JP2015205335A - レーザ接合方法、レーザ接合品及びレーザ接合装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1実施形態によるレーザ接合方法及びレーザ接合装置について図面を用いて説明する。図1は、本実施形態によるレーザ接合装置を示す概略図である。図1において、各構成要素間の接続は実線で示されており、レーザ光の光路は破線で示されている。
本発明の第2実施形態による半導体装置及びその製造方法について図面を用いて説明する。図7乃至図13は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図7乃至図9,図11乃至図13における(a)は平面図である。図7乃至図9、及び、図11乃至図13における(b)は断面図である。図10は断面図である。図7乃至図9、及び、図11乃至図13における(b)は、図7乃至図9、及び、図11乃至図13における(a)のX−X′断面にそれぞれ対応している。図1乃至図6に示す第1実施形態によるレーザ接合方法及びレーザ接合装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第3実施形態による半導体装置の製造方法について図面を用いて説明する。図14乃至図19は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図14乃至図17、及び、図19における(a)は平面図であり、図14乃至図17,及び、図19における(b)は断面図である。図18は、断面図である。図14乃至図17,図19における(b)は、図14乃至図17,図19における(a)のX−X′断面にそれぞれ対応している。図1乃至図13に示す第1又は第2実施形態によるレーザ接合方法及びレーザ接合装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第4実施形態による電子装置の製造方法について図面を用いて説明する。図20は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。図1乃至図19に示す第1乃至第3実施形態によるレーザ接合方法及びレーザ接合装置等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
14…制御部
16…物体
16a〜16c…外部接続端子
17…物体
17a、17b…半導体チップ
19…レーザ照射範囲
56…凹部
58…はんだ
60…モールド材
62,62a…半導体装置
64…基板
66…電子装置
Claims (7)
- 第1の物体と、前記第1の物体上に配された第2の物体とが、接触又は近接している部位に、超短パルスレーザ光を第1の焦点距離で前記第2の物体の上方から照射する第1のステップと、
前記第1のステップにおいて前記超短パルスレーザ光が照射された箇所に、前記超短パルスレーザ光を前記第1の焦点距離と異なる第2の焦点距離で前記第2の物体の上方から更に照射する第2のステップと
を有するレーザ接合方法。 - 前記超短パルスレーザ光は、フェムト秒レーザ光である、請求項1記載のレーザ接合方法。
- 前記第1のステップでは、前記第1の物体と前記第2の物体との境界の近傍における前記第1の物体内又は前記第2の物体内に前記超短パルスレーザ光の焦点を位置させ、
前記第2のステップでは、前記第1の物体と前記第2の物体との前記境界に前記超短パルスレーザ光の焦点を位置させる、請求項1又は2記載のレーザ接合方法。 - 前記第1の物体は、金属、半導体又はセラミックより成り、
前記第2の物体は、前記超短パルスレーザ光に対して透明な材料より成る、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレーザ接合方法。 - 前記第1の物体のうちの前記第2の物体が配される領域の一部には、凹部が形成されており、
前記凹部内には、はんだが充填されており、
前記第1のステップ及び前記第2のステップでは、前記第2の物体のうちの前記凹部と重なり合っている部分を除く部分に前記超短パルスレーザ光を照射する、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のレーザ接合方法。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレーザ接合方法により得られたレーザ接合品。
- 超短パルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
第1の物体と、前記第1の物体上に配された第2の物体とが、接触又は近接している部位に、前記超短パルスレーザ光を第1の焦点距離で前記第2の物体の上方から照射し、前記超短パルスレーザ光が照射された箇所に前記超短パルスレーザ光を前記第1の焦点距離と異なる第2の焦点距離で前記第2の物体の上方から更に照射する制御部と
を有するレーザ接合装置。
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