JP2015200546A - センサ構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】集積回路に流れる電流によって発生する磁界の影響を受けないセンサ構造を提供する。
【解決手段】センサ素子3と、センサ素子からの出力信号を電気的に処理する回路を有するICチップ2とが積層され、ICチップ2及びセンサ素子3の間には、ICチップ2に電流が流れる際に発生する磁界の影響を低減させる磁性体8が設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】センサ素子3と、センサ素子からの出力信号を電気的に処理する回路を有するICチップ2とが積層され、ICチップ2及びセンサ素子3の間には、ICチップ2に電流が流れる際に発生する磁界の影響を低減させる磁性体8が設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば物理的な変化を検出するセンサ装置に適用されるセンサ構造に関する。
集積回路のチップ上に磁気センサを設けた集積化磁気センサが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
上記特許文献1に記載された従来の集積化磁気センサは、集積回路の外部より磁力を与えて磁気センサの出力を変化させることにより、集積回路主回路のモード設定を行うものとなっている。
ところで、集積回路に流れる電流により磁界が発生するが、この磁界がノイズとなり、磁気センサのセンサ精度に影響を及ぼすことがある。上記特許文献1記載の従来の集積化磁気センサには、集積回路に流れる電流により発生する磁界の影響を受けない対策が必要となるが、集積回路に流れる電流に起因する磁界の発生については講じられていない。
従って、本発明の目的は、集積回路に流れる電流によって発生する磁界の影響を受けないセンサ構造を提供することにある。
[1]本発明は、センサ素子と、前記センサ素子からの出力信号を電気的に処理する回路を有するICチップとが積層され、前記ICチップ及び前記センサ素子の間には、前記ICチップに電流が流れる際に発生する磁界の影響を低減させる磁性体が設けられてなることを特徴とするセンサ構造にある。
[2]上記[1]記載の前記磁性体は、前記センサ素子の搭載領域に配置されてなることを特徴とする。
[3]上記[1]又は[2]記載の前記磁性体は、強磁性体であることを特徴とする。
本発明によると、ICチップに流れる電流によって発生する磁界の影響を受けないセンサ構造が効果的に得られる。
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて具体的に説明する。なお、この実施の形態に係る図においては、本発明の特徴を理解し易くするため、センサ構造を構成する部分における寸法の縦横比は実際のものとは異なり、誇張して示している。
[第1の実施の形態]
(センサ構造の全体構成)
図1において、全体を示す符号1は、この第1の実施の形態に係る典型的なセンサ構造を備えたセンサ装置を例示している。このセンサ装置1は、チップ化された集積回路基板であるICチップ2と、測定対象物の物理量に応じた検出信号を発生するセンサ素子3とを備えている。
(センサ構造の全体構成)
図1において、全体を示す符号1は、この第1の実施の形態に係る典型的なセンサ構造を備えたセンサ装置を例示している。このセンサ装置1は、チップ化された集積回路基板であるICチップ2と、測定対象物の物理量に応じた検出信号を発生するセンサ素子3とを備えている。
このセンサ装置1は、図1及び図2に示すように、ICチップ2の上面にセンサ素子3を積層したスタック実装構造を備えており、そのスタック実装構造がモールド樹脂をモールド成形したパッケージ4により封止されている。モールド樹脂の材質としては、例えば絶縁性、耐食性や耐熱性等に優れるエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂などが用いられる。
このICチップ2は、センサ素子3の種類等に応じて適宜に設計することができるものであり、例えばセンサ素子3から出力された検出信号に増幅処理を行う増幅回路、センサ素子3の出力信号を信号処理する信号処理回路、及び回路全体の動作を制御する制御回路等の電子回路を同一のシリコン面上に集積一体化したシリコン基板からなる。
一方のセンサ素子3としては、例えば磁場の変化を検出する磁気センサ素子がある。この磁気センサ素子には、MR素子、ホール素子又はホールICなどの磁気抵抗素子がある。図示例のセンサ素子3は、例えばエポキシ樹脂等のモールド樹脂によりモールドした樹脂部材に封止されている。
このICチップ2の上面には、図1及び図2に示すように、接着剤を介してセンサ素子3がダイボンディングされている。このセンサ素子3の入力電極、出力電極及び接地電極等の電極パッド3aと、ICチップ2の入力端子、出力端子及び接地端子等のボンディングパッド2aとがボンディングワイヤ6を介してボンディング接続されている。上記接着剤としては、例えばシリコン系ペースト等の絶縁性接着剤又は銀系ペースト等の導電性接着剤などが用いられる。
このICチップ2は、図1及び図2に示すように、リードフレーム5の上面に上記接着剤を介してダイボンディングされている。ICチップ2のボンディングパッド2bとリードフレーム5とは、ボンディングワイヤ7によりボンディング接続されている。
このリードフレーム5は、センサ素子3の種類等に応じて配置個数、配置位置や配置形態などを適宜に選択すればよく、センサ素子3の検出結果を外部装置の制御装置などへ出力する外部リードとされている。リードフレーム5の材質は、例えばアルミニウム、銅や銅合金等の導電性金属材料などからなる。リードフレーム5の表面には、例えば錫、ニッケル、金や銀等の金属材料によりメッキ処理が施されてもよい。
(磁性体の配置構造)
上記のように構成されたセンサ構造においては、ICチップ2に流れる電流により発生する磁界がセンサ素子3のセンサ精度を低下させることを防止することが肝要である。
上記のように構成されたセンサ構造においては、ICチップ2に流れる電流により発生する磁界がセンサ素子3のセンサ精度を低下させることを防止することが肝要である。
このセンサ構造において最も主要な構成とするところは、センサ素子3がICチップ2に流れる電流によって発生する磁界の影響を受けないように積層配置されたことにある。従って、ICチップ2自体の構造及びセンサ素子3自体の構造については、特に限定されるものではない。
このICチップ2とセンサ素子3との間の少なくともセンサ素子3の占有面積領域には、図1及び図2に示すように、磁性体8が配置されている。この磁性体8は、ICチップ2に電流が流れる際に発生する磁界の磁路を形成することで磁界を収束させ、磁気シールド効果を持たせてノイズを低減させるものである。従って、磁性体8は、ICチップ2からセンサ素子3の表面におけるセンサ部分へ放射される磁界の影響を低減させることで、その磁界によりセンサ素子3に与えるノイズの影響を抑制している。
この磁性体8は、強磁性体層として形成されている。この強磁性体層は、磁気ヒステリシスループの小さい強磁性材料からなる。この強磁性材料は、例えば真空蒸着又はスパッタリング等の一般的な方法により、センサ素子3やICチップ2に成膜してもよいが、ICチップ2やセンサ素子3に電磁鋼や軟鉄等からなる板状の磁性体8を接着層により接着して取り付ける構造であってもよい。
(第1の実施の形態の効果)
以上のように構成された第1の実施の形態に係るセンサ構造は、上記効果に加えて、次の効果を有する。
以上のように構成された第1の実施の形態に係るセンサ構造は、上記効果に加えて、次の効果を有する。
(1)磁性体8の内部にICチップ2のノイズを吸収することでセンサ装置1を高精度化することができる。
(2)ICチップ2の上面にセンサ素子3をスタック実装配置していることから、センサ素子3からICチップ2へ信号を伝送するための配線距離を短くすることが可能となり、センサ装置1を高速動作させることが可能となる。
(3)配線距離を短縮することが可能であり、製造コストの低減を図ることができる。
(2)ICチップ2の上面にセンサ素子3をスタック実装配置していることから、センサ素子3からICチップ2へ信号を伝送するための配線距離を短くすることが可能となり、センサ装置1を高速動作させることが可能となる。
(3)配線距離を短縮することが可能であり、製造コストの低減を図ることができる。
[第2の実施の形態]
図3及び図4を参照すると、これらの図には、第2の実施の形態に係るセンサ構造の一例が模式的に例示されている。この第2の実施の形態にあっては、センサ構造の電気接続を除いて、他の構成は上記第1の実施の形態と同様の構成を備えている。従って、図3及び図4において、上記第1の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付すことで、それらの部材に関する詳細な説明は省略する。
図3及び図4を参照すると、これらの図には、第2の実施の形態に係るセンサ構造の一例が模式的に例示されている。この第2の実施の形態にあっては、センサ構造の電気接続を除いて、他の構成は上記第1の実施の形態と同様の構成を備えている。従って、図3及び図4において、上記第1の実施の形態と実質的に同じ部材には同一の部材名と符号を付すことで、それらの部材に関する詳細な説明は省略する。
このICチップ2は、図3及び図4に示すように、パッケージ基板9の上面に接着剤を介してダイボンディングされている。パッケージ基板9としては、例えばガラスエポキシ樹脂等からなる配線基板が用いられる。
このICチップ2は、図3及び図4に示すように、パッケージ基板9に形成された図示しない配線パターン及びスルーホール等を介してフリップチップ実装されている。ICチップ2の上面には、センサ素子3がフリップチップ実装されており、高さ方向に積層したスタック実装構造が得られる。
このICチップ2がリードフレーム5の上面に接着剤を介してダイボンディングされた第1の実施の形態に係るセンサ構造は、センサ装置全体がパッケージ4により封止される構成となっているが、この第2の実施の形態に係るセンサ構造は、パッケージ基板9の側面及び裏面が外部に露出した構成となる。
(第2の実施の形態の効果)
この第2の実施の形態にあっても、上記第1の実施の形態と同様の効果が得られることに加えて、例えば溶接又は半田付けなどの固着手段を介してICチップ2及びセンサ素子3の接合が可能となるため、簡単なセンサ構造を製造することができる。
この第2の実施の形態にあっても、上記第1の実施の形態と同様の効果が得られることに加えて、例えば溶接又は半田付けなどの固着手段を介してICチップ2及びセンサ素子3の接合が可能となるため、簡単なセンサ構造を製造することができる。
[変形例]
本発明におけるセンサ構造の代表的な構成例を上記各実施の形態、変形例及び図示例を挙げて説明したが、本発明の技術思想の範囲内において種々の構成が可能であり、次に示すような変形例も可能である。
本発明におけるセンサ構造の代表的な構成例を上記各実施の形態、変形例及び図示例を挙げて説明したが、本発明の技術思想の範囲内において種々の構成が可能であり、次に示すような変形例も可能である。
ICチップ2やセンサ素子3は、使用目的などに応じて配置個数、配置位置や配置形態などを適宜に選択すればよく、本発明の初期の目的を達成することができることは勿論である。
上記センサ構造としては、磁気、静電容量、電流や電圧等の物理的な変化を検出する各種のセンサ装置に適用することができることは勿論である。
以上の説明からも明らかなように、本発明に係る代表的な各実施の形態、変形例及び図示例を例示したが、上記各実施の形態、変形例及び図示例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。従って、上記各実施の形態、変形例及び図示例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
1…センサ装置、2…ICチップ、2a,2b…ボンディングパッド、3…センサ素子、3a…電極パッド、4…パッケージ、5…リードフレーム、6,7…ボンディングワイヤ、8…磁性体、9…パッケージ基板
Claims (3)
- センサ素子と、前記センサ素子からの出力信号を電気的に処理する回路を有するICチップとが積層され、前記ICチップ及び前記センサ素子の間には、前記ICチップに電流が流れる際に発生する磁界の影響を低減させる磁性体が設けられてなることを特徴とするセンサ構造。
- 前記磁性体は、前記センサ素子の搭載領域に配置されてなることを特徴とする請求項1記載のセンサ構造。
- 前記磁性体は、強磁性体層であることを特徴とする請求項1又は2記載のセンサ構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014078698A JP2015200546A (ja) | 2014-04-07 | 2014-04-07 | センサ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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JP2015200546A true JP2015200546A (ja) | 2015-11-12 |
Family
ID=54551925
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2015200546A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020178045A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 磁気抵抗素子およびその製造方法 |
-
2014
- 2014-04-07 JP JP2014078698A patent/JP2015200546A/ja active Pending
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