および第2ビア導体25a、45aの形状は、これに限定されず、たとえば、第1導体層30側と第3導体層60側で同じ大きさであってもよく、または、第3導体層60側から第1導体層30側に向かって拡径していてもよい。 In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the first and second via conductors 25a and 45a each have a via diameter that decreases from the third conductor layer 60 side toward the first conductor layer 30 side. For this reason, the size of the cross section of the first and second via conductors 25a, 45a perpendicular to the stacking direction of the wiring board 10 is reduced toward the first surface F1 of the first interlayer resin insulation layer 20. When the wiring board 10 is, for example, a coreless substrate, the conductor layer and the insulating layer are sequentially laminated only on the surface of the first interlayer resin insulation layer 20 opposite to the side where the first conductor layer 30 is embedded, and the third conductor Since the conduction holes 25b and 45b are provided by irradiating, for example, a CO 2 laser from the side where the layer 60 is formed, the first and second via conductors 25a and 45a have the shapes shown in FIG. It is easy to become. However, the shape of the first and second via conductors 25a and 45a is not limited to this, and may be the same size on the first conductor layer 30 side and the third conductor layer 60 side, for example. The diameter may be increased from the three conductor layer 60 side toward the first conductor layer 30 side.

本実施形態では、図1に示されるように、第3導体層60の表面は、第2ビア導体45a上の部分を除いて第2ソルダーレジスト55に覆われている。しかしながら、これに限定されず、第3導体層60のより多くの部分が第2ソルダーレジスト55に覆われないで露出していてもよい。同様に、第1導体層30側においても、第2パターン30bだけでなく、第1パターン30aを含む全ての第1導体層30の表面が、第1ソルダーレジスト35から露出していてもよい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the surface of the third conductor layer 60 is covered with the second solder resist 55 except for the portion on the second via conductor 45a. However, the present invention is not limited to this, and a larger portion of the third conductor layer 60 may be exposed without being covered with the second solder resist 55. Similarly, not only the second pattern 30 b but also the surface of all the first conductor layers 30 including the first pattern 30 a may be exposed from the first solder resist 35 on the first conductor layer 30 side.

第1および第2ソルダーレジスト35、55の材料は、はんだ耐熱性や絶縁性が良好なものであれば特に限定されないが、好ましくは、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などにより形成され、たとえば、エポキシ樹脂に40〜70重量%の無機フィラー、たとえばSiO2などが含有された材料により形成される。なお、第1ソルダーレジスト35と第2ソルダーレジスト55とは、異なる材料で形成されてもよい。 The materials of the first and second solder resists 35 and 55 are not particularly limited as long as they have good solder heat resistance and insulating properties, but are preferably formed of an epoxy resin or an acrylic resin. It is formed of a material containing 40 to 70% by weight of an inorganic filler such as SiO 2 . Note that the first solder resist 35 and the second solder resist 55 may be formed of different materials.

つぎに、本発明の他の実施形態のプリント配線板が、図4を参照しながら説明される。なお、前述の本発明の一実施形態と同じ構成要素には、図1に付したものと同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。本発明の他の実施形態のプリント配線板11は、図4に示されるように、第2導体層50と第2層間樹脂絶縁層40との間に、第3層間樹脂絶縁層70および第4導体層75が設けられる点で、前述の図1に示される一実施形態の配線板10と異なる。本実施形態の配線板11には、第3層間樹脂絶縁層70を貫通し、第1および第2ビア導体25a、45aと協働して第1導体層30と第3導体層60とを電気的に接続する第3ビア導体78も備えられている。   Next, a printed wiring board according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The same components as those of the embodiment of the present invention described above are denoted by the same reference numerals as those shown in FIG. 1, and detailed description thereof is omitted. As shown in FIG. 4, the printed wiring board 11 according to another embodiment of the present invention includes a third interlayer resin insulation layer 70 and a fourth interlayer resin layer 50 between the second conductor layer 50 and the second interlayer resin insulation layer 40. It differs from the wiring board 10 of one embodiment shown in FIG. 1 described above in that the conductor layer 75 is provided. In the wiring board 11 of the present embodiment, the first conductor layer 30 and the third conductor layer 60 are electrically connected to each other through the third interlayer resin insulation layer 70 in cooperation with the first and second via conductors 25a and 45a. A third via conductor 78 is also provided for connection.

本実施形態の配線板11のその他の部分は、前述の一実施形態の配線板10と同様に構成される。すなわち、本実施形態の配線板11においても、第1層間樹脂絶縁層20は第2層間樹脂絶縁層40よりも熱膨張率が大きくなるように構成される。そのため、一実施形態の配線板10と同様に、周囲温度が変化した時の第1導体層30側と第3導体層60側との配線板11の反りに対する作用の不均衡が緩和される。その結果、温度変化による配線板11の反りが抑制される。そして、その結果、配線板11と電子部品88(図5H参照)との接続不良が抑制されると共に、電子部品88との接続信頼性が高まる。   The other part of the wiring board 11 of this embodiment is comprised similarly to the wiring board 10 of one above-mentioned embodiment. That is, also in the wiring board 11 of this embodiment, the first interlayer resin insulation layer 20 is configured to have a higher thermal expansion coefficient than the second interlayer resin insulation layer 40. Therefore, similarly to the wiring board 10 of one embodiment, the imbalance of the action with respect to the warp of the wiring board 11 on the first conductor layer 30 side and the third conductor layer 60 side when the ambient temperature changes is alleviated. As a result, warping of the wiring board 11 due to temperature change is suppressed. As a result, connection failure between the wiring board 11 and the electronic component 88 (see FIG. 5H) is suppressed, and connection reliability with the electronic component 88 is increased.

本実施形態の配線板11の第1および第2層間樹脂絶縁層20、40の熱膨張率を調整する方法は、前述の一実施例と同様に、あらゆる方法が用いられ得る。すなわち、図1〜3に示されるように、絶縁性樹脂22、42の無機繊維21、41への含浸量が調整されてもよく、無機繊維21、41の量が加減されてもよい。或いは、無機繊維21と無機繊維41とが熱膨張率の異なる材料で形成されてもよく、および/または、絶縁性樹脂22と絶縁性樹脂42とが熱膨張率の異なる材料で形成されてもよい。従って、第1層間樹脂絶縁層20の厚さと第2層間樹脂絶縁層40の厚さが同じでも、いずれか一方が他方より厚くてもよい。   As a method for adjusting the coefficient of thermal expansion of the first and second interlayer resin insulation layers 20 and 40 of the wiring board 11 of the present embodiment, any method can be used as in the above-described one example. That is, as shown in FIGS. 1 to 3, the impregnation amount of the insulating resins 22 and 42 into the inorganic fibers 21 and 41 may be adjusted, and the amount of the inorganic fibers 21 and 41 may be adjusted. Alternatively, the inorganic fibers 21 and the inorganic fibers 41 may be formed of materials having different coefficients of thermal expansion, and / or the insulating resin 22 and the insulating resin 42 may be formed of materials having different coefficients of thermal expansion. Good. Therefore, even if the thickness of the 1st interlayer resin insulation layer 20 and the thickness of the 2nd interlayer resin insulation layer 40 are the same, either one may be thicker than the other.

第3層間樹脂絶縁層70の熱膨張率、厚さ、および、無機繊維71や絶縁性樹脂72などの構成材料は特に限定されない。要は、周囲温度の変化による配線板11の反りが、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率が第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率よりも大きくされることにより抑制されるものであればよい。しかしながら、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率と第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率との違いが、配線板11の反りの抑制に効果的に寄与し得る点で、第3層間樹脂絶縁層70の熱膨張率は、第1層間樹脂絶縁層20の熱膨張率と第2層間樹脂絶縁層40の熱膨張率との間の大きさであることが好ましい。なお、第4導体層75の材料は、第2および第3導体層50、60と同様の材料および方法で形成され得る。   The coefficient of thermal expansion and thickness of the third interlayer resin insulation layer 70 and the constituent materials such as the inorganic fibers 71 and the insulating resin 72 are not particularly limited. In short, the warpage of the wiring board 11 due to the change in ambient temperature is suppressed by making the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer 20 larger than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer 40. I just need it. However, the difference between the coefficient of thermal expansion of the first interlayer resin insulation layer 20 and the coefficient of thermal expansion of the second interlayer resin insulation layer 40 can effectively contribute to the suppression of the warp of the wiring board 11, so that the third interlayer resin The thermal expansion coefficient of the resin insulating layer 70 is preferably a magnitude between the thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulating layer 20 and the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulating layer 40. The material of the fourth conductor layer 75 can be formed by the same material and method as those of the second and third conductor layers 50 and 60.

なお、図4には、第3層間樹脂絶縁層70および第4導体層75が、第2導体層50と第2層間樹脂絶縁層40との間に、第2導体層50側から順に積層されるように示されている。しかしながら、第3層間樹脂絶縁層70および第4導体層75は、第1層間樹脂絶縁層20と第2導体層50との間に、第1層間樹脂絶縁層20側から第4導体層75、次いで第3層間樹脂絶縁層70の順に積層されてもよい。また、第3層間樹脂絶縁層70および第4導体層75に加えて、さらに一組または複数組の層間樹脂絶縁層と導体層との組が、第2導体層50と第2層間樹脂絶縁層40との間、および/または、第1層間樹脂絶縁層20と第2導体層50との間に設けられてもよい。   In FIG. 4, the third interlayer resin insulation layer 70 and the fourth conductor layer 75 are sequentially laminated between the second conductor layer 50 and the second interlayer resin insulation layer 40 from the second conductor layer 50 side. It is shown as However, the third interlayer resin insulation layer 70 and the fourth conductor layer 75 are arranged between the first interlayer resin insulation layer 20 and the second conductor layer 50 from the first interlayer resin insulation layer 20 side to the fourth conductor layer 75, Next, the third interlayer resin insulation layer 70 may be laminated in this order. Further, in addition to the third interlayer resin insulation layer 70 and the fourth conductor layer 75, one set or a plurality of sets of interlayer resin insulation layers and conductor layers are formed as the second conductor layer 50 and the second interlayer resin insulation layer. 40 and / or between the first interlayer resin insulation layer 20 and the second conductor layer 50.

つぎに、本発明の一実施形態の配線板10の製造方法が、図5A〜5Hを参照して説明される。なお、図5A〜5Hでは、配線板10の製造工程が理解され易いように、図1に示される向きから図面に垂直な方向の回転軸で180°回転された向きで、配線板10の製造工程途上の状態が示されている。   Next, a method for manufacturing the wiring board 10 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5H, in order to facilitate understanding of the manufacturing process of the wiring board 10, the manufacturing of the wiring board 10 is performed in the direction rotated by 180 ° with the rotation axis in the direction perpendicular to the drawing from the direction shown in FIG. 1. The state during the process is shown.

一実施形態の配線板10の製造方法では、まず、図5Aに示されるように、出発材料として、キャリア80とキャリア銅箔80a付き第1金属箔81とが用意され、キャリア80の両面に、キャリア銅箔80a付き第1金属箔81がキャリア銅箔80a側をキャリア80側に向けて積層され、加圧および加熱されて接合される。キャリア80には、好ましくは、ガラス繊維などの芯材にエポキシなどの絶縁性樹脂を含浸させた材料などからなる半硬化状態のプリプレグ材などが用いられるが、これに限定されず、他の材料が用いられてもよい。第1金属箔81の材料は、表面上に、後述の第1導体層30(図5B参照)が形成され得るものであれば特に限定されないが、好ましくは銅箔またはニッケル箔が用いられる。また、第1金属箔81は、たとえば、2〜6μm、好ましくは5μmの厚さの金属箔が用いられる。また、キャリア銅箔80aは、たとえば、15〜30μm、好ましくは18μmの厚さの銅箔が用いられる。しかしながら、第1金属箔81およびキャリア銅箔80aの厚さは、これらに限定されず、他の厚さにされてもよい。   In the method of manufacturing the wiring board 10 of one embodiment, first, as shown in FIG. 5A, a carrier 80 and a first metal foil 81 with a carrier copper foil 80a are prepared as starting materials. The first metal foil 81 with the carrier copper foil 80a is laminated with the carrier copper foil 80a side facing the carrier 80 side, and is joined by being pressurized and heated. The carrier 80 is preferably made of a semi-cured prepreg material made of a material in which a core material such as glass fiber is impregnated with an insulating resin such as epoxy, but is not limited thereto. May be used. Although the material of the 1st metal foil 81 will not be specifically limited if the below-mentioned 1st conductor layer 30 (refer FIG. 5B) can be formed on the surface, Preferably copper foil or nickel foil is used. The first metal foil 81 is, for example, a metal foil having a thickness of 2 to 6 μm, preferably 5 μm. The carrier copper foil 80a is, for example, a copper foil having a thickness of 15 to 30 μm, preferably 18 μm. However, the thickness of the 1st metal foil 81 and the carrier copper foil 80a is not limited to these, You may be made into other thickness.

キャリア銅箔80aと第1金属箔81とは、たとえば、貼り付け面の略全面において図示されない熱可塑性の接着剤により接着されている。しかしながら、これに限定されず、キャリア銅箔80aと第1金属箔81とは、後述の第1導体層30(図5B参照)の導体パターンが設けられない外周付近の余白部において、接着剤または超音波接続により接合されてもよい。   The carrier copper foil 80a and the first metal foil 81 are bonded to each other by, for example, a thermoplastic adhesive (not shown) on substantially the entire attachment surface. However, the carrier copper foil 80a and the first metal foil 81 are not limited to this, and the adhesive or It may be joined by ultrasonic connection.

図5Aに示される例では、既にキャリア銅箔80aが接着された第1金属箔81が、単独のプリプレグ材からなるキャリア80に接合される例が示されているが、このような構成に限定されず、たとえば、キャリア80に両面銅張積層板が用いられ、両面に接合されている銅箔それぞれの上に単体の第1金属箔81が接着材などで接合されてもよい。   In the example shown in FIG. 5A, an example is shown in which the first metal foil 81 to which the carrier copper foil 80a has already been bonded is bonded to the carrier 80 made of a single prepreg material, but is limited to such a configuration. Instead, for example, a double-sided copper clad laminate may be used for the carrier 80, and the single first metal foil 81 may be bonded to each of the copper foils bonded to both surfaces with an adhesive or the like.

なお、図5A〜5Dには、キャリア80の両側の面に第1金属箔81が接着され、それぞれの面において配線板10が形成される製造方法の例が示されている。このようにキャリア80の両側で配線板10が形成されれば、一度に2つの配線板10が作製されるという点で好ましい。しかしながら、キャリア80の一方の面だけに配線板10が形成されてもよく、また、両側で互いに異なる回路パターンの配線板が形成されてもよい。配線板10の製造方法についての以下の説明は、両面に同じ回路パターンが形成される例が示される図5A〜5Fを参照して説明されるため、一方の面だけについて説明され、他面側に関しての説明、および、各図面における他面側の符号は省略される。   5A to 5D show an example of a manufacturing method in which the first metal foil 81 is bonded to both sides of the carrier 80 and the wiring board 10 is formed on each side. If the wiring boards 10 are formed on both sides of the carrier 80 as described above, it is preferable in that two wiring boards 10 are manufactured at a time. However, the wiring board 10 may be formed only on one surface of the carrier 80, or wiring boards having different circuit patterns may be formed on both sides. Since the following description about the manufacturing method of the wiring board 10 is demonstrated with reference to FIG. 5A-5F by which the example in which the same circuit pattern is formed in both surfaces is shown, only one surface is demonstrated and the other surface side And the reference numerals on the other side in each drawing are omitted.

つぎに、図5Bに示されるように、第1金属箔81上に第1導体層30が形成される。第1導体層30の形成方法は特に限定されないが、たとえば、電気めっき法が用いられる。具体的には、まず、第1金属箔81上に、後述の第1および第2パターン30a、30b(図5H参照)が形成される部分以外の所定の領域にめっきレジスト膜(図示せず)が形成される。続いて、めっきレジスト膜が形成されていない第1金属箔81上に、たとえば、第1金属箔81をシード層として電気めっきにより、電気めっき膜が形成される。その後、めっきレジスト膜が除去される。その結果、図5Bに示されるように、第1金属箔81上に第1導体層30が形成される。第1導体層30は、好ましくは銅からなる電気めっき膜である。   Next, as shown in FIG. 5B, the first conductor layer 30 is formed on the first metal foil 81. Although the formation method of the 1st conductor layer 30 is not specifically limited, For example, an electroplating method is used. Specifically, first, a plating resist film (not shown) is formed on a predetermined region other than a portion where first and second patterns 30a and 30b (see FIG. 5H) described later are formed on the first metal foil 81. Is formed. Subsequently, an electroplating film is formed on the first metal foil 81 on which the plating resist film is not formed, for example, by electroplating using the first metal foil 81 as a seed layer. Thereafter, the plating resist film is removed. As a result, the first conductor layer 30 is formed on the first metal foil 81 as shown in FIG. 5B. The first conductor layer 30 is preferably an electroplated film made of copper.

つぎに、図5Cに示されるように、第1金属箔81上および第1導体層30上に、半硬化状態の第1層間樹脂絶縁層20が積層され、さらに第1層間樹脂絶縁層20上に第2金属箔501が積層される。その後、第2金属箔501および第1層間樹脂絶縁層20は、キャリア80側に向かってプレスされ、さらに加熱される。この結果、第1層間樹脂絶縁層20が完全に硬化され、同時に、第1金属箔81および第1導体層30、ならびに第2金属箔501と接合される。なお、図5Cにおいて、第1層間樹脂絶縁層20は、無機繊維21と絶縁性樹脂22とで構成されているが、第1層間樹脂絶縁層20は、無機繊維21を含まずに絶縁性樹脂22だけで構成されていてもよい。   Next, as shown in FIG. 5C, a semi-cured first interlayer resin insulation layer 20 is laminated on the first metal foil 81 and the first conductor layer 30, and further on the first interlayer resin insulation layer 20. A second metal foil 501 is laminated on the substrate. Thereafter, the second metal foil 501 and the first interlayer resin insulation layer 20 are pressed toward the carrier 80 side and further heated. As a result, the first interlayer resin insulation layer 20 is completely cured, and simultaneously joined to the first metal foil 81, the first conductor layer 30, and the second metal foil 501. In FIG. 5C, the first interlayer resin insulation layer 20 is composed of inorganic fibers 21 and an insulating resin 22, but the first interlayer resin insulation layer 20 does not include the inorganic fibers 21 and is an insulating resin. 22 may be comprised.

つぎに、図5Dに示されるように、第2金属箔501および第1層間樹脂絶縁層20を貫通し、第1導体層30を露出させる導通用孔25bが形成される。具体的には、第2金属箔501の表面側から、第2金属箔501上の所定の位置にCO2レーザーを用いてレーザー光が照射される。この結果、図5Dに示されるように導通用孔25bが形成される。導通用孔25bの形成後、好ましくは、導通用孔25bについてデスミアが行われる。また、レーザー光の吸収効率が高まるように、レーザー光の照射の前に第2金属箔501の表面が黒化処理されてもよい。 Next, as shown in FIG. 5D, a conduction hole 25 b that penetrates through the second metal foil 501 and the first interlayer resin insulation layer 20 and exposes the first conductor layer 30 is formed. Specifically, laser light is irradiated from a surface side of the second metal foil 501 to a predetermined position on the second metal foil 501 using a CO 2 laser. As a result, a conduction hole 25b is formed as shown in FIG. 5D. After the formation of the conduction hole 25b, desmearing is preferably performed on the conduction hole 25b. Further, the surface of the second metal foil 501 may be blackened before the laser light irradiation so that the absorption efficiency of the laser light is increased.

つぎに、図5Eに示されるように、第2金属箔501上および導通用孔25b内に第1金属膜502が形成される。第1金属膜502は、好ましくは、無電解めっきにより形成される。無電解めっきにより形成される場合、第1金属膜502は、好ましくは0.3〜1μmの厚さに形成される。第1金属膜502は、他の好ましい例において、スパッタリング法により形成される。スパッタリング法により形成される場合、第1金属膜502は、好ましくは、0.05〜0.2μmの厚さに形成される。第1金属膜502の材料は特に限定されないが、好ましくは銅からなる。しかしながら、第1金属膜502の形成方法および材料は、これらに限定されず、他の方法および材料が用いられてもよい。   Next, as shown in FIG. 5E, a first metal film 502 is formed on the second metal foil 501 and in the conduction hole 25b. The first metal film 502 is preferably formed by electroless plating. When formed by electroless plating, the first metal film 502 is preferably formed to a thickness of 0.3 to 1 μm. In another preferred example, the first metal film 502 is formed by a sputtering method. When formed by sputtering, the first metal film 502 is preferably formed to a thickness of 0.05 to 0.2 μm. The material of the first metal film 502 is not particularly limited, but is preferably made of copper. However, the method and material for forming the first metal film 502 are not limited to these, and other methods and materials may be used.

続いて、第1金属膜502上に第2金属膜503が形成される。第2金属膜503の形成方法は特に限定されないが、短い時間で厚い膜が形成され得る点で、電気めっき法により形成されるのが好ましい。電気めっき法により形成される場合、まず、第1金属膜502にめっきレジスト膜82が形成される。めっきレジスト膜82は、導通用孔25bと第2導体層50(図5F参照)の所定のパターンが設けられる部分とを少なくとも除く領域の第1金属膜502上に形成される。続いて、めっきレジスト膜82に覆われていない第1金属膜502上に、電気めっきにより第2金属膜503が形成される。その結果、導通用孔25bに、図5Eに示されるように、第2金属膜503が充填され、第1および第2金属膜502、503からなる第1ビア導体25aが形成される。   Subsequently, a second metal film 503 is formed on the first metal film 502. The method for forming the second metal film 503 is not particularly limited, but it is preferably formed by electroplating in that a thick film can be formed in a short time. When formed by electroplating, first, a plating resist film 82 is formed on the first metal film 502. The plating resist film 82 is formed on the first metal film 502 in a region excluding at least the conductive hole 25b and a portion where the predetermined pattern of the second conductor layer 50 (see FIG. 5F) is provided. Subsequently, a second metal film 503 is formed on the first metal film 502 not covered with the plating resist film 82 by electroplating. As a result, as shown in FIG. 5E, the conduction hole 25b is filled with the second metal film 503, and the first via conductor 25a composed of the first and second metal films 502 and 503 is formed.

つぎに、めっきレジスト膜82に覆われている第1金属膜502、および第2金属箔501の一部が除去される。具体的には、まず、めっきレジスト膜82が剥離される。続いて、めっきレジスト膜82の剥離により露出する第1金属膜502、および、その下方の第2金属箔501が除去される。この結果、図5Fに示されるように、第1導体層30が埋め込まれていない側の第1層間樹脂絶縁層20の表面に、第2金属箔501、第1金属膜502、第2金属膜503からなるパターン50aを有する第2導体層50が形成される。   Next, a part of the first metal film 502 and the second metal foil 501 covered with the plating resist film 82 is removed. Specifically, first, the plating resist film 82 is peeled off. Subsequently, the first metal film 502 exposed by peeling the plating resist film 82 and the second metal foil 501 below the first metal film 502 are removed. As a result, as shown in FIG. 5F, the second metal foil 501, the first metal film 502, and the second metal film are formed on the surface of the first interlayer resin insulation layer 20 on the side where the first conductor layer 30 is not embedded. A second conductor layer 50 having a pattern 50a made of 503 is formed.

つぎに、図5Gに示されるように、第2導体層50上および第1層間樹脂絶縁層20上に、第2層間樹脂絶縁層40と第3導体層60とが順に形成され、さらに第2ビア導体45aが第2層間樹脂絶縁層40に形成される。第2層間樹脂絶縁層40、第3導体層60および第2ビア導体45aは、図5C〜図5Fに示される工程を繰り返すことにより、第1層間樹脂絶縁層20、第2導体層50および第1ビア導体25aと同様に、それぞれ形成され得る。   Next, as shown in FIG. 5G, a second interlayer resin insulation layer 40 and a third conductor layer 60 are sequentially formed on the second conductor layer 50 and the first interlayer resin insulation layer 20, and the second A via conductor 45 a is formed in the second interlayer resin insulation layer 40. The second interlayer resin insulation layer 40, the third conductor layer 60, and the second via conductor 45a repeat the steps shown in FIGS. 5C to 5F, thereby repeating the first interlayer resin insulation layer 20, the second conductor layer 50, and the second via conductor 45a. Each may be formed in the same manner as the one via conductor 25a.

続いて、キャリア80、キャリア銅箔80aおよび第1金属箔81が除去される。具体的には、まず、たとえば、途中工程の配線板10が加熱され、キャリア銅箔80aと第1金属箔81とを接合している図示しない熱可塑性接着剤が軟化している状態で、両者が分離される。或いは、前述のように、両者が外周付近の余白部において接着剤または超音波接続により接合されている場合は、接合箇所よりも内周側で、キャリア銅箔80a、第1金属箔81、およびキャリア80が第1層間樹脂絶縁層20などと共に切断され、接合箇所が切除されることによりキャリア銅箔80aおよびキャリア80と第1金属箔81とが分離されてもよい。その後、第1金属箔81は、たとえばエッチングなどにより除去される。   Subsequently, the carrier 80, the carrier copper foil 80a, and the first metal foil 81 are removed. Specifically, first, for example, in the state where the wiring board 10 in the intermediate process is heated and the thermoplastic adhesive (not shown) that joins the carrier copper foil 80a and the first metal foil 81 is softened. Are separated. Alternatively, as described above, when both are bonded by an adhesive or ultrasonic connection in the blank portion near the outer periphery, the carrier copper foil 80a, the first metal foil 81, and The carrier copper foil 80a and the carrier 80 and the first metal foil 81 may be separated by cutting the carrier 80 together with the first interlayer resin insulation layer 20 and the like and cutting the joint portion. Thereafter, first metal foil 81 is removed by, for example, etching.

なお、図5C〜図5Fに示される工程をさらに1回または複数回繰り返すことにより、図4に示される他の実施形態の配線板11のような、3個以上の層間樹脂絶縁層と4個以上の導体層と各層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体とを有する配線板が形成され得る。   5C to 5F are repeated one or more times to obtain three or more interlayer resin insulation layers and four like the wiring board 11 of the other embodiment shown in FIG. A wiring board having the above conductor layers and via conductors penetrating each interlayer resin insulating layer can be formed.

つぎに、図5Hに示されるように、第1導体層30の一部の表面上、および、第1導体層30側の第1層間樹脂絶縁層20の表面の一部の上に、第1ソルダーレジスト35が形成される。また、第3導体層60の表面上、および、第2層間樹脂絶縁層40の表面の第3導体層60が形成されていない部分上に第2ソルダーレジスト55が形成される。なお、図5Hには、完成状態を示す図1と整合するように、図5Gに示される配線板10の工程途上品が図面に垂直な軸で180°回転された状態で、完成状態の配線板10が示されている。   Next, as shown in FIG. 5H, on the surface of a part of the first conductor layer 30 and on the part of the surface of the first interlayer resin insulation layer 20 on the first conductor layer 30 side, A solder resist 35 is formed. The second solder resist 55 is formed on the surface of the third conductor layer 60 and on the portion of the surface of the second interlayer resin insulation layer 40 where the third conductor layer 60 is not formed. In FIG. 5H, the in-process product of the wiring board 10 shown in FIG. 5G is rotated by 180 ° about the axis perpendicular to the drawing so as to be consistent with FIG. 1 showing the completed state. A plate 10 is shown.

第1および第2ソルダーレジスト35、55は、たとえば、感光性のエポキシ材などからなる層が第1層間樹脂絶縁層20の第1導体層30側の全面、および第2層間樹脂絶縁層40の第3導体層60側の全面に形成された後、第1および第2ソルダーレジスト35、55が設けられる所定の箇所の上部のエポキシ材などからなる層が露光され、露光されない部分のエポキシ材が現像により除去されて形成される。しかしながら、これに限定されず、第1および第2ソルダーレジスト35、55は、第1および第2ソルダーレジスト35、55が設けられる箇所に対応する部分が開口されたマスクを用いるスクリーン印刷などの他の方法で設けられてもよい。また、第1および第2ソルダーレジスト35、55は、たとえば、非感光性のエポキシ材などからなる層が、第1層間樹脂絶縁層20の第1導体層30側の全面、および第2層間樹脂絶縁層40の第3導体層60側の全面に形成された後、ソルダーレジストの形成が不要な部分がレーザーで除去されることにより形成されてもよい。   The first and second solder resists 35 and 55 are, for example, a layer made of a photosensitive epoxy material or the like on the entire surface of the first interlayer resin insulation layer 20 on the first conductor layer 30 side, and the second interlayer resin insulation layer 40. After being formed on the entire surface on the third conductor layer 60 side, a layer made of an epoxy material or the like at an upper portion of a predetermined portion where the first and second solder resists 35 and 55 are provided is exposed, and an unexposed portion of the epoxy material It is formed by being removed by development. However, the present invention is not limited to this, and the first and second solder resists 35 and 55 may be screen printing or the like using a mask having an opening corresponding to a portion where the first and second solder resists 35 and 55 are provided. It may be provided by the method. Further, the first and second solder resists 35 and 55 are, for example, a layer made of a non-photosensitive epoxy material or the like on the entire surface of the first interlayer resin insulating layer 20 on the first conductor layer 30 side and the second interlayer resin. After being formed on the entire surface of the insulating layer 40 on the third conductor layer 60 side, a portion that does not require the formation of a solder resist may be removed by laser.

図5Hに示されるように、第1導体層30に形成されるパターンのうち、配線板10に実装される電子部品88の電極が接続される第2パターン30bが、第1ソルダーレジスト35に覆われず、第1ソルダーレジスト35に形成された開口部に露出している。一方、第3導体層60の表面は、第2ビア導体45a上の部分を除いて第2ソルダーレジスト55に覆われている。しかしながら、第2パターン30b以外の第1導体層30のパターン、たとえば第1パターン30a、および、第1パターン30aの周囲の第1層間樹脂絶縁層20の表面などが第1ソルダーレジスト35に覆われずに露出していてもよい。また、第3導体層60の表面のより多くの部分が第2ソルダーレジスト55に覆われずに露出していてもよい。   As shown in FIG. 5H, among the patterns formed on the first conductor layer 30, the second pattern 30 b to which the electrodes of the electronic component 88 mounted on the wiring board 10 are connected covers the first solder resist 35. Instead, it is exposed in the opening formed in the first solder resist 35. On the other hand, the surface of the third conductor layer 60 is covered with the second solder resist 55 except for the portion on the second via conductor 45a. However, the pattern of the first conductor layer 30 other than the second pattern 30b, for example, the first pattern 30a and the surface of the first interlayer resin insulation layer 20 around the first pattern 30a are covered with the first solder resist 35. It may be exposed without. Further, a larger portion of the surface of the third conductor layer 60 may be exposed without being covered with the second solder resist 55.

また、ソルダーレジスト35および第2ソルダーレジスト55に覆われないで露出している第1および第3導体層30、60の表面上に、たとえばNi/Au、Ni/Pd/AuまたはSnなどからなる耐食層(図示せず)が形成されてもよい。また、液状の保護材料内への浸漬や保護材料の吹付けなどにより有機保護膜(OSP)からなる耐食層が形成されてもよく、或いは、はんだコート層(図示せず)が形成されてもよい。   Further, the surface of the first and third conductor layers 30 and 60 exposed without being covered with the solder resist 35 and the second solder resist 55 is made of, for example, Ni / Au, Ni / Pd / Au, or Sn. A corrosion resistant layer (not shown) may be formed. Further, a corrosion-resistant layer made of an organic protective film (OSP) may be formed by immersion in a liquid protective material or spraying of the protective material, or a solder coat layer (not shown) may be formed. Good.

図5A〜図5Hに示される工程を経ることにより、図1に示される一実施形態の配線板10が完成する。完成した配線板10には、図5Hに示されるように、たとえば、第1層間樹脂絶縁層20の第1面F1側に埋め込まれている第1導体層30に電子部品88が搭載されてもよい。   The wiring board 10 of one embodiment shown in FIG. 1 is completed through the steps shown in FIGS. 5A to 5H. As shown in FIG. 5H, for example, even if the electronic component 88 is mounted on the first conductor layer 30 embedded on the first surface F1 side of the first interlayer resin insulation layer 20 in the completed wiring board 10. Good.

一実施形態の配線板10の製造方法は、図5A〜5Hを参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは任意に変更され得る。また、特定の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。   The manufacturing method of the wiring board 10 of one embodiment is not limited to the method described with reference to FIGS. 5A to 5H, and the conditions, order, and the like can be arbitrarily changed. Moreover, a specific process may be abbreviate | omitted and another process may be added.

10、11 プリント配線板
20 第1層間樹脂絶縁層
21 無機繊維
22、22a 絶縁性樹脂
25a 第1ビア導体
30 第1導体層
30a 第1パターン
30b 第2パターン
35 第1ソルダーレジスト
40 第2層間樹脂絶縁層
41 無機繊維
42、42a 絶縁性樹脂
45a 第2ビア導体
50 第2導体層
55 第2ソルダーレジスト
60 第3導体層
70 第3層間樹脂絶縁層
75 第4導体層
F1 第1層間樹脂絶縁層の第1面
F2 第1層間樹脂絶縁層の第2面
10, 11 Printed wiring board 20 First interlayer resin insulation layer 21 Inorganic fibers 22, 22a Insulating resin 25a First via conductor 30 First conductor layer 30a First pattern 30b Second pattern 35 First solder resist 40 Second interlayer resin Insulating layer 41 Inorganic fiber 42, 42a Insulating resin 45a Second via conductor 50 Second conductor layer 55 Second solder resist 60 Third conductor layer 70 Third interlayer resin insulating layer 75 Fourth conductor layer F1 First interlayer resin insulating layer First surface F2 of the second surface of the first interlayer resin insulation layer

Claims (7)

第1面と該第1面と反対側の第2面とを有する第1層間樹脂絶縁層と、
前記第1面側の第1層間樹脂絶縁層内に埋め込まれ、最上面が露出される第1導体層と、
前記第2面側の第1層間樹脂絶縁層上に形成される第2導体層と、
前記第1層間樹脂絶縁層を貫通して設けられ、前記第1導体層と前記第2導体層とを電気的に接続する第1ビア導体と、
前記第2面側の第1層間樹脂絶縁層および前記第2導体層上に積層される第2層間樹脂絶縁層と、
前記第2層間樹脂絶縁層上に形成される第3導体層と、
前記第2層間樹脂絶縁層を貫通して設けられ、前記第2導体層と前記第3導体層とを電気的に接続する金属を充填してなる第2ビア導体と、
を備えた、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されてなるプリント配線板であって、
前記第1層間樹脂絶縁層の熱膨張率は、前記第2層間樹脂絶縁層の熱膨張率より大きい。
A first interlayer resin insulation layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
A first conductor layer embedded in the first interlayer resin insulation layer on the first surface side and having the uppermost surface exposed;
A second conductor layer formed on the first interlayer resin insulation layer on the second surface side;
A first via conductor provided through the first interlayer resin insulation layer and electrically connecting the first conductor layer and the second conductor layer;
A second interlayer resin insulation layer laminated on the first interlayer resin insulation layer on the second surface side and the second conductor layer;
A third conductor layer formed on the second interlayer resin insulation layer;
A second via conductor that is provided through the second interlayer resin insulation layer and is filled with a metal that electrically connects the second conductor layer and the third conductor layer;
A printed wiring board comprising an interlayer resin insulation layer and a conductor layer alternately laminated,
The thermal expansion coefficient of the first interlayer resin insulation layer is greater than the thermal expansion coefficient of the second interlayer resin insulation layer.
請求項1記載のプリント配線板であって、
前記第1層間樹脂絶縁層の厚さは、前記第2層間樹脂絶縁層の厚さより厚い。
The printed wiring board according to claim 1,
The thickness of the first interlayer resin insulation layer is greater than the thickness of the second interlayer resin insulation layer.
請求項1または請求項2記載のプリント配線板であって、
前記第1および第2層間樹脂絶縁層は、無機繊維と該無機繊維に含浸されている樹脂とを少なくとも含んでおり、
前記第1層間樹脂絶縁層全体に対する前記第1層間樹脂絶縁層に含まれる前記無機繊維の重量比は、前記第2層間樹脂絶縁層全体に対する前記第2層間樹脂絶縁層に含まれる前記無機繊維の重量比より小さい。
The printed wiring board according to claim 1 or 2,
The first and second interlayer resin insulation layers include at least inorganic fibers and a resin impregnated in the inorganic fibers,
The weight ratio of the inorganic fibers contained in the first interlayer resin insulation layer to the whole first interlayer resin insulation layer is the weight ratio of the inorganic fibers contained in the second interlayer resin insulation layer to the whole second interlayer resin insulation layer. Less than weight ratio.
請求項1〜3のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、さらに、
前記第1導体層上および前記第1層間樹脂絶縁層上に形成される第1ソルダーレジストと、前記第3導体層上および前記第3層間樹脂絶縁層上に形成される第2ソルダーレジストとを備え、前記第1ソルダーレジストの厚さは、前記第2ソルダーレジストの厚さより薄い。
The printed wiring board according to claim 1, further comprising:
A first solder resist formed on the first conductor layer and the first interlayer resin insulation layer; and a second solder resist formed on the third conductor layer and the third interlayer resin insulation layer. And the thickness of the first solder resist is smaller than the thickness of the second solder resist.
請求項4記載のプリント配線板であって、
前記第1および第2ソルダーレジストは、エポキシ樹脂に40〜70重量%の 無機フィラーが含有されて形成されている。
The printed wiring board according to claim 4,
The first and second solder resists are formed by containing 40 to 70% by weight of an inorganic filler in an epoxy resin.
請求項1〜5のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、
前記第1および第2ビア導体の断面の大きさは、前記第1層間樹脂絶縁層の前記第1面に向って小さくなる。
The printed wiring board according to any one of claims 1 to 5,
The cross-sectional size of the first and second via conductors decreases toward the first surface of the first interlayer resin insulation layer.
請求項1〜6のいずれか1項に記載のプリント配線板であって、
前記第1層間樹脂絶縁層の前記第1面側に電子部品が搭載される。
The printed wiring board according to any one of claims 1 to 6,
An electronic component is mounted on the first surface side of the first interlayer resin insulation layer.
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