JP2015190930A - current sensor - Google Patents

current sensor Download PDF

Info

Publication number
JP2015190930A
JP2015190930A JP2014069912A JP2014069912A JP2015190930A JP 2015190930 A JP2015190930 A JP 2015190930A JP 2014069912 A JP2014069912 A JP 2014069912A JP 2014069912 A JP2014069912 A JP 2014069912A JP 2015190930 A JP2015190930 A JP 2015190930A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
magnetic sensor
current path
sensor
metal plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014069912A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6314010B2 (en
Inventor
鈴木 健治
Kenji Suzuki
健治 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Electronics Co Ltd filed Critical Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority to JP2014069912A priority Critical patent/JP6314010B2/en
Publication of JP2015190930A publication Critical patent/JP2015190930A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6314010B2 publication Critical patent/JP6314010B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, if the heat radiation performance of a magnetometric sensor and a signal processing device is poor, the temperature becomes significantly different between the magnetometric sensor and the signal processing device when heat is generated in a current path, etc., resulting in the accuracy of detecting a current becoming degraded.SOLUTION: A current sensor according to the present invention comprises a first and a second magnetometric sensor for detecting magnetism, a current path wired in a first circumferential direction around the first magnetometric sensor and wired in a second circumferential direction opposite the first circumferential direction around the second magnetometric sensor, and a signal processing device for processing output signals from the first and second magnetometric sensors, the first and second magnetometric sensors and the signal processing device being disposed on a metal plate.

Description

本発明は、電流センサに関する。   The present invention relates to a current sensor.

一対の磁気センサを有する電流センサが知られている(例えば、特許文献1参照)。当該電流センサでは、一対の磁気センサのそれぞれが受ける外部磁場を互いにキャンセルすることによって、外部磁場の影響を低減している。
特許文献1 特表2003−510612号公報
A current sensor having a pair of magnetic sensors is known (see, for example, Patent Document 1). In the current sensor, the influence of the external magnetic field is reduced by canceling the external magnetic fields received by each of the pair of magnetic sensors.
Patent Document 1 Japanese Translation of PCT International Publication No. 2003-510612

しかしながら、上述の電流センサは、2つの磁気センサが基板上に配置されているので、放熱性が悪いといった課題がある。一般に磁気センサは、その周囲の温度が変化すると、例え周囲の磁束が一定であっても、温度の変化にともなって出力が変化する。そのため、磁気センサ周囲の温度が変化すると電流検出精度が悪くなるという問題が生じる。仮に温度補正回路を入れても磁気センサと温度補正回路との間で温度差が生じていると、正確な補正をすることが難しくなり、高精度な電流測定をすることが難しくなる。   However, the above-described current sensor has a problem that heat dissipation is poor because two magnetic sensors are arranged on the substrate. In general, when the ambient temperature of a magnetic sensor changes, the output changes as the temperature changes even if the ambient magnetic flux is constant. Therefore, when the temperature around the magnetic sensor changes, there arises a problem that current detection accuracy is deteriorated. Even if a temperature correction circuit is inserted, if there is a temperature difference between the magnetic sensor and the temperature correction circuit, it is difficult to perform accurate correction and it is difficult to measure current with high accuracy.

本発明の第1の態様においては、磁気を検知する第1磁気センサおよび第2磁気センサと、前記第1磁気センサの周囲において第1周回方向に配線され、前記第2磁気センサの周囲において前記第1周回方向とは反対の第2周回方向に配線された電流路と、前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサからの出力信号を処理する信号処理デバイスと、を備え、前記第1磁気センサ、前記第2磁気センサ、および前記信号処理デバイスは、金属板上に配置される電流センサを提供する。   In the first aspect of the present invention, the first magnetic sensor and the second magnetic sensor for detecting magnetism are wired in the first circulation direction around the first magnetic sensor, and the first magnetic sensor is arranged around the second magnetic sensor. A current path wired in a second circulation direction opposite to the first circulation direction; and a signal processing device for processing an output signal from the first magnetic sensor and the second magnetic sensor; The sensor, the second magnetic sensor, and the signal processing device provide a current sensor disposed on the metal plate.

なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   The summary of the invention does not enumerate all the features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

電流センサ10の平面視における内部構成図である。FIG. 3 is an internal configuration diagram of the current sensor 10 in a plan view. 電流センサ10の平面図である。3 is a plan view of the current sensor 10. FIG. 電流センサ10の側面図である。3 is a side view of the current sensor 10. FIG. 図1のIV−IV線に沿った縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view along the IV-IV line of FIG. 電流センサ10の各製造工程における平面図である。FIG. 4 is a plan view in each manufacturing process of the current sensor 10. 電流センサ10の各製造工程における平面図である。FIG. 4 is a plan view in each manufacturing process of the current sensor 10. 切欠部130、132の形状を変更した電流センサ110の一部拡大平面図である。FIG. 6 is a partially enlarged plan view of the current sensor 110 in which the shapes of the notches 130 and 132 are changed. 第1延伸部240及び第2延伸部242の先端の形状を変更した電流センサ210の一部拡大平面図である。4 is a partially enlarged plan view of a current sensor 210 in which the shapes of the tips of a first extending portion 240 and a second extending portion 242 are changed. FIG. 磁気センサ18、20の感磁部分を、電流路112を含む面に近づけた実施形態を説明する縦断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view for explaining an embodiment in which the magnetically sensitive portions of the magnetic sensors 18 and 20 are brought close to the surface including the current path 112.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図1は、電流センサ10の平面視における内部構成図である。図2は、電流センサ10の平面図である。図3は、電流センサ10の側面図である。電流センサ10は、信号処理デバイス24及び磁気センサ18、20を金属板上に配置した構成をとることによって、放熱性が改善され、また、信号処理デバイス24、磁気センサ18、20の温度差が低減される。これにより電流Crの測定精度が向上する。平面視とは、電流センサ10の最も広い面の垂直方向から見た状態のことである。   FIG. 1 is an internal configuration diagram of the current sensor 10 in a plan view. FIG. 2 is a plan view of the current sensor 10. FIG. 3 is a side view of the current sensor 10. The current sensor 10 has a configuration in which the signal processing device 24 and the magnetic sensors 18 and 20 are arranged on a metal plate, thereby improving heat dissipation, and the temperature difference between the signal processing device 24 and the magnetic sensors 18 and 20 is reduced. Reduced. Thereby, the measurement accuracy of the current Cr is improved. The plan view is a state viewed from the vertical direction of the widest surface of the current sensor 10.

電流センサ10は、電流路12と、主支持板14と、副支持板16と、磁気センサ18と、磁気センサ20と、複数のデバイス端子22と、信号処理デバイス24と、パッケージ26とを備える。   The current sensor 10 includes a current path 12, a main support plate 14, a sub support plate 16, a magnetic sensor 18, a magnetic sensor 20, a plurality of device terminals 22, a signal processing device 24, and a package 26. .

電流路12は、金属などの導体からなる。電流路12は、板状に形成されている。電流路12は、平面視において、略長方形状に形成されている。電流路12の長手方向が、電流Crの流れる方向である。電流路12は、電流センサ10を横切るように、パッケージ26の対向する二辺にわたって配置されている。当該二辺を第1辺及び第2辺とする。   The current path 12 is made of a conductor such as metal. The current path 12 is formed in a plate shape. The current path 12 is formed in a substantially rectangular shape in plan view. The longitudinal direction of the current path 12 is the direction in which the current Cr flows. The current path 12 is disposed across two opposing sides of the package 26 so as to cross the current sensor 10. The two sides are defined as a first side and a second side.

電流路12の両端は、電流端子13として機能する。電流端子13は、電流路12と一体に形成されて、接続されている。一方の電流端子13は、パッケージ26の第1辺から突出して露出している。他方の電流端子13は、パッケージ26の第2辺から突出して露出している。電流端子13は、フォーミングによって下方へ曲げ加工されてパッケージ26の下面まで延びる。ここで、電流路12は、パッケージ26の中心から見て、信号処理デバイス24が設けられた側とは反対側に配置されている。従って、電流端子13は、第1辺及び第2辺において、第1辺および第2辺の中心位置に対し、デバイス端子が配置されている第3辺からは遠くなる側に配置されている。   Both ends of the current path 12 function as current terminals 13. The current terminal 13 is formed integrally with the current path 12 and connected thereto. One current terminal 13 protrudes from the first side of the package 26 and is exposed. The other current terminal 13 protrudes from the second side of the package 26 and is exposed. The current terminal 13 is bent downward by forming and extends to the lower surface of the package 26. Here, the current path 12 is disposed on the side opposite to the side on which the signal processing device 24 is provided when viewed from the center of the package 26. Therefore, the current terminal 13 is arranged on the first side and the second side on the side farther from the third side where the device terminals are arranged with respect to the center positions of the first side and the second side.

電流路12の中央部には、一対の切欠部30、32が形成されている。切欠部30は、電流路12の長手方向において、切欠部32と異なる位置に形成されている。一方の切欠部30は、主支持板14側に設けられ、主支持板14側が開口している。電流路12を含む面の垂直方向から見て、切欠部30の内側には、磁気センサ18が配置される。他方の切欠部32は、副支持板16側に設けられ、副支持板16側が開口している。このように、切欠部30と切欠部32は、互いに反対側が開口している。切欠部30と切欠部32は、電流路12において互いに点対称に設けられていてもよい。例えば、切欠部30と切欠部32は、電流路12の重心を回転の中心とする点対称の位置に形成してもよい。   A pair of notches 30 and 32 are formed at the center of the current path 12. The notch 30 is formed at a position different from the notch 32 in the longitudinal direction of the current path 12. One notch 30 is provided on the main support plate 14 side, and the main support plate 14 side is open. The magnetic sensor 18 is disposed inside the notch 30 as viewed from the direction perpendicular to the plane including the current path 12. The other notch 32 is provided on the sub support plate 16 side, and the sub support plate 16 side is open. Thus, the notch 30 and the notch 32 are open on opposite sides. The notch 30 and the notch 32 may be provided symmetrically with respect to each other in the current path 12. For example, the notch 30 and the notch 32 may be formed at point-symmetric positions with the center of gravity of the current path 12 as the center of rotation.

電流路12を含む面の垂直方向から見て、切欠部32の内側には、磁気センサ20が配置される。従って、電流路12は、磁気センサ18の周囲において第1周回方向に配線され、磁気センサ20の周囲において第1周回方向とは反対の第2周回方向に配線される。例えば、図1に点線で示すように、電流路12の切欠部30の周りを流れる電流Crの周回方向は第1周回方向の一例である右回り(図1中の時計回り方向)となり、電流路12の切欠部32の周りを流れる電流Crの周回方向と反対の第2周回方向の一例である左回り(図1中の反時計回り方向)となる。   The magnetic sensor 20 is disposed inside the notch 32 as viewed from the direction perpendicular to the plane including the current path 12. Accordingly, the current path 12 is wired in the first circulation direction around the magnetic sensor 18, and is wired in the second circulation direction opposite to the first circulation direction around the magnetic sensor 20. For example, as shown by a dotted line in FIG. 1, the circulation direction of the current Cr flowing around the notch 30 of the current path 12 is clockwise (an clockwise direction in FIG. 1), which is an example of the first circulation direction. The counterclockwise direction (counterclockwise direction in FIG. 1) is an example of the second circulation direction opposite to the circulation direction of the current Cr flowing around the notch 32 of the path 12.

主支持板14は、金属板及び第1の金属板の一例である。主支持板14は、熱伝導性の高い金属板で構成することが好ましい。主支持板14は、支持部36と、一対のデバイス端子部38と、第1延伸部40とを有する。   The main support plate 14 is an example of a metal plate and a first metal plate. The main support plate 14 is preferably composed of a metal plate having high thermal conductivity. The main support plate 14 includes a support portion 36, a pair of device terminal portions 38, and a first extending portion 40.

支持部36は、平面視において、パッケージ26の略中央部に配置される。支持部36は、平面視において、正方形に近い形状に形成されている。支持部36は、信号処理デバイス24より大きい平面積を有する。支持部36は、信号処理デバイス24とワイヤボンディングによって接続されている。   The support portion 36 is disposed at a substantially central portion of the package 26 in plan view. The support part 36 is formed in a shape close to a square in plan view. The support portion 36 has a larger planar area than the signal processing device 24. The support part 36 is connected to the signal processing device 24 by wire bonding.

一対のデバイス端子部38は、外部端子の一例である。一対のデバイス端子部38の外側の端部は、支持部36からパッケージ26の一辺から外部へと突出して露出する。当該一辺を第3辺とする。一対のデバイス端子部38は、パッケージ26の第3辺において、第3辺の中心を挟み互いに反対側に配置されている。デバイス端子部38の外側の端部は、図3に示すように、フォーミングによって曲げられて、パッケージ26の下面に達する。これにより、一対のデバイス端子部38は、電流センサ10が搭載される基板の配線に接続される。例えば、一対のデバイス端子部38は、電流センサ10が搭載される基板の接地電位に接続される。デバイス端子部38の内側の端部は、支持部36を介して、信号処理デバイス24と電気的に接続されている。   The pair of device terminal portions 38 is an example of an external terminal. The outer end portions of the pair of device terminal portions 38 protrude from the support portion 36 to one side of the package 26 and are exposed. The one side is the third side. The pair of device terminal portions 38 are disposed on the opposite sides of the third side of the package 26 with the center of the third side interposed therebetween. As shown in FIG. 3, the outer end portion of the device terminal portion 38 is bent by forming and reaches the lower surface of the package 26. As a result, the pair of device terminal portions 38 are connected to the wiring of the substrate on which the current sensor 10 is mounted. For example, the pair of device terminal portions 38 are connected to the ground potential of the substrate on which the current sensor 10 is mounted. An inner end portion of the device terminal portion 38 is electrically connected to the signal processing device 24 via the support portion 36.

第1延伸部40は、一対のデバイス端子部38とは反対側へと支持部36から延びて突出している。第1延伸部40は、第1切欠部30の内側へと延伸する。第1延伸部40の先端は、磁気センサ18よりも大きい平面積を有する。   The first extending portion 40 protrudes from the support portion 36 to the side opposite to the pair of device terminal portions 38. The first extending portion 40 extends to the inside of the first cutout portion 30. The tip of the first extending portion 40 has a larger planar area than the magnetic sensor 18.

副支持板16は、金属板の一例である。副支持板16は、主支持板14と同じ材料で構成されている。主支持板14と副支持板16は、できるだけ放熱性の高い材料で構成されていることが好ましい。好ましい材料としては例えば銅などが挙げられる。尚、副支持板16は、主支持板14と異なる材料で構成してもよいが、主支持板14と同じ熱伝導性を有することが好ましい。副支持板16は、電流路12を挟み主支持板14と反対側に配置されている。副支持板16は、主支持板14及び電流路12と離間され、絶縁されている。   The sub support plate 16 is an example of a metal plate. The sub-support plate 16 is made of the same material as the main support plate 14. The main support plate 14 and the sub support plate 16 are preferably made of a material having as high a heat dissipation property as possible. A preferable material is, for example, copper. The sub-support plate 16 may be made of a material different from that of the main support plate 14, but preferably has the same thermal conductivity as the main support plate 14. The sub-support plate 16 is disposed on the opposite side of the main support plate 14 with the current path 12 interposed therebetween. The sub-support plate 16 is separated from the main support plate 14 and the current path 12 and is insulated.

副支持板16は、第2延伸部42と、吊りピン部44とを有する。第2延伸部42は、副支持板16の一端側に設けられ、第2切欠部32の内側へと延伸する。第2延伸部42の先端は、磁気センサ20よりも大きい平面積を有する。吊りピン部44は、副支持板16の他端側に設けられ、パッケージ26の一辺から外部に突出して露出している。パッケージ26の当該一辺を第4辺とする。即ち、吊りピン部44は、デバイス端子部38が突出する第3辺と対向する第4辺から突出している。吊りピン部44は、図3に示すように、下方へと折り曲げられている。但し、吊りピン部44は、パッケージ26の下面までは達しない長さである。これにより、吊りピン部44は、電流センサ10が搭載される基板の配線に接続されない。   The sub-support plate 16 has a second extending portion 42 and a suspension pin portion 44. The second extending portion 42 is provided on one end side of the sub support plate 16 and extends to the inside of the second notch portion 32. The tip of the second extending portion 42 has a larger planar area than the magnetic sensor 20. The suspension pin portion 44 is provided on the other end side of the sub-support plate 16, and protrudes outside from one side of the package 26 and is exposed. The one side of the package 26 is set as the fourth side. In other words, the suspension pin portion 44 protrudes from the fourth side facing the third side from which the device terminal portion 38 protrudes. As shown in FIG. 3, the suspension pin portion 44 is bent downward. However, the suspension pin portion 44 has a length that does not reach the lower surface of the package 26. Thereby, the suspension pin part 44 is not connected to the wiring of the board | substrate with which the current sensor 10 is mounted.

磁気センサ18は、一部がパッケージ26の外部に露出する主支持板14の第1延伸部40上の端部に配置されている。磁気センサ18は、切欠部30の内側に配置される。磁気センサ20は、一部がパッケージ26の外部に露出する副支持板16の第2延伸部42上の端部に配置されている。磁気センサ20は、切欠部32の内側に配置される。また、磁気センサ20は、パッケージ26内において、電流路12に対して信号処理デバイス24と反対側に設けられる。   The magnetic sensor 18 is disposed at an end on the first extending portion 40 of the main support plate 14 that is partially exposed to the outside of the package 26. The magnetic sensor 18 is disposed inside the notch 30. The magnetic sensor 20 is disposed at the end on the second extending portion 42 of the sub-support plate 16, part of which is exposed to the outside of the package 26. The magnetic sensor 20 is disposed inside the notch 32. The magnetic sensor 20 is provided in the package 26 on the side opposite to the signal processing device 24 with respect to the current path 12.

磁気センサ18、20は、主支持板14または副支持板16と導電性ペーストなどのボンディング材で固定されていてもよい。また、磁気センサ18、20は、主支持板14または副支持板16とダイアタッチフィルムによってダイボンディングされていてもよい。また、磁気センサ18、20は、絶縁ペースト等の絶縁物を介して主支持板14または副支持板16に配置されていてもよい。この場合、磁気センサ18、20を主支持板14または副支持板16と絶縁することができる。絶縁ペーストを用いて磁気センサ18、20を固定すれば、ペースト量が多くはみ出すことがあっても、電流路との間で絶縁が低下する恐れが少ない。また、磁気センサ18、20の感磁部分は、電流路12の面の垂直方向において、電流路12の板厚の中心位置に出来るだけ近い位置であることが好ましい。磁気センサ18、20の感磁部分は、例えば、磁気センサ18、20の上面に形成されている。尚、感磁部分とは、磁気センサ18、20において磁気を検知する部分または面のことである。   The magnetic sensors 18 and 20 may be fixed to the main support plate 14 or the sub support plate 16 with a bonding material such as a conductive paste. The magnetic sensors 18 and 20 may be die-bonded by the main support plate 14 or the sub support plate 16 and a die attach film. Further, the magnetic sensors 18 and 20 may be disposed on the main support plate 14 or the sub support plate 16 via an insulator such as an insulating paste. In this case, the magnetic sensors 18 and 20 can be insulated from the main support plate 14 or the sub support plate 16. If the magnetic sensors 18 and 20 are fixed using an insulating paste, even if the amount of paste protrudes greatly, there is little possibility that the insulation decreases with the current path. Further, it is preferable that the magnetic sensitive portions of the magnetic sensors 18 and 20 are located as close as possible to the center position of the plate thickness of the current path 12 in the direction perpendicular to the surface of the current path 12. The magnetic sensitive parts of the magnetic sensors 18 and 20 are formed on the upper surfaces of the magnetic sensors 18 and 20, for example. The magnetically sensitive portion is a portion or surface that detects magnetism in the magnetic sensors 18 and 20.

磁気センサ18、20は、それぞれ個別に信号処理デバイス24とワイヤボンディングによって接続されている。磁気センサ18、20は、周囲の磁気を検知する。磁気センサ18、20の一例は、InAsやGaAs等からなる化合物半導体ホール素子、またはシリコンからなるホール素子である。磁気センサ18、20の他の例は、シリコンからなるホール素子と増幅回路が一体化されたホールICや磁気抵抗素子である。[0]磁気センサ18、20の他の例は、磁気抵抗素子である。磁気センサ18、20が検知する磁気の一例は、電流路12に流れる電流によって生じる磁気である。磁気センサ18、20は、検知した周囲の磁気に応じた電圧を出力信号として信号処理デバイス24へと出力する。   The magnetic sensors 18 and 20 are individually connected to the signal processing device 24 by wire bonding. The magnetic sensors 18 and 20 detect surrounding magnetism. An example of the magnetic sensors 18 and 20 is a compound semiconductor Hall element made of InAs or GaAs, or a Hall element made of silicon. Other examples of the magnetic sensors 18 and 20 are a Hall IC or a magnetoresistive element in which a Hall element made of silicon and an amplifier circuit are integrated. [0] Another example of the magnetic sensors 18, 20 is a magnetoresistive element. An example of magnetism detected by the magnetic sensors 18 and 20 is magnetism generated by a current flowing through the current path 12. The magnetic sensors 18 and 20 output a voltage corresponding to the detected surrounding magnetism to the signal processing device 24 as an output signal.

複数のデバイス端子22は、主支持板14の外側に配置されている。デバイス端子22の一端は、主支持板14へと延びる。デバイス端子22の一端は、主支持板14と離間して配置されている。デバイス端子22の他端は、パッケージ26の第3辺から外部へと突出して露出している。ここでいうパッケージ26の第3辺は、一対の電流端子13が配置される第1辺と第2辺との間の辺である。第3辺が第1辺及び第2辺と直角であると、電流センサ10全体のサイズが小さくなり好ましい。複数のデバイス端子22は、それぞれ個別に信号処理デバイス24とワイヤボンディングによって接続されている。デバイス端子22の外側の端部は、図3に示すデバイス端子部38と同様に、フォーミングによって曲げられて、パッケージ26の下面に達する。デバイス端子22は、電流センサ10が搭載されるプリント配線基板上に配置されたランドに接続される。例えば、複数のデバイス端子22のいずれかは、ランドを介して接地電位の配線に接続される。複数のデバイス端子22のいずれかは、ランドを介して電源電位の配線に接続される。複数のデバイス端子22のいずれかは、出力端子としてランドを介して外部機器の配線に接続される。   The plurality of device terminals 22 are disposed outside the main support plate 14. One end of the device terminal 22 extends to the main support plate 14. One end of the device terminal 22 is disposed away from the main support plate 14. The other end of the device terminal 22 protrudes from the third side of the package 26 and is exposed. The third side of the package 26 here is a side between the first side and the second side where the pair of current terminals 13 are arranged. If the third side is perpendicular to the first side and the second side, the size of the current sensor 10 as a whole is preferably reduced. The plurality of device terminals 22 are individually connected to the signal processing device 24 by wire bonding. Similar to the device terminal portion 38 shown in FIG. 3, the outer end portion of the device terminal 22 is bent by forming and reaches the lower surface of the package 26. The device terminal 22 is connected to a land arranged on a printed wiring board on which the current sensor 10 is mounted. For example, one of the plurality of device terminals 22 is connected to a ground potential wiring through a land. One of the plurality of device terminals 22 is connected to a power supply potential wiring through a land. One of the plurality of device terminals 22 is connected as an output terminal to a wiring of an external device via a land.

信号処理デバイス24は、主支持板14の支持部36上に配置されている。尚、信号処理デバイス24は、主支持板14と導電性ペーストを介して配置されていてもよく、絶縁ペーストやダイアタッチフィルム等の絶縁物を介して配置されていてもよい。信号処理デバイス24は、例えば、増幅器、バッファ、バイアスユニット、EEPROM等の記憶部、及び、磁気センサ18、20からの出力信号を温度補正する温度補正回路を有してもよい。信号処理デバイス24は、磁気センサ18、20の出力信号を処理する。例えば、信号処理デバイス24は、磁気センサ18の出力信号と磁気センサ20の出力信号との差分に基づいて、電流路12に流れる電流Crに応じた電圧を出力する。尚、本実施形態では、磁気センサ18、20及び信号処理デバイス24は、それぞれ独立したチップからなるハイブリッド構成であるが、他の構成であってもよい。   The signal processing device 24 is disposed on the support portion 36 of the main support plate 14. In addition, the signal processing device 24 may be arrange | positioned through the main support plate 14 and an electrically conductive paste, and may be arrange | positioned through insulators, such as an insulating paste and a die attach film. The signal processing device 24 may include, for example, a storage unit such as an amplifier, a buffer, a bias unit, and an EEPROM, and a temperature correction circuit that corrects the temperature of output signals from the magnetic sensors 18 and 20. The signal processing device 24 processes output signals of the magnetic sensors 18 and 20. For example, the signal processing device 24 outputs a voltage corresponding to the current Cr flowing in the current path 12 based on the difference between the output signal of the magnetic sensor 18 and the output signal of the magnetic sensor 20. In the present embodiment, the magnetic sensors 18 and 20 and the signal processing device 24 have a hybrid configuration including independent chips, but may have other configurations.

パッケージ26は、エポキシなどの絶縁性に優れた樹脂から成る。パッケージ26は、電流路12と、主支持板14と、副支持板16と、磁気センサ18、20と、複数のデバイス端子22と、信号処理デバイス24とを覆う。尚、パッケージ26は、主支持板14及び副支持板16における磁気センサ18、20及び信号処理デバイス24が配置される配置部分を覆う。パッケージ26は、電流路12と、磁気センサ18、20と、信号処理デバイス24とが配置される、主支持板14及び副支持板16上の配置部分とをモールドしてもよい。パッケージ26は、電流路12の両端部、デバイス端子22の主支持板14側の端部、デバイス端子部38の端部、及び、副支持板16の端部は覆わない。尚、磁気センサ18、20には、パッケージ26のモールド樹脂よりもヤング率が小さい低応力樹脂をパッケージ26との間に塗布してもよい。   The package 26 is made of a resin having excellent insulating properties such as epoxy. The package 26 covers the current path 12, the main support plate 14, the sub support plate 16, the magnetic sensors 18 and 20, the plurality of device terminals 22, and the signal processing device 24. Note that the package 26 covers an arrangement portion where the magnetic sensors 18 and 20 and the signal processing device 24 are arranged on the main support plate 14 and the sub support plate 16. The package 26 may mold an arrangement portion on the main support plate 14 and the sub support plate 16 in which the current path 12, the magnetic sensors 18 and 20, and the signal processing device 24 are arranged. The package 26 does not cover the both ends of the current path 12, the end of the device terminal 22 on the main support plate 14 side, the end of the device terminal 38, and the end of the sub-support plate 16. Note that a low stress resin having a Young's modulus smaller than that of the mold resin of the package 26 may be applied to the magnetic sensors 18 and 20 between the package 26.

次に、上述した電流センサ10の動作を説明する。図4は、図1のIV−IV線に沿った縦断面図である。   Next, the operation of the current sensor 10 described above will be described. 4 is a longitudinal sectional view taken along line IV-IV in FIG.

測定対象の電流Crが、図1の点線で示す方向に沿って、電流路12を流れる。電流Crは、切欠部30の周囲を流れるときには、平面視において、右回りに流れる。一方、電流Crは、切欠部32の周囲を流れるときには、平面視において、左回りに流れる。従って、切欠部30を流れる電流Crが生じさせる磁束密度Basと、切欠部32を流れる電流Crが生じさせる磁束密度Babは、略同じ大きさであって、且つ、互いに逆方向となる。これにより、磁気センサ18と磁気センサ20は、互いに逆方向の電流Crによる磁束密度Bas、Bbsを検知する。ここで、磁気センサ18、20は、互いに隣接した近い位置に配置されているので、同じ方向で同じ大きさの外部磁気ノイズBan、Bbnを検知するとする。   The current Cr to be measured flows through the current path 12 along the direction indicated by the dotted line in FIG. When the current Cr flows around the notch 30, the current Cr flows clockwise in a plan view. On the other hand, when the current Cr flows around the notch 32, the current Cr flows counterclockwise in plan view. Therefore, the magnetic flux density Bas generated by the current Cr flowing through the cutout portion 30 and the magnetic flux density Bab generated by the current Cr flowing through the cutout portion 32 have substantially the same magnitude and are in opposite directions. Thereby, the magnetic sensor 18 and the magnetic sensor 20 detect the magnetic flux densities Bas and Bbs due to the current Cr in the opposite directions. Here, since the magnetic sensors 18 and 20 are arranged at close positions adjacent to each other, it is assumed that external magnetic noises Ban and Bbn having the same magnitude in the same direction are detected.

この場合、磁気センサ18の出力信号Va及び磁気センサ20の電圧の出力信号Vbは、それぞれ以下の式となる。
Va=Ka×(Bas+Ban)+Vaoff
Vb=Kb×(−Bbs+Bbn)+Vboff
Ka、Kb:磁気センサ18、20の感度とする。
Vaoff、Vboff:各磁気センサ18、20のオフセットとする。
ここで、各磁気センサ18、20は互いに特性が等しいとして、オフセットVaoff、Vboffは、互いに等しいと近似する。また、各磁気センサ18、20が検知する外部磁気ノイズBan、Bbnは、双方の位置が近いので、互いに等しいと近似する。
In this case, the output signal Va of the magnetic sensor 18 and the output signal Vb of the voltage of the magnetic sensor 20 are respectively expressed by the following equations.
Va = Ka × (Bas + Ban) + Vaoff
Vb = Kb × (−Bbs + Bbn) + Vboff
Ka, Kb: Sensitivity of the magnetic sensors 18, 20.
Vaoff, Vboff: The offset of each magnetic sensor 18, 20.
Here, assuming that the magnetic sensors 18 and 20 have the same characteristics, the offsets Vaoff and Vboff are approximated to be equal to each other. Further, the external magnetic noises Ban and Bbn detected by the magnetic sensors 18 and 20 are approximated to be equal to each other because both positions are close to each other.

一般に、磁気センサの感度は温度により変化する。
各磁気センサ18、20はそれぞれ金属板の主支持板14及び副支持板16に配置されているので、略同じ温度となる。従って、感度Ka、Kbは互いに略等しくなり、K=Ka=Kbとなる。
In general, the sensitivity of a magnetic sensor varies with temperature.
Since the magnetic sensors 18 and 20 are disposed on the main support plate 14 and the sub support plate 16 which are metal plates, respectively, the temperatures are substantially the same. Therefore, the sensitivities Ka and Kb are substantially equal to each other, and K = Ka = Kb.

信号処理デバイス24は、磁気センサ18、20から出力信号Va、Vbを取得する。信号処理デバイス24は、出力信号Va、Vbの差分を出力する。信号処理デバイス24の出力Voutは次の式となる。
Vout=Va−Vb=K×(Bas+Bbs)
この式から外部磁気ノイズBan、Bbnの影響がキャンセルされていることがわかる。更に、信号処理デバイス24、及び、磁気センサ18、20が、金属製の主支持板14または副支持板16上に配置されているので、信号処理デバイス24、及び、磁気センサ18、20は、互いに略同じ温度となる。これにより、信号処理デバイス24の温度補正回路は、磁気センサ18、20の感度Kの影響を精度良く補正することができ、周囲の温度変化に起因する磁気センサ18と磁気センサ20の出力変化を精度良く補正することができる。電流路12を流れる電流Crが略等しく、当該電流Crによって生じる磁束密度の関係をBas≒Bbsと仮定すると、Voutは、VaまたはVbの略2倍となる。即ち、磁気センサが1個の場合に比べて、出力が略2倍となることがわかる。この電流センサ10は、Voutに基づいて電流を測定する。
The signal processing device 24 acquires the output signals Va and Vb from the magnetic sensors 18 and 20. The signal processing device 24 outputs the difference between the output signals Va and Vb. The output Vout of the signal processing device 24 is as follows.
Vout = Va−Vb = K × (Bas + Bbs)
From this equation, it can be seen that the influence of the external magnetic noises Ban and Bbn is canceled. Furthermore, since the signal processing device 24 and the magnetic sensors 18 and 20 are disposed on the metal main support plate 14 or the sub-support plate 16, the signal processing device 24 and the magnetic sensors 18 and 20 are The temperatures are substantially the same. Thereby, the temperature correction circuit of the signal processing device 24 can correct the influence of the sensitivity K of the magnetic sensors 18 and 20 with high accuracy, and the output changes of the magnetic sensor 18 and the magnetic sensor 20 due to the ambient temperature change can be corrected. Correction can be made with high accuracy. Assuming that the current Cr flowing through the current path 12 is substantially equal and the relationship between the magnetic flux densities generated by the current Cr is Bas≈Bbs, Vout is approximately twice Va or Vb. That is, it can be seen that the output is approximately twice that of a single magnetic sensor. The current sensor 10 measures a current based on Vout.

上述したように、電流センサ10では、信号処理デバイス24、及び、磁気センサ18、20が、放熱性の高い金属製の主支持板14または副支持板16上に配置されているので、信号処理デバイス24、及び、磁気センサ18、20の放熱性を向上させることができる。電流路12に電流が流れることによって温度上昇が生じ、特に電流路12に近い場所ほど温度が大きく上昇する。電流センサ10は磁気センサ18、20の温度と信号処理デバイス24が放熱性の高い金属板の第1延伸部40及び第2延伸部42上に配置されているので、電流路12に電流が流れることによって温度上昇が生じる場合であっても、その温度差は小さくなる。これにより、電流センサ10は、電流路12に大電流が通電され、大きく温度が上昇する場合であっても精度よく磁場を検出することができる。更に、主支持板14及び副支持板16の端部が、パッケージ26から露出しているので、電流センサ10は、より放熱性が向上された構成をとることによって、磁気センサ18、20の温度と信号処理デバイス24の温度差を小さくすることができる。   As described above, in the current sensor 10, since the signal processing device 24 and the magnetic sensors 18 and 20 are disposed on the metal main support plate 14 or the sub support plate 16 having high heat dissipation, signal processing is performed. The heat dissipation of the device 24 and the magnetic sensors 18 and 20 can be improved. The temperature rises due to the current flowing through the current path 12, and the temperature rises much more in the place near the current path 12. In the current sensor 10, the temperature of the magnetic sensors 18, 20 and the signal processing device 24 are disposed on the first extending portion 40 and the second extending portion 42 made of a metal plate having high heat dissipation, so that current flows through the current path 12. Even if the temperature rises by this, the temperature difference becomes small. As a result, the current sensor 10 can accurately detect the magnetic field even when a large current is passed through the current path 12 and the temperature rises greatly. Furthermore, since the end portions of the main support plate 14 and the sub support plate 16 are exposed from the package 26, the current sensor 10 has a configuration in which heat dissipation is further improved, whereby the temperature of the magnetic sensors 18, 20 is increased. And the temperature difference between the signal processing device 24 can be reduced.

電流センサ10では、切欠部30、32が互いに点対称の位置に配置されているので、磁気センサ18、20が受ける磁束密度を略等しくして、且つ、磁気センサ18、20の周囲の温度を略等しくできる。更に、切欠部30、32の内側に配置される磁気センサ18、20の位置が点対称になるので、電流路12を流れる電流による熱の影響が磁気センサ18、20で略等しくなる。従って、磁気センサ18、20は、互いの温度差による影響をより低減できる。   In the current sensor 10, since the notches 30 and 32 are arranged at positions symmetrical with respect to each other, the magnetic flux density received by the magnetic sensors 18 and 20 is made substantially equal, and the temperature around the magnetic sensors 18 and 20 is set. Can be approximately equal. Furthermore, since the positions of the magnetic sensors 18 and 20 arranged inside the notches 30 and 32 are point-symmetric, the influence of heat due to the current flowing through the current path 12 is substantially equal in the magnetic sensors 18 and 20. Therefore, the magnetic sensors 18 and 20 can further reduce the influence due to the temperature difference between them.

次に、上述した電流センサ10の製造方法について説明する。図5及び図6は、電流センサ10の各製造工程における平面図である。   Next, a method for manufacturing the above-described current sensor 10 will be described. 5 and 6 are plan views of the current sensor 10 in each manufacturing process.

図5に示すように、1枚の金属板から一部を刳り貫くことによって、パターンが形成された金属板50を形成する。図5において、ドットハッチングされた領域が、金属板50から刳り貫かれた個所である。この状態では、電流路12、主支持板14、及び、副支持板16は、互いの端部が金属板50の外周部で連結されている。   As shown in FIG. 5, a metal plate 50 having a pattern is formed by piercing a part from one metal plate. In FIG. 5, the dot-hatched area is a portion that is punched from the metal plate 50. In this state, the current path 12, the main support plate 14, and the sub support plate 16 are connected to each other at the outer peripheral portion of the metal plate 50.

次に、図6に示すように、プレス加工等によって金属板50にフォーミングを施すことにより、電流路12、デバイス端子22、及び、デバイス端子部38に段部を形成する。次に、信号処理デバイス24を主支持板14の予め定められた位置にダイボンディングするとともに、磁気センサ18、20を主支持板14及び副支持板16に配置する。信号処理デバイス24、磁気センサ18、20、デバイス端子22、及び、デバイス端子部38をワイヤボンディングで互いに接続する。   Next, as shown in FIG. 6, a step is formed in the current path 12, the device terminal 22, and the device terminal portion 38 by forming the metal plate 50 by press working or the like. Next, the signal processing device 24 is die-bonded at a predetermined position on the main support plate 14, and the magnetic sensors 18 and 20 are disposed on the main support plate 14 and the sub support plate 16. The signal processing device 24, the magnetic sensors 18, 20, the device terminal 22, and the device terminal portion 38 are connected to each other by wire bonding.

次に、図2及び図3に示すように、樹脂材料を含むパッケージ26によって、信号処理デバイス24、磁気センサ18、20、電流路12、主支持板14、及び、副支持板16をモールドする。更に、電流路12、副支持板16、デバイス端子22及びデバイス端子部38の端部をカットして、互いを離間させる。これにより、電流センサ10が完成する。   Next, as shown in FIGS. 2 and 3, the signal processing device 24, the magnetic sensors 18 and 20, the current path 12, the main support plate 14, and the sub support plate 16 are molded by a package 26 containing a resin material. . Further, the ends of the current path 12, the sub-support plate 16, the device terminal 22, and the device terminal portion 38 are cut and separated from each other. Thereby, the current sensor 10 is completed.

次に、上述した実施形態の一部を変更した形態について説明する。   Next, the form which changed a part of embodiment mentioned above is demonstrated.

図7は、切欠部130、132の形状を変更した電流センサ110の一部拡大平面図である。電流センサ110では、電流路112に形成された切欠部130、132のそれぞれが、円弧部160、162を有する。円弧部160、162は、電流路112を円弧に切り抜いた形状を有する。ここで、円弧部160、162は、一例として半円である。更に、円弧部160を半円とする場合、半円の中心と磁気センサ18の重心と一致させることが好ましい。円弧部162の中心も同様に、磁気センサ20の重心と一致させることが好ましい。   FIG. 7 is a partially enlarged plan view of the current sensor 110 in which the shapes of the notches 130 and 132 are changed. In the current sensor 110, the cutout portions 130 and 132 formed in the current path 112 have arc portions 160 and 162, respectively. The arc portions 160 and 162 have a shape in which the current path 112 is cut into an arc. Here, the arc portions 160 and 162 are semicircles as an example. Furthermore, when the arc portion 160 is a semicircle, it is preferable that the center of the semicircle coincides with the center of gravity of the magnetic sensor 18. Similarly, it is preferable that the center of the arc portion 162 coincides with the center of gravity of the magnetic sensor 20.

このように、切欠部130、132に円弧部160、162を形成することによって、磁気センサ18、20と電流路112の距離を小さくすることができる。これにより、磁気センサ18、20の感度がよくなり、出力信号が大きくなる。この結果、電流センサ110の検出精度がより向上する。   Thus, by forming the arc portions 160 and 162 in the notches 130 and 132, the distance between the magnetic sensors 18 and 20 and the current path 112 can be reduced. This improves the sensitivity of the magnetic sensors 18 and 20 and increases the output signal. As a result, the detection accuracy of the current sensor 110 is further improved.

図8は、第1延伸部240及び第2延伸部242の先端の形状を変更した電流センサ210の一部拡大平面図である。電流センサ210では、磁気センサ18が配置される主支持板214が第1延伸部240及び第1端部264を有し、磁気センサ20が配置される副支持板216が第2延伸部242及び第2端部266を有する。   FIG. 8 is a partially enlarged plan view of the current sensor 210 in which the shapes of the tips of the first extending portion 240 and the second extending portion 242 are changed. In the current sensor 210, the main support plate 214 on which the magnetic sensor 18 is disposed has a first extending portion 240 and a first end portion 264, and the sub-support plate 216 on which the magnetic sensor 20 is disposed is disposed on the second extending portion 242 and It has a second end 266.

第1延伸部240は、電流路112を含む面の垂直方向から見て、切欠部130の内側へと延伸する。第1端部264は、第1延伸部240の先端側に設けられている。第1端部264は、第1延伸部240の幅よりも広い幅を有する。ここでいう幅は、第1延伸部240の延伸方向と交差する方向、例えば、直交する方向の長さのことである。第1端部264は、部分円形状であってもよい。この場合、第1端部264の中心の位置が、円弧部160と中心の位置と一致することが好ましい。第1延伸部240の一部を曲げて、段部241を形成して、磁気センサ18の感磁面の高さを電流路112の板厚の中心の高さと同じ又は近い高さにしてもよい。例えば、磁気センサ18の感磁面は、上面に形成されている。   The first extending portion 240 extends inward of the notch portion 130 when viewed from the direction perpendicular to the surface including the current path 112. The first end portion 264 is provided on the distal end side of the first extending portion 240. The first end portion 264 has a width wider than the width of the first extending portion 240. The width here refers to the length in the direction intersecting with the extending direction of the first extending portion 240, for example, the direction orthogonal thereto. The first end 264 may be a partial circle. In this case, it is preferable that the center position of the first end portion 264 coincides with the arc portion 160 and the center position. A part of the first extending portion 240 is bent to form a stepped portion 241 so that the height of the magnetically sensitive surface of the magnetic sensor 18 is the same as or close to the height of the center of the plate thickness of the current path 112. Good. For example, the magnetic sensitive surface of the magnetic sensor 18 is formed on the upper surface.

第2延伸部242は、電流路112を含む面の垂直方向から見て、切欠部132の内側へと延伸する。第2端部266は、第2延伸部242の先端側に設けられている。第2端部266は、第2延伸部242よりも広い幅を有する。ここでいう幅は、第2延伸部242の延伸方向と交差する方向、例えば、直交する方向の長さのことである。第2端部266は、部分円形状であってもよい。この場合、第2端部266の中心の位置が、円弧部162と中心の位置と一致することが好ましい。第2延伸部242の一部を曲げて、段部243を形成して、磁気センサ20の感磁面の高さを電流路112の板厚の中心の高さと同じ又は近い高さにしてもよい。例えば、磁気センサ20の感磁面は、上面に形成されている。   The second extending portion 242 extends inward of the notch portion 132 when viewed from the direction perpendicular to the plane including the current path 112. The second end 266 is provided on the distal end side of the second extending portion 242. The second end 266 has a width wider than the second extending portion 242. The width here refers to the length in the direction intersecting with the extending direction of the second extending portion 242, for example, in the orthogonal direction. The second end 266 may have a partial circular shape. In this case, it is preferable that the center position of the second end portion 266 matches the center position of the arc portion 162. A part of the second extending portion 242 is bent to form a stepped portion 243 so that the height of the magnetic sensitive surface of the magnetic sensor 20 is the same as or close to the height of the center of the plate thickness of the current path 112. Good. For example, the magnetic sensitive surface of the magnetic sensor 20 is formed on the upper surface.

電流センサ210では、コイニング等の段差加工処理によって主支持板214及び副支持板216を押し潰すことによって、第1端部264及び第2端部266を円形状に形成してもよい。   In the current sensor 210, the first end 264 and the second end 266 may be formed in a circular shape by crushing the main support plate 214 and the sub support plate 216 by a step processing such as coining.

図9は、磁気センサ18、20の感磁部分を、電流路112を含む面に近づけた実施形態を説明する縦断面図である。図9は、図4の縦断面図に対応する図である。図9の例では、感磁部分は、磁気センサ18、20の上面に感磁面として形成されている。例えば、磁気センサ18、20の感磁面を電流路112の上面及び下面の間に設けてもよい。第1延伸部240及び第2延伸部242を曲げや半抜きなどの段差加工して、段部241、243を形成することによって、磁気センサ18、20の感磁面の高さを電流路112の板厚の中心の高さと同じ又は近い高さにしてもよい。別の例では、電流路112を曲げや半抜きなどの段差加工することによって、磁気センサ18、20の感磁面の高さを電流路112の板厚の中心の高さと同じ又は近い高さにしてもよい。   FIG. 9 is a longitudinal sectional view for explaining an embodiment in which the magnetically sensitive portions of the magnetic sensors 18 and 20 are brought close to the surface including the current path 112. FIG. 9 is a view corresponding to the longitudinal sectional view of FIG. In the example of FIG. 9, the magnetically sensitive portion is formed as a magnetically sensitive surface on the upper surface of the magnetic sensors 18 and 20. For example, the magnetic sensitive surfaces of the magnetic sensors 18 and 20 may be provided between the upper surface and the lower surface of the current path 112. The first extending portion 240 and the second extending portion 242 are stepped such as by bending or half-cutting to form the step portions 241 and 243, whereby the height of the magnetic sensitive surfaces of the magnetic sensors 18 and 20 is set to the current path 112. The height may be the same as or close to the height of the center of the plate thickness. In another example, the height of the magnetic sensitive surface of the magnetic sensors 18 and 20 is the same as or close to the height of the center of the plate thickness of the current path 112 by processing the current path 112 by steps such as bending or half blanking. It may be.

上述した実施形態における各構成の形状、配置、材料、及び、個数等の数値は適宜変更してよい。また、各実施形態は適宜組み合わせてもよい。   Numerical values such as the shape, arrangement, material, and number of each component in the above-described embodiments may be changed as appropriate. Moreover, you may combine each embodiment suitably.

例えば、図1に示す実施形態において、磁気センサ18、20の感磁面の高さを電流路12の上面及び下面の間に設けてもよい。更に、磁気センサ18、20の感磁面の高さを、電流路12を含む面に近づけてもよい。第1延伸部40及び第2延伸部42を曲げや半抜きなどの段差加工することによって、磁気センサ18、20の感磁面が、電流路12を含む面に近づけてもよい。別の例では、電流路12を曲げや半抜きなどの段差加工することによって、磁気センサ18、20の感磁面を電流路12を含む面に近づけてもよい。   For example, in the embodiment shown in FIG. 1, the height of the magnetic sensitive surfaces of the magnetic sensors 18 and 20 may be provided between the upper surface and the lower surface of the current path 12. Further, the height of the magnetic sensitive surfaces of the magnetic sensors 18 and 20 may be close to the surface including the current path 12. The magnetically sensitive surfaces of the magnetic sensors 18 and 20 may be brought closer to the surface including the current path 12 by processing the first extending portion 40 and the second extending portion 42 by steps such as bending or half blanking. In another example, the current-sensitive surfaces of the magnetic sensors 18 and 20 may be brought closer to the surface including the current path 12 by processing the current path 12 by a step such as bending or half blanking.

また、吊りピン部44は、デバイス端子形状にしてもよい。このように、吊りピン部44をデバイス端子形状にすると、基板に熱を逃がせることができるので、放熱性をより向上させることができる。   Further, the suspension pin portion 44 may have a device terminal shape. As described above, when the suspension pin portion 44 is formed in the device terminal shape, heat can be released to the substrate, so that heat dissipation can be further improved.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

10 電流センサ、 12 電流路、 13 電流端子、 14 主支持板、 16 副支持板、 18 磁気センサ、 20 磁気センサ、 22 デバイス端子、 24 信号処理デバイス、 26 パッケージ、 30 切欠部、 32 切欠部、 36 支持部、 38 デバイス端子部、 40 第1延伸部、 42 第2延伸部、 44 ピン部、 50 金属板、 110 電流センサ、 112 電流路、 130 切欠部、 132 切欠部、 160 円弧部、 162 円弧部、 210 電流センサ、 214 主支持板、 216 副支持板、 240 第1延伸部、 241 段部、 242 第2延伸部、 243 段部、 264 第1端部、 266 第2端部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Current sensor, 12 Current path, 13 Current terminal, 14 Main support plate, 16 Sub support plate, 18 Magnetic sensor, 20 Magnetic sensor, 22 Device terminal, 24 Signal processing device, 26 Package, 30 Notch, 32 Notch, 36 support part, 38 device terminal part, 40 first extension part, 42 second extension part, 44 pin part, 50 metal plate, 110 current sensor, 112 current path, 130 notch part, 132 notch part, 160 arc part, 162 Arc part, 210 Current sensor, 214 Main support plate, 216 Sub support plate, 240 First extension part, 241 step part, 242 Second extension part, 243 stage , 264 first end 266 second end

Claims (20)

磁気を検知する第1磁気センサおよび第2磁気センサと、
前記第1磁気センサの周囲において第1周回方向に配線され、前記第2磁気センサの周囲において前記第1周回方向とは反対の第2周回方向に配線された電流路と、
前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサからの出力信号を処理する信号処理デバイスと、
を備え、
前記第1磁気センサ、前記第2磁気センサ、および前記信号処理デバイスは、金属板上に配置される
電流センサ。
A first magnetic sensor and a second magnetic sensor for detecting magnetism;
A current path wired around the first magnetic sensor in a first round direction, and around the second magnetic sensor in a second round direction opposite to the first round direction;
A signal processing device for processing output signals from the first magnetic sensor and the second magnetic sensor;
With
The first magnetic sensor, the second magnetic sensor, and the signal processing device are arranged on a metal plate.
前記第1磁気センサ、前記第2磁気センサ、前記電流路、および前記信号処理デバイスと、前記金属板上における前記第1磁気センサ、前記第2磁気センサ、および前記信号処理デバイスが配置される配置部分とを覆うパッケージを更に備える請求項1に記載の電流センサ。   Arrangement of the first magnetic sensor, the second magnetic sensor, the current path, and the signal processing device, and the first magnetic sensor, the second magnetic sensor, and the signal processing device on the metal plate. The current sensor according to claim 1, further comprising a package covering the portion. 前記パッケージは、前記第1磁気センサ、前記第2磁気センサ、前記電流路、前記信号処理デバイス、および前記金属板の前記配置部分をモールドする請求項2に記載の電流センサ。   3. The current sensor according to claim 2, wherein the package molds the arrangement portion of the first magnetic sensor, the second magnetic sensor, the current path, the signal processing device, and the metal plate. 前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサには、モールド樹脂よりもヤング率が小さい低応力樹脂が塗布される請求項3に記載の電流センサ。   The current sensor according to claim 3, wherein a low-stress resin having a Young's modulus smaller than that of a mold resin is applied to the first magnetic sensor and the second magnetic sensor. 前記第1磁気センサは、一部が前記パッケージの外に露出する第1の前記金属板上に配置され、
前記第2磁気センサは、一部が前記パッケージの外に露出する第2の前記金属板上に配置される
請求項2から4のいずれか一項に記載の電流センサ。
The first magnetic sensor is disposed on the first metal plate, a part of which is exposed outside the package,
5. The current sensor according to claim 2, wherein the second magnetic sensor is disposed on the second metal plate that is partially exposed outside the package. 6.
前記信号処理デバイスは、前記第1の金属板上に配置される請求項5に記載の電流センサ。   The current sensor according to claim 5, wherein the signal processing device is disposed on the first metal plate. 前記第1の金属板および前記第2の金属板の少なくとも一方は、前記パッケージの外に露出して前記電流センサが搭載されるプリント配線基板のランドに接続される外部端子を有する請求項5または6に記載の電流センサ。   6. At least one of the first metal plate and the second metal plate has an external terminal exposed to the outside of the package and connected to a land of a printed wiring board on which the current sensor is mounted. 6. The current sensor according to 6. 前記第1の金属板および前記第2の金属板の少なくとも一方は、前記パッケージの外部に露出し、かつ前記電流センサが搭載されるプリント配線基板のランドに接続されない吊りピンを有する請求項5から7のいずれか一項に記載の電流センサ。   6. At least one of the first metal plate and the second metal plate has a suspension pin that is exposed to the outside of the package and is not connected to a land of a printed wiring board on which the current sensor is mounted. The current sensor according to claim 7. 前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサは、ワイヤボンディングにより前記信号処理デバイスと接続される請求項2から8のいずれか一項に記載の電流センサ。   The current sensor according to claim 2, wherein the first magnetic sensor and the second magnetic sensor are connected to the signal processing device by wire bonding. 前記電流路は、前記第1磁気センサが配置される前記金属板の側に設けられた第1切欠部と、前記第2磁気センサが配置される前記金属板の側に設けられた第2切欠部とを有し、
前記第1磁気センサは、前記電流路を含む面の垂直方向から見て、前記第1切欠部の内側に設けられ、
前記第2磁気センサは、前記電流路を含む面の垂直方向から見て、前記第2切欠部の内側に設けられる
請求項1から9のいずれか一項に記載の電流センサ。
The current path includes a first notch provided on the side of the metal plate where the first magnetic sensor is disposed, and a second notch provided on the side of the metal plate where the second magnetic sensor is disposed. And
The first magnetic sensor is provided on the inner side of the first notch as viewed from a direction perpendicular to a surface including the current path,
The current sensor according to any one of claims 1 to 9, wherein the second magnetic sensor is provided inside the second notch portion when viewed from a direction perpendicular to a surface including the current path.
前記第1切欠部および前記第2切欠部は、前記電流路において互いに点対称に設けられる請求項10に記載の電流センサ。   The current sensor according to claim 10, wherein the first notch and the second notch are provided symmetrically with respect to each other in the current path. 前記第1切欠部および前記第2切欠部は、前記電流路を、円弧によって切り抜いた形状を有する請求項10または11に記載の電流センサ。   The current sensor according to claim 10 or 11, wherein the first cutout portion and the second cutout portion have a shape in which the current path is cut out by an arc. 前記第1磁気センサが配置される前記金属板は、前記電流路を含む面の垂直方向から見て、前記第1切欠部の内側へと延伸する第1延伸部と、延伸方向に対する幅を前記第1延伸部より広げた第1端部とを有し、
前記第2磁気センサが配置される前記金属板は、前記電流路を含む面の垂直方向から見て、前記第2切欠部の内側へと延伸する第2延伸部と、延伸方向に対する幅を前記第2延伸部より広げた第2端部とを有する
請求項10から12のいずれか一項に記載の電流センサ。
The metal plate on which the first magnetic sensor is disposed has a first extending portion extending inward of the first notch portion as viewed from a direction perpendicular to a surface including the current path, and a width with respect to the extending direction. A first end that is wider than the first extending portion;
The metal plate on which the second magnetic sensor is disposed has a second extending portion extending inward of the second notch portion as viewed from a direction perpendicular to the surface including the current path, and a width with respect to the extending direction. The current sensor according to any one of claims 10 to 12, further comprising a second end portion that is wider than the second extending portion.
前記第1延伸部および前記第2延伸部は、段差加工されて前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサの感磁部分を前記電流路を含む面に近づける請求項13に記載の電流センサ。   14. The current sensor according to claim 13, wherein the first extending portion and the second extending portion are stepped to bring a magnetically sensitive portion of the first magnetic sensor and the second magnetic sensor closer to a surface including the current path. 前記電流路は段差加工されて、前記電流路を含む面を、前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサの感磁部分に近づける請求項1から14のいずれか一項に記載の電流センサ。   The current sensor according to any one of claims 1 to 14, wherein the current path is stepped to bring a surface including the current path closer to a magnetically sensitive portion of the first magnetic sensor and the second magnetic sensor. 前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサは、感磁部分が前記電流路を含む面の垂直方向において、前記電流路の上面および下面の間に設けられる請求項1から15のいずれか一項に記載の電流センサ。   16. The first magnetic sensor and the second magnetic sensor according to claim 1, wherein the magnetically sensitive portion is provided between the upper surface and the lower surface of the current path in a direction perpendicular to the surface including the current path. The current sensor described in 1. 前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサは、ダイアタッチフィルムによって前記金属板に対してダイボンディングされる請求項1から16のいずれか一項に記載の電流センサ。   The current sensor according to claim 1, wherein the first magnetic sensor and the second magnetic sensor are die-bonded to the metal plate by a die attach film. 前記パッケージの第1辺に設けられ前記電流路に接続される第1電流端子と、前記第1辺と対向する第2辺に設けられ前記電流路に接続される第2電流端子とを有し、
前記第1電流端子および前記第2電流端子は、前記第1辺および前記第2辺において、前記第1辺および前記第2辺の中心位置に対し、デバイス端子が配置されている第3辺からは遠くなる側に配置されている
請求項2から9のいずれか一項に記載の電流センサ。
A first current terminal provided on a first side of the package and connected to the current path; and a second current terminal provided on a second side opposite to the first side and connected to the current path. ,
The first current terminal and the second current terminal are connected to the first side and the second side from the third side where the device terminal is arranged with respect to the center position of the first side and the second side. The current sensor according to claim 2, wherein the current sensor is disposed on a far side.
前記パッケージの前記第1辺および前記第2辺の間の第3辺に、前記信号処理デバイスに接続される複数のデバイス端子を更に備える請求項18に記載の電流センサ。   The current sensor according to claim 18, further comprising a plurality of device terminals connected to the signal processing device on a third side between the first side and the second side of the package. 前記信号処理デバイスは、前記第1磁気センサおよび前記第2磁気センサからの出力信号を温度補正する温度補正回路を有する請求項1から19のいずれか一項に記載の電流センサ。   The current sensor according to any one of claims 1 to 19, wherein the signal processing device includes a temperature correction circuit that corrects a temperature of output signals from the first magnetic sensor and the second magnetic sensor.
JP2014069912A 2014-03-28 2014-03-28 Current sensor Active JP6314010B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014069912A JP6314010B2 (en) 2014-03-28 2014-03-28 Current sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014069912A JP6314010B2 (en) 2014-03-28 2014-03-28 Current sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015190930A true JP2015190930A (en) 2015-11-02
JP6314010B2 JP6314010B2 (en) 2018-04-18

Family

ID=54425511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014069912A Active JP6314010B2 (en) 2014-03-28 2014-03-28 Current sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6314010B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018141634A (en) * 2017-02-24 2018-09-13 旭化成エレクトロニクス株式会社 Current sensor
US11092621B2 (en) 2016-09-14 2021-08-17 Asahi Kasei Microdevices Corporation Current sensor
JP7329118B1 (en) * 2022-10-24 2023-08-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 current sensor

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001174486A (en) * 1999-12-20 2001-06-29 Sanken Electric Co Ltd Current detector with hall element
US6356068B1 (en) * 1997-09-15 2002-03-12 Ams International Ag Current monitor system and a method for manufacturing it
JP2003004773A (en) * 2001-06-15 2003-01-08 Sanken Electric Co Ltd Current-detecting device having hall element
JP2004152789A (en) * 2002-10-28 2004-05-27 Sanken Electric Co Ltd Current detecting device
JP2011522251A (en) * 2008-06-02 2011-07-28 アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド Configuration of current detection circuit and integrated current sensor
JP2012229950A (en) * 2011-04-25 2012-11-22 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Current sensor and method for manufacturing the same
WO2013008462A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 Current sensor substrate and current sensor
JP2013099020A (en) * 2011-10-28 2013-05-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Power distribution panel
JP2013242301A (en) * 2012-04-23 2013-12-05 Denso Corp Current sensor
JP2013245942A (en) * 2012-05-23 2013-12-09 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Current sensor
JP2014027266A (en) * 2012-06-20 2014-02-06 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Semiconductor package and manufacturing method of the same

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6356068B1 (en) * 1997-09-15 2002-03-12 Ams International Ag Current monitor system and a method for manufacturing it
JP2001174486A (en) * 1999-12-20 2001-06-29 Sanken Electric Co Ltd Current detector with hall element
JP2003004773A (en) * 2001-06-15 2003-01-08 Sanken Electric Co Ltd Current-detecting device having hall element
JP2004152789A (en) * 2002-10-28 2004-05-27 Sanken Electric Co Ltd Current detecting device
JP2011522251A (en) * 2008-06-02 2011-07-28 アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド Configuration of current detection circuit and integrated current sensor
JP2012229950A (en) * 2011-04-25 2012-11-22 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Current sensor and method for manufacturing the same
WO2013008462A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 Current sensor substrate and current sensor
JP2013099020A (en) * 2011-10-28 2013-05-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Power distribution panel
JP2013242301A (en) * 2012-04-23 2013-12-05 Denso Corp Current sensor
JP2013245942A (en) * 2012-05-23 2013-12-09 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Current sensor
JP2014027266A (en) * 2012-06-20 2014-02-06 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Semiconductor package and manufacturing method of the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11092621B2 (en) 2016-09-14 2021-08-17 Asahi Kasei Microdevices Corporation Current sensor
JP2018141634A (en) * 2017-02-24 2018-09-13 旭化成エレクトロニクス株式会社 Current sensor
JP7329118B1 (en) * 2022-10-24 2023-08-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 current sensor
US11867728B1 (en) 2022-10-24 2024-01-09 Asahi Kasei Microdevices Corporation Current sensor

Also Published As

Publication number Publication date
JP6314010B2 (en) 2018-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3376244B1 (en) Magnetic sensor
US8760149B2 (en) Magnetic field current sensors
JP5062877B2 (en) Magnetic field sensor
US9547024B2 (en) Device for current measurement
JP6505505B2 (en) Current sensor
US10969410B2 (en) Current sensor device
CN106461705A (en) Current sensor
JPWO2013008462A1 (en) Current sensor substrate and current sensor
JP2014134458A (en) Current sensor
JP2018535409A (en) Current transducer with integrated primary conductor
JP6314010B2 (en) Current sensor
JP6234263B2 (en) Current sensor
US10622313B2 (en) Shielded electronic device module and method of measuring shielding thereof
JP2018165699A (en) Current sensor
JP2009168790A (en) Current sensor
TWI485411B (en) Current sensor substrate and current sensor
JP5704352B2 (en) Current sensor
JP2020030046A (en) Current sensor
JP2014055791A (en) Current sensor
JP5458319B2 (en) Current sensor
JP6914671B2 (en) Current sensor
US20210405093A1 (en) Coreless contactless current measurement system
JP2017134022A (en) Electric current sensor and manufacturing method
JP7097671B2 (en) IC magnetic sensor and lead frame used for it
CN112213543A (en) Sensor device with auxiliary structure for calibrating the sensor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170927

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171010

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180306

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180326

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6314010

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350