JP2015201587A - semiconductor laser drive circuit - Google Patents
semiconductor laser drive circuit Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015201587A JP2015201587A JP2014080797A JP2014080797A JP2015201587A JP 2015201587 A JP2015201587 A JP 2015201587A JP 2014080797 A JP2014080797 A JP 2014080797A JP 2014080797 A JP2014080797 A JP 2014080797A JP 2015201587 A JP2015201587 A JP 2015201587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- semiconductor lasers
- semiconductor laser
- semiconductor
- current source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、複数の半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路に関する。 The present invention relates to a semiconductor laser driving circuit for driving a plurality of semiconductor lasers.
複数の半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路において、特許文献1は、各々の半導体レーザに対してAPC(オートパワーコントロール)回路を設け、このAPC回路により、各々の半導体レーザの出力を所定値に制御することにより独立に安定化させている。
In a semiconductor laser driving circuit for driving a plurality of semiconductor lasers,
しかしながら、特許文献1では、APC回路が半導体レーザと同数だけ必要となり、構成が複雑化する。また、複数の半導体レーザを直列に接続した場合には、駆動電流が共通となるため、上述した手法を用いることはできない。1つの半導体レーザの出力に基づきAPC回路で光量調整を行うと、その他の半導体レーザの出力を安定化することはできない。
However,
また、全ての半導体レーザの合成出力に対してAPC制御することはできるが、直列に接続された半導体レーザは、駆動回路の浮遊成分(例えば浮遊容量)が大きくなるため、高周波成分が減衰して、高速にAPC制御できない。 In addition, although APC control can be performed on the combined output of all semiconductor lasers, the semiconductor lasers connected in series have a large floating component (for example, stray capacitance) in the drive circuit. APC cannot be controlled at high speed.
また、並列に接続された半導体レーザにおいても、例えば浮遊成分が並列に接続されて大きくなるため、高周波成分が減衰し、高速にAPC制御できない。 Also, in the semiconductor lasers connected in parallel, for example, floating components are connected and increased in parallel, so that high frequency components are attenuated and APC control cannot be performed at high speed.
本発明の課題は、高速にAPC制御することができる半導体レーザ駆動回路を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor laser driving circuit capable of performing APC control at high speed.
上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体レーザ駆動回路は、直列に接続された複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザに電流を流す電流源と、前記電流源を駆動して前記電流源の電流を制御する電流源駆動回路と、前記複数の半導体レーザからのレーザ光を検出する検出手段と、前記複数の半導体レーザの内の最後の半導体レーザから最後の半導体レーザを含む1個以上の半導体レーザに接続された電流制御素子と、前記検出手段の出力に基づき前記電流制御素子を制御することにより前記1個以上の半導体レーザの電流量を制御する電流量制御回路とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a semiconductor laser driving circuit according to the present invention includes a plurality of semiconductor lasers connected in series, a current source for passing a current through the plurality of semiconductor lasers, and driving the current source. 1 includes a current source driving circuit for controlling the current of the current source, detection means for detecting laser light from the plurality of semiconductor lasers, and a last semiconductor laser to a last semiconductor laser of the plurality of semiconductor lasers. A current control element connected to one or more semiconductor lasers, and a current amount control circuit for controlling a current amount of the one or more semiconductor lasers by controlling the current control element based on an output of the detection means. It is characterized by that.
また、半導体レーザ駆動回路は、並列に接続された複数の半導体レーザと、前記複数の半導体レーザに接続される電圧源と、前記複数の半導体レーザに対応して設けられ、前記半導体レーザに直列に接続された複数の電流制御素子と、前記複数の半導体レーザからのレーザ光を検出する検出手段と、前記検出手段の出力に基づき前記複数の電流制御素子の内の1つの電流制御素子を除く残りの電流制御素子を駆動することにより前記残りの半導体レーザに電流を流す駆動回路と、前記検出手段の出力に基づき前記1つの電流制御素子を制御することにより前記検出手段の出力を所定値に制御するパワー制御回路とを備えることを特徴とする。 The semiconductor laser driving circuit is provided corresponding to the plurality of semiconductor lasers connected in parallel, the voltage source connected to the plurality of semiconductor lasers, and the plurality of semiconductor lasers, and connected in series to the semiconductor lasers. A plurality of connected current control elements, detection means for detecting laser light from the plurality of semiconductor lasers, and the rest excluding one current control element among the plurality of current control elements based on the output of the detection means A drive circuit for supplying current to the remaining semiconductor lasers by driving the current control element, and controlling the one current control element based on the output of the detection means to control the output of the detection means to a predetermined value And a power control circuit.
本発明に係る半導体レーザ駆動回路によれば、複数の半導体レーザを直列に又は並列に接続した場合でも高速にAPC制御することができる半導体レーザ駆動回路を提供できる。 The semiconductor laser drive circuit according to the present invention can provide a semiconductor laser drive circuit capable of performing APC control at high speed even when a plurality of semiconductor lasers are connected in series or in parallel.
以下、本発明の半導体レーザ駆動回路の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of a semiconductor laser driving circuit of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の実施例1に係る半導体レーザ駆動回路の構成を示す回路図である。この半導体レーザ駆動回路は、定電流源2、電流源駆動回路3、複数の半導体レーザLD1〜LDN、MOSFET4、フォトダイオード(PD)5、電流量制御回路6aを有している。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor laser driving circuit according to
複数の半導体レーザLD1〜LDNは、直列に接続され、最初の半導体レーザのLD1のアノード(一端)に電流源2が接続されている。電流源2は、複数の半導体レーザLD1〜LDNに定電流を流す。
The plurality of semiconductor lasers LD 1 to LD N are connected in series, and the
電流源駆動回路3は、電流源2を駆動して電流源2の電流を制御する。フォトダイオード5は、本発明の検出手段に対応し、複数の半導体レーザLD1〜LDNからの合成レーザ光を検出する。
The current source drive circuit 3 controls the current of the
MOSFET4は、本発明の電流制御素子に対応し、複数の半導体レーザLD1〜LDNの内の最後の半導体レーザLDNのアノードにドレインが接続されている。MOSFET4のソースは基準電位、例えばグランドに接続される。MOSFET4のゲートは電流量制御回路6aに接続される。
MOSFET4 corresponds to the current control device of the present invention, the drain to the anode of the last of the semiconductor laser LD N of the plurality of
電流量制御回路6aは、フォトダイオード5の出力に基づきMOSFET4を制御することにより半導体レーザLDNの電流量を制御する。また、電流量制御回路6aは、フォトダイオード5の出力が所定値になるように制御することにより半導体レーザLDNの電流量を制御する。
次にこのように構成された実施例1の半導体レーザ駆動回路の動作を図1を参照しながら説明する。 Next, the operation of the semiconductor laser drive circuit according to the first embodiment configured as described above will be described with reference to FIG.
まず、複数の半導体レーザLD1〜LDNには、電流源2からの電流I2が流れる。この電流I2は、並列に接続されたMOSFET4と半導体レーザLDNとに分岐する。MOSFET4に電流I4が流れ、半導体レーザLDNに電流(I2−I4)が流れる。
First, the current I 2 from the
電流I4は、フォトダイオード5からの出力に基づき、電流量制御回路6aによりMOSFET4を制御することにより決定される。電流源2の電流値制御は、全ての半導体レーザLD1〜LDNや配線の浮遊成分が影響するため、高速に制御することはできない。
The current I 4 is determined by controlling the MOSFET 4 by the current
これに対して、電流量制御回路6aによる制御対象は、半導体レーザLDNとMOSFET4とによる小さな回路で閉じており、浮遊成分は小さいため、高速なAPC制御が可能となる。
In contrast, the object of control by the
このように実施例1の半導体レーザ駆動回路によれば、複数の半導体レーザLD1〜LDNの全体の出力は電流源2を用いて制御することができる。また、直列に接続された複数の半導体レーザLD1〜LDNの浮遊成分の影響を受けず、半導体レーザLDNとMOSFET4とによる小さい回路でAPC回路が閉じているため、浮遊成分は小さくなり、高速にAPC制御が可能となる。また、1つの半導体レーザLDN分の光量の範囲で、APC制御することができる。
As described above, according to the semiconductor laser drive circuit of the first embodiment, the entire outputs of the plurality of semiconductor lasers LD 1 to LD N can be controlled using the
さらに、フォトダイオード5から電流量制御回路6aに高速でフィードバックがかかるため、低速なノイズを除去することができる。
Further, since feedback is applied at high speed from the
図2は、本発明の実施例1の変形例に係る半導体レーザ駆動回路の構成を示すブロック図である。図1に示す実施例1では、半導体レーザLDNのみMOSFET4を用いて光量を調整した。 FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor laser drive circuit according to a modification of the first embodiment of the present invention. In Example 1 shown in FIG. 1, to adjust the amount of light using a semiconductor laser LD N only MOSFET 4.
これに対して、実施例1の変形例は、最後の半導体レーザLDNから最後の半導体レーザLDNを含む2個目の半導体レーザLDN−1のアノードにMOSFET4のドレインを接続したものである。 On the other hand, in the modification of the first embodiment, the drain of the MOSFET 4 is connected to the anode of the second semiconductor laser LD N-1 including the last semiconductor laser LD N from the last semiconductor laser LD N. .
実施例1の変形例によれば、複数の半導体レーザLD1〜LDN−2に電流I2が流れ、MOSFET4に電流I4が流れ、半導体レーザLDN−1,LDNに電流(I2−I4)が流れる。これにより、半導体レーザLDN−1,LDNの2個分の光量範囲で高速にAPC制御が可能となる。
According to a variant of the first embodiment, current I 2 flows through the plurality of
また、電流源2からの電流を分岐させるポイントにより、電流量制御回路6bによる制御対象の浮遊成分が変わってくる。このため、所望の帯域でAPC制御が実現できる分岐ポイントを選ぶことにより、最大の光量調整幅でAPC制御することが可能となる。
Further, the floating component to be controlled by the current
なお、実施例1の変形例では、最後の半導体レーザLDNから2個目の半導体レーザLDN−1のアノードで電流を分岐させたが、最後の半導体レーザLDNから3個目以上の半導体レーザのアノードで電流を分岐させても良い。 In the modification of the first embodiment, the end of the semiconductor laser LD is N and diverts the current in the two second semiconductor laser LD N-1 of the anode from the semiconductor of 3 or more counted from the end of the semiconductor laser LD N The current may be branched at the anode of the laser.
図3は、本発明の実施例2に係る半導体レーザ駆動回路の構成を示す回路図である。図3に示す半導体レーザ駆動回路は、図1に示す半導体レーザ駆動回路に対して、電流源駆動回路3aがフォトダイオード5からのレーザ光に基づき電流源2の電流を制御することを特徴とする。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of the semiconductor laser drive circuit according to the second embodiment of the present invention. The semiconductor laser drive circuit shown in FIG. 3 is characterized in that the current source drive circuit 3a controls the current of the
電流源駆動回路3aは、電流源2の電流を低速処理し、光量の範囲を大きくすることができる。また、電流量制御回路6cにより、1つの半導体レーザLDN分の光量の範囲で、高速にAPC制御することができる。
The current source driving circuit 3a can process the current of the
図4は、本発明の実施例2の変形例に係る半導体レーザ駆動回路の構成を示す回路図である。図4に示す半導体レーザ駆動回路は、図2に示す半導体レーザ駆動回路に対して、電流源駆動回路3aがフォトダイオード5からのレーザ光に基づき電流源2の電流を制御することを特徴とする。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor laser driving circuit according to a modification of the second embodiment of the present invention. The semiconductor laser drive circuit shown in FIG. 4 is characterized in that the current source drive circuit 3a controls the current of the
電流源駆動回路3aは、電流源2の電流を低速処理し、光量の範囲を大きくすることができる。また、電流量制御回路6dにより、半導体レーザLDN−1,LDNの2個分の光量範囲で高速にAPC制御が可能となる。
The current source driving circuit 3a can process the current of the
図5は、本発明の実施例3に係る半導体レーザ駆動回路の構成を示す回路図である。この半導体レーザ駆動回路は、複数の半導体レーザLD1〜LDN、複数のMOSFETQ1〜QN、LD駆動回路10、アンプ11,12、APC回路13、電圧源Vccを有している。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor laser driving circuit according to Embodiment 3 of the present invention. This semiconductor laser driving circuit has a plurality of semiconductor lasers LD 1 to LD N , a plurality of MOSFETs Q 1 to Q N , an
複数の半導体レーザLD1〜LDNは、並列に接続され、複数の半導体レーザLD1〜LDNのアノードには、電圧源Vccが接続されている。複数のMOSFETQ1〜QNは、本発明の電流制御素子に対応し、複数の半導体レーザLD1〜LDNに対応して設けられ、対応する半導体レーザに直列に接続されている。 The plurality of semiconductor lasers LD 1 to LD N are connected in parallel, and a voltage source Vcc is connected to the anodes of the plurality of semiconductor lasers LD 1 to LD N. The plurality of MOSFETs Q 1 to Q N correspond to the current control element of the present invention, are provided corresponding to the plurality of semiconductor lasers LD 1 to LD N , and are connected in series to the corresponding semiconductor lasers.
フォトダイオード5は、本発明の検出手段に対応し、複数の半導体レーザLD1〜LDNからのレーザ光を検出する。LD駆動回路10は、フォトダイオード5の出力に基づきアンプ11を介してMOSFETQ1〜QN−1を駆動することにより複数の半導体レーザLD1〜LDN−1に電流を流す。
The
APC回路13は、フォトダイオード5の出力に基づきアンプ12を介してMOSFETQNを駆動することによりフォトダイオード5の出力を所定値に制御する。
このように実施例3の半導体レーザ駆動回路によれば、1つのAPC回路13により1つのMOSFETQNをオンオフ制御するのみで、高速にAPC制御が可能となる。
According to the semiconductor laser driving circuit of Example 3, by one of the
本発明は、レーザ装置、レーザ加工装置などに利用できる。 The present invention can be used for laser devices, laser processing devices, and the like.
2 定電流源
3 電流源駆動回路
4,Q1〜QN MOSFET
5 フォトダイオード(PD)
6a〜6d 電流量制御回路
10 LD駆動回路
11,12 アンプ
13 APC回路
Vcc 電圧源
LD1〜LDN 半導体レーザ
2 Constant current source 3 Current source drive circuit 4, Q 1 to Q N MOSFET
5 Photodiode (PD)
6a~6d
Claims (4)
前記複数の半導体レーザに電流を流す電流源と、
前記電流源を駆動して前記電流源の電流を制御する電流源駆動回路と、
前記複数の半導体レーザからのレーザ光を検出する検出手段と、
前記複数の半導体レーザの内の最後の半導体レーザから最後の半導体レーザを含む1個以上の半導体レーザに接続された電流制御素子と、
前記検出手段の出力に基づき前記電流制御素子を制御することにより前記1個以上の半導体レーザの電流量を制御する電流量制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。 A plurality of semiconductor lasers connected in series;
A current source for passing a current through the plurality of semiconductor lasers;
A current source driving circuit for controlling the current of the current source by driving the current source;
Detecting means for detecting laser light from the plurality of semiconductor lasers;
A current control element connected to one or more semiconductor lasers including the last semiconductor laser from the last semiconductor laser of the plurality of semiconductor lasers;
A current amount control circuit for controlling a current amount of the one or more semiconductor lasers by controlling the current control element based on an output of the detection means;
A semiconductor laser driving circuit comprising:
前記複数の半導体レーザに接続される電圧源と、
前記複数の半導体レーザに対応して設けられ、前記半導体レーザに直列に接続された複数の電流制御素子と、
前記複数の半導体レーザからのレーザ光を検出する検出手段と、
前記検出手段の出力に基づき前記複数の電流制御素子の内の1つの電流制御素子を除く残りの電流制御素子を駆動することにより前記残りの半導体レーザに電流を流す駆動回路と、
前記検出手段の出力に基づき前記1つの電流制御素子を制御することにより前記検出手段の出力を所定値に制御するパワー制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。 A plurality of semiconductor lasers connected in parallel;
A voltage source connected to the plurality of semiconductor lasers;
A plurality of current control elements provided corresponding to the plurality of semiconductor lasers and connected in series to the semiconductor lasers;
Detecting means for detecting laser light from the plurality of semiconductor lasers;
A drive circuit for causing a current to flow through the remaining semiconductor laser by driving the remaining current control elements excluding one of the plurality of current control elements based on the output of the detection means;
A power control circuit for controlling the output of the detection means to a predetermined value by controlling the one current control element based on the output of the detection means;
A semiconductor laser driving circuit comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014080797A JP2015201587A (en) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | semiconductor laser drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014080797A JP2015201587A (en) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | semiconductor laser drive circuit |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017138964A Division JP6665835B2 (en) | 2017-07-18 | 2017-07-18 | Semiconductor laser device |
JP2018038979A Division JP6741034B2 (en) | 2018-03-05 | 2018-03-05 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015201587A true JP2015201587A (en) | 2015-11-12 |
Family
ID=54552593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014080797A Pending JP2015201587A (en) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | semiconductor laser drive circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015201587A (en) |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5713790A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Canon Inc | Output light intensity controller for laser array |
JPS627183A (en) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Nec Corp | Light output stabilizing circuit of semiconductor laser |
JPS6222495A (en) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Nec Corp | Stabilizing circuit for semiconductor laser light output |
JPH01146248U (en) * | 1988-03-29 | 1989-10-09 | ||
JPH05167193A (en) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Fujitsu Ltd | Laser diode array module |
JPH0685361A (en) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Semiconductor laser light source device |
JPH06338647A (en) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Fujitsu Ltd | Drive circuit for light-emitting element and optical amplification relay using same |
JPH10284789A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Nec Corp | Laser diode drive circuit |
JP2004259965A (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Orc Mfg Co Ltd | Current driving element control circuit and solid-state laser device using the same |
US20060291512A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Borschowa Lawrence A | Apparatus and method for driving laser diodes |
JP2007049051A (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Fujifilm Corp | Semiconductor laser light source |
JP2010067833A (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic device |
JP2010219485A (en) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser control device of electrophotographic apparatus |
WO2011152480A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | パナソニック電工株式会社 | Light-emitting device |
JP2012253006A (en) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Immense Advance Technology Corp | Led driving circuit |
US20130051415A1 (en) * | 2011-08-23 | 2013-02-28 | Raytheon Company | High-efficiency, dual current sink laser diode driver |
-
2014
- 2014-04-10 JP JP2014080797A patent/JP2015201587A/en active Pending
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5713790A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Canon Inc | Output light intensity controller for laser array |
JPS627183A (en) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Nec Corp | Light output stabilizing circuit of semiconductor laser |
JPS6222495A (en) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Nec Corp | Stabilizing circuit for semiconductor laser light output |
JPH01146248U (en) * | 1988-03-29 | 1989-10-09 | ||
JPH05167193A (en) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Fujitsu Ltd | Laser diode array module |
JPH0685361A (en) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Semiconductor laser light source device |
JPH06338647A (en) * | 1993-05-31 | 1994-12-06 | Fujitsu Ltd | Drive circuit for light-emitting element and optical amplification relay using same |
JPH10284789A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Nec Corp | Laser diode drive circuit |
JP2004259965A (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Orc Mfg Co Ltd | Current driving element control circuit and solid-state laser device using the same |
US20060291512A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Borschowa Lawrence A | Apparatus and method for driving laser diodes |
JP2007049051A (en) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Fujifilm Corp | Semiconductor laser light source |
JP2010067833A (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic device |
JP2010219485A (en) * | 2009-03-19 | 2010-09-30 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor laser control device of electrophotographic apparatus |
WO2011152480A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | パナソニック電工株式会社 | Light-emitting device |
JP2012253006A (en) * | 2011-06-02 | 2012-12-20 | Immense Advance Technology Corp | Led driving circuit |
US20130051415A1 (en) * | 2011-08-23 | 2013-02-28 | Raytheon Company | High-efficiency, dual current sink laser diode driver |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108933380B (en) | Laser device | |
US10511144B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US8482265B2 (en) | Current balance circuit utilizing multiplexers and triangular wave generators | |
US20170170727A1 (en) | Light switch device | |
JP6261349B2 (en) | Voltage regulator | |
TWI665542B (en) | Voltage Regulator | |
JP6665835B2 (en) | Semiconductor laser device | |
JP6741034B2 (en) | Semiconductor laser device | |
KR20150123712A (en) | Overcurrent protection circuit, semiconductor device and voltage regulator | |
JP2020047957A (en) | Semiconductor laser drive circuit | |
JP2014096405A (en) | Optical transmission circuit | |
JP2012114585A (en) | Method for manufacturing load drive device | |
WO2015145742A1 (en) | Laser-diode drive circuit and laser device | |
JP5806972B2 (en) | Output driver circuit | |
US20170341413A1 (en) | Drive apparatus that drives light emitting device | |
US10763642B2 (en) | Driver circuit and processing device | |
JP2015201587A (en) | semiconductor laser drive circuit | |
JP6601372B2 (en) | Gate drive device | |
JP2016171487A (en) | Drive circuit | |
JP2011186641A (en) | Output circuit | |
JP5627316B2 (en) | Power conversion device and control circuit for semiconductor switching element | |
JP2019536077A (en) | High frequency driver circuit for acousto-optic components and method for operating a high frequency driver circuit | |
JP2010283740A (en) | Photo mos relay drive circuit, and semiconductor test device using the same | |
JP2015204412A (en) | LED array drive circuit | |
JP2014078628A (en) | Light-emitting element drive circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160801 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170815 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171013 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171205 |