JP2015190930A - current sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電流センサに関する。 The present invention relates to a current sensor.
一対の磁気センサを有する電流センサが知られている(例えば、特許文献1参照)。当該電流センサでは、一対の磁気センサのそれぞれが受ける外部磁場を互いにキャンセルすることによって、外部磁場の影響を低減している。
特許文献1 特表2003−510612号公報
A current sensor having a pair of magnetic sensors is known (see, for example, Patent Document 1). In the current sensor, the influence of the external magnetic field is reduced by canceling the external magnetic fields received by each of the pair of magnetic sensors.
Patent Document 1 Japanese Translation of PCT International Publication No. 2003-510612
しかしながら、上述の電流センサは、2つの磁気センサが基板上に配置されているので、放熱性が悪いといった課題がある。一般に磁気センサは、その周囲の温度が変化すると、例え周囲の磁束が一定であっても、温度の変化にともなって出力が変化する。そのため、磁気センサ周囲の温度が変化すると電流検出精度が悪くなるという問題が生じる。仮に温度補正回路を入れても磁気センサと温度補正回路との間で温度差が生じていると、正確な補正をすることが難しくなり、高精度な電流測定をすることが難しくなる。 However, the above-described current sensor has a problem that heat dissipation is poor because two magnetic sensors are arranged on the substrate. In general, when the ambient temperature of a magnetic sensor changes, the output changes as the temperature changes even if the ambient magnetic flux is constant. Therefore, when the temperature around the magnetic sensor changes, there arises a problem that current detection accuracy is deteriorated. Even if a temperature correction circuit is inserted, if there is a temperature difference between the magnetic sensor and the temperature correction circuit, it is difficult to perform accurate correction and it is difficult to measure current with high accuracy.
本発明の第1の態様においては、磁気を検知する第1磁気センサおよび第2磁気センサと、前記第1磁気センサの周囲において第1周回方向に配線され、前記第2磁気センサの周囲において前記第1周回方向とは反対の第2周回方向に配線された電流路と、前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサからの出力信号を処理する信号処理デバイスと、を備え、前記第1磁気センサ、前記第2磁気センサ、および前記信号処理デバイスは、金属板上に配置される電流センサを提供する。 In the first aspect of the present invention, the first magnetic sensor and the second magnetic sensor for detecting magnetism are wired in the first circulation direction around the first magnetic sensor, and the first magnetic sensor is arranged around the second magnetic sensor. A current path wired in a second circulation direction opposite to the first circulation direction; and a signal processing device for processing an output signal from the first magnetic sensor and the second magnetic sensor; The sensor, the second magnetic sensor, and the signal processing device provide a current sensor disposed on the metal plate.
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。 The summary of the invention does not enumerate all the features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.
図1は、電流センサ10の平面視における内部構成図である。図2は、電流センサ10の平面図である。図3は、電流センサ10の側面図である。電流センサ10は、信号処理デバイス24及び磁気センサ18、20を金属板上に配置した構成をとることによって、放熱性が改善され、また、信号処理デバイス24、磁気センサ18、20の温度差が低減される。これにより電流Crの測定精度が向上する。平面視とは、電流センサ10の最も広い面の垂直方向から見た状態のことである。
FIG. 1 is an internal configuration diagram of the
電流センサ10は、電流路12と、主支持板14と、副支持板16と、磁気センサ18と、磁気センサ20と、複数のデバイス端子22と、信号処理デバイス24と、パッケージ26とを備える。
The
電流路12は、金属などの導体からなる。電流路12は、板状に形成されている。電流路12は、平面視において、略長方形状に形成されている。電流路12の長手方向が、電流Crの流れる方向である。電流路12は、電流センサ10を横切るように、パッケージ26の対向する二辺にわたって配置されている。当該二辺を第1辺及び第2辺とする。
The
電流路12の両端は、電流端子13として機能する。電流端子13は、電流路12と一体に形成されて、接続されている。一方の電流端子13は、パッケージ26の第1辺から突出して露出している。他方の電流端子13は、パッケージ26の第2辺から突出して露出している。電流端子13は、フォーミングによって下方へ曲げ加工されてパッケージ26の下面まで延びる。ここで、電流路12は、パッケージ26の中心から見て、信号処理デバイス24が設けられた側とは反対側に配置されている。従って、電流端子13は、第1辺及び第2辺において、第1辺および第2辺の中心位置に対し、デバイス端子が配置されている第3辺からは遠くなる側に配置されている。
Both ends of the
電流路12の中央部には、一対の切欠部30、32が形成されている。切欠部30は、電流路12の長手方向において、切欠部32と異なる位置に形成されている。一方の切欠部30は、主支持板14側に設けられ、主支持板14側が開口している。電流路12を含む面の垂直方向から見て、切欠部30の内側には、磁気センサ18が配置される。他方の切欠部32は、副支持板16側に設けられ、副支持板16側が開口している。このように、切欠部30と切欠部32は、互いに反対側が開口している。切欠部30と切欠部32は、電流路12において互いに点対称に設けられていてもよい。例えば、切欠部30と切欠部32は、電流路12の重心を回転の中心とする点対称の位置に形成してもよい。
A pair of
電流路12を含む面の垂直方向から見て、切欠部32の内側には、磁気センサ20が配置される。従って、電流路12は、磁気センサ18の周囲において第1周回方向に配線され、磁気センサ20の周囲において第1周回方向とは反対の第2周回方向に配線される。例えば、図1に点線で示すように、電流路12の切欠部30の周りを流れる電流Crの周回方向は第1周回方向の一例である右回り(図1中の時計回り方向)となり、電流路12の切欠部32の周りを流れる電流Crの周回方向と反対の第2周回方向の一例である左回り(図1中の反時計回り方向)となる。
The
主支持板14は、金属板及び第1の金属板の一例である。主支持板14は、熱伝導性の高い金属板で構成することが好ましい。主支持板14は、支持部36と、一対のデバイス端子部38と、第1延伸部40とを有する。
The
支持部36は、平面視において、パッケージ26の略中央部に配置される。支持部36は、平面視において、正方形に近い形状に形成されている。支持部36は、信号処理デバイス24より大きい平面積を有する。支持部36は、信号処理デバイス24とワイヤボンディングによって接続されている。
The
一対のデバイス端子部38は、外部端子の一例である。一対のデバイス端子部38の外側の端部は、支持部36からパッケージ26の一辺から外部へと突出して露出する。当該一辺を第3辺とする。一対のデバイス端子部38は、パッケージ26の第3辺において、第3辺の中心を挟み互いに反対側に配置されている。デバイス端子部38の外側の端部は、図3に示すように、フォーミングによって曲げられて、パッケージ26の下面に達する。これにより、一対のデバイス端子部38は、電流センサ10が搭載される基板の配線に接続される。例えば、一対のデバイス端子部38は、電流センサ10が搭載される基板の接地電位に接続される。デバイス端子部38の内側の端部は、支持部36を介して、信号処理デバイス24と電気的に接続されている。
The pair of
第1延伸部40は、一対のデバイス端子部38とは反対側へと支持部36から延びて突出している。第1延伸部40は、第1切欠部30の内側へと延伸する。第1延伸部40の先端は、磁気センサ18よりも大きい平面積を有する。
The first extending
副支持板16は、金属板の一例である。副支持板16は、主支持板14と同じ材料で構成されている。主支持板14と副支持板16は、できるだけ放熱性の高い材料で構成されていることが好ましい。好ましい材料としては例えば銅などが挙げられる。尚、副支持板16は、主支持板14と異なる材料で構成してもよいが、主支持板14と同じ熱伝導性を有することが好ましい。副支持板16は、電流路12を挟み主支持板14と反対側に配置されている。副支持板16は、主支持板14及び電流路12と離間され、絶縁されている。
The
副支持板16は、第2延伸部42と、吊りピン部44とを有する。第2延伸部42は、副支持板16の一端側に設けられ、第2切欠部32の内側へと延伸する。第2延伸部42の先端は、磁気センサ20よりも大きい平面積を有する。吊りピン部44は、副支持板16の他端側に設けられ、パッケージ26の一辺から外部に突出して露出している。パッケージ26の当該一辺を第4辺とする。即ち、吊りピン部44は、デバイス端子部38が突出する第3辺と対向する第4辺から突出している。吊りピン部44は、図3に示すように、下方へと折り曲げられている。但し、吊りピン部44は、パッケージ26の下面までは達しない長さである。これにより、吊りピン部44は、電流センサ10が搭載される基板の配線に接続されない。
The
磁気センサ18は、一部がパッケージ26の外部に露出する主支持板14の第1延伸部40上の端部に配置されている。磁気センサ18は、切欠部30の内側に配置される。磁気センサ20は、一部がパッケージ26の外部に露出する副支持板16の第2延伸部42上の端部に配置されている。磁気センサ20は、切欠部32の内側に配置される。また、磁気センサ20は、パッケージ26内において、電流路12に対して信号処理デバイス24と反対側に設けられる。
The
磁気センサ18、20は、主支持板14または副支持板16と導電性ペーストなどのボンディング材で固定されていてもよい。また、磁気センサ18、20は、主支持板14または副支持板16とダイアタッチフィルムによってダイボンディングされていてもよい。また、磁気センサ18、20は、絶縁ペースト等の絶縁物を介して主支持板14または副支持板16に配置されていてもよい。この場合、磁気センサ18、20を主支持板14または副支持板16と絶縁することができる。絶縁ペーストを用いて磁気センサ18、20を固定すれば、ペースト量が多くはみ出すことがあっても、電流路との間で絶縁が低下する恐れが少ない。また、磁気センサ18、20の感磁部分は、電流路12の面の垂直方向において、電流路12の板厚の中心位置に出来るだけ近い位置であることが好ましい。磁気センサ18、20の感磁部分は、例えば、磁気センサ18、20の上面に形成されている。尚、感磁部分とは、磁気センサ18、20において磁気を検知する部分または面のことである。
The
磁気センサ18、20は、それぞれ個別に信号処理デバイス24とワイヤボンディングによって接続されている。磁気センサ18、20は、周囲の磁気を検知する。磁気センサ18、20の一例は、InAsやGaAs等からなる化合物半導体ホール素子、またはシリコンからなるホール素子である。磁気センサ18、20の他の例は、シリコンからなるホール素子と増幅回路が一体化されたホールICや磁気抵抗素子である。[0]磁気センサ18、20の他の例は、磁気抵抗素子である。磁気センサ18、20が検知する磁気の一例は、電流路12に流れる電流によって生じる磁気である。磁気センサ18、20は、検知した周囲の磁気に応じた電圧を出力信号として信号処理デバイス24へと出力する。
The
複数のデバイス端子22は、主支持板14の外側に配置されている。デバイス端子22の一端は、主支持板14へと延びる。デバイス端子22の一端は、主支持板14と離間して配置されている。デバイス端子22の他端は、パッケージ26の第3辺から外部へと突出して露出している。ここでいうパッケージ26の第3辺は、一対の電流端子13が配置される第1辺と第2辺との間の辺である。第3辺が第1辺及び第2辺と直角であると、電流センサ10全体のサイズが小さくなり好ましい。複数のデバイス端子22は、それぞれ個別に信号処理デバイス24とワイヤボンディングによって接続されている。デバイス端子22の外側の端部は、図3に示すデバイス端子部38と同様に、フォーミングによって曲げられて、パッケージ26の下面に達する。デバイス端子22は、電流センサ10が搭載されるプリント配線基板上に配置されたランドに接続される。例えば、複数のデバイス端子22のいずれかは、ランドを介して接地電位の配線に接続される。複数のデバイス端子22のいずれかは、ランドを介して電源電位の配線に接続される。複数のデバイス端子22のいずれかは、出力端子としてランドを介して外部機器の配線に接続される。
The plurality of
信号処理デバイス24は、主支持板14の支持部36上に配置されている。尚、信号処理デバイス24は、主支持板14と導電性ペーストを介して配置されていてもよく、絶縁ペーストやダイアタッチフィルム等の絶縁物を介して配置されていてもよい。信号処理デバイス24は、例えば、増幅器、バッファ、バイアスユニット、EEPROM等の記憶部、及び、磁気センサ18、20からの出力信号を温度補正する温度補正回路を有してもよい。信号処理デバイス24は、磁気センサ18、20の出力信号を処理する。例えば、信号処理デバイス24は、磁気センサ18の出力信号と磁気センサ20の出力信号との差分に基づいて、電流路12に流れる電流Crに応じた電圧を出力する。尚、本実施形態では、磁気センサ18、20及び信号処理デバイス24は、それぞれ独立したチップからなるハイブリッド構成であるが、他の構成であってもよい。
The
パッケージ26は、エポキシなどの絶縁性に優れた樹脂から成る。パッケージ26は、電流路12と、主支持板14と、副支持板16と、磁気センサ18、20と、複数のデバイス端子22と、信号処理デバイス24とを覆う。尚、パッケージ26は、主支持板14及び副支持板16における磁気センサ18、20及び信号処理デバイス24が配置される配置部分を覆う。パッケージ26は、電流路12と、磁気センサ18、20と、信号処理デバイス24とが配置される、主支持板14及び副支持板16上の配置部分とをモールドしてもよい。パッケージ26は、電流路12の両端部、デバイス端子22の主支持板14側の端部、デバイス端子部38の端部、及び、副支持板16の端部は覆わない。尚、磁気センサ18、20には、パッケージ26のモールド樹脂よりもヤング率が小さい低応力樹脂をパッケージ26との間に塗布してもよい。
The
次に、上述した電流センサ10の動作を説明する。図4は、図1のIV−IV線に沿った縦断面図である。
Next, the operation of the
測定対象の電流Crが、図1の点線で示す方向に沿って、電流路12を流れる。電流Crは、切欠部30の周囲を流れるときには、平面視において、右回りに流れる。一方、電流Crは、切欠部32の周囲を流れるときには、平面視において、左回りに流れる。従って、切欠部30を流れる電流Crが生じさせる磁束密度Basと、切欠部32を流れる電流Crが生じさせる磁束密度Babは、略同じ大きさであって、且つ、互いに逆方向となる。これにより、磁気センサ18と磁気センサ20は、互いに逆方向の電流Crによる磁束密度Bas、Bbsを検知する。ここで、磁気センサ18、20は、互いに隣接した近い位置に配置されているので、同じ方向で同じ大きさの外部磁気ノイズBan、Bbnを検知するとする。
The current Cr to be measured flows through the
この場合、磁気センサ18の出力信号Va及び磁気センサ20の電圧の出力信号Vbは、それぞれ以下の式となる。
Va=Ka×(Bas+Ban)+Vaoff
Vb=Kb×(−Bbs+Bbn)+Vboff
Ka、Kb:磁気センサ18、20の感度とする。
Vaoff、Vboff:各磁気センサ18、20のオフセットとする。
ここで、各磁気センサ18、20は互いに特性が等しいとして、オフセットVaoff、Vboffは、互いに等しいと近似する。また、各磁気センサ18、20が検知する外部磁気ノイズBan、Bbnは、双方の位置が近いので、互いに等しいと近似する。
In this case, the output signal Va of the
Va = Ka × (Bas + Ban) + Vaoff
Vb = Kb × (−Bbs + Bbn) + Vboff
Ka, Kb: Sensitivity of the
Vaoff, Vboff: The offset of each
Here, assuming that the
一般に、磁気センサの感度は温度により変化する。
各磁気センサ18、20はそれぞれ金属板の主支持板14及び副支持板16に配置されているので、略同じ温度となる。従って、感度Ka、Kbは互いに略等しくなり、K=Ka=Kbとなる。
In general, the sensitivity of a magnetic sensor varies with temperature.
Since the
信号処理デバイス24は、磁気センサ18、20から出力信号Va、Vbを取得する。信号処理デバイス24は、出力信号Va、Vbの差分を出力する。信号処理デバイス24の出力Voutは次の式となる。
Vout=Va−Vb=K×(Bas+Bbs)
この式から外部磁気ノイズBan、Bbnの影響がキャンセルされていることがわかる。更に、信号処理デバイス24、及び、磁気センサ18、20が、金属製の主支持板14または副支持板16上に配置されているので、信号処理デバイス24、及び、磁気センサ18、20は、互いに略同じ温度となる。これにより、信号処理デバイス24の温度補正回路は、磁気センサ18、20の感度Kの影響を精度良く補正することができ、周囲の温度変化に起因する磁気センサ18と磁気センサ20の出力変化を精度良く補正することができる。電流路12を流れる電流Crが略等しく、当該電流Crによって生じる磁束密度の関係をBas≒Bbsと仮定すると、Voutは、VaまたはVbの略2倍となる。即ち、磁気センサが1個の場合に比べて、出力が略2倍となることがわかる。この電流センサ10は、Voutに基づいて電流を測定する。
The
Vout = Va−Vb = K × (Bas + Bbs)
From this equation, it can be seen that the influence of the external magnetic noises Ban and Bbn is canceled. Furthermore, since the
上述したように、電流センサ10では、信号処理デバイス24、及び、磁気センサ18、20が、放熱性の高い金属製の主支持板14または副支持板16上に配置されているので、信号処理デバイス24、及び、磁気センサ18、20の放熱性を向上させることができる。電流路12に電流が流れることによって温度上昇が生じ、特に電流路12に近い場所ほど温度が大きく上昇する。電流センサ10は磁気センサ18、20の温度と信号処理デバイス24が放熱性の高い金属板の第1延伸部40及び第2延伸部42上に配置されているので、電流路12に電流が流れることによって温度上昇が生じる場合であっても、その温度差は小さくなる。これにより、電流センサ10は、電流路12に大電流が通電され、大きく温度が上昇する場合であっても精度よく磁場を検出することができる。更に、主支持板14及び副支持板16の端部が、パッケージ26から露出しているので、電流センサ10は、より放熱性が向上された構成をとることによって、磁気センサ18、20の温度と信号処理デバイス24の温度差を小さくすることができる。
As described above, in the
電流センサ10では、切欠部30、32が互いに点対称の位置に配置されているので、磁気センサ18、20が受ける磁束密度を略等しくして、且つ、磁気センサ18、20の周囲の温度を略等しくできる。更に、切欠部30、32の内側に配置される磁気センサ18、20の位置が点対称になるので、電流路12を流れる電流による熱の影響が磁気センサ18、20で略等しくなる。従って、磁気センサ18、20は、互いの温度差による影響をより低減できる。
In the
次に、上述した電流センサ10の製造方法について説明する。図5及び図6は、電流センサ10の各製造工程における平面図である。
Next, a method for manufacturing the above-described
図5に示すように、1枚の金属板から一部を刳り貫くことによって、パターンが形成された金属板50を形成する。図5において、ドットハッチングされた領域が、金属板50から刳り貫かれた個所である。この状態では、電流路12、主支持板14、及び、副支持板16は、互いの端部が金属板50の外周部で連結されている。
As shown in FIG. 5, a
次に、図6に示すように、プレス加工等によって金属板50にフォーミングを施すことにより、電流路12、デバイス端子22、及び、デバイス端子部38に段部を形成する。次に、信号処理デバイス24を主支持板14の予め定められた位置にダイボンディングするとともに、磁気センサ18、20を主支持板14及び副支持板16に配置する。信号処理デバイス24、磁気センサ18、20、デバイス端子22、及び、デバイス端子部38をワイヤボンディングで互いに接続する。
Next, as shown in FIG. 6, a step is formed in the
次に、図2及び図3に示すように、樹脂材料を含むパッケージ26によって、信号処理デバイス24、磁気センサ18、20、電流路12、主支持板14、及び、副支持板16をモールドする。更に、電流路12、副支持板16、デバイス端子22及びデバイス端子部38の端部をカットして、互いを離間させる。これにより、電流センサ10が完成する。
Next, as shown in FIGS. 2 and 3, the
次に、上述した実施形態の一部を変更した形態について説明する。 Next, the form which changed a part of embodiment mentioned above is demonstrated.
図7は、切欠部130、132の形状を変更した電流センサ110の一部拡大平面図である。電流センサ110では、電流路112に形成された切欠部130、132のそれぞれが、円弧部160、162を有する。円弧部160、162は、電流路112を円弧に切り抜いた形状を有する。ここで、円弧部160、162は、一例として半円である。更に、円弧部160を半円とする場合、半円の中心と磁気センサ18の重心と一致させることが好ましい。円弧部162の中心も同様に、磁気センサ20の重心と一致させることが好ましい。
FIG. 7 is a partially enlarged plan view of the
このように、切欠部130、132に円弧部160、162を形成することによって、磁気センサ18、20と電流路112の距離を小さくすることができる。これにより、磁気センサ18、20の感度がよくなり、出力信号が大きくなる。この結果、電流センサ110の検出精度がより向上する。
Thus, by forming the
図8は、第1延伸部240及び第2延伸部242の先端の形状を変更した電流センサ210の一部拡大平面図である。電流センサ210では、磁気センサ18が配置される主支持板214が第1延伸部240及び第1端部264を有し、磁気センサ20が配置される副支持板216が第2延伸部242及び第2端部266を有する。
FIG. 8 is a partially enlarged plan view of the
第1延伸部240は、電流路112を含む面の垂直方向から見て、切欠部130の内側へと延伸する。第1端部264は、第1延伸部240の先端側に設けられている。第1端部264は、第1延伸部240の幅よりも広い幅を有する。ここでいう幅は、第1延伸部240の延伸方向と交差する方向、例えば、直交する方向の長さのことである。第1端部264は、部分円形状であってもよい。この場合、第1端部264の中心の位置が、円弧部160と中心の位置と一致することが好ましい。第1延伸部240の一部を曲げて、段部241を形成して、磁気センサ18の感磁面の高さを電流路112の板厚の中心の高さと同じ又は近い高さにしてもよい。例えば、磁気センサ18の感磁面は、上面に形成されている。
The first extending
第2延伸部242は、電流路112を含む面の垂直方向から見て、切欠部132の内側へと延伸する。第2端部266は、第2延伸部242の先端側に設けられている。第2端部266は、第2延伸部242よりも広い幅を有する。ここでいう幅は、第2延伸部242の延伸方向と交差する方向、例えば、直交する方向の長さのことである。第2端部266は、部分円形状であってもよい。この場合、第2端部266の中心の位置が、円弧部162と中心の位置と一致することが好ましい。第2延伸部242の一部を曲げて、段部243を形成して、磁気センサ20の感磁面の高さを電流路112の板厚の中心の高さと同じ又は近い高さにしてもよい。例えば、磁気センサ20の感磁面は、上面に形成されている。
The second extending
電流センサ210では、コイニング等の段差加工処理によって主支持板214及び副支持板216を押し潰すことによって、第1端部264及び第2端部266を円形状に形成してもよい。
In the
図9は、磁気センサ18、20の感磁部分を、電流路112を含む面に近づけた実施形態を説明する縦断面図である。図9は、図4の縦断面図に対応する図である。図9の例では、感磁部分は、磁気センサ18、20の上面に感磁面として形成されている。例えば、磁気センサ18、20の感磁面を電流路112の上面及び下面の間に設けてもよい。第1延伸部240及び第2延伸部242を曲げや半抜きなどの段差加工して、段部241、243を形成することによって、磁気センサ18、20の感磁面の高さを電流路112の板厚の中心の高さと同じ又は近い高さにしてもよい。別の例では、電流路112を曲げや半抜きなどの段差加工することによって、磁気センサ18、20の感磁面の高さを電流路112の板厚の中心の高さと同じ又は近い高さにしてもよい。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view for explaining an embodiment in which the magnetically sensitive portions of the
上述した実施形態における各構成の形状、配置、材料、及び、個数等の数値は適宜変更してよい。また、各実施形態は適宜組み合わせてもよい。 Numerical values such as the shape, arrangement, material, and number of each component in the above-described embodiments may be changed as appropriate. Moreover, you may combine each embodiment suitably.
例えば、図1に示す実施形態において、磁気センサ18、20の感磁面の高さを電流路12の上面及び下面の間に設けてもよい。更に、磁気センサ18、20の感磁面の高さを、電流路12を含む面に近づけてもよい。第1延伸部40及び第2延伸部42を曲げや半抜きなどの段差加工することによって、磁気センサ18、20の感磁面が、電流路12を含む面に近づけてもよい。別の例では、電流路12を曲げや半抜きなどの段差加工することによって、磁気センサ18、20の感磁面を電流路12を含む面に近づけてもよい。
For example, in the embodiment shown in FIG. 1, the height of the magnetic sensitive surfaces of the
また、吊りピン部44は、デバイス端子形状にしてもよい。このように、吊りピン部44をデバイス端子形状にすると、基板に熱を逃がせることができるので、放熱性をより向上させることができる。
Further, the
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。 The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.
10 電流センサ、 12 電流路、 13 電流端子、 14 主支持板、 16 副支持板、 18 磁気センサ、 20 磁気センサ、 22 デバイス端子、 24 信号処理デバイス、 26 パッケージ、 30 切欠部、 32 切欠部、 36 支持部、 38 デバイス端子部、 40 第1延伸部、 42 第2延伸部、 44 ピン部、 50 金属板、 110 電流センサ、 112 電流路、 130 切欠部、 132 切欠部、 160 円弧部、 162 円弧部、 210 電流センサ、 214 主支持板、 216 副支持板、 240 第1延伸部、 241 段部、 242 第2延伸部、 243 段部、 264 第1端部、 266 第2端部
DESCRIPTION OF
Claims (20)
前記第1磁気センサの周囲において第1周回方向に配線され、前記第2磁気センサの周囲において前記第1周回方向とは反対の第2周回方向に配線された電流路と、
前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサからの出力信号を処理する信号処理デバイスと、
を備え、
前記第1磁気センサ、前記第2磁気センサ、および前記信号処理デバイスは、金属板上に配置される
電流センサ。 A first magnetic sensor and a second magnetic sensor for detecting magnetism;
A current path wired around the first magnetic sensor in a first round direction, and around the second magnetic sensor in a second round direction opposite to the first round direction;
A signal processing device for processing output signals from the first magnetic sensor and the second magnetic sensor;
With
The first magnetic sensor, the second magnetic sensor, and the signal processing device are arranged on a metal plate.
前記第2磁気センサは、一部が前記パッケージの外に露出する第2の前記金属板上に配置される
請求項2から4のいずれか一項に記載の電流センサ。 The first magnetic sensor is disposed on the first metal plate, a part of which is exposed outside the package,
5. The current sensor according to claim 2, wherein the second magnetic sensor is disposed on the second metal plate that is partially exposed outside the package. 6.
前記第1磁気センサは、前記電流路を含む面の垂直方向から見て、前記第1切欠部の内側に設けられ、
前記第2磁気センサは、前記電流路を含む面の垂直方向から見て、前記第2切欠部の内側に設けられる
請求項1から9のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current path includes a first notch provided on the side of the metal plate where the first magnetic sensor is disposed, and a second notch provided on the side of the metal plate where the second magnetic sensor is disposed. And
The first magnetic sensor is provided on the inner side of the first notch as viewed from a direction perpendicular to a surface including the current path,
The current sensor according to any one of claims 1 to 9, wherein the second magnetic sensor is provided inside the second notch portion when viewed from a direction perpendicular to a surface including the current path.
前記第2磁気センサが配置される前記金属板は、前記電流路を含む面の垂直方向から見て、前記第2切欠部の内側へと延伸する第2延伸部と、延伸方向に対する幅を前記第2延伸部より広げた第2端部とを有する
請求項10から12のいずれか一項に記載の電流センサ。 The metal plate on which the first magnetic sensor is disposed has a first extending portion extending inward of the first notch portion as viewed from a direction perpendicular to a surface including the current path, and a width with respect to the extending direction. A first end that is wider than the first extending portion;
The metal plate on which the second magnetic sensor is disposed has a second extending portion extending inward of the second notch portion as viewed from a direction perpendicular to the surface including the current path, and a width with respect to the extending direction. The current sensor according to any one of claims 10 to 12, further comprising a second end portion that is wider than the second extending portion.
前記第1電流端子および前記第2電流端子は、前記第1辺および前記第2辺において、前記第1辺および前記第2辺の中心位置に対し、デバイス端子が配置されている第3辺からは遠くなる側に配置されている
請求項2から9のいずれか一項に記載の電流センサ。 A first current terminal provided on a first side of the package and connected to the current path; and a second current terminal provided on a second side opposite to the first side and connected to the current path. ,
The first current terminal and the second current terminal are connected to the first side and the second side from the third side where the device terminal is arranged with respect to the center position of the first side and the second side. The current sensor according to claim 2, wherein the current sensor is disposed on a far side.
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