JP2015200528A - Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same and radiation imaging system - Google Patents
Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same and radiation imaging system Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015200528A JP2015200528A JP2014078234A JP2014078234A JP2015200528A JP 2015200528 A JP2015200528 A JP 2015200528A JP 2014078234 A JP2014078234 A JP 2014078234A JP 2014078234 A JP2014078234 A JP 2014078234A JP 2015200528 A JP2015200528 A JP 2015200528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- scintillator layer
- manufacturing
- layer
- radiation imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
本発明は、放射線を検出する放射線撮像装置およびその製造方法、並びに放射線撮像システムに関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus that detects radiation, a manufacturing method thereof, and a radiation imaging system.
放射線撮像装置の製造方法には、直接型の製造方法と間接型の製造方法とがある。直接型の製造方法では、放射線を光に変換するシンチレータ層が、蛍光体からの光を検出する光電変換素子を有するセンサパネル上に直接形成される。間接型の製造方法では、基台上に形成されたシンチレータ層がセンサパネル上に貼り合わされる。 There are a direct-type manufacturing method and an indirect-type manufacturing method as a method for manufacturing a radiation imaging apparatus. In the direct manufacturing method, a scintillator layer that converts radiation into light is directly formed on a sensor panel having a photoelectric conversion element that detects light from a phosphor. In the indirect manufacturing method, a scintillator layer formed on a base is bonded onto the sensor panel.
特許文献1には、CsIシンチレータ層を用いた、放射線撮像装置の間接型の製造方法が開示されている。具体的には、特許文献1には、蒸着基板に蒸着により形成したCsIシンチレータ層に支持層を形成し、蒸着基板をCsIシンチレータ層から剥離した後に、センサ基板にCsIシンチレータ層及び支持層を固定する製造方法が開示されている。
一方、放射線撮像装置の中でも、マンモグラフィセンサ(乳房X線装置)は、画素アレイから放射線画像装置の縁までの距離が短く胸壁辺の撮像が不可能な領域が狭い、いわゆる狭額縁であることと、高い鮮鋭度を有することが求められる。 On the other hand, among radiation imaging devices, the mammography sensor (mammary X-ray device) is a so-called narrow frame where the distance from the pixel array to the edge of the radiation imaging device is short and the area where the chest wall side cannot be imaged is narrow. It is required to have high sharpness.
特許文献1記載の製造方法では、CsIシンチレータ層の周縁部で柱状構造や層厚分布に乱れが発生する場合がある。そのため、特許文献1記載の間接型の製造方法では、放射線撮像装置の狭額縁化が図れない。
In the manufacturing method described in
本発明は、シンチレータ層の周縁部における構造や層厚分布の均一性を維持しつつ、狭額縁化を達成した放射線撮像装置を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a radiation imaging apparatus that achieves a narrow frame while maintaining the uniformity of the structure and layer thickness distribution in the peripheral portion of the scintillator layer.
本発明は、放射線撮像装置の製造方法であって、シンチレータ層を形成すべき基台上の領域を規定するようにマスクを前記基台の上に配置する工程と、シンチレータ層を前記基台と前記マスクとの上に形成する工程と、前記マスクを前記基台から除去することにより前記基台の上に形成された前記シンチレータ層の一部を除去する工程と、前記シンチレータ層を支持する支持基板を前記シンチレータ層の前記基台の側とは反対の側に接着層を介して接続する接続工程と、前記基台を前記シンチレータ層から剥離する工程と、センサパネルを前記シンチレータ層の前記支持基板の側とは反対の側に接続する工程と、を含むことを特徴とする。 The present invention is a method of manufacturing a radiation imaging apparatus, the step of disposing a mask on the base so as to define a region on the base on which the scintillator layer is to be formed, and the scintillator layer with the base Forming on the mask, removing the mask from the base to remove a part of the scintillator layer formed on the base, and supporting the scintillator layer A connecting step of connecting a substrate to the side of the scintillator layer opposite to the base side via an adhesive layer; a step of peeling the base from the scintillator layer; and a sensor panel for supporting the scintillator layer And a step of connecting to a side opposite to the side of the substrate.
本発明によれば、シンチレータ層の周縁部における構造や層厚分布の均一性を維持しつつ、狭額縁化を達成した放射線撮像装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the radiation imaging device which achieved the frame narrowing can be provided, maintaining the structure in the peripheral part of a scintillator layer, and the uniformity of layer thickness distribution.
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。本発明において、光は可視光及び赤外線を含み、放射線はX線、α線、β線およびγ線を含む。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the present invention, light includes visible light and infrared rays, and radiation includes X-rays, α rays, β rays, and γ rays.
[放射線撮像装置]
図1を参照しつつ、本発明に係る放射線撮像装置100の概略構成例を説明する。本実施形態の放射線撮像装置100は、センサパネル(撮像基板)110とシンチレータパネル(蛍光体基板)120と接続部材130を備え得る。図1において、説明のためにセンサパネル110とシンチレータパネル120と接続部材130とを離して描いているが、後述するように実際にはセンサパネル110とシンチレータパネル120とは、接続部材130を介して接続される。
[Radiation imaging equipment]
A schematic configuration example of a
図2は、図1中A−A’の断面図である。センサパネル110は、所定のピッチでマトリクス状に配置された複数のセンサ(光電変換素子)111と、センサ基板112とを有している。また、シンチレータパネル120は、支持基板121に接着層122を介してシンチレータ層(蛍光体層)123が配置される。支持基板121は、接着層122を介してシンチレータ層123を支持する。接着層122は、シンチレータ層123により放射線から変換された光を反射する反射層でもあり得る。センサパネル110とシンチレータパネル120とは、接続部材130を介して接続される。図1の矢印140の方向から被検体に向けて曝射された放射線は、被検体により減衰を受けた後、シンチレータパネル120に入射する。シンチレータ層123中のシンチレータ粒子は、この放射線を光電変換素子111が検出可能な波長の光(例えば可視光)に変換する。シンチレータ粒子で変換された光は、センサパネル110に入射し、光電変換素子111で電気信号に変換され、この電気信号を元に画像が生成される。放射線撮像装置100がこの動作を繰り返すことで動画像を得ることもできる。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 1. The
続いて、図3〜図9を参照しつつ、本発明の実施形態である製造方法を説明する。図3は、放射線撮像装置の製造方法を説明するフローチャートである。 Subsequently, a manufacturing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a flowchart illustrating a method for manufacturing the radiation imaging apparatus.
(ステップ1)
図4に示されるように、S1では、基台150の周縁の少なくとも一部に剥離可能なテープ(マスク)151を配置する。テープ151は、シンチレータ層123を形成すべき基台上の領域を規定するように配置される。すなわち、テープ151は、シンチレータ層123を形成すべき領域の外の領域をマスクする。テープ151は、例えば、線形、多角形、円形等に配置する。テープ151として、耐熱性に優れた片面粘着テープ、例えばポリイミド素材の粘着テープ等を使用し得る。基台150は、シンチレータの蒸着が可能で、シンチレータ層123との密着力が弱くシンチレータ層123を基台150から容易に剥離可能なものを選択する。
(Step 1)
As shown in FIG. 4, in S <b> 1, a peelable tape (mask) 151 is disposed on at least a part of the periphery of the
(ステップ2)
次に、図5に示されるように、S2では、基台150のテープ151が配置された面にシンチレータ層123を形成する。シンチレータ層123は、層厚が不均一なシンチレータ層の端部領域123bがテープ151上に位置するよう形成される。シンチレータ層123を形成する手法として、例えば付活剤としてTl(タリウム)を添加した、柱状のCsI(ヨウ化セシウム)粒子等を真空蒸着により形成する方法がある。図5の(a)は、シンチレータ層123を形成したときの平面図であり、(b)は、図5の(a)のB−B’の断面図である。
(Step 2)
Next, as shown in FIG. 5, in S2, a
(ステップ3)
次に、図6に示されるように、S3では、テープ151を基台150から剥離することによって除去する。そうすると、テープ151上に配置された層厚が不均一なシンチレータ層の端部領域123bも基台150から同時に除去され、一端153を有し層厚が一様であるシンチレータ層123aが基台150の上に形成された蛍光板160が形成される。図6の(a)は、テープ151を除去したときの平面図であり、(b)は、図6の(a)のB−B’の断面図である。
(Step 3)
Next, as shown in FIG. 6, in S <b> 3, the
(ステップ4)
次に、図7に示されるように、S4は、支持基板121を接着層122を介して蛍光板160に接着して接続する接続工程である。図7の(a)は、支持基板121を蛍光板160に接続したときの平面図である。図7の(b)は、図7の(a)のB−B’の断面図であり、図7の(c)は、図7の(b)の部分拡大図である。接着層122は、シンチレータ層123の一端153と支持基板121の一端156との間の支持基板121の下部表面上まで配置される。接着層122は、上述したように反射層を兼ねる。
接着層122は、図7の(b)に示されるように、CsIシンチレータの形成終了面に発生するシンチレータの異常成長部157の高さを吸収し得る。接着層122は、図7の(c)に示されるように、柱状体のシンチレータ粒子の先端部相互の間の間隙まで侵入するので、シンチレータ層123との密着力が向上される。その結果、支持基板121とシンチレータ層123との密着力が向上して、後工程における基台150のシンチレータ層123からの剥離を容易ならしめる。接着層122として、例えば酸化チタンを含有するエポキシ樹脂を使用し得る。接着層122の端部は、層厚が一様なシンチレータ層123aの一端153と基台150の一端との間の領域155内に位置する。この段階でのシンチレータ層123は、層厚が不均一なシンチレータ層の端部領域123bがすでに取り除かれた、層厚が一様なシンチレータ層123aのみから構成されている。
(Step 4)
Next, as shown in FIG. 7, S <b> 4 is a connection process in which the
As shown in FIG. 7B, the
(ステップ5)
次に、図8に示されるように、S5では、接着層(反射層)122を介して支持基板121が接着されたシンチレータ層123から基台150を剥離する。剥離手法として例えば加熱または冷却することによる基台150の熱膨張、収縮を利用して剥離を促す方法がある。例えば、基台150として、ポリエチレンテレフタレート(熱膨張係数70×10−6)やアルミニウム(熱膨張係数23×10−6)等の熱膨張係数の大きい部材を使用する。支持基板121として、アモルファスカーボン(熱膨張係数2×10−6)、ガラス(熱膨張係数7×10−6)、炭素繊維強化プラスチック(熱膨張係数0.1×10−6)等の熱膨張係数の小さい部材を使用し得る。図8の(a)は、基台150を剥離したときの平面図であり、(b)は、図8の(a)のB−B’の断面図である。
(Step 5)
Next, as shown in FIG. 8, in S <b> 5, the
(ステップ6)
次に、図9に示されるように、S6では、支持基板121、反射層122、シンチレータ層123を含むシンチレータパネル120を、接続部材130を介してセンサパネル110に接続する。S6では、支持基板121、反射層122、シンチレータ層123の支持基板121とは反対の側にセンサパネル110が接続される。シンチレータパネル120とセンサパネル110とは、膜厚が一様なシンチレータ層123の一端153がセンサパネル110の最外周の光電変換素子111の画素の上またはその外側に位置するように接続される。
(Step 6)
Next, as shown in FIG. 9, in S <b> 6, the
本実施形態の放射線撮像装置100は、間接型の製造方法によって製造される。そのため、本実施形態の放射線撮像装置100は、シンチレータ層123の周縁とセンサパネル110の周縁との間隔が短い、狭額縁化を達成している。本実施形態の放射線撮像装置100は、間接型の製造方法によって製造されるため、シンチレータ層123のセンサパネル110の側の界面は、先にS5の剥離処理が施された構造を有する。また、本実施形態の放射線撮像装置100は、構造、層厚分布が不均一なシンチレータ層の周縁部123bを除去しているので、構造や層厚が均一で、その周縁の少なくとも一部にセンサパネル110の表面に垂直な側面を有するシンチレータ層123を有する。
The
[放射線撮像システム]
図8は、上述した放射線撮像装置100を含む放射線撮像システムに関する。図8に示すように、X線チューブ(放射線源)210で発生したX線(放射線)211は、患者あるいは被験者220の胸部221を透過し、放射線撮像装置100に入射する。この入射したX線には患者220の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応してシンチレータ(蛍光体)は発光し、この発光をセンサパネル110のセンサ(光電変換素子)111が光電変換して、電気的情報を得る。この電気的情報は、デジタルに変換され、信号処理部(イメージプロセッサ)230により画像処理され、表示部(ディスプレイ)240によって観察できる。
[Radiation imaging system]
FIG. 8 relates to a radiation imaging system including the
また、イメージプロセッサ230により画像処理された情報は、電話、LAN、インターネットなどのネットワーク等の伝送処理部250により遠隔地へ転送できる。したがって、イメージプロセッサ230により画像処理された情報は、別の場所のドクタールームなどの表示部(ディスプレイ)241に表示したり、光ディスク等の記録部に保存したりすることができ、遠隔地の医師によって診断可能である。また、イメージプロセッサ230により画像処理された情報は、フィルムプロセッサ260によりフィルム261に記録することもできる。
Information processed by the
本発明の放射線撮像装置は、医療用の放射線撮像装置や、非破壊検査装置等の放射線を利用した医療用以外の分析、検査用途の装置への応用が可能である。 The radiation imaging apparatus of the present invention can be applied to a medical radiation imaging apparatus, a non-medical analysis or inspection apparatus using radiation, such as a nondestructive inspection apparatus.
100:放射線撮像装置。110:センサパネル。121:支持基板。122:接着層。123:シンチレータ層。150:基台。151:マスク。 100: Radiation imaging apparatus. 110: Sensor panel. 121: Support substrate. 122: Adhesive layer. 123: Scintillator layer. 150: Base. 151: Mask.
Claims (10)
シンチレータ層を前記基台と前記マスクとの上に形成する工程と、
前記マスクを前記基台から除去することにより前記基台の上に形成された前記シンチレータ層の一部を除去する工程と、
前記シンチレータ層を支持する支持基板を前記シンチレータ層の前記基台の側とは反対の側に接着層を介して接続する接続工程と、
前記基台を前記シンチレータ層から剥離する工程と、
センサパネルを前記シンチレータ層の前記支持基板の側とは反対の側に接続する工程と、
を含むことを特徴とする放射線撮像装置の製造方法。 Placing a mask on the base to define a region on the base on which the scintillator layer is to be formed;
Forming a scintillator layer on the base and the mask;
Removing a part of the scintillator layer formed on the base by removing the mask from the base;
A connecting step of connecting a support substrate supporting the scintillator layer to the side of the scintillator layer opposite to the base side via an adhesive layer;
Peeling the base from the scintillator layer;
Connecting a sensor panel to the side of the scintillator layer opposite to the side of the support substrate;
A method for manufacturing a radiation imaging apparatus, comprising:
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、
前記信号処理部からの信号を表示するための表示部と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。 A radiation imaging apparatus according to claim 9;
A signal processing unit for processing a signal from the radiation imaging apparatus;
A display unit for displaying a signal from the signal processing unit;
A radiation source for generating the radiation;
A radiation imaging system comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014078234A JP2015200528A (en) | 2014-04-04 | 2014-04-04 | Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same and radiation imaging system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014078234A JP2015200528A (en) | 2014-04-04 | 2014-04-04 | Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same and radiation imaging system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015200528A true JP2015200528A (en) | 2015-11-12 |
Family
ID=54551912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014078234A Pending JP2015200528A (en) | 2014-04-04 | 2014-04-04 | Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same and radiation imaging system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015200528A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115963571A (en) * | 2021-10-08 | 2023-04-14 | 同方威视技术股份有限公司 | Transport system for a detection device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58118977A (en) * | 1982-01-08 | 1983-07-15 | Toshiba Corp | Detector of radiant ray |
JPS5924300A (en) * | 1982-07-13 | 1984-02-07 | トムソン―セーエスエフ | Scintillation screen for conversion of radiation and manufacture thereof |
JPH06224457A (en) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Radiation detector |
JP2002107498A (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Panel for converting radiation image, and manufacturing method therefor |
JP2002181949A (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-26 | Canon Inc | Radiation detecting device and radiation image pickup system using the same |
JP2012127698A (en) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Canon Inc | Radiation detection apparatus and method for manufacturing the same |
JP2012154696A (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Canon Inc | Scintillator panel, radiation detection device, and method for manufacturing them |
-
2014
- 2014-04-04 JP JP2014078234A patent/JP2015200528A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58118977A (en) * | 1982-01-08 | 1983-07-15 | Toshiba Corp | Detector of radiant ray |
JPS5924300A (en) * | 1982-07-13 | 1984-02-07 | トムソン―セーエスエフ | Scintillation screen for conversion of radiation and manufacture thereof |
JPH06224457A (en) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Radiation detector |
JP2002107498A (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Panel for converting radiation image, and manufacturing method therefor |
JP2002181949A (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-26 | Canon Inc | Radiation detecting device and radiation image pickup system using the same |
JP2012127698A (en) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Canon Inc | Radiation detection apparatus and method for manufacturing the same |
JP2012154696A (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Canon Inc | Scintillator panel, radiation detection device, and method for manufacturing them |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115963571A (en) * | 2021-10-08 | 2023-04-14 | 同方威视技术股份有限公司 | Transport system for a detection device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6100045B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation detection system, and method of manufacturing radiation detection apparatus | |
JP6310216B2 (en) | Radiation detection apparatus, manufacturing method thereof, and radiation detection system | |
JP4789372B2 (en) | Radiation detection apparatus, system, and scintillator panel provided in them | |
US20120168632A1 (en) | Electronic cassette for radiation imaging | |
US20140091225A1 (en) | Radiation imaging apparatus, radiation imaging system, and radiation imaging apparatus manufacturing method | |
JP2011017683A (en) | Radiation image detector, and manufacturing method of the same | |
JP2013152160A (en) | Radiation imaging device and radiation imaging system | |
JP2012137438A5 (en) | ||
JP5661426B2 (en) | Radiation detector and manufacturing method thereof | |
JP2006220439A (en) | Scintillator panel, device for detecting radiation, and its manufacturing method | |
JP2012154811A (en) | Scintillator panel and method for manufacturing the same, and radiation detection device | |
JP2005172511A (en) | Radiation detector, its manufacturing method, and radiation imaging systems | |
JP2004061115A (en) | Scintillator panel, radiation detection device, and radiation imaging system | |
JP6877289B2 (en) | Manufacturing method of radiation detection device, radiation detection system, and radiation emission device | |
JP6174849B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
US9971043B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and manufacturing method | |
JP2004325442A (en) | Radiation detector and its manufacturing method | |
WO2012147813A1 (en) | Radiation image detection device and radiation imaging device | |
JP2005337962A (en) | Radiation detector | |
JP2015200528A (en) | Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same and radiation imaging system | |
JP2008107133A (en) | Radiographic image detector and its manufacturing method | |
JP2004061116A (en) | Radiation detector and system | |
WO2020166224A1 (en) | Method for producing scintillator plate, scintillator plate, radiation detection device and radiation detection system | |
WO2012002224A1 (en) | Radiation detector and method of producing same | |
JP2006052979A (en) | Radiation detection device and scintillator panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180717 |