JP2015199877A - フッ化物蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
フッ化物蛍光体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015199877A JP2015199877A JP2014080656A JP2014080656A JP2015199877A JP 2015199877 A JP2015199877 A JP 2015199877A JP 2014080656 A JP2014080656 A JP 2014080656A JP 2014080656 A JP2014080656 A JP 2014080656A JP 2015199877 A JP2015199877 A JP 2015199877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- fluoride
- solution
- light
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N F.F.F.P Chemical compound F.F.F.P XPIIDKFHGDPTIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 59
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 16
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 116
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 48
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 40
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 37
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 19
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 17
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 10
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 10
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 6
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021569 Manganese fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M caesium acetate Chemical compound [Cs+].CC([O-])=O ZOAIGCHJWKDIPJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N P.OB(O)O Chemical compound P.OB(O)O PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVMHUALAQYRRBM-UHFFFAOYSA-N [P].[P] Chemical compound [P].[P] QVMHUALAQYRRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229940006165 cesium cation Drugs 0.000 description 1
- 159000000006 cesium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical class O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001437 manganese ion Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- BDRTVPCFKSUHCJ-UHFFFAOYSA-N molecular hydrogen;potassium Chemical compound [K].[H][H] BDRTVPCFKSUHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 1
- 159000000005 rubidium salts Chemical class 0.000 description 1
- NCCSSGKUIKYAJD-UHFFFAOYSA-N rubidium(1+) Chemical compound [Rb+] NCCSSGKUIKYAJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOGKDYADEBOSPL-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);acetate Chemical compound [Rb+].CC([O-])=O FOGKDYADEBOSPL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
- C09K11/617—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
- C09K11/615—Halogenides
- C09K11/616—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】下記一般式(I)で表される化学組成を有するフッ化物及び液媒体を含む混合物を加圧及び加熱処理する工程を含むフッ化物蛍光体の製造方法である。また、下記一般式(I)で表される化学組成を有し、波長445nmのレーザー光を3.5W/cm2の光密度で300秒間照射した後の発光エネルギー効率の低下率が5%以下であるフッ化物蛍光体である
A2[M1−aMn4+ aF6] (I)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。)
【選択図】なし
Description
以上のことから、本発明は、耐久性に優れる赤色発光の蛍光体及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第一の態様は、下記一般式(I)で表される化学組成を有するフッ化物及び液媒体を含む混合物を加圧及び加熱処理する工程を含むフッ化物蛍光体の製造方法である。
A2[M1−aMn4+ aF6] (I)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す)
本発明の第三の態様は、上記一般式(I)で表される化学組成を有し、波長510nmにおける反射率が85%以上であるフッ化物蛍光体である。
本発明の第四の態様は、上記一般式(I)で表される化学組成を有し、温度85℃、相対湿度85%の環境下で100時間放置した後の発光輝度の低下率が4%未満であるフッ化物蛍光体である。
本発明の第五の態様は、上記製造方法で得られるフッ化物蛍光体又は上記フッ化物蛍光体と、380nm〜485nmの範囲にピーク波長を有する光を発する光源と、を備える発光装置である。
なお、色名と色度座標との関係、光の波長範囲と単色光の色名との関係等は、JIS Z8110に従う。具体的には、380nm〜455nmが青紫色、455nm〜485nmが青色、485nm〜495nmが青緑色、495nm〜548nmが緑色、548nm〜573nmが黄緑色、573nm〜584nmが黄色、584nm〜610nmが黄赤色、610nm〜780nmが赤色である。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。さらに組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
本実施形態のフッ化物蛍光体の製造方法は、下記一般式(I)で表される化学組成を有するフッ化物及び液媒体を含む混合物を加圧及び加熱処理する工程を含むフッ化物蛍光体の製造方法である。
A2[M1−aMn4+ aF6] (I)
式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。
特定組成のフッ化物粒子を液媒体中で加圧及び加熱処理することで、発光輝度及び耐久性に優れるフッ化物蛍光体を得ることができる。これは例えば、蛍光体を付活する、Mn4+近傍の結晶構造が安定化するため、あるいは蛍光体中の結晶欠陥が低減されるためと考えることができる。また、得られる蛍光体は、波長510nmにおける反射率が大きくなり、例えば緑色発光の蛍光体とともに照明用途に適用した場合に、緑色領域での輝度の低下を抑制することができる。
波長445nmの光を発生する半導体レーザーを準備し、光出力を安定させるために温度調整を行う。粉体輝度測定用のセルにフッ化物蛍光体をセットする。半導体レーザーから出力した光をセル中のフッ化物蛍光体に照射する。このとき、光密度が3.5W/cm2になるように半導体レーザーへの印加電流を調整する。レーザー光の照射されている部分からの光を光電子増倍管に取り込むことで粉体輝度の変化を測定する。このとき、粉体輝度に対するレーザー光の影響を除くため、光学フィルターを用いて蛍光体から反射されるレーザー光を除くことが好ましい。更に、粉体輝度の変化は、例えば、励起エネルギーに対する発光エネルギー効率の低下率(%)として評価することができる。なお、励起エネルギーは励起波長における光の反射率から算出できる。
フッ化物蛍光体の製造方法に用いる一般式(I)で表される化学組成を有するフッ化物は、それ自体が赤色発光の蛍光体として機能する。本実施形態の製造方法は、一般式(I)で表される化学組成を有するフッ化物の蛍光体としての機能を損なうことなく、得られるフッ化物蛍光体の耐久性を向上させることができる。
Mがケイ素(Si)、又はケイ素(Si)及びゲルマニウム(Ge)を含む場合、Si及びGeの少なくとも一方の一部が、Ti、Zr及びHfを含む第4族元素、並びにC及びSnを含む第14族元素からなる群から選択される少なくとも1種で置換されていてもよい。その場合、MにおけるSi及びGeの総含有率は特に制限されず、例えば、90モル%以上であることが好ましく、95モル%以上であることがより好ましい。
本実施形態の製造方法では、上記フッ化物と液媒体とを含む混合物を調製し、得られた混合物に対して加圧及び加熱処理を行う。液媒体中で処理することでフッ化物に対する処理効果をより均一に付与することできる。液媒体の構成は特に制限されず、目的等に応じて通常用いられる液体から適宜選択することができる。液媒体として具体的には、水;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール溶剤、アセトン、メイルエチルケトン等のケトン溶剤、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル溶剤等の有機溶剤;などを挙げることができる。また、液媒体は、常圧で気体であっても加圧により液化する物質、常温で固体であっても加熱により液化する物質であってもよい。液媒体は、少なくとも水を含むことが好ましい。
液媒体は1種単独でも、2種以上を組合せて用いてもよい。
液媒体に溶解可能な成分は1種単独でも、2種以上を組合せて用いてもよい。
加圧処理の条件は特に制限されず目的等に応じて適宜選択することができる。加圧処理の圧力は、耐久性向上の観点から、計算上、1.5MPa以上であることが好ましく、2.5MPa以上であることがより好ましく、5.0MPa以上であることが更に好ましい。圧力の上限は特に制限されず、耐久性と製造効率の観点から、30MPa以下であることが好ましく、15MPa以下であることがより好ましい。
加圧処理における雰囲気は特に制限されず、大気雰囲気であっても、不活性ガス雰囲気であってもよい。
加熱処理の条件は特に制限されず目的等に応じて適宜選択することができる。加熱処理の温度は、耐久性向上の観点から、100℃以上であることが好ましく、120℃以上であることがより好ましく、150℃以上であることが更に好ましい。温度の上限は特に制限されず、耐久性と製造効率の観点から、300℃以下であることが好ましく、200℃以下であることがより好ましい。
加熱処理における雰囲気は特に制限されず、大気雰囲気であっても、不活性ガス雰囲気であってもよい。
一般式(I)で表される化学組成を有するフッ化物は、フッ化水素を含む液媒体中で、4価のマンガンイオンを含む第一の錯イオンと、カリウム(K+)、リチウム(Li+)、ナトリウム(Na+)、ルビジウム(Rb+)、セシウム(Cs+)及びアンモニウム(NH4 +)からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンと、第4族元素及び第14族元素からなる群から選択される少なくとも1種を含む第二の錯イオンとを接触させることで製造することができる。
溶液aは、4価のマンガンを含む第一の錯イオンと、第4族元素及び第14族元素からなる群から選択される少なくとも1種並びにフッ素イオンとを含む第二の錯イオンとを含むフッ化水素酸溶液である。
例えば、第二の錯イオンがケイ素(Si)を含む場合、第二の錯イオン源は、ケイ素とフッ素とを含み、溶液への溶解性に優れる化合物であることが好ましい。第二の錯イオン源として具体的には、H2SiF6、Na2SiF6、(NH4)2SiF6、Rb2SiF6、Cs2SiF6等を挙げることができる。これらの中でも、水への溶解度が高く、不純物としてアルカリ金属元素を含まないことにより、H2SiF6が好ましい。第二の錯イオン源は、1種を単独で用いて2種以上を併用してもよい。
溶液bは、カリウム(K+)、リチウム(Li+)、ナトリウム(Na+)、ルビジウム(Rb+)、セシウム(Cs+)及びアンモニウム(NH4 +)からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンとフッ化水素とを少なくとも含み、必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。溶液bは、例えば、カリウム(K+)、リチウム(Li+)、ナトリウム(Na+)、ルビジウム(Rb+)、セシウム(Cs+)及びアンモニウム(NH4 +)からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンを含むフッ化水素酸の水溶液として得られる。
溶液bを構成可能なカリウムカチオンを含むカリウム源として、具体的には、KF、KHF2、KOH、KCl、KBr、KI、酢酸カリウム、K2CO3等の水溶性カリウム塩を挙げることができる。中でも溶液中のフッ化水素濃度を下げることなく溶解することができ、また、溶解熱が小さく安全性が高いことから、KHF2が好ましい。
溶液bを構成可能なナトリウムカチオンを含むナトリウム源として、NaF、NaHF2、NaOH、NaCl、NaBr、NaI、酢酸ナトリウム、Na2CO3等水溶性のナトリウム塩を挙げることができる。
溶液bを構成可能なルビジウムカチオンを含むルビジウム源として、具体的には、RbF、酢酸ルビジウム、Rb2CO3等の水溶性ルビジウム塩を挙げることができる。
溶液bを構成可能なセシウムカチオンを含むセシウム源として、具体的には、CsF、酢酸セシウム、Cs2CO3等の水溶性セシウム塩を挙げることができる。
溶液bを構成可能な第四級アンモニウムカチオンを含むナトリウム源として、NH4F、アンモニア水、NH4Cl、NH4Br、NH4I、酢酸アンモニウム、(NH4)2CO3等水溶性のアンモニウム塩を挙げることができる。溶液bを構成するイオン源は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
また、溶液bにおけるカチオン濃度の下限値は、通常5質量%以上、好ましくは10質量%以上、より好ましくは15質量%以上である。また、溶液bにおけるカリウム(K+)、リチウム(Li+)、ナトリウム(Na+)、ルビジウム(Rb+)、セシウム(Cs+)及びアンモニウム(NH4 +)からなる群から選択される少なくとも1種のカチオン濃度の上限値は、通常80質量%以下、好ましくは70質量%以下、より好ましくは60質量%以下である。
溶液a及び溶液bを混合することにより、所定の割合で第一の錯イオンと、カリウム(K+)、リチウム(Li+)、ナトリウム(Na+)、ルビジウム(Rb+)、セシウム(Cs+)及びアンモニウム(NH4 +)からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンと、第二の錯イオンとが反応して目的のフッ化物の結晶が析出する。析出した結晶は濾過等により固液分離して回収することができる。またエタノール、イソプロピルアルコール、水、アセトン等の溶媒で洗浄してもよい。更に乾燥処理を行ってもよく、通常50℃以上、好ましくは55℃以上、より好ましくは60℃以上、また、通常110℃以下、好ましくは100℃以下、より好ましくは90℃以下で乾燥する。乾燥時間としては、フッ化物蛍光体に付着した水分を蒸発することができれば、特に制限はなく、例えば、10時間程度である。
なお、溶液a及び溶液bの混合に際しては、溶液a及び溶液bの仕込み組成と得られるフッ化物の組成とのずれを考慮して、生成物としてのフッ化物の組成が目的の組成となるように、溶液a及び溶液bの混合割合を適宜調整することが好ましい。
第一の溶液と、第二の溶液と、第三の溶液とを混合することで、所望の組成を有し、所望の重量メジアン径を有するフッ化物を、優れた生産性で簡便に製造することができる。
第一の溶液は、4価のマンガンを含む第一の錯イオンと、フッ化水素とを少なくとも含み、必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。第一の溶液は、例えば、4価のマンガン源を含むフッ化水素酸の水溶液として得られる。マンガン源は、マンガンを含む化合物であれば特に制限はされない。第一の溶液を構成可能なマンガン源として、具体的には、K2MnF6、KMnO4、K2MnCl6等を挙げることができる。中でも、付活することのできる酸化数(4価)を維持しながら、MnF6錯イオンとしてフッ化水素酸中に安定して存在することができること等から、K2MnF6が好ましい。なお、マンガン源のうち、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンを含むものは、第二の溶液に含まれるK+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選択される少なくとも1種のカチオン源を兼ねることができる。第一の溶液を構成するマンガン源は、1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。
第二の溶液は、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンとフッ化水素とを少なくとも含み、必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。第二の溶液は、例えば、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンを含むフッ化水素酸の水溶液として得られる。第二の溶液を構成可能なイオンを含むイオン源として、具体的には、KF、KHF2、KOH、KCl、KBr、KI、酢酸カリウム、K2CO3等のカリウムを含む塩に加えて、NaF、NaHF2、NaOH、NaCl、NaBr、NaI、酢酸ナトリウム、Na2CO3、RbF、酢酸ルビジウム、Rb2CO3、CsF、酢酸セシウム、Cs2CO3、NH4F、アンモニア水、NH4Cl、NH4Br、NH4I、酢酸アンモニウム、(NH4)2CO3等の水溶性の塩を挙げることができる。中でも溶液中のフッ化水素濃度を下げることなく溶解することができ、また、溶解熱が小さく安全性が高いことから、少なくともKHF2を用いることが好ましく、カリウム以外のイオン源としてはNaHF2が好ましい。第二の溶液を構成するイオン源は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
また、第二の溶液におけるK+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンのイオン濃度の下限値は、通常5質量%以上、好ましくは10質量%以上、より好ましくは15質量%以上である。また、第二の溶液におけるK+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選択される少なくとも1種のカチオンのイオン濃度の上限値は、通常80質量%以下、好ましくは70質量%以下、より好ましくは60質量%以下である。
第三の溶液は、第4族元素及び第14族元素からなる群から選択される少なくとも1種と、フッ素イオンとを含む第二の錯イオンを少なくとも含み、必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。第三の溶液は、例えば、第二の錯イオンを含む水溶液として得られる。
第二の錯イオンは、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)及びスズ(Sn)からなる群から選択される少なくとも1種を含むことが好ましく、ケイ素(Si)、又はケイ素(Si)及びゲルマニウム(Ge)を含むことがより好ましく、フッ化ケイ素錯イオンであることが更に好ましい。
本実施形態のフッ化物蛍光体の第一の態様は、上記一般式(I)で表される化学組成を有し、波長445nmのレーザー光を3.5W/cm2の光密度で300秒間照射した後の発光エネルギー効率の低下率が5%以下であるフッ化物蛍光体である。発光エネルギー効率の低下率は4%以下であることが好ましく、2%以下であることがより好ましい。
発光エネルギー効率の低下率は、レーザー光照射後における励起エネルギーに対する発光エネルギー効率の低下率(%)であり、既述の方法で測定される。
フッ化物蛍光体の反射率は、例えば、蛍光分光光度計F−4500(日立ハイテク社製)を用いて25℃の条件で測定される。
フッ化物蛍光体の発光輝度は、例えば、蛍光分光光度計F−4500(日立ハイテク社製)を用いて25℃の条件で測定される。
本実施形態の発光装置は、前記フッ化物蛍光体と、380nm〜485nmの波長範囲の光を発する光源とを含む。発光装置は、必要に応じて、その他の構成部材を更に含んでいてもよい。発光装置が前記フッ化物蛍光体を含むことで、耐久性に優れ、優れた長期信頼性を達成することができる。すなわち、前記フッ化物蛍光体を含む発光装置は、長期間にわたって、出力の低下と色度変化が抑制され、照明用途等の過酷な環境での使用に好適に適用することができる。
光源(以下、「励起光源」ともいう)としては、可視光の短波長領域である380nm〜485nmの波長範囲の光を発するものを使用する。光源として好ましくは420nm〜485nmの波長範囲、より好ましくは440nm〜480nmの波長範囲に発光ピーク波長(極大発光波長)を有するものである。これにより、フッ化物蛍光体を効率よく励起し、可視光を有効活用することができる。また当該波長範囲の励起光源を用いることにより、発光強度が高い発光装置を提供することができる。
発光素子は、可視光の短波長領域の光を発するものを使用することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。
発光装置に含まれるフッ化物蛍光体の詳細については既述の通りである。フッ化物蛍光体は、例えば、励起光源を覆う封止樹脂に含有されることで発光装置を構成することができる。励起光源がフッ化物蛍光体を含有する封止樹脂で覆われた発光装置では、励起光源から出射された光の一部がフッ化物蛍光体に吸収されて、赤色光として放射される。380nm〜485nmの波長範囲の光を発する励起光源を用いることで、放射される光をより有効に利用することができる。よって発光装置から出射される光の損失を少なくすることができ、高効率の発光装置を提供することができる。
発光装置に含まれるフッ化物蛍光体の含有量は特に制限されず、励起光源等に応じて適宜選択することができる。
発光装置は、前記フッ化物蛍光体に加えて、他の蛍光体を更に含むことが好ましい。他の蛍光体は、光源からの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものであればよい。他の蛍光体は、例えば、前記フッ化物蛍光体と同様に封止樹脂に含有させて発光装置を構成することができる。
他の蛍光体を含むことにより、種々の色調の発光装置を提供することができる。
発光装置が他の蛍光体の更に含む場合、その含有量は特に制限されず、所望の発光特性が得られるように適宜調整すればよい。
発光装置100は、可視光の短波長側(例えば380nm〜485nm)の光を発する窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子10と、発光素子10を載置する成形体40と、を有する。成形体40は第1のリード20と第2のリード30とを有しており、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂により一体成形されている。成形体40は底面と側面を持つ凹部を形成しており、凹部の底面に発光素子10が載置されている。発光素子10は一対の正負の電極を有しており、その一対の正負の電極は第1のリード20及び第2のリード30とワイヤ60を介して電気的に接続されている。発光素子10は封止部材50により封止されている。封止部材50はエポキシ樹脂やシリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。封止部材50は発光素子10からの光を波長変換するフッ化物蛍光体70を含有している。
KHF2を156.2g秤量し、それを55質量%のHF水溶液710gに溶解して、溶液Aを調製した。またK2MnF6を15.7g秤量し、それを55質量%のHF水溶液400gに溶解させて溶液Bを調製した。H2SiF6を112g含む水溶液280gを調製して40質量%のH2SiF6を含む溶液Cとした。溶液Cに含まれるフッ素元素の質量モル濃度は27.8mol/kgであった。
次に溶液Aを、室温で撹拌しながら、約20分かけて溶液Bと溶液Cとをそれぞれ滴下した。得られた沈殿物を固液分離後、エタノール洗浄を行い、90℃で10時間乾燥することで、フッ化物粒子を作製した。
なお、以下の比較例1のフッ化物蛍光体としては、この製造例1で得られたフッ化物をそのまま用いた。
2.5gのKHF2を55%フッ化水素酸水溶液10gに溶解して液媒体1を調製した。フッ素樹脂コートされたオートクレーブに、液媒体1と製造例1で得られたフッ化物粒子10gを入れ、120℃、約2.3MPaで8時間、加熱加圧処理した。固液分離後、エタノール洗浄を行い、70℃で10時間乾燥することで、フッ化物蛍光体1を作製した。
実施例1において、加熱加圧処理時間を21時間に変更したこと以外は同様にしてフッ化物蛍光体2を作製した。
2.5gのKHF2を55%フッ化水素酸水溶液12.5gに溶解して液媒体3を調製した。フッ素樹脂コートされたオートクレーブに、液媒体3と製造例1で得られたフッ化物粒子10gを入れ、150℃、約5.0MPaで8時間、加熱加圧処理した。固液分離後、エタノール洗浄を行い、70℃で10時間乾燥することで、フッ化物蛍光体3を作製した。
実施例3において、加熱温度を170℃、約7.5MPaに変更したこと以外は同様にしてフッ化物蛍光体4を作製した。
(発光輝度特性)
得られた各フッ化物蛍光体について、通常の発光輝度特性の測定を行った。発光輝度特性は、励起波長460nmの条件で反射輝度として測定した。また輝度は未処理のフッ化物蛍光体に対する相対輝度として評価した。測定結果を表1に示す。
波長450nmの光を発生する半導体レーザーを準備し、光出力を安定させるために温度調整を行った。粉体輝度測定用のセル(容量0.31cc)にフッ化物蛍光体0.34gをセットし、半導体レーザーから出力した光をセル中のフッ化物蛍光体に連続して照射した。このとき、光密度が3.5W/cm2になるように半導体レーザーへの印加電流を調整した。レーザー光の照射されている部分からの光を光電子増倍管に取り込むことで粉体輝度の変化を測定した。このとき、粉体輝度に対するレーザー光の影響を除くため、光学フィルターを用いて蛍光体から反射されるレーザー光を除いた。発光エネルギー効率は、波長460nm励起光の反射率と発光輝度から算出した。
レーザー光を300秒間照射した後の発光エネルギー効率の低下率を表1に示す。また、レーザー光照射に伴う発光エネルギー効率の時間変化をレーザー劣化率として図2に示す。
得られた各フッ化物蛍光体について、分光蛍光光度計F−4500(日立ハイテク社製)を用いて25℃の条件下で、波長510nmにおける反射率を測定した。結果を表1に示す。また、波長380〜730nmにおける反射率スペクトルを図3に示す。
得られたフッ化物蛍光体について、それぞれ、温度が85℃であり、相対湿度が85%の高温高湿環境下に100時間放置した。高温高湿環境試験の試験前と、試験後に、それぞれの発光輝度を測定して、試験前の発光輝度を基準として試験後の発光輝度の低下率を算出した。その結果を、高温高湿試験後の輝度低下率(%)として表1に示す。
ここで、発光輝度は、他の特性と同じく、分光蛍光光度計F−4500(日立ハイテク社製)を用いて測定した。
表1に示されるように、比較例1のフッ化物蛍光体は、発光輝度が高温高湿試験後に4%低下した(すなわち、発光輝度が、本試験開始前の96%になった。)が、実施例1〜4のフッ化物蛍光体は、発光輝度の低下が無かったことが分かる。
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、フッ化物蛍光体のSEM画像を得た。
図4に実施例1で得られたフッ化物蛍光体のSEM画像を、図5に実施例2で得られたフッ化物蛍光体のSEM画像を、図6に実施例3で得られたフッ化物蛍光体のSEM画像を、図7に実施例4で得られたフッ化物蛍光体のSEM画像を、図8に比較例1で得られたフッ化物蛍光体のSEM画像をそれぞれ示す。
フッ化物蛍光体粒子表面の段差が、処理前よりも処理後の方においてより明瞭に観察できる。粒子表面の段差が生じていることから、本発明の処理によってフッ化物蛍光体粒子に再結晶が生じていることが考えられる。この再結晶時に、欠陥の低減やMn4+近傍の安定化が起きるものと考えられる。
実施例1〜4及び比較例1のフッ化物蛍光体(赤蛍光体)を使用して、実施例5〜8、比較例2の発光装置をそれぞれ作製した。フッ化物蛍光体の72質量部と、緑蛍光体であるβサイアロンの28質量部とをシリコーン樹脂100質量部に分散した封止材料で、主波長451nmの半導体発光素子を封止して発光装置を作製した。
なお、実施例5の発光装置の作製には実施例1のフッ化物蛍光体を用い、実施例6の発光装置の作製には実施例2のフッ化物蛍光体を用い、実施例7の発光装置の作製には実施例3のフッ化物蛍光体を用い、実施例8の発光装置の作製には実施例4のフッ化物蛍光体を用い、比較例2の発光装置の作製には製造例1のフッ化物蛍光体をそのまま用いた。
上記で得られた実施例5〜8、比較例2の発光装置について、85℃の環境下で150mAの電流値で、連続発光させ、70時間経過後の全光束量と、色度座標におけるx値を測定した。全光束量とx値のそれぞれについて、比較例1のフッ化物蛍光体を用いた発光装置における初期値からの全光束の変化量及びx値の変化量をそれぞれ100とした場合の各実施例で得られたフッ化物蛍光体を用いた発光装置における全光束の変化量及びx値の変化量をそれぞれ光束変化量及びΔx変化量として相対的に評価した。その結果を以下の表2に示す。
なお、光束変化量及びΔx変化量は、それぞれ、各発光装置において初期値から変化した量を示しており、それぞれ、その値が小さい方が良好な結果であることを意味する。比較例2と比べて実施例5〜8のほうが、初期値からの光束変化量及びΔx変化量が小さい。すなわち、これは、比較例2と比べて実施例5〜8のほうが、より初期値に近い光束量およびx値を維持しているということを意味しており、実施例5〜8は比較例2と比べて発光装置の耐久性に優れていることが分かる。
Claims (9)
- 下記一般式(I)で表される化学組成を有するフッ化物及び液媒体を含む混合物を加圧及び加熱処理する工程を含むフッ化物蛍光体の製造方法。
A2[M1−aMn4+ aF6] (I)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは、0<a<0.2を満たす数を示す。) - 前記加熱処理が100℃以上で行われる、請求項1に記載の製造方法。
- 前記加圧処理が1.5MPa以上で行われる、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記液媒体が水を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記液媒体がカリウムを含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法。
- 下記一般式(I)で表される化学組成を有し、波長445nmのレーザー光を3.5W/cm2の光密度で300秒間照射した後の発光エネルギー効率の低下率が5%以下であるフッ化物蛍光体。
A2[M1−aMn4+ aF6] (I)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。) - 下記一般式(I)で表される化学組成を有し、波長510nmにおける反射率が85%以上であるフッ化物蛍光体。
A2[M1−aMn4+ aF6] (I)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。) - 下記一般式(I)で表される化学組成を有し、温度85℃、相対湿度85%の環境下で100時間放置した後の発光輝度の低下率が4%未満であるフッ化物蛍光体。
A2[M1−aMn4+ aF6] (I)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4 +からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。) - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の製造方法で得られるフッ化物蛍光体又は請求項6〜8のいずれか1項に記載のフッ化物蛍光体と、
380nm〜485nmの範囲にピーク波長を有する光を発する光源と、を備える発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014080656A JP6094522B2 (ja) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | フッ化物蛍光体の製造方法 |
US14/683,046 US9745510B2 (en) | 2014-04-10 | 2015-04-09 | Fluoride fluorescent material and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014080656A JP6094522B2 (ja) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | フッ化物蛍光体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015199877A true JP2015199877A (ja) | 2015-11-12 |
JP6094522B2 JP6094522B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=54264582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014080656A Active JP6094522B2 (ja) | 2014-04-10 | 2014-04-10 | フッ化物蛍光体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9745510B2 (ja) |
JP (1) | JP6094522B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017048401A (ja) * | 2016-12-12 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体の製造方法 |
US10400166B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-09-03 | Nichia Corporation | Fluoride fluorescent material and light emitting device |
US11414596B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-08-16 | Nichia Corporation | Fluoride fluorescent material, light emitting device, and method for producing fluoride fluorescent material |
WO2024018928A1 (ja) * | 2022-07-19 | 2024-01-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 構造体、赤外線検知装置、発光装置及び構造体の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3380581B1 (en) * | 2015-11-26 | 2020-07-15 | General Electric Company | Processes for synthesizing red-emitting phosphors and related red-emitting phosphors |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011012091A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置 |
US8252613B1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-08-28 | General Electric Company | Color stable manganese-doped phosphors |
WO2013121355A1 (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Koninklijke Philips N.V. | Coated narrow band red-emitting fluorosilicates for semiconductor leds |
US20140264418A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | General Electric Company | Color stable red-emitting phosphors |
JP2014227496A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010232381A (ja) | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置 |
US8057706B1 (en) | 2010-07-27 | 2011-11-15 | General Electric Company | Moisture-resistant phosphor and associated method |
MY161542A (en) | 2011-04-08 | 2017-04-28 | Shinetsu Chemical Co | Preparation of complex fluoride and complex fluoride phosphor |
KR101535164B1 (ko) | 2011-12-16 | 2015-07-09 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | Led 응용을 위한 mn―활성화 헥사플루오로실리케이트 |
US9580648B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-02-28 | General Electric Company | Color stable red-emitting phosphors |
-
2014
- 2014-04-10 JP JP2014080656A patent/JP6094522B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-09 US US14/683,046 patent/US9745510B2/en active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011012091A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置 |
JP2014514388A (ja) * | 2011-03-23 | 2014-06-19 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 色安定マンガンドープ燐光体 |
US8252613B1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-08-28 | General Electric Company | Color stable manganese-doped phosphors |
CN104114671A (zh) * | 2012-02-16 | 2014-10-22 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于半导体led的涂布的窄带发红光氟硅酸盐 |
WO2013121355A1 (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Koninklijke Philips N.V. | Coated narrow band red-emitting fluorosilicates for semiconductor leds |
EP2814905A1 (en) * | 2012-02-16 | 2014-12-24 | Koninklijke Philips N.V. | Coated narrow band red-emitting fluorosilicates for semiconductor leds |
US20150048399A1 (en) * | 2012-02-16 | 2015-02-19 | Koninklijke Philips N.V. | Coated narrow band red-emitting fluorosilicates for smeconductro leds |
JP2015515118A (ja) * | 2012-02-16 | 2015-05-21 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 半導体led用のコーティングされた狭帯域赤色発光フルオロケイ酸塩 |
US20140264418A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | General Electric Company | Color stable red-emitting phosphors |
WO2014152787A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | General Electric Company | Color stable red-emitting phosphors |
KR20150133780A (ko) * | 2013-03-15 | 2015-11-30 | 제네럴 일렉트릭 컴퍼니 | 색 안정한 적색 발광 인광체 |
CN105189696A (zh) * | 2013-03-15 | 2015-12-23 | 通用电气公司 | 颜色稳定的发射红色的磷光体 |
EP2970765A1 (en) * | 2013-03-15 | 2016-01-20 | General Electric Company | Color stable red-emitting phosphors |
JP2016517464A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-06-16 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 色安定赤色発光蛍光体 |
JP2014227496A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10400166B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-09-03 | Nichia Corporation | Fluoride fluorescent material and light emitting device |
JP2017048401A (ja) * | 2016-12-12 | 2017-03-09 | 日亜化学工業株式会社 | フッ化物蛍光体の製造方法 |
US11414596B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-08-16 | Nichia Corporation | Fluoride fluorescent material, light emitting device, and method for producing fluoride fluorescent material |
WO2024018928A1 (ja) * | 2022-07-19 | 2024-01-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 構造体、赤外線検知装置、発光装置及び構造体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6094522B2 (ja) | 2017-03-15 |
US20150291878A1 (en) | 2015-10-15 |
US9745510B2 (en) | 2017-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6102640B2 (ja) | フッ化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いる発光装置 | |
JP5954355B2 (ja) | フッ化物蛍光体及びそれを用いる発光装置 | |
JP5783302B2 (ja) | フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 | |
JP5446511B2 (ja) | 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置 | |
KR101809793B1 (ko) | 불화물 형광체 및 그 제조 방법 및 발광 장치 | |
JP6024850B2 (ja) | フッ化物蛍光体及びそれを用いる発光装置 | |
JP6149606B2 (ja) | フッ化物蛍光体の製造方法 | |
WO2017057671A1 (ja) | フッ化物蛍光体、発光装置及びフッ化物蛍光体の製造方法 | |
JP6094522B2 (ja) | フッ化物蛍光体の製造方法 | |
JP5915713B2 (ja) | フッ化物蛍光体及びその製造方法並びに発光装置 | |
JP5915801B1 (ja) | フッ化物蛍光体及びその製造方法並びに発光装置 | |
JP5402008B2 (ja) | 蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにこれを用いた発光装置 | |
JP2019044017A (ja) | フッ化物蛍光体及び発光装置 | |
JP6304287B2 (ja) | フッ化物蛍光体粒子及びそれを用いた発光装置 | |
JP6451759B2 (ja) | フッ化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置 | |
JP6066003B2 (ja) | フッ化物蛍光体及びその製造方法並びに発光装置 | |
JP6287311B2 (ja) | フッ化物蛍光体及びその製造方法 | |
JP2019044018A (ja) | フッ化物蛍光体及び発光装置 | |
JP6344460B2 (ja) | フッ化物蛍光体の製造方法 | |
JP7057530B2 (ja) | フッ化物蛍光体の製造方法 | |
Lyons et al. | Color stable manganese-doped phosphors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160420 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20160421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160826 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160927 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161108 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20161205 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20161207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6094522 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |