JP2015192009A - Mn及びNbドープのPZT系圧電体膜 - Google Patents
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Abstract
Description
式(1)中、d31は圧電定数、ε33は誘電率を示す。
+(300clogηrel +(c+1.5clogηrel)2)1/2/(0.15c+0.003c2)
上記式中、「ηrel」は、ポリビニルピロリドン水溶液の水に対する相対粘度を示し、「c」は、ポリビニルピロリドン水溶液中のポリビニルピロリドン濃度(%)を示す。
ポリビニルピロリドンのk値は、30〜90であることが好ましい。厚みのある圧電体膜を形成するには、組成物を基板等へ塗布する際、塗布された塗膜(ゲル膜)がその厚さを維持するために十分な粘度が必要となるが、k値が下限値未満では、それが得られにくい。一方、上限値を超えると粘度が高くなりすぎて、組成物を均一に塗布することが困難になる。
先ず、反応容器に酢酸鉛三水和物(Pb源)とプロピレングリコール(ジオール)とを入れ、窒素雰囲気中、150℃の温度で1時間還流した後、この反応容器に2−エチルヘキサン酸マンガン(Mn源)、ニオブペンタエトキシド(Nb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)、チタンテトライソプロポキシド(Ti源)及びアセチルアセトン(安定化剤)を更に加え、窒素雰囲気中、150℃の温度で1時間還流して反応させることにより、合成液を調製した。ここで、上記酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸マンガン(Mn源)、ニオブペンタエトキシド(Nb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)の各PZT系前駆体は、液中の金属原子比(Pb:Mn:Nb:Zr:Ti)が以下の表1に示す値になるように秤量した。またプロピレングリコール(ジオール)は、調製後の組成物100質量%に対して30質量%となるように添加し、アセチルアセトン(安定化剤)はPZT系前駆体1モルに対して2モルとなるように添加した。次いで上記合成液100質量%中に占めるPZT系前駆体の濃度が、酸化物濃度で35質量%になるように減圧蒸留を行って不要な溶媒を除去した。ここで、合成液中に占めるPZT系前駆体の濃度における酸化物濃度とは、合成液に含まれる全ての金属原子が目的の酸化物になったと仮定して算出した、合成液100質量%に占める金属酸化物の濃度(酸化物換算値)をいう。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸マンガン(Mn源)、ニオブペンタエトキシド(Nb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)の各PZT系前駆体を、液中の金属原子比(Pb:Mn:Nb:Zr:Ti)が、以下の表1に示す値になるようにそれぞれ秤量したこと以外は、実施例1と同様にして組成物を調製し、圧電体膜を形成した。実施例2〜8で形成した圧電体膜は、以下の表3に示す組成の膜であった。
Mn源、Nb源としてのPZT系前駆体を使用せず、酢酸鉛三水和物(Pb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)の各PZT系前駆体を、液中の金属原子比(Pb:Mn:Nb:Zr:Ti)が以下の表1に示す値になるように秤量したこと以外は、実施例1と同様にして組成物を調製し、圧電体膜を形成した。なお、形成後の圧電体膜は、以下の表3に示す組成の膜であった。
酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸マンガン(Mn源)、ニオブペンタエトキシド(Nb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)の各PZT系前駆体を、液中の金属原子比(Pb:Mn:Nb:Zr:Ti)が、以下の表1に示す値になるようにそれぞれ秤量したこと以外は、実施例1と同様にして組成物を調製し、圧電体膜を形成した。比較例2〜9で形成した圧電体膜は、以下の表3に示す組成の膜であった。
先ず、反応容器に酢酸鉛三水和物(Pb源)とプロピレングリコール(ジオール)とを入れ、窒素雰囲気中、150℃の温度で1時間還流した後、この反応容器に2−エチルヘキサン酸マンガン(Mn源)、ニオブペンタエトキシド(Nb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)、チタンテトライソプロポキシド(Ti源)及びアセチルアセトン(安定化剤)を更に加え、窒素雰囲気中、150℃の温度で1時間還流して反応させることにより、合成液を調製した。ここで、上記酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸マンガン(Mn源)、ニオブペンタエトキシド(Nb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)の各PZT系前駆体は、液中の金属原子比(Pb:Mn:Nb:Zr:Ti)が以下の表2に示す値になるように秤量した。またプロピレングリコール(ジオール)は、調製後の組成物100質量%に対して16質量%となるように添加し、アセチルアセトン(安定化剤)は調製後の組成物に含まれるMn、Nb、Zr及びTiの総量1モルに対して2モルとなる割合で添加した。次いで上記合成液100質量%中に占めるPZT系前駆体の濃度が、酸化物濃度で35質量%になるように減圧蒸留を行って不要な溶媒を除去した。ここで、合成液中に占めるPZT系前駆体の濃度における酸化物濃度とは、合成液に含まれる全ての金属原子が目的の酸化物になったと仮定して算出した、合成液100質量%に占める金属酸化物の濃度(酸化物換算値)をいう。
調製後の組成物100質量%に占めるプロピレングリコール(ジオール)の割合が、以下の表2に示す割合になるよう調整したこと以外は、実施例9と同様にして組成物を調製し、圧電体膜を形成した。なお、実施例10,11で形成した圧電体膜は、以下の表4に示す組成の膜であった。
組成物100質量%に占めるプロピレングリコール(ジオール)の割合が、以下の表2に示す割合になるよう調整したこと、及びMn、Nb、Zr及びTiの総量1モルに対するアセチルアセトンの割合を、以下の表2に示す割合に調整したこと以外は、実施例9と同様にして組成物を調製し、圧電体膜を形成した。なお、実施例12〜14で形成した圧電体膜は、で形成した圧電体膜は、以下の表4に示す組成の膜であった。
組成物100質量%に占めるプロピレングリコール(ジオール)の割合が、以下の表2に示す割合になるよう調整したこと、及び組成物100質量%中に占めるPZT系前駆体の濃度が、酸化物濃度で、以下の表2に示す値になるように調整したこと以外は、実施例9と同様にして組成物を調製し、圧電体膜を形成した。なお、形成後の圧電体膜は、以下の表4に示す組成の膜であった。
先ず、反応容器に酢酸鉛三水和物(Pb源)とプロピレングリコール(ジオール)とを入れ、窒素雰囲気中、150℃の温度で1時間還流した後、この反応容器に2−エチルヘキサン酸マンガン(Mn源)、ニオブペンタエトキシド(Nb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)、チタンテトライソプロポキシド(Ti源)及びアセチルアセトン(安定化剤)を更に加え、窒素雰囲気中、150℃の温度で1時間還流して反応させることにより、合成液を調製した。ここで、上記酢酸鉛三水和物(Pb源)、2−エチルヘキサン酸マンガン(Mn源)、ニオブペンタエトキシド(Nb源)、ジルコニウムテトラブトキシド(Zr源)及びチタンテトライソプロポキシド(Ti源)の各PZT系前駆体は、液中の金属原子比(Pb:Mn:Nb:Zr:Ti)が以下の表2に示す値になるように秤量した。またプロピレングリコール(ジオール)は、調製後の組成物100質量%に対して30質量%となるように添加し、アセチルアセトン(安定化剤)は、調製後の組成物に含まれるMn、Nb、Zr及びTiの総量1モルに対して2モルとなるように添加した。次いで上記合成液100質量%中に占めるPZT系前駆体の濃度が、酸化物濃度で35質量%になるように減圧蒸留を行って不要な溶媒を除去した。ここで、合成液中に占めるPZT系前駆体の濃度における酸化物濃度とは、合成液に含まれる全ての金属原子が目的の酸化物になったと仮定して算出した、合成液100質量%に占める金属酸化物の濃度(酸化物換算値)をいう。
組成物100質量%中に占めるPZT系前駆体の濃度が、酸化物濃度で、以下の表2に示す値になるように調整したこと以外は、実施例16と同様にして組成物を調製し、圧電体膜を形成した。なお、形成後の圧電体膜は、以下の表4に示す組成の膜であった。
実施例1〜17及び比較例1〜9で形成した圧電体膜について、膜組成、ヒステリシスのずれ、比誘電率、圧電定数e31.f、クラックの有無、結晶の(100)面における配向度をそれぞれ評価した。これらの結果を以下の表3,表4に示す。
Claims (4)
- Mn及びNbドープの複合金属酸化物からなり、
前記組成物中の金属原子比(Pb:Mn:Nb:Zr:Ti)が(0.98〜1.12):(0.002〜0.056):(0.002〜0.056):(0.40〜0.60):(0.40〜0.60)を満たし、かつ前記Mn及びNbの金属原子比の合計を1としたときの前記Mnの割合が0.20〜0.80、前記Zr及びTiの金属原子比の合計を1としたときの前記Zrの割合が0.40〜0.60、前記Mn、Nb、Zr及びTiの金属原子比の合計を1としたときの前記Zr及びTiの合計割合が0.9300〜0.9902であるMn及びNbドープのPZT系圧電体膜。 - X線回折による(100)配向度が90%以上であり、分極量のヒステリシスがその中心から正側に5kV/cm以上シフトした請求項1記載のMn及びNbドープのPZT系圧電体膜。
- PZT系前駆体を含有する組成物を用いて湿式塗工法により形成された請求項1又は2記載のMn及びNbドープのPZT系圧電体膜。
- 膜厚が500〜5000nmの範囲である請求項1ないし3いずれか1項に記載のMn及びNbドープのPZT系圧電体膜。
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