JP2015204404A - マルチビーム描画方法およびマルチビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マルチビーム描画方法は、平面型フォトカソードを有する電子銃から放出された電子ビームの一部がそれぞれ複数の開口部を通過することによって形成されたマルチビームのうち、少なくとも1つの代表ビームの電流値を測定する工程S106と、測定された少なくとも1つの代表ビームの電流値を用いて、マルチビームを代表する代表電流密度を演算する工程S108と、代表電流密度を用いて、マルチビームの各ビームの電流密度を演算する工程S110と、代表電流密度を用いて演算された各ビームの電流密度を用いて、マルチビームの照射時間を演算する工程S114と、それぞれ演算された各ビームの照射時間のマルチビームを用いて、試料にパターンを描画する工程S116と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
平面型フォトカソードを有する電子銃から放出された電子ビームの一部がそれぞれ複数の開口部を通過することによって形成されたマルチビームのうち、少なくとも1つの代表ビームの電流値を測定する工程と、
測定された少なくとも1つの代表ビームの電流値を用いて、マルチビームを代表する代表電流密度を演算する工程と、
代表電流密度を用いて、マルチビームの各ビームの電流密度を演算する工程と、
代表電流密度を用いて演算された各ビームの電流密度を用いて、マルチビームの照射時間を演算する工程と、
それぞれ演算された各ビームの照射時間のマルチビームを用いて、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
複数のストライプ領域のうち少なくとも1つの描画が終了するごとに、代表電流密度は演算し直され、
代表電流密度が演算し直された後、各ビームの照射時間は、演算し直された代表電流密度を用いて演算された各ビームの電流密度を用いて演算されると好適である。
光強度分布が略均一な照明光を生成する照明装置と、
照明光の照射によって電子ビームを放出する平面型フォトカソードを有する電子銃と、
複数の開口部が形成され、複数の開口部全体が含まれる領域に電子ビームの照射を受け、複数の開口部を電子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成するアパーチャプレートと、
複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
開口部が形成され、マルチビームのうち複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを制限開口部から外れた位置にて遮蔽し、ビームONの状態になる各ビームを制限開口部から通過させるブランキングアパーチャ部材と、
平面型フォトカソードを有する電子銃から放出された電子ビームの一部がそれぞれ複数の開口部を通過することによって形成されたマルチビームのうち、少なくとも1つの代表ビームの電流値を用いて、マルチビームを代表する代表電流密度を演算する代表電流密度演算部と、
代表電流密度を用いて、マルチビームの各ビームの電流密度を演算する個別電流密度演算部と、
代表電流密度を用いて演算された各ビームの電流密度を用いて、マルチビームの照射時間を演算する照射時間演算部と、
マルチビームの各ビームの照射時間の間、ビームONの状態になるように前記複数のブランカーを制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、照明装置212、電子銃201、照明レンズ202、アパーチャ部材203、ブランキングプレート204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び、偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。また、XYステージ105上には、試料101が配置される位置とは異なる位置にファラディーカップ106が配置される。
(1)Tk=D(x,y)/Jk
(2) J(x,y)=ax+by+c
12 ウェネルト
14 アノード
20 マルチビーム
22,23 穴
24,26 電極
30 描画領域
32 ストライプ領域
34 照射領域
36 ショットパターン
50 描画データ処理部
52 照射量演算部
54 I0測定部
56 J0演算部
58 Jk演算部
60 Tk演算部
62 描画制御部
64 設定部
66,68 判定部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 制御回路
130 電子銃電源回路
132 アンプ
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 アパーチャ部材
204 ブランキングプレート
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
212 照明装置
214 光源
216,316 照明光学系
218 光ファイバー
314 LED光源
318 スリット
Claims (5)
- 平面型フォトカソードを有する電子銃から放出された電子ビームの一部がそれぞれ複数の開口部を通過することによって形成されたマルチビームのうち、少なくとも1つの代表ビームの電流値を測定する工程と、
測定された少なくとも1つの代表ビームの電流値を用いて、前記マルチビームを代表する代表電流密度を演算する工程と、
前記代表電流密度を用いて、前記マルチビームの各ビームの電流密度を演算する工程と、
前記代表電流密度を用いて演算された各ビームの電流密度を用いて、前記マルチビームの照射時間を演算する工程と、
それぞれ演算された各ビームの照射時間のマルチビームを用いて、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とするマルチビーム描画方法。 - 前記代表電流密度を用いてマルチビームの各ビームの電流密度を演算する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のマルチビーム描画方法。
- 前記試料の描画領域は、複数のストライプ領域に仮想分割され、
前記複数のストライプ領域のうち少なくとも1つの描画が終了するごとに、前記代表電流密度は演算し直され、
前記代表電流密度が演算し直された後、各ビームの照射時間は、演算し直された前記代表電流密度を用いて演算された各ビームの電流密度を用いて演算されることを特徴とする請求項1又は2記載のマルチビーム描画方法。 - 前記少なくとも1つの代表ビームとして、前記マルチビームの中心部のビームと端部のビームとを用いることを特徴とする請求項1から3記載のマルチビーム描画方法。
- 光強度分布が略均一な照明光を生成する照明装置と、
前記照明光の照射によって電子ビームを放出する平面型フォトカソードを有する電子銃と、
複数の開口部が形成され、前記複数の開口部全体が含まれる領域に前記電子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記電子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成するアパーチャプレートと、
前記複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
制限開口部が形成され、前記マルチビームのうち前記複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを前記制限開口部から外れた位置にて遮蔽し、ビームONの状態になる各ビームを前記制限開口部から通過させるブランキングアパーチャ部材と、
前記平面型フォトカソードを有する電子銃から放出された電子ビームの一部がそれぞれ複数の開口部を通過することによって形成されたマルチビームのうち、少なくとも1つの代表ビームの電流値を用いて、前記マルチビームを代表する代表電流密度を演算する代表電流密度演算部と、
前記代表電流密度を用いて、前記マルチビームの各ビームの電流密度を演算する個別電流密度演算部と、
前記代表電流密度を用いて演算された各ビームの電流密度を用いて、前記マルチビームの照射時間を演算する照射時間演算部と、
演算された前記マルチビームの各ビームの照射時間の間、ビームONの状態になるように前記複数のブランカーを制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするマルチビーム描画装置。
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