JP6914671B2 - Current sensor - Google Patents

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Description

本発明は、電流センサに関する。 The present invention relates to a current sensor.

磁気センサを用いて電流の量を検出する電流センサが知られている。例えば、特許文献1には、電流が流れるバスバー及びバスバー上に配置されたセンサ素子を備え、バスバーはセンサ素子を挟んで外側に張り出る弧線上に形成された一対のスリットを有する、電流センサが開示されている。この電流センサでは、電流がセンサ素子を中心に孤を描くようにバスバー内を流れることで、バスバー上でのセンサ素子の回転による測定精度の低下が抑制される。また、特許文献2には、絶縁基板とこれに重ねられる主経路としてのバスバーとを有する回路基板、及び絶縁基板上に主経路と並列に抵抗素子を介した分流経路を設けて、主経路から分流した電流を検出する電流センサを備える回路構成体が開示されている。この回路構成体では、主経路の電流に比べ抵抗素子によって分流される電流が小さいため、容量の小さい電流センサで分流電流を検出することにより、主経路に流れる大電流を小さい抵抗損出で算出することが可能となる。
特許文献1 特開2016−70904号公報
特許文献2 特開2016−135039号公報
A current sensor that detects the amount of current using a magnetic sensor is known. For example, Patent Document 1 includes a bus bar through which a current flows and a sensor element arranged on the bus bar, and the bus bar has a pair of slits formed on an arc line extending outward with the sensor element in between. It is disclosed. In this current sensor, the current flows in the bus bar so as to draw an arc around the sensor element, so that the decrease in measurement accuracy due to the rotation of the sensor element on the bus bar is suppressed. Further, in Patent Document 2, a circuit board having an insulating substrate and a bus bar as a main path superimposed on the insulating substrate, and a current dividing path via a resistance element in parallel with the main path are provided on the insulating substrate from the main path. A circuit configuration including a current sensor for detecting a diverted current is disclosed. In this circuit configuration, the current shunted by the resistance element is smaller than the current in the main path. Therefore, by detecting the shunt current with a current sensor with a small capacitance, the large current flowing in the main path is calculated with a small resistance loss. It becomes possible to do.
Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-70904 Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-1350339

本発明は、大きな電流を検出可能な電流センサを提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide a current sensor capable of detecting a large current.

本発明の一態様においては、一軸方向の一側から他側に延びるとともに少なくとも一部に電流が流れる向きが変わる区間を含む経路に沿って、被測定電流が流れる導体板と、導体板の一面上に固定される基板と、基板上の区間に対応する位置に設けられ、区間を流れる電流により生じる磁場を検出する磁気センサと、を備える電流センサが提供される。 In one aspect of the present invention, a conductor plate through which the current to be measured flows and one surface of the conductor plate along a path including a section extending from one side in the uniaxial direction to the other side and changing the direction in which the current flows at least in a part. A current sensor comprising a substrate fixed on the substrate and a magnetic sensor provided at a position corresponding to a section on the substrate and detecting a magnetic field generated by a current flowing through the section is provided.

なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。 The outline of the above invention does not list all the features of the present invention. Sub-combinations of these feature groups can also be inventions.

本実施形態に係る電流センサの構成を上面視において示す。The configuration of the current sensor according to this embodiment is shown in a top view. 図1Aの基準線BBに関する電流センサの内部構成を示す。The internal configuration of the current sensor with respect to the reference line BB of FIG. 1A is shown. バスバー上のスリットの配置及び電流経路内の偏向区間の配置を示す。The arrangement of slits on the busbar and the arrangement of deflection sections in the current path are shown. 電流センサを外部装置に接続した状態を示す。Indicates a state in which the current sensor is connected to an external device. 図3Aの基準線BBに関する断面において電流センサの接続状態を示す。The connection state of the current sensor is shown in the cross section of FIG. 3A with respect to the reference line BB. 電流センサの製造工程における一ステップにより成形されたバスバーの構成を上面視において示す。The configuration of the bus bar formed by one step in the manufacturing process of the current sensor is shown in a top view. 図4Aの基準線BBに関するバスバーの断面を示す。The cross section of the bus bar about the reference line BB of FIG. 4A is shown. 電流センサの製造工程における一ステップによりバスバーの上面上に基板が設けられた状態を上面視において示す。A top view shows a state in which the substrate is provided on the upper surface of the bus bar by one step in the manufacturing process of the current sensor. 図5Aの基準線BBに関するバスバー及び基板の断面を示す。The cross section of the bus bar and the substrate about the reference line BB of FIG. 5A is shown. 電流センサの製造工程における一ステップにより基板上にパッケージが実装された状態を上面視において示す。The state in which the package is mounted on the substrate by one step in the manufacturing process of the current sensor is shown in a top view. 図6Aの基準線BBに関するバスバー、基板、及びパッケージの断面を示す。A cross section of a bus bar, a substrate, and a package with respect to the reference line BB of FIG. 6A is shown. 本実施形態に係る電流センサにおける磁性材料の別の例を示す。Another example of the magnetic material in the current sensor according to this embodiment is shown. 本実施形態に係る電流センサにおける磁性材料のさらに別を示す。Further, another type of magnetic material in the current sensor according to the present embodiment is shown. 変形例に係る電流センサの構成を上面視において示す。The configuration of the current sensor according to the modified example is shown in a top view. 図8Aの基準線BBに関する電流センサの内部構成を示す。The internal configuration of the current sensor with respect to the reference line BB of FIG. 8A is shown. 変形例に係る電流センサにおけるバスバー上のスリットの配置及び電流経路内の偏向区間の配置を示す。The arrangement of slits on the bus bar and the arrangement of deflection sections in the current path in the current sensor according to the modified example are shown.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the inventions that fall within the scope of the claims. Also, not all combinations of features described in the embodiments are essential to the means of solving the invention.

図1A及び図1Bは、本実施形態に係る電流センサ1の構成を示す。ここで、図1Aは電流センサ1の構成を上面視において示し、図1Bは、図1Aの基準線BBに関する電流センサ1の内部構成を示す。なお、図1Aにおける上下方向を縦方向、図1A及び図1Bにおける左右方向を横方向、及び図1Bにおける上下方向を高さ方向とする。また、高さ方向を上から下に視ることを上面視と呼ぶ。電流センサ1は、磁気センサを用いて電流(被測定電流とも呼ぶ)の大きさ(或いは電流の量とも呼ぶ)を検出するセンサであり、例えば数100A以上の大きな電流を検出することを目的とする。電流センサ1は、外部装置(不図示)の出力端子間に接続されてそれらの間を流れる被測定電流を測定するよう構成され、バスバー2、基板3、磁気センサ素子4a,4b、信号処理IC4c、パッケージ4、磁性材料5,6、及び絶縁部材7,8を備える。 1A and 1B show the configuration of the current sensor 1 according to the present embodiment. Here, FIG. 1A shows the configuration of the current sensor 1 in a top view, and FIG. 1B shows the internal configuration of the current sensor 1 with respect to the reference line BB of FIG. 1A. The vertical direction in FIG. 1A is the vertical direction, the horizontal direction in FIGS. 1A and 1B is the horizontal direction, and the vertical direction in FIG. 1B is the height direction. Further, viewing the height direction from top to bottom is called top view. The current sensor 1 is a sensor that detects the magnitude (or the amount of current) of a current (also referred to as a measured current) using a magnetic sensor, and has an object of detecting a large current of several hundred A or more, for example. do. The current sensor 1 is connected between the output terminals of an external device (not shown) and is configured to measure the current to be measured flowing between them. The bus bar 2, the substrate 3, the magnetic sensor elements 4a and 4b, and the signal processing IC 4c , Package 4, magnetic materials 5, 6 and insulating members 7, 8.

バスバー2は、被測定電流が流れる導体板の一例である。ここで、被測定電流は、バスバー2上で横方向の一側から他側に延びて後述する2つの開口2dの間を結ぶ経路(電流経路とも呼ぶ)L1に沿って流れる。本実施形態では、一例として、被測定電流は、バスバー2上を横方向の左側から右側に流れる直流とする。バスバー2は、大きな電流を流すために後述する基板3より大きな厚み(例えば、1.0mm以上)を有するとともに、電流が流れることで発生する熱を効率良く放出するために、例えば銅、アルミニウム等の熱伝導率の高い金属を用いて大きな表面を有する板状に成形される。バスバー2は、一例として横方向を長手とする矩形状に、開口2d及びスリット2a,2bを含んで成形される。 The bus bar 2 is an example of a conductor plate through which a current to be measured flows. Here, the current to be measured flows along a path (also referred to as a current path) L1 extending from one side in the lateral direction to the other side on the bus bar 2 and connecting between two openings 2d described later. In the present embodiment, as an example, the current to be measured is a direct current flowing on the bus bar 2 from the left side to the right side in the horizontal direction. The bus bar 2 has a thickness (for example, 1.0 mm or more) larger than that of the substrate 3 described later in order to pass a large current, and in order to efficiently release the heat generated by the flow of the current, for example, copper, aluminum, etc. It is formed into a plate having a large surface using a metal having a high thermal conductivity. As an example, the bus bar 2 is formed in a rectangular shape having a longitudinal direction in the lateral direction, including an opening 2d and slits 2a and 2b.

開口2dは、バスバー2の横方向の両端に各1つ、縦方向の中央に形成される。本実施形態では、一例として開口2dは円形状であり、後述するように固定具9をバスバー2の開口2dに通すことで、電流センサ1を、被測定電流を出力する外部装置の出力端子に固定することができる。 One opening 2d is formed at both ends of the bus bar 2 in the horizontal direction, and one opening 2d is formed in the center in the vertical direction. In the present embodiment, as an example, the opening 2d has a circular shape, and as will be described later, by passing the fixture 9 through the opening 2d of the bus bar 2, the current sensor 1 is connected to the output terminal of the external device that outputs the current to be measured. Can be fixed.

スリット2a,2bは、バスバー2に形成される少なくとも1つのスリットの一例であり、これによりバスバー2上で横方向に延びる電流経路L1の少なくとも一部に電流が流れる向きが変わる区間(偏向区間と呼ぶ)La,Lbが設けられる。スリット2a,2bは、各2つのスリットを含み、それぞれバスバー2の縦方向の下側及び上側外縁から内側に向かって少なくとも先端側の部分が横方向に交差する方向に延びる。それにより、各2つのスリット2a,2bの一方の先端の周囲に偏向区間La,Lbがそれぞれ形成され、バスバー2の表面積を大きく設けて放熱性を維持しつつ電流経路L1を横方向以外に向けることができる。つまり、被測定電流をバスバー2内を横方向以外の方向に向けて流すことができる。バスバー2上のスリット2a,2bの配置及び電流経路L1内の偏向区間La,Lbの配置の詳細については後述する。 The slits 2a and 2b are examples of at least one slit formed in the bus bar 2, whereby a section in which the direction in which the current flows changes in at least a part of the current path L1 extending in the lateral direction on the bus bar 2 (with a deflection section). (Call) La and Lb are provided. The slits 2a and 2b include two slits each, and extend in a direction in which at least the tip side portions intersect in the lateral direction from the lower and upper outer edges in the vertical direction of the bus bar 2, respectively. As a result, deflection sections La and Lb are formed around one of the two slits 2a and 2b, respectively, and the surface area of the bus bar 2 is increased to maintain heat dissipation while directing the current path L1 to a direction other than the lateral direction. be able to. That is, the current to be measured can flow in the bus bar 2 in a direction other than the lateral direction. Details of the arrangement of the slits 2a and 2b on the bus bar 2 and the arrangement of the deflection sections La and Lb in the current path L1 will be described later.

なお、横方向に交差する方向は、本実施形態では横方向に直交する縦方向とするが、これに限らず横方向に交差する任意の方向であってよい。また、各2つのスリット2a,2bのそれぞれについて、横方向に交差する方向は縦方向であってもよいし、互いに異なる横方向以外の任意の方向であってもよい。 In the present embodiment, the direction of intersection in the horizontal direction is the vertical direction orthogonal to the horizontal direction, but the direction is not limited to this and may be any direction that intersects in the horizontal direction. Further, for each of the two slits 2a and 2b, the direction in which they intersect in the horizontal direction may be the vertical direction, or may be any direction other than the lateral directions different from each other.

基板3は、磁気センサ素子4a,4b及び信号処理IC4cを内蔵したパッケージ4をバスバー2上に支持する薄板又はシート状部材であり、本実施形態では、一例として、厚み500μm以下のフレキシブルなプリント配線基板を採用する。基板3は、バスバー2の一面(すなわち、上面)上に、粘着層等を介して貼り付けることで固定される。基板3が薄いことにより、磁気センサ素子4a,4bのそれらの感磁部をバスバー2に近接して上面上に固定することができ、それにより、被測定電流がバスバー2内を流れることで発生する磁場を磁気センサ素子4a,4bの感磁部により多く集束して効率良く検出することができる。基板3は、本体部3a及び延伸部3bを有する。 The substrate 3 is a thin plate or sheet-like member that supports the package 4 containing the magnetic sensor elements 4a and 4b and the signal processing IC 4c on the bus bar 2. In the present embodiment, as an example, a flexible printed wiring board having a thickness of 500 μm or less. Adopt a board. The substrate 3 is fixed on one surface (that is, the upper surface) of the bus bar 2 by being attached via an adhesive layer or the like. Since the substrate 3 is thin, those magnetically sensitive parts of the magnetic sensor elements 4a and 4b can be fixed on the upper surface in close proximity to the bus bar 2, whereby the current to be measured flows in the bus bar 2. The magnetic field to be generated can be more focused on the magnetically sensitive portions of the magnetic sensor elements 4a and 4b and can be detected efficiently. The substrate 3 has a main body portion 3a and a stretched portion 3b.

本体部3aは、パッケージ4を支持する部分であり、その上面上にパッケージ4の入出力信号を伝送する配線パターン(不図示)が形成されている。本実施形態では、本体部3aは、一例として、縦方向に関してバスバー2より小さい幅を有し、横方向に関して2つの開口2dの離間距離より小さい幅を有する矩形状に成形されている。従って、基板3は、本体部3aにより、バスバー2に形成されたスリット2a,2bの少なくとも一部、特に先端側の部分の上方を覆うこととなる。 The main body 3a is a portion that supports the package 4, and a wiring pattern (not shown) for transmitting the input / output signals of the package 4 is formed on the upper surface thereof. In the present embodiment, as an example, the main body 3a is formed into a rectangular shape having a width smaller than that of the bus bar 2 in the vertical direction and a width smaller than the separation distance between the two openings 2d in the horizontal direction. Therefore, the substrate 3 covers at least a part of the slits 2a and 2b formed in the bus bar 2, particularly the upper part on the tip end side, by the main body portion 3a.

延伸部3bは、本体部3a上から延びる配線パターンが設けられてこれを電流センサ1外に延出する部分であり、一例として本体部3aの右上端部から図面上側に延伸する。延伸部3bは、縦方向を長手とする矩形状を有し、縦方向に関してバスバー2の幅と本体部3aの幅との差の2分の1より大きな長さを有する。従って、基板3は、延伸部3b(ただし、本体部3aに接続する基端を除く)がバスバー2の上面に固定されることなくその外に延伸する。それにより、本体部3aからバスバー2外に延伸する延伸部3bに設けられた配線パターンを介して、本体部3a上に支持されるパッケージ4の入出力信号を電流センサ1が実装される外部装置に伝送することができる。 The extending portion 3b is a portion in which a wiring pattern extending from the main body portion 3a is provided and extends out of the current sensor 1, and as an example, the extending portion 3b extends from the upper right end portion of the main body portion 3a to the upper side of the drawing. The stretched portion 3b has a rectangular shape having a longitudinal direction, and has a length larger than half of the difference between the width of the bus bar 2 and the width of the main body portion 3a in the vertical direction. Therefore, the substrate 3 is stretched out of the stretched portion 3b (excluding the base end connected to the main body portion 3a) without being fixed to the upper surface of the bus bar 2. As a result, an external device on which the current sensor 1 mounts the input / output signals of the package 4 supported on the main body 3a via the wiring pattern provided in the extension 3b extending from the main body 3a to the outside of the bus bar 2. Can be transmitted to.

なお、基板3の上面に設けられる配線パターンは、基板3を絶縁部材から成形する、基板3とバスバー2との間に後述する絶縁部材7を設けるなどにより、バスバー2から絶縁されている。 The wiring pattern provided on the upper surface of the substrate 3 is insulated from the bus bar 2 by molding the substrate 3 from an insulating member, providing an insulating member 7 described later between the substrate 3 and the bus bar 2.

磁気センサ素子4a,4bは、磁気センサの一例であり、バスバー2内を流れる電流により生じる磁場を検出するセンサである。磁気センサ素子4a,4bとして、例えば、InAs、GaAs等から構成される化合物半導体ホール素子、シリコンから構成されるホール素子(或いは増幅回路と一体化されたホールIC)、及び磁気抵抗素子を採用することができる。磁気センサ素子4a,4bは、検出した磁場の強度に応じた電圧を出力信号として後述する信号処理IC4cに出力する。磁気センサ素子4a,4bと後述する信号処理IC4cとは同一のシリコン基板内に形成されてもよい。これにより磁気センサ素子4a,4bと信号処理IC4c間のワイヤボンドによる配線が必要なくなり、信頼性の向上が期待できる。 The magnetic sensor elements 4a and 4b are examples of magnetic sensors, and are sensors that detect a magnetic field generated by a current flowing in the bus bar 2. As the magnetic sensor elements 4a and 4b, for example, a compound semiconductor Hall element composed of InAs, GaAs, etc., a Hall element composed of silicon (or a Hall IC integrated with an amplification circuit), and a magnetic resistance element are adopted. be able to. The magnetic sensor elements 4a and 4b output a voltage corresponding to the strength of the detected magnetic field as an output signal to the signal processing IC 4c described later. The magnetic sensor elements 4a and 4b and the signal processing IC 4c described later may be formed on the same silicon substrate. As a result, wiring by wire bond between the magnetic sensor elements 4a and 4b and the signal processing IC 4c becomes unnecessary, and improvement in reliability can be expected.

磁気センサ素子4a,4bは、それぞれ、偏向区間La,Lbに対応する基板3上の位置に設けられる。ここで、偏向区間La,Lbに対応する位置は、上面視において、電流経路L1の向きが変わる偏向区間La,Lbの内側の位置であり、本実施形態では一例として、偏向区間La,Lbをそれぞれ形成するスリット2a,2bの先端内側の位置とする。それにより、被測定電流がバスバー2内を電流経路L1に沿って流れると、偏向区間La,Lbを流れる電流によりバスバー2の一面に対して垂直な方向(すなわち、高さ方向)を向く磁場が発生し、これらの磁場を、バスバー2の一面上に基板3を介して偏向区間La,Lbの内側にそれぞれ設けられる磁気センサ素子4a,4bにより検出することで、被測定電流の大きさを測定することができる。 The magnetic sensor elements 4a and 4b are provided at positions on the substrate 3 corresponding to the deflection sections La and Lb, respectively. Here, the positions corresponding to the deflection sections La and Lb are the positions inside the deflection sections La and Lb in which the direction of the current path L1 changes in the top view. In the present embodiment, the deflection sections La and Lb are used as an example. The positions are located inside the tips of the slits 2a and 2b to be formed, respectively. As a result, when the current to be measured flows in the bus bar 2 along the current path L1, the magnetic field directed in the direction perpendicular to one surface of the bus bar 2 (that is, the height direction) is generated by the current flowing in the deflection sections La and Lb. The magnitude of the current to be measured is measured by detecting these magnetic fields generated on one surface of the bus bar 2 via the substrate 3 by magnetic sensor elements 4a and 4b provided inside the deflection sections La and Lb, respectively. can do.

磁気センサ素子4a,4bは、後述するパッケージ4内に封止され、その感磁部(すなわち、磁場を検出する部分)と反対側の素子面を基板3に対向するパッケージ4の一面(すなわち、下面)上に露出する。パッケージ4を基板3上に搭載すると磁気センサ素子4a,4bの感磁部がバスバー2に近接し、それにより、被測定電流がバスバー2内を流れることで発生する磁場を磁気センサ素子4a,4bの感磁部により多く集束して高いSN比で検出することが可能となる。 The magnetic sensor elements 4a and 4b are sealed in a package 4 described later, and one surface of the package 4 (that is, that is, the element surface opposite to the magnetic sensitive portion (that is, the portion that detects the magnetic field) is opposed to the substrate 3) is sealed. It is exposed on the bottom). When the package 4 is mounted on the substrate 3, the magnetically sensitive portions of the magnetic sensor elements 4a and 4b are close to the bus bar 2, whereby the magnetic field generated by the current to be measured flowing in the bus bar 2 is generated by the magnetic sensor elements 4a and 4b. It is possible to focus more on the magnetically sensitive portion of the magnet and detect it with a high SN ratio.

信号処理IC4cは、磁気センサ素子4a,4bに対してバイアスを加えたり、磁気センサ素子4a,4bからの出力信号を処理してバスバー2内を電流経路L1に沿って流れる被測定電流の大きさを算出するデバイスである。なお、算出結果は、基板3上の配線パターンを介して外部装置等に出力される。信号処理IC4cは、メモリ、感度補正回路、出力のオフセットを補正するオフセット補正回路、磁気センサ素子4a,4cからの出力信号を増幅する増幅回路、磁気センサ素子4a,4bの出力信号の差分を演算する差分演算回路、温度に応じて出力を補正する温度補正回路等の少なくとも1つを内蔵してもよい。 The signal processing IC 4c applies a bias to the magnetic sensor elements 4a and 4b, processes the output signals from the magnetic sensor elements 4a and 4b, and flows in the bus bar 2 along the current path L1. Is a device that calculates. The calculation result is output to an external device or the like via the wiring pattern on the substrate 3. The signal processing IC 4c calculates the difference between the memory, the sensitivity correction circuit, the offset correction circuit for correcting the output offset, the amplifier circuit for amplifying the output signals from the magnetic sensor elements 4a and 4c, and the output signals of the magnetic sensor elements 4a and 4b. At least one of a difference calculation circuit, a temperature correction circuit that corrects the output according to the temperature, and the like may be built in.

本実施形態では、信号処理IC4cは、磁気センサ素子4a,4bと別個のデバイスとして構成され、例えばワイヤボンディングによって磁気センサ素子4a,4bに接続され、それらとともに後述するパッケージ4内に封止されている。それにより、信号処理IC4cが磁気センサ素子4a,4bと等しい温度下に置かれることで、信号処理IC4cの温度補正回路により温度に応じて磁気センサ素子4a,4bの出力信号を正確に補正することが可能となる。 In the present embodiment, the signal processing IC 4c is configured as a device separate from the magnetic sensor elements 4a and 4b, is connected to the magnetic sensor elements 4a and 4b by wire bonding, for example, and is sealed together with them in a package 4 described later. There is. As a result, the signal processing IC 4c is placed at the same temperature as the magnetic sensor elements 4a and 4b, so that the temperature correction circuit of the signal processing IC 4c accurately corrects the output signals of the magnetic sensor elements 4a and 4b according to the temperature. Is possible.

パッケージ4は、磁気センサ素子4a,4b及び信号処理IC4cをその内部に封止して保護する部材である。パッケージ4は、例えば、エポキシなどの絶縁性に優れた樹脂等のモールド材を用いてモールド成形することで、矩形状の一面(すなわち、上面)及び上面の一辺より小さい厚さを有する直方体状に成形される。本実施形態では一例として、パッケージ4内で、磁気センサ素子4a,4bがそれぞれ横方向の一側(すなわち、図面左側)及び他側(すなわち、図面右側)に、それらの間に信号処理IC4cが配置されている。 The package 4 is a member that seals and protects the magnetic sensor elements 4a and 4b and the signal processing IC 4c inside. The package 4 is molded into a rectangular parallelepiped shape having a thickness smaller than one side of a rectangular shape (that is, the upper surface) and one side of the upper surface by molding using, for example, a molding material such as a resin having excellent insulating properties such as epoxy. It is molded. In the present embodiment, as an example, in the package 4, the magnetic sensor elements 4a and 4b are placed on one side (that is, the left side of the drawing) and the other side (that is, the right side of the drawing) in the lateral direction, respectively, and the signal processing IC 4c is located between them. Have been placed.

パッケージ4は、一例として、リードレスパッケージとする。パッケージ4は、リードフレームの間隙にダイシングテープを設け、その上に感磁部を上に向けて磁気センサ素子4a,4bを載せ、リードフレーム上に信号処理IC4cを載せ、磁気センサ素子4a,4bと信号処理IC4cとリードフレームとをワイヤボンディングにより接続し、これらをモールド材により封止し、適当なサイズ及び形状にダイシングし、そしてダイシングテープを剥がすことで製造される。それにより、磁気センサ素子4a,4bの裏面がパッケージ4の下面に面一に露出し、またリードフレームの少なくとも一部が信号処理IC4cの入出力信号と接続する端子としてパッケージ4の下面に面一に露出するため、パッケージ4の端子を基板3上の配線に接続し、基板3を介してパッケージ4をバスバー2上に搭載することで、磁気センサ素子4a,4bの感磁部をバスバー2に近接することができる。 Package 4 is, for example, a leadless package. In the package 4, a dicing tape is provided in the gap between the lead frames, the magnetic sensor elements 4a and 4b are placed on the dicing tape with the magnetically sensitive portion facing upward, the signal processing IC 4c is placed on the lead frame, and the magnetic sensor elements 4a and 4b are placed. Is manufactured by connecting the signal processing IC 4c and the lead frame by wire bonding, sealing them with a molding material, dicing them to an appropriate size and shape, and peeling off the dicing tape. As a result, the back surfaces of the magnetic sensor elements 4a and 4b are exposed flush with the lower surface of the package 4, and at least a part of the lead frame is flush with the lower surface of the package 4 as terminals for connecting to the input / output signals of the signal processing IC 4c. By connecting the terminals of the package 4 to the wiring on the board 3 and mounting the package 4 on the bus bar 2 via the board 3, the magnetic sensor elements 4a and 4b are attached to the bus bar 2. Can be close.

磁性材料5,6は、被測定電流がバスバー2内を流れることで発生する磁場を磁気センサ素子4a,4bの感磁部に効率良く集束させるための材料である。本実施形態では、磁性材料5,6として、例えばマンガン(Mn−Zn)系又はニッケル(Ni−Zn)系のフェライトを用いて成形されたものを使用する。磁性材料5は、パッケージ4の上面より小さい面積を有する矩形板状に成形され、基板3に対向するパッケージ4の一面(すなわち、下面)に対する他面(すなわち、上面)側で、磁気センサ素子4a,4bに対向して配置される。また、磁性材料6は、磁性材料5と同様に矩形板状に成形され、バスバー2の下面側で、磁気センサ素子4a,4bに対向して配置される。 The magnetic materials 5 and 6 are materials for efficiently focusing the magnetic field generated by the current to be measured flowing in the bus bar 2 on the magnetically sensitive portions of the magnetic sensor elements 4a and 4b. In the present embodiment, as the magnetic materials 5 and 6, those formed by using, for example, manganese (Mn-Zn) -based or nickel (Ni-Zn) -based ferrite are used. The magnetic material 5 is formed into a rectangular plate having an area smaller than the upper surface of the package 4, and is on the other surface (that is, the upper surface) side of the package 4 facing the substrate 3 from one surface (that is, the lower surface) of the magnetic sensor element 4a. , 4b are arranged to face each other. Further, the magnetic material 6 is formed into a rectangular plate shape like the magnetic material 5, and is arranged on the lower surface side of the bus bar 2 so as to face the magnetic sensor elements 4a and 4b.

なお、磁性材料5,6は、いずれも、パッケージ4内の磁気センサ素子4a,4bのそれぞれの上面又は下面を含む1つの大きな矩形状に成形し、それぞれの上面又は下面をともに覆うように配置することとしたが、これに限らず、磁気センサ素子4a,4bの上面又は下面をそれぞれ含む複数の矩形状に成形して、それぞれの上面又は下面を個別に覆うように配置することとしてもよい。また、磁性材料5,6は、磁気センサ素子4a,4bの感磁部に集束する磁場が飽和しない程度の大きさ及び形状に成形することとしてもよいし、磁場が十分に集束する場合には磁性材料5,6の少なくとも一方を設けなくてよい。 The magnetic materials 5 and 6 are all formed into one large rectangular shape including the upper surface or the lower surface of each of the magnetic sensor elements 4a and 4b in the package 4, and are arranged so as to cover both the upper surface or the lower surface. However, the present invention is not limited to this, and the magnetic sensor elements 4a and 4b may be formed into a plurality of rectangular shapes including the upper surface or the lower surface thereof, and may be arranged so as to individually cover the upper surface or the lower surface of each. .. Further, the magnetic materials 5 and 6 may be formed into a size and shape so that the magnetic field focused on the magnetically sensitive portions of the magnetic sensor elements 4a and 4b is not saturated, or when the magnetic field is sufficiently focused. It is not necessary to provide at least one of the magnetic materials 5 and 6.

絶縁部材7は、バスバー2と基板3との間の耐圧を増強するための絶縁製部材である。本実施形態では、絶縁部材7として、例えばポリイミドを用いてシート状に成形されたものを使用する。絶縁部材7により、基板3上に設けられる磁気センサ素子4a,4b等のバスバー2に対する絶縁耐性が向上する。 The insulating member 7 is an insulating member for increasing the withstand voltage between the bus bar 2 and the substrate 3. In the present embodiment, the insulating member 7 is formed into a sheet using, for example, polyimide. The insulating member 7 improves the dielectric strength of the magnetic sensor elements 4a, 4b and the like provided on the substrate 3 against the bus bar 2.

絶縁部材8は、バスバー2と磁性材料6との間に設けられる絶縁性の部材である。本実施形態では、絶縁部材8は、一例としてポリイミドを用いてシート状に成形されたものを使用する。絶縁部材8により、特に磁性材料6が導体である場合にこれを介して短絡することなく、被測定電流を、バスバー2内を電流経路L1に沿って流すことができる。 The insulating member 8 is an insulating member provided between the bus bar 2 and the magnetic material 6. In the present embodiment, the insulating member 8 is formed into a sheet using polyimide as an example. The insulating member 8 allows the current to be measured to flow along the current path L1 in the bus bar 2 without causing a short circuit, particularly when the magnetic material 6 is a conductor.

図2は、バスバー2上のスリット2a,2bの配置及び電流経路L1内の偏向区間La,Lbの配置の詳細を示す。スリット2a,2bは、先述のとおり、各2つのスリットを含む。各2つのスリット2a,2bは、横方向に交互に並び、それぞれバスバー2の縦方向の異なる外縁(すなわち、下側及び上側外縁)から内側(すなわち、偏向区間La,Lb)に向かって縦方向に延びて形成されている。 FIG. 2 shows the details of the arrangement of the slits 2a and 2b on the bus bar 2 and the arrangement of the deflection sections La and Lb in the current path L1. As described above, the slits 2a and 2b include two slits each. The two slits 2a and 2b are arranged alternately in the horizontal direction, respectively, in the vertical direction from different outer edges (that is, lower and upper outer edges) of the bus bar 2 in the vertical direction toward the inside (that is, the deflection sections La and Lb). It is formed by extending to.

各2つのスリット2a,2bはバスバー2の縦方向の幅の2分の1より大きい長さを有し、2つのスリット2aはバスバー2の両端に形成された2つの開口2dを結ぶ直線L0を図面下側から上側に超え、2つのスリット2bは直線L0を図面上側から下側に超えることとなる。それにより、電流経路L1は、各2つのスリット2a,2bのそれぞれの先端を避けてバスバー2上を蛇行して、2つの開口2dの間を結ぶ。つまり、電流経路L1は、図面左側の開口2dから、左側のスリット2bの先端を避けて直線L0の下側から上側に向きを変え、左側のスリット2aの先端を避けて直線L0の上側から下側に向きを変え、右側のスリット2bの先端を避けて直線L0の下側から上側に向きを変え、そして右側のスリット2aの先端を避けて向きを変えて右側の開口2dに達する。ここで、左側のスリット2aにより、その先端の周囲に、縦方向を下向きに向きを変える偏向区間Laが形成される。また、右側のスリット2bにより、その先端の周囲に、縦方向を上向きに向きを変える偏向区間Laが形成される。 Each of the two slits 2a and 2b has a length larger than half the vertical width of the bus bar 2, and the two slits 2a form a straight line L0 connecting the two openings 2d formed at both ends of the bus bar 2. The two slits 2b extend from the lower side to the upper side of the drawing and extend the straight line L0 from the upper side to the lower side of the drawing. As a result, the current path L1 meanders on the bus bar 2 while avoiding the tips of the two slits 2a and 2b, respectively, and connects the two openings 2d. That is, the current path L1 turns from the lower side to the upper side of the straight line L0 from the opening 2d on the left side of the drawing, avoiding the tip of the slit 2b on the left side, and from the upper side to the lower side of the straight line L0 avoiding the tip of the slit 2a on the left side. Turn to the side, avoid the tip of the slit 2b on the right side and turn from the bottom to the top of the straight line L0, and avoid the tip of the slit 2a on the right side and turn to reach the opening 2d on the right side. Here, the slit 2a on the left side forms a deflection section La that changes its direction downward in the vertical direction around the tip thereof. Further, the slit 2b on the right side forms a deflection section La that changes the direction in the vertical direction upward around the tip thereof.

上述のとおり、それぞれバスバー2の異なる外縁から内側に延びる各2つのスリット2a,2bがバスバー2上で横方向に交互に並び、それぞれの先端が2つの開口2dを結ぶ直線を超えることで、2つの偏向区間La,Lbが横方向に連なって並んで電流経路L1内に直列に含まれることとなる。従って、被測定電流がバスバー2内を電流経路L1に沿って左側の開口2dから右側の開口2dに流れると、電流経路L1内に直列に含まれる2つの偏向区間La,Lbをそれぞれ流れることとなり、それぞれの区間の内側に被測定電流の量に対応する強さの磁場をそれぞれ発生する。 As described above, the two slits 2a and 2b extending inward from the different outer edges of the bus bar 2 are arranged alternately in the horizontal direction on the bus bar 2, and the tips of the slits cross the straight line connecting the two openings 2d. The two deflection sections La and Lb are arranged side by side in the horizontal direction and are included in series in the current path L1. Therefore, when the current to be measured flows in the bus bar 2 along the current path L1 from the left opening 2d to the right opening 2d, it flows through the two deflection sections La and Lb included in series in the current path L1, respectively. , A magnetic field with a strength corresponding to the amount of current to be measured is generated inside each section.

このとき、2つの偏向区間La,Lbは電流経路L1の向きを互いに異なる方向に変えるため、被測定電流が偏向区間Laを上面視において時計回りに流れることでその内側にバスバー2の上面に対して垂直な方向、すなわち高さ方向について下向きの磁場が発生し、偏向区間Lbを上面視において反時計回りに流れることでその内側に高さ方向について上向きの磁場が発生する。そこで、バスバー2の上面上に基板3を介して設けられた磁気センサ素子4a,4bによりそれぞれ偏向区間La,Lbの内側に発生する互いに逆向きの磁場を検出し、信号処理IC4cにより磁気センサ素子4a,4bの出力信号の差分を算出することで、電流センサ1外から入る外部磁場に由来するノイズが相殺されるとともに、磁気センサ素子4a,4bの一方の出力信号のみを用いる場合と比較して約2倍の感度で被測定電流の大きさを測定することができる。なお、電流センサ1は、約2倍の感度を有するので、比較的小さい被測定電流を測定することができる。 At this time, since the two deflection sections La and Lb change the directions of the current paths L1 in different directions, the current to be measured flows clockwise in the deflection section La when viewed from above, so that the current flows inside the deflection section La with respect to the upper surface of the bus bar 2. A downward magnetic field is generated in the vertical direction, that is, in the height direction, and flows counterclockwise in the deflection section Lb when viewed from above, so that an upward magnetic field is generated in the height direction inside the deflection section Lb. Therefore, the magnetic sensor elements 4a and 4b provided on the upper surface of the bus bar 2 via the substrate 3 detect the magnetic fields in opposite directions generated inside the deflection sections La and Lb, respectively, and the signal processing IC 4c detects the magnetic field elements in opposite directions. By calculating the difference between the output signals of 4a and 4b, the noise derived from the external magnetic field entering from outside the current sensor 1 is canceled out, and compared with the case where only one of the output signals of the magnetic sensor elements 4a and 4b is used. The magnitude of the current to be measured can be measured with about twice the sensitivity. Since the current sensor 1 has about twice the sensitivity, it can measure a relatively small current to be measured.

なお、本実施形態に係る電流センサ1では、電流経路L1が結ばれる2つの開口2dがバスバー2の縦方向の中央に形成されていることから、各2つのスリット2a,2bはバスバー2の縦方向の幅の2分の1より大きい長さを有することとしたが、2つの開口2dはバスバー2上の縦方向の任意の位置に形成してよく、これに対応して、スリット2a,2bは、和がバスバー2の縦方向の幅より大きく、それぞれの先端が直線L0を超える長さを有することとしてもよい。それにより、電流経路L1は、各2つのスリット2a,2bのそれぞれの先端を避けてバスバー2上を蛇行し、縦方向を互いに異なる方向に向きを変える偏向区間La,Lbを横方向に並んで含んで、2つの開口2dの間を結ぶ。 In the current sensor 1 according to the present embodiment, since the two openings 2d to which the current path L1 is connected are formed in the center of the bus bar 2 in the vertical direction, the two slits 2a and 2b are the vertical directions of the bus bar 2. Although it is decided to have a length larger than half of the width in the direction, the two openings 2d may be formed at arbitrary positions in the vertical direction on the bus bar 2, and correspondingly, the slits 2a and 2b may be formed. May have a sum larger than the vertical width of the bus bar 2 and each tip having a length exceeding the straight line L0. As a result, the current path L1 meanders on the bus bar 2 while avoiding the tips of the two slits 2a and 2b, and the deflection sections La and Lb that change their vertical directions in different directions are arranged in the horizontal direction. Including, it connects between the two openings 2d.

なお、本実施形態に係る電流センサ1では、それぞれバスバー2の異なる外縁から内側に延びる各2つのスリット2a,2bをバスバー2上で横方向に交互に並べることで互いに異なる方向に向きを変える2つの偏向区間La,Lbを設けた。ここで、バスバー2の上側外縁から内側に延びる2つのスリット2bの先端の間にバスバー2の下側外縁から内側に延びる左側のスリット2aの先端を配置したことで、スリット2aの先端の周囲に形成される偏向区間Laが小さい曲率で向きを変えることとなる。同様に、バスバー2の下側外縁から内側に延びる2つのスリット2aの先端の間にバスバー2の上側外縁から内側に延びる右側のスリット2bの先端を配置したことで、スリット2bの先端の周囲に形成される偏向区間Lbが小さい曲率で向きを変えることとなる。それにより、被測定電流が偏向区間La,Lbに流れると、それらの内側に強い磁場が発生することとなる。 In the current sensor 1 according to the present embodiment, the two slits 2a and 2b extending inward from the different outer edges of the bus bar 2 are alternately arranged in the horizontal direction on the bus bar 2 to change their orientations in different directions2. Two deflection sections La and Lb were provided. Here, by arranging the tip of the left slit 2a extending inward from the lower outer edge of the bus bar 2 between the tips of the two slits 2b extending inward from the upper outer edge of the bus bar 2, the tip of the left slit 2a extending inward from the lower outer edge of the bus bar 2 is arranged around the tip of the slit 2a. The formed deflection section La changes its direction with a small curvature. Similarly, by arranging the tip of the right slit 2b extending inward from the upper outer edge of the bus bar 2 between the tips of the two slits 2a extending inward from the lower outer edge of the bus bar 2, the tip of the slit 2b extends around the tip of the slit 2b. The formed deflection section Lb changes its direction with a small curvature. As a result, when the current to be measured flows in the deflection sections La and Lb, a strong magnetic field is generated inside them.

なお、各2つのスリット2a,2bのそれぞれの横方向の離間距離を調整することで、磁気センサ素子4a,4bにより検出する磁場の強度を調整し、被測定電流の検出感度を調整してもよい。例えば、磁気センサ素子4a,4bにより検出する磁場を強くして検出感度を向上するために、各2つのスリット2a,2bのそれぞれの横方向の離間距離を小さくして偏向区間La,Lbの曲率を小さくしてもよい。また、磁気センサ素子4a,4bにより検出する磁場を弱くして検出感度の飽和を回避するために、各2つのスリット2a,2bのそれぞれの横方向の離間距離を大きくして偏向区間La,Lbの曲率を大きくしてもよい。また、各2つのスリット2a,2bのそれぞれの横方向の離間距離を調整することに代えて又は併せて、各2つのスリット2a,2bの長さ及び幅を調整してもよい。 By adjusting the lateral separation distance of each of the two slits 2a and 2b, the strength of the magnetic field detected by the magnetic sensor elements 4a and 4b can be adjusted, and the detection sensitivity of the measured current can be adjusted. good. For example, in order to strengthen the magnetic field detected by the magnetic sensor elements 4a and 4b and improve the detection sensitivity, the lateral separation distances of the two slits 2a and 2b are reduced to reduce the curvatures of the deflection sections La and Lb. May be reduced. Further, in order to weaken the magnetic field detected by the magnetic sensor elements 4a and 4b and avoid saturation of the detection sensitivity, the lateral separation distances of the two slits 2a and 2b are increased to increase the deflection sections La and Lb. The curvature of may be increased. Further, the length and width of the two slits 2a and 2b may be adjusted instead of or in combination with adjusting the lateral separation distances of the two slits 2a and 2b.

なお、本実施形態に係る電流センサ1では、各2つのスリット2a,2bをバスバー2上で横方向に交互に並べて横方向に並ぶ2つの偏向区間La,Lbを形成したが、これに代えて、2つのスリット2b及びそれらの先端の間に先端を配置するスリット2aをバスバー2上で横方向に交互に並べて1つの偏向区間Laのみを形成してもよいし、2つのスリット2a及びそれらの先端の間に先端を配置するスリット2bをバスバー2上で横方向に交互に並べることで1つの偏向区間Lbのみを形成してもよいし、2つのスリット2b及びそれらの先端の間に先端を配置するスリット2aをバスバー2上で横方向に交互に並べるとともに、別の2つのスリット2a及びそれらの先端の間に先端を配置する別のスリット2bをバスバー2上で横方向に交互に並べることで2つの偏向区間La,Lbを形成してもよい。 In the current sensor 1 according to the present embodiment, the two slits 2a and 2b are arranged alternately in the horizontal direction on the bus bar 2 to form two deflection sections La and Lb arranged in the horizontal direction. The two slits 2b and the slits 2a having the tips arranged between the tips thereof may be arranged alternately in the horizontal direction on the bus bar 2 to form only one deflection section La, or the two slits 2a and their tips may be formed. Only one deflection section Lb may be formed by alternately arranging the slits 2b for arranging the tips between the tips in the horizontal direction on the bus bar 2, or the tips may be formed between the two slits 2b and their tips. The slits 2a to be arranged are arranged alternately in the horizontal direction on the bus bar 2, and another two slits 2a and another slit 2b in which the tip is arranged between the tips thereof are arranged alternately in the horizontal direction on the bus bar 2. May form two deflection sections La and Lb.

図3A及び図3Bは、電流センサ1を外部装置(不図示)の出力端子10に接続した状態を示す。ここで、図3Aは電流センサ1の接続状態を上面視において示し、図3Bは、図3Aの基準線BBに関する断面において電流センサ1の接続状態を示す。外部装置は、例えば車載装置、産業機械等の比較的大きな電流を流し得る装置であり、2つの出力端子10間に被測定電流を流すものとする。2つの出力端子10は、例えば銅、アルミニウム等の金属により、互いに対向する先端の中央に各1つの開口10dを有する板状に成形されている。 3A and 3B show a state in which the current sensor 1 is connected to the output terminal 10 of an external device (not shown). Here, FIG. 3A shows the connected state of the current sensor 1 in a top view, and FIG. 3B shows the connected state of the current sensor 1 in the cross section with respect to the reference line BB of FIG. 3A. The external device is a device capable of passing a relatively large current such as an in-vehicle device or an industrial machine, and a current to be measured is passed between the two output terminals 10. The two output terminals 10 are formed of a metal such as copper or aluminum into a plate shape having one opening 10d at the center of the tips facing each other.

電流センサ1は、固定具9を用いて外部装置に固定することができる。本実施形態では、固定具9として、2組のボルト及びナットを使用する。電流センサ1を、パッケージ4等を搭載する基板3を2つの出力端子10の間に配して、バスバー2の両端をそれぞれ2つの出力端子10に下側から当接する。それにより、バスバー2の2つの開口2dが2つの出力端子10の開口10dにそれぞれ連通する。そして、2つの出力端子10の開口10dにそれぞれ上側からナットを挿入し、バスバー2の2つの開口2dの下側にそれぞれ配したナットに通す。それにより、電流センサ1が、2つの出力端子10間に固定される。 The current sensor 1 can be fixed to an external device by using the fixture 9. In this embodiment, two sets of bolts and nuts are used as the fixture 9. The current sensor 1 is arranged by arranging the substrate 3 on which the package 4 or the like is mounted between the two output terminals 10, and both ends of the bus bar 2 are brought into contact with the two output terminals 10 from below. As a result, the two openings 2d of the bus bar 2 communicate with the openings 10d of the two output terminals 10, respectively. Then, nuts are inserted into the openings 10d of the two output terminals 10 from above, and passed through the nuts arranged below the two openings 2d of the bus bar 2. As a result, the current sensor 1 is fixed between the two output terminals 10.

本実施形態に係る電流センサ1の製造方法について説明する。 A method of manufacturing the current sensor 1 according to the present embodiment will be described.

まず、図4A及び図4Bに示すように、導体板をプレス加工、エッチング、削り出し等の方法により加工してバスバー2を成形する。ここで、バスバー2は、横方向を長手とする矩形状を有し、横方向の両端に各1つの開口2d及びそれぞれ縦方向の下側及び上側外縁から内側に向かって縦方向に延びる各2つのスリット2a,2bを含む。 First, as shown in FIGS. 4A and 4B, the conductor plate is processed by a method such as press working, etching, or shaving to form the bus bar 2. Here, the bus bar 2 has a rectangular shape having a longitudinal direction in the horizontal direction, one opening 2d at each end in the horizontal direction, and two each extending in the vertical direction from the lower and upper outer edges in the vertical direction to the inside. Includes two slits 2a, 2b.

次に、図5A及び図5Bに示すように、バスバー2の一面(すなわち、上面)上に絶縁部材7を介して基板3を固定する。基板3及び絶縁部材7は、粘着層等を介してバスバー2の上面に貼り付けることができる。ここで、基板3を構成する本体部3aは、バスバー2に形成されたスリット2a,2bの少なくとも一部、特に先端側の部分の上方を覆い、延伸部3bは、本体部3aに接続する基端を除いて、バスバー2の上面に固定されることなくその外に突出する。なお、基板3のみで十分な絶縁性が得られる場合、絶縁部材7を設けなくてもよい。 Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, the substrate 3 is fixed on one surface (that is, the upper surface) of the bus bar 2 via the insulating member 7. The substrate 3 and the insulating member 7 can be attached to the upper surface of the bus bar 2 via an adhesive layer or the like. Here, the main body portion 3a constituting the substrate 3 covers at least a part of the slits 2a and 2b formed in the bus bar 2, particularly above the tip end side portion, and the extending portion 3b is a base connected to the main body portion 3a. Except for the end, it protrudes out of the bus bar 2 without being fixed to the upper surface. If sufficient insulating properties can be obtained only with the substrate 3, the insulating member 7 may not be provided.

次に、図6A及び図6Bに示すように、磁気センサ素子4a,4b及び信号処理IC4cを内部に封止したパッケージ4を基板3上に実装する。それにより、磁気センサ素子4a,4bは、それぞれ、電流経路L1に含まれる偏向区間La,Lbの内側であり、偏向区間La,Lbをそれぞれ形成するスリット2a,2bの先端内側に対応する基板3上の位置に配置される。 Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, the package 4 in which the magnetic sensor elements 4a and 4b and the signal processing IC 4c are sealed inside is mounted on the substrate 3. As a result, the magnetic sensor elements 4a and 4b are inside the deflection sections La and Lb included in the current path L1, respectively, and the substrate 3 corresponding to the inside of the tips of the slits 2a and 2b forming the deflection sections La and Lb, respectively. It is placed in the upper position.

最後に、電流センサ1の感度をさらに高める必要がある場合、図1A及び図1Bに示すように、磁性材料5をパッケージ4の上面上に平面視において磁気センサ素子4a,4bの上面を覆うように配置するとともに、磁性材料6をバスバー2の下面上に絶縁部材8を介して平面視において磁気センサ素子4a,4bの下面を覆うように配置する。これにより、電流センサ1が完成する。 Finally, when it is necessary to further increase the sensitivity of the current sensor 1, as shown in FIGS. 1A and 1B, the magnetic material 5 is placed on the upper surface of the package 4 so as to cover the upper surfaces of the magnetic sensor elements 4a and 4b in a plan view. The magnetic material 6 is arranged on the lower surface of the bus bar 2 via the insulating member 8 so as to cover the lower surfaces of the magnetic sensor elements 4a and 4b in a plan view. As a result, the current sensor 1 is completed.

なお、本実施形態に係る電流センサ1では、磁性材料6を矩形板状に成形して、バスバー2の下面側で磁気センサ素子4a,4bに対向して配置したが、これに限らず、例えば、磁性材料をバスバー2に形成されたスリット2a,2b内に設けてもよい。 In the current sensor 1 according to the present embodiment, the magnetic material 6 is formed into a rectangular plate shape and arranged on the lower surface side of the bus bar 2 so as to face the magnetic sensor elements 4a and 4b. , The magnetic material may be provided in the slits 2a and 2b formed in the bus bar 2.

図7Aは、本実施形態に係る電流センサ1における磁性材料6の別の例、すなわち磁性材料6a,6bを示す。磁性材料6a,6bは、それぞれ、バスバー2に成形された各2つのスリット2a,2bのうちの左側のスリット2a及び右側のスリット2bの先端の空間内にそれぞれ埋設されて、基板3上に支持された磁気センサ素子4a,4bに対向して配置される。磁性材料6a,6bは、バスバー2のスリット2a,2b内に埋設することから、非導電性材料、例えば抵抗の大きいニッケル系のフェライトを用いて成形されたものを使用する。これにより、電流経路L1が磁性材料6a,6bを介して短絡することなく、被測定電流がバスバー2内を流れることで発生する磁場を磁気センサ素子4a,4bの感磁部に集束することで、また磁性材料6a,6bと磁性材料5とを組み合わせて用いることで磁気センサ素子4a,4bが磁性体により挟まれる配置となり、より多くの磁場がそれぞれの感磁部を垂直に貫くことで、高い感度で磁場を検出することができる。 FIG. 7A shows another example of the magnetic material 6 in the current sensor 1 according to the present embodiment, that is, the magnetic materials 6a and 6b. The magnetic materials 6a and 6b are embedded in the space at the tip of the left slit 2a and the right slit 2b of the two slits 2a and 2b formed in the bus bar 2, respectively, and supported on the substrate 3. It is arranged so as to face the magnetic sensor elements 4a and 4b. Since the magnetic materials 6a and 6b are embedded in the slits 2a and 2b of the bus bar 2, a non-conductive material, for example, a material formed by using a nickel-based ferrite having a large resistance is used. As a result, the magnetic field generated by the current to be measured flowing in the bus bar 2 is focused on the magnetic sensitive portions of the magnetic sensor elements 4a and 4b without short-circuiting the current path L1 via the magnetic materials 6a and 6b. In addition, by using the magnetic materials 6a and 6b and the magnetic material 5 in combination, the magnetic sensor elements 4a and 4b are arranged to be sandwiched by the magnetic material, and more magnetic field penetrates each magnetic sensitive portion vertically. The magnetic field can be detected with high sensitivity.

なお、磁性材料6a,6bの厚み(バスバー2の厚みに等しい)が磁性材料6の長さ(スリット2a,2bの離間距離及び磁気センサ素子4a,4bの離間距離に等しい)の2分の1に等しい場合、磁性材料6a,6bによる磁場の検出感度の向上は磁性材料6による感度の向上の程度に等しく、また大きい場合、磁性材料6a,6bによる磁場の検出感度の向上は磁性材料6による感度の向上の程度より良好となる。 The thickness of the magnetic materials 6a and 6b (equal to the thickness of the bus bar 2) is one half of the length of the magnetic material 6 (equal to the separation distance of the slits 2a and 2b and the separation distance of the magnetic sensor elements 4a and 4b). If it is equal to, the improvement of the magnetic field detection sensitivity by the magnetic materials 6a and 6b is equal to the degree of the improvement of the sensitivity by the magnetic material 6, and if it is large, the improvement of the magnetic field detection sensitivity by the magnetic materials 6a and 6b is due to the magnetic material 6. It is better than the degree of improvement in sensitivity.

図7Bは、本実施形態に係る電流センサ1における磁性材料6のさらに別、すなわち磁性材料6cを示す。磁性材料6cは、平板部及び立設部を有する。平板部は、磁性材料6と同様に、矩形板状に成形され、バスバー2の下面側で磁気センサ素子4a,4bに対向して配置される。立設部は、平板部の横方向の両端上に立設し、磁性材料6a,6bと同様に、バスバー2に成形された各2つのスリット2a,2bのうちの左側のスリット2a及び右側のスリット2bの先端の空間内にそれぞれ挿入されて、基板3上に支持された磁気センサ素子4a,4bに対向して配置される。磁性材料6cは、立設部をバスバー2のスリット2a,2b内に配置することから、非導電性材料、例えば抵抗の大きいニッケル系のフェライトを用いて成形されたものを使用する。これにより、電流経路L1が磁性材料6cを介して短絡することなく、また小さいエアギャップにより、被測定電流がバスバー2内を流れることで発生する磁場を磁気センサ素子4a,4bの感磁部により多く集束するとともに垂直に入れることで、高い感度で磁場を検出することができる。 FIG. 7B shows yet another type of the magnetic material 6 in the current sensor 1 according to the present embodiment, that is, the magnetic material 6c. The magnetic material 6c has a flat plate portion and an upright portion. Similar to the magnetic material 6, the flat plate portion is formed into a rectangular plate shape and is arranged on the lower surface side of the bus bar 2 so as to face the magnetic sensor elements 4a and 4b. The erection portion is erected on both ends in the lateral direction of the flat plate portion, and like the magnetic materials 6a and 6b, the left side slit 2a and the right side of the two slits 2a and 2b formed in the bus bar 2 are formed. They are inserted into the space at the tip of the slit 2b, respectively, and are arranged so as to face the magnetic sensor elements 4a and 4b supported on the substrate 3. As the magnetic material 6c, since the standing portion is arranged in the slits 2a and 2b of the bus bar 2, a non-conductive material, for example, a material formed by using a nickel-based ferrite having a large resistance is used. As a result, the magnetic field generated by the current to be measured flowing in the bus bar 2 due to the small air gap without short-circuiting the current path L1 via the magnetic material 6c is generated by the magnetic sensitive portions of the magnetic sensor elements 4a and 4b. The magnetic field can be detected with high sensitivity by focusing a lot and putting it vertically.

本実施形態に係る電流センサ1では、バスバー2に、それぞれ縦方向の下側及び上側外縁から内側に向かって縦方向に延びるとともに横方向に交互に並ぶ各2つのスリット2a,2bを設けることで、各2つのスリット2a,2bのうちの左側のスリット2a及び右側のスリット2bの先端の周囲に偏向区間La,Lbを形成し、これらを横方向に並べて電流経路L1内に直列に含める構成を採用したが、これに限らず、偏向区間La,Lbを縦方向に並べて電流経路内に並列に含む構成を採用してもよい。 In the current sensor 1 according to the present embodiment, the bus bar 2 is provided with two slits 2a and 2b, which extend vertically inward from the lower and upper outer edges in the vertical direction and are alternately arranged in the horizontal direction, respectively. , A configuration in which deflection sections La and Lb are formed around the tips of the left slit 2a and the right slit 2b of the two slits 2a and 2b, and these are arranged in the horizontal direction and included in series in the current path L1. Although adopted, the present invention is not limited to this, and a configuration in which the deflection sections La and Lb are arranged in the vertical direction and included in parallel in the current path may be adopted.

図8A及び図8Bは、変形例に係る電流センサ11の構成を示す。ここで、図8Aは電流センサ11の構成を上面視において示し、図8Bは、図8Aの基準線BBに関する電流センサ11の内部構成を示す。電流センサ11は、バスバー12、基板3、磁気センサ素子4a,4b、信号処理IC4c、パッケージ4、磁性材料5,6、及び絶縁部材7,8を備える。電流センサ11は、先の実施形態に係る電流センサ1に対してバスバー12の構成、これに対応して磁気センサ素子4a,4bの配置が異なる。そこで、電流センサ11の構成各部のうち、先の実施形態に係る電流センサ1と同一又は対応する部分については、同一の符号を付するとともに、その詳細説明を省略する。 8A and 8B show the configuration of the current sensor 11 according to the modified example. Here, FIG. 8A shows the configuration of the current sensor 11 in a top view, and FIG. 8B shows the internal configuration of the current sensor 11 with respect to the reference line BB of FIG. 8A. The current sensor 11 includes a bus bar 12, a substrate 3, magnetic sensor elements 4a and 4b, a signal processing IC 4c, a package 4, magnetic materials 5 and 6, and insulating members 7 and 8. The current sensor 11 has a different configuration of the bus bar 12 from the current sensor 1 according to the previous embodiment, and correspondingly, the arrangement of the magnetic sensor elements 4a and 4b is different. Therefore, among the constituent parts of the current sensor 11, the parts that are the same as or correspond to the current sensor 1 according to the previous embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

バスバー12は、被測定電流が流れる導体板の一例である。ここで、被測定電流は、バスバー12上で縦方向に並び、横方向の一側から他側に延びて2つの開口2dの間を結ぶ2つの経路(電流経路とも呼ぶ)L21,L22に沿って分かれて流れる。本変形例では、一例として、被測定電流は、バスバー12上を横方向の左側から右側に流れる直流とする。バスバー12は、先の実施形態に係るバスバー2と同様に、大きな電流を流すために基板3より大きな厚み(例えば、1.0mm以上)を有するとともに、電流が流れることで発生する熱を効率良く放出するために、例えば銅、アルミニウム等の熱伝導率の高い金属を用いて大きな表面を有する板状に成形される。バスバー12は、一例として横方向を長手とする矩形状に、開口12d及びスリット12a,12b,12cを含んで成形される。 The bus bar 12 is an example of a conductor plate through which a current to be measured flows. Here, the currents to be measured are arranged vertically on the bus bar 12 along two paths (also referred to as current paths) L21 and L22 extending from one side in the horizontal direction to the other side and connecting between the two openings 2d. It flows separately. In this modification, as an example, the current to be measured is a direct current flowing from the left side to the right side in the horizontal direction on the bus bar 12. Similar to the bus bar 2 according to the previous embodiment, the bus bar 12 has a thickness larger than that of the substrate 3 (for example, 1.0 mm or more) in order to allow a large current to flow, and efficiently dissipates heat generated by the flow of the current. In order to release it, it is formed into a plate having a large surface using a metal having high thermal conductivity such as copper and aluminum. As an example, the bus bar 12 is formed in a rectangular shape having a longitudinal direction in the lateral direction, including an opening 12d and slits 12a, 12b, 12c.

開口12dは、バスバー12の横方向の両端に各1つ、縦方向の中央に形成される。これにより、図3A及び図3Bを用いて説明したように、固定具9を用いて、電流センサ11を、被測定電流を出力する外部装置の出力端子に固定することができる。なお、開口2dは、バスバー12の両端に各1つ形成するに限らず、両端に各2以上形成してもよい。 One opening 12d is formed at both ends of the bus bar 12 in the horizontal direction, and one opening 12d is formed in the center in the vertical direction. Thereby, as described with reference to FIGS. 3A and 3B, the current sensor 11 can be fixed to the output terminal of the external device that outputs the measured current by using the fixture 9. The opening 2d is not limited to one formed at both ends of the bus bar 12, and two or more openings 2d may be formed at both ends.

スリット12a,12b,12cは、バスバー12に形成される少なくとも1つのスリットの一例であり、これによりバスバー12上で横方向に延びる電流経路L21,L22の少なくとも一部に電流が流れる向きが変わる区間(偏向区間と呼ぶ)La,Lbが設けられる。スリット12a,12bは、それぞれバスバー12の縦方向の下側及び上側外縁から内側に向かって少なくとも先端側の部分が横方向に交差する方向に平行な直線に沿って延びる。スリット12cは、バスバー12の内側に閉じて形成された2つのスリット12cを含み、それぞれスリット12a,12bに対して横方向の一側及び他側に位置して、スリット12a,12bの先端の間の部分を横方向に挟むようにそれぞれ横方向に交差する方向に延びる。それにより、スリット12a,12bの先端の周囲に電流経路L21,L22にそれぞれ含まれる偏向区間La,Lbが形成され、バスバー12の表面積を大きく設けて放熱性を維持しつつ電流経路L21,L22を横方向以外に向けることができる。つまり、被測定電流をバスバー12内を横方向以外の方向に向けて流すことができる。 The slits 12a, 12b, and 12c are examples of at least one slit formed in the bus bar 12, and thereby, a section in which the direction in which the current flows changes in at least a part of the current paths L21 and L22 extending in the lateral direction on the bus bar 12. La and Lb (called a deflection section) are provided. The slits 12a and 12b extend along a straight line parallel to the direction in which at least the tip end side intersects in the lateral direction from the lower and upper outer edges in the vertical direction of the bus bar 12, respectively. The slit 12c includes two slits 12c formed to be closed inside the bus bar 12, and is located on one side and the other side in the lateral direction with respect to the slits 12a and 12b, respectively, between the tips of the slits 12a and 12b. Extend in the direction of intersecting each other in the lateral direction so as to sandwich the portion in the lateral direction. As a result, deflection sections La and Lb included in the current paths L21 and L22 are formed around the tips of the slits 12a and 12b, respectively, and the current paths L21 and L22 are provided while maintaining heat dissipation by providing a large surface area of the bus bar 12. It can be turned in a direction other than the horizontal direction. That is, the current to be measured can flow in the bus bar 12 in a direction other than the lateral direction.

なお、横方向に交差する方向は、本変形例では横方向に直交する縦方向とするが、これに限らず、上述のスリット12a,12b,12c及び偏向区間La,Lbの相対的な配置を維持する限りにおいて、横方向に交差する任意の方向であってよい。また、スリット12a,12b,12cのそれぞれについて、横方向に交差する方向は縦方向であってもよいし、互いに異なる横方向以外の任意の方向であってもよい。 The direction of intersection in the horizontal direction is the vertical direction orthogonal to the horizontal direction in this modification, but is not limited to this, and the relative arrangement of the slits 12a, 12b, 12c and the deflection sections La, Lb described above is not limited to this. As long as it is maintained, it may be in any direction that intersects laterally. Further, for each of the slits 12a, 12b, and 12c, the directions in which they intersect in the lateral direction may be the vertical direction, or may be arbitrary directions other than the lateral directions different from each other.

磁気センサ素子4a,4bは、バスバー12内を流れる電流により生じる磁場を検出するセンサであり、先の実施形態に係る磁気センサ素子4a,4bと同様に、信号処理IC4cとともにパッケージ4内に封止されている。ただし、磁気センサ素子4a,4bは、それぞれ、偏向区間La,Lbに対応する基板3上の位置に設けられる。ここで、偏向区間La,Lbに対応する位置は、上面視において、電流経路L21,L22の向きが変わる偏向区間La,Lbの内側の位置であり、本実施形態では一例として、偏向区間La,Lbをそれぞれ形成するスリット12a,12bの先端内側の位置とする。それにより、被測定電流がバスバー12内を電流経路L21,L22に沿って分かれて流れる際に、偏向区間La,Lbをそれぞれ流れる電流により高さ方向を向く磁場が発生し、これらの磁場を、バスバー12の上面上に基板3を介して偏向区間La,Lbの内側にそれぞれ設けられる磁気センサ素子4a,4bにより検出することで、被測定電流の大きさを測定することができる。 The magnetic sensor elements 4a and 4b are sensors that detect a magnetic field generated by a current flowing in the bus bar 12, and are sealed in the package 4 together with the signal processing IC 4c as in the magnetic sensor elements 4a and 4b according to the previous embodiment. Has been done. However, the magnetic sensor elements 4a and 4b are provided at positions on the substrate 3 corresponding to the deflection sections La and Lb, respectively. Here, the positions corresponding to the deflection sections La and Lb are the positions inside the deflection sections La and Lb in which the directions of the current paths L21 and L22 change in the top view. The positions are located inside the tips of the slits 12a and 12b that form Lb, respectively. As a result, when the current to be measured flows separately along the current paths L21 and L22 in the bus bar 12, a magnetic field directed in the height direction is generated by the currents flowing in the deflection sections La and Lb, respectively, and these magnetic fields are generated. The magnitude of the current to be measured can be measured by detecting with magnetic sensor elements 4a and 4b provided on the upper surface of the bus bar 12 via the substrate 3 inside the deflection sections La and Lb, respectively.

図9は、バスバー12上のスリット12a,12b,12cの配置及び電流経路L21,L22内の偏向区間La,Lbの配置の詳細を示す。先述のとおり、スリット12a,12bは各1つのスリットを含み、スリット12cは2つのスリットを含む。スリット2a,2bは、それぞれバスバー12の縦方向の異なる外縁(すなわち、下側及び上側外縁)から内側(すなわち、偏向区間La,Lb)に向かって互いに近づくように、縦方向に延びて形成されている。2つのスリット12cは、バスバー12の内側に閉じ、それぞれスリット12a,12bに対して横方向の一側及び他側で、スリット12a,12bの先端の間の部分を横方向に挟むようにそれぞれ縦方向に延びて形成されている。 FIG. 9 shows the details of the arrangement of the slits 12a, 12b, 12c on the bus bar 12 and the arrangement of the deflection sections La, Lb in the current paths L21, L22. As described above, the slits 12a and 12b each include one slit, and the slit 12c includes two slits. The slits 2a and 2b are formed so as to extend in the vertical direction from different outer edges (that is, lower and upper outer edges) of the bus bar 12 in the vertical direction toward the inner side (that is, the deflection sections La and Lb). ing. The two slits 12c are closed inside the bus bar 12 and vertically sandwich the portion between the tips of the slits 12a and 12b on one side and the other side in the horizontal direction with respect to the slits 12a and 12b, respectively. It is formed so as to extend in the direction.

スリット12a,12bはバスバー12の縦方向の幅の2分の1より小さい長さを有し、2つのスリット12cはスリット12a,12bの先端の離間距離より大きい長さを有する。それにより、電流経路L21は、バスバー12の両端に形成された2つの開口12dを結ぶ直線L0の図面下側で、スリット12aの先端と2つのスリット12cの下端とをそれぞれ避けてバスバー12上を蛇行して、2つの開口2dの間を結ぶ。つまり、電流経路L21は、図面左側の開口2dから、左側のスリット12cの下端を避けて下側から上側に向きを変え、スリット12aの先端を避けて上側から下側に向きを変え、右側のスリット12cの下端を避けて下側から上側に向きを変えて右側の開口2dに達する。ここで、スリット12aにより、その先端の周囲に、縦方向を下向きに向きを変える偏向区間Laが形成される。また、電流経路L22は、直線L0の図面上側で、スリット12bの先端と2つのスリット12cの上端とをそれぞれ避けてバスバー12上を蛇行して、2つの開口2dの間を結ぶ。つまり、電流経路L22は、図面左側の開口2dから、左側のスリット12cの上端を避けて上側から下側に向きを変え、スリット12bの先端を避けて下側から上側に向きを変え、右側のスリット12cの上端を避けて上側から下側に向きを変えて右側の開口2dに達する。ここで、スリット12bにより、その先端の周囲に、縦方向を上向きに向きを変える偏向区間Lbが形成される。 The slits 12a and 12b have a length smaller than half the vertical width of the bus bar 12, and the two slits 12c have a length larger than the separation distance between the tips of the slits 12a and 12b. As a result, the current path L21 is on the bus bar 12 on the lower side of the drawing of the straight line L0 connecting the two openings 12d formed at both ends of the bus bar 12, avoiding the tip of the slit 12a and the lower end of the two slits 12c, respectively. It meanders and connects between the two openings 2d. That is, the current path L21 is oriented from the opening 2d on the left side of the drawing from the lower side to the upper side while avoiding the lower end of the slit 12c on the left side, and is oriented from the upper side to the lower side while avoiding the tip of the slit 12a, and is on the right side. Avoiding the lower end of the slit 12c, the direction is changed from the lower side to the upper side to reach the opening 2d on the right side. Here, the slit 12a forms a deflection section La that changes its direction downward in the vertical direction around the tip thereof. Further, the current path L22 meanders on the bus bar 12 on the upper side of the drawing of the straight line L0, avoiding the tip of the slit 12b and the upper end of the two slits 12c, respectively, and connects the two openings 2d. That is, the current path L22 is oriented from the opening 2d on the left side of the drawing from the upper side to the lower side while avoiding the upper end of the slit 12c on the left side, and is oriented from the lower side to the upper side while avoiding the tip of the slit 12b, and is on the right side. Avoiding the upper end of the slit 12c, the direction is changed from the upper side to the lower side to reach the opening 2d on the right side. Here, the slit 12b forms a deflection section Lb that changes its direction upward in the vertical direction around the tip thereof.

上述のとおり、それぞれバスバー12の異なる外縁から内側に縦方向に延びるスリット12a,12bが、それぞれの先端を対向させてバスバー12上で縦方向に並ぶことで、2つの偏向区間La,Lbが縦方向に分かれて並んで電流経路L21,L22内にそれぞれ含まれることとなる。従って、被測定電流がバスバー12内を左側の開口2dから右側の開口2dに流れると、被測定電流が分流し、分流した電流がそれぞれ電流経路L21,L22に沿って流れ、それぞれの経路に含まれる偏向区間La,Lbを流れることとなり、それぞれの区間の内側に分流した電流の量にそれぞれ対応する強さであり、強さの和が被測定電流の大きさに対応する磁場が発生する。 As described above, the slits 12a and 12b extending in the vertical direction from the different outer edges of the bus bar 12 are arranged vertically on the bus bar 12 with their respective tips facing each other, so that the two deflection sections La and Lb are vertically arranged. The current paths L21 and L22 are included in the current paths L21 and L22, respectively. Therefore, when the measured current flows in the bus bar 12 from the left opening 2d to the right opening 2d, the measured current is diverted, and the diverted current flows along the current paths L21 and L22, respectively, and is included in each path. It flows through the deflection sections La and Lb, and the strength corresponds to the amount of the current diverted inside each section, and the sum of the strengths generates a magnetic field corresponding to the magnitude of the current to be measured.

このとき、2つの偏向区間La,Lbは電流経路L21,L22の向きを互いに異なる方向に変えるため、分流した電流が偏向区間Laを上面視で時計回りに流れることでその内側に高さ方向について下向きの磁場が発生し、分流した残りの電流が偏向区間Lbを上面視で反時計回りに流れることでその内側に高さ方向について上向きの磁場が発生する。そこで、バスバー12の上面上に基板3を介して設けられた磁気センサ素子4a,4bによりそれぞれ偏向区間La,Lbの内側に発生する互いに逆向きの磁場を検出し、信号処理IC4cにより磁気センサ素子4a,4bの出力信号の差分を算出することで、分流した電流により発生した磁場に由来する信号が足し合わされるとともに電流センサ11外から入る外部磁場に由来するノイズが相殺されて、高いSN比で被測定電流の大きさを測定することができる。なお、電流センサ11は、先の実施形態に係る電流センサ1に対して、比較的大きい被測定電流を測定することができる。 At this time, the two deflection sections La and Lb change the directions of the current paths L21 and L22 in different directions. A downward magnetic field is generated, and the remaining diverted current flows counterclockwise in the deflection section Lb when viewed from above, so that an upward magnetic field is generated in the height direction inside the deflection section Lb. Therefore, the magnetic sensor elements 4a and 4b provided on the upper surface of the bus bar 12 via the substrate 3 detect the magnetic fields in opposite directions generated inside the deflection sections La and Lb, respectively, and the signal processing IC 4c detects the magnetic sensor elements. By calculating the difference between the output signals of 4a and 4b, the signals derived from the magnetic field generated by the divided current are added together, and the noise derived from the external magnetic field entering from outside the current sensor 11 is canceled out, resulting in a high SN ratio. The magnitude of the current to be measured can be measured with. The current sensor 11 can measure a relatively large current to be measured with respect to the current sensor 1 according to the previous embodiment.

なお、スリット12a,12bに対する2つのスリット12cの横方向の離間距離を調整することで、磁気センサ素子4a,4bにより検出する磁場の強度を調整し、被測定電流の検出感度を調整してもよい。例えば、磁気センサ素子4a,4bにより検出する磁場を強くして検出感度を向上するために、2つのスリット12cの横方向の離間距離を小さくして偏向区間La,Lbの曲率を小さくしてもよい。また、磁気センサ素子4a,4bにより検出する磁場を弱くして検出感度の飽和を回避するために、2つのスリット12cの横方向の離間距離を大きくして偏向区間La,Lbの曲率を大きくしてもよい。また、スリット12a,12bに対する2つのスリット12cの横方向の離間距離を調整することに代えて又は併せて、スリット12a,12b,12cの長さ及び幅を調整してもよい。 By adjusting the lateral distance between the two slits 12c with respect to the slits 12a and 12b, the strength of the magnetic field detected by the magnetic sensor elements 4a and 4b can be adjusted, and the detection sensitivity of the measured current can be adjusted. good. For example, in order to increase the magnetic field detected by the magnetic sensor elements 4a and 4b and improve the detection sensitivity, the lateral separation distance between the two slits 12c may be reduced to reduce the curvature of the deflection sections La and Lb. good. Further, in order to weaken the magnetic field detected by the magnetic sensor elements 4a and 4b and avoid saturation of the detection sensitivity, the lateral separation distance between the two slits 12c is increased to increase the curvature of the deflection sections La and Lb. You may. Further, the length and width of the slits 12a, 12b, 12c may be adjusted instead of or in addition to adjusting the lateral separation distance of the two slits 12c with respect to the slits 12a, 12b.

なお、変形例に係る電流センサ11では、バスバー12上で、互いの先端を対向させて、それぞれバスバー12の縦方向の下側及び上側外縁から内側に向かって縦方向に延びて形成されるスリット12a,12bに対して、バスバー12の内側に閉じて縦方向に延びて形成される2つのスリット12cをスリット12a,12bの先端の間の部分を横方向に挟んで配置したが、これに代えて、各2つのスリット12a,12bをそれぞれの先端を縦方向に対向させて横方向に並べ、縦方向に対向する一対のスリット12a,12bの先端の間の部分と縦方向に対向するもう一対のスリット12a,12bの先端の間の部分との間に、1つのスリット12cを2つの部分を分けるように配置してもよい。それにより、1つのスリット12cの両端の周囲に電流経路L21,L22にそれぞれ含まれる偏向区間La,Lbが形成され、バスバー12の表面積を大きく設けて放熱性を維持しつつ電流経路L21,L22を横方向以外に向けることができる。つまり、被測定電流をバスバー12内を横方向以外の方向に向けて流すことができる。 In the current sensor 11 according to the modified example, slits formed on the bus bar 12 with their tips facing each other and extending in the vertical direction from the lower and upper outer edges of the bus bar 12 in the vertical direction, respectively. With respect to 12a and 12b, two slits 12c formed by closing inside the bus bar 12 and extending in the vertical direction were arranged so as to sandwich the portion between the tips of the slits 12a and 12b in the horizontal direction. The two slits 12a and 12b are arranged in the horizontal direction with their respective tips facing each other in the vertical direction, and the pair of slits 12a and 12b facing each other in the vertical direction and the other pair facing in the vertical direction. One slit 12c may be arranged so as to separate the two portions from the portion between the tips of the slits 12a and 12b. As a result, deflection sections La and Lb included in the current paths L21 and L22 are formed around both ends of one slit 12c, and the current paths L21 and L22 are provided while maintaining heat dissipation by providing a large surface area of the bus bar 12. It can be turned in a direction other than the horizontal direction. That is, the current to be measured can flow in the bus bar 12 in a direction other than the lateral direction.

なお、本実施形態の電流センサ1及び変形例に係る電流センサ11において、磁気センサ素子4a,4b並びに信号処理IC4cのそれぞれの上面を、例えばアルミニウム等の非磁性導電材料を用いて静電シールドすることとしてもよい。これにより、パッケージ4の上面側から来る静電ノイズを遮蔽することができる。また、非磁性導電材料において、磁気センサ素子4a,4bに対向する部分に、複数のスリットを設けてもよい。複数のスリットは、例えば、それぞれが長手を横方向に向けて縦方向に並ぶ、導電性の膜材の外縁に開口する複数の切欠きである。これにより、磁場が導電性の膜材に入ることで発生する渦電流が抑制され、渦電流が生じる磁場による磁気センサ素子4a,4bの応答の劣化を回避することができる。 In the current sensor 1 of the present embodiment and the current sensor 11 according to the modified example, the upper surfaces of the magnetic sensor elements 4a and 4b and the signal processing IC 4c are electrostatically shielded with a non-magnetic conductive material such as aluminum. It may be that. As a result, electrostatic noise coming from the upper surface side of the package 4 can be shielded. Further, in the non-magnetic conductive material, a plurality of slits may be provided in the portions facing the magnetic sensor elements 4a and 4b. The plurality of slits are, for example, a plurality of notches opening at the outer edge of the conductive film material, each of which is arranged in the vertical direction with the longitudinal direction oriented laterally. As a result, the eddy current generated when the magnetic field enters the conductive film material is suppressed, and deterioration of the response of the magnetic sensor elements 4a and 4b due to the magnetic field generated by the eddy current can be avoided.

また、本実施形態のバスバー1に施されたスリット2a,2b、及び変形例に係るバスバー12において施されたスリット12a,12b,12cにおいて、スリット加工により幅が細められたバスバーの機械的強度を補強するために、スリットの溝の少なくとも一部に絶縁性の接着剤、樹脂等を充填してもよい。 Further, in the slits 2a and 2b provided in the bus bar 1 of the present embodiment and the slits 12a, 12b and 12c provided in the bus bar 12 according to the modified example, the mechanical strength of the bus bar whose width has been narrowed by slit processing is increased. In order to reinforce, at least a part of the slit groove may be filled with an insulating adhesive, resin or the like.

なお、本実施形態の電流センサ1及び変形例に係る電流センサ11において、電流経路L1,L21,L22に通電する電流は、直流であっても交流であってもよい。また、直流の場合において、通電する電流の向きを任意に定めてよい。 In the current sensor 1 of the present embodiment and the current sensor 11 according to the modified example, the currents energizing the current paths L1, L21, and L22 may be direct current or alternating current. Further, in the case of direct current, the direction of the energizing current may be arbitrarily determined.

なお、本実施形態の電流センサ1及び変形例に係る電流センサ11では、2つの磁気センサ素子4a,4bを用いてそれらの検出結果の差分より被測定電流を測定する構成を採用したが、これに限らず、1つの磁気センサ素子を用いてその検出結果から被測定電流を測定する構成を採用してもよい。また、電流センサ1において、各2つのスリット2a,2bのうちの左側のスリット2a及び右側のスリット2bの先端内側に対応する基板3上の位置に磁気センサ素子4a,4bを設けるに限らず、さらに右側のスリット2a及び左側のスリット2bの先端内側に対応する基板3上に位置に各1つの磁気センサ素子を設けてもよい。斯かる場合に、各1つの磁気センサ素子の検出結果の差分を組み合わせて被測定電流を測定することとしてもよい。また図面においては、磁気センサ素子4a,4bと信号処理IC4cとは別々のものとして記載されているが、磁気センサ素子4a,4bと信号処理IC4cとは同一のシリコン基板内に一体のものとして形成されてもよい。 In the current sensor 1 of the present embodiment and the current sensor 11 according to the modified example, a configuration is adopted in which the measured current is measured from the difference between the detection results using two magnetic sensor elements 4a and 4b. However, a configuration in which the current to be measured is measured from the detection result using one magnetic sensor element may be adopted. Further, in the current sensor 1, the magnetic sensor elements 4a and 4b are not limited to be provided at positions on the substrate 3 corresponding to the inside of the tips of the left slit 2a and the right slit 2b of the two slits 2a and 2b, respectively. Further, one magnetic sensor element may be provided at a position on the substrate 3 corresponding to the inside of the tip of the slit 2a on the right side and the slit 2b on the left side. In such a case, the measured current may be measured by combining the differences in the detection results of each one magnetic sensor element. Further, in the drawings, the magnetic sensor elements 4a and 4b and the signal processing IC 4c are described as separate ones, but the magnetic sensor elements 4a and 4b and the signal processing IC 4c are formed as one in the same silicon substrate. May be done.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 Although the present invention has been described above using the embodiments, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various changes or improvements can be made to the above embodiments. It is clear from the description of the claims that such modified or improved forms may also be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。 The order of execution of operations, procedures, steps, steps, etc. in the devices, systems, programs, and methods shown in the claims, specification, and drawings is particularly "before" and "prior to". It should be noted that it can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Even if the scope of claims, the specification, and the operation flow in the drawings are explained using "first", "next", etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It's not a thing.

1…電流センサ、2…バスバー、2a,2b,2c…スリット、2d…開口、3…基板、3a…本体部、3b…延伸部、4…パッケージ、4a,4b…磁気センサ素子、4c…信号処理IC、5,6,6a,6b,6c…磁性材料、7,8…絶縁部材、9…固定具、10…出力端子、10d…開口、11…電流センサ、12…バスバー、12a,12b,12c…スリット、12d…開口、L0…直線、L1,L21,L22…電流経路。 1 ... Current sensor, 2 ... Bus bar, 2a, 2b, 2c ... Slit, 2d ... Opening, 3 ... Substrate, 3a ... Main body, 3b ... Stretched part, 4 ... Package, 4a, 4b ... Magnetic sensor element, 4c ... Signal Processing ICs, 5, 6, 6a, 6b, 6c ... Magnetic materials, 7, 8 ... Insulating members, 9 ... Fixtures, 10 ... Output terminals, 10d ... Openings, 11 ... Current sensors, 12 ... Bus bars, 12a, 12b, 12c ... slit, 12d ... opening, L0 ... straight line, L1, L21, L22 ... current path.

Claims (22)

一軸方向の一側および他側にそれぞれ形成された第1の開口および第2の開口の間で延びるとともに少なくとも一部に電流が流れる向きが変わる区間を含む経路に沿って、被測定電流が流れる導体板と、
前記導体板の一面上に固定される基板と、
前記基板上の前記区間に対応する位置に設けられ、前記区間を流れる電流により生じる磁場を検出する磁気センサと、を備え、
前記区間は、前記一軸方向と交差する方向の一側及び他側にそれぞれ向きが変わる第1及び第2区間を含み、
前記導体板は、該導体板の外縁から内側に向かって、少なくとも先端側の部分が前記一軸方向と交差する方向に延び、前記導体板の前記側の外縁から前記第1区間まで延びる第1のスリットと、該導体板の前記側の外縁から前記第2区間まで延びる第2のスリットと、前記第1の開口と前記第1のスリットとの間に配置され、前記導体板の前記一側の外縁から内側に向かって延びる第3のスリットと、前記第2の開口と前記第2のスリットとの間に配置され、前記導体板の前記他側の外縁から内側に向かって延びる第4のスリットと、を形成され、
前記一軸方向と交差する方向について前記第1のスリットおよび前記第のスリットの両方が、それぞれの先端が前記導体板の表面に位置する前記第1の開口と前記第2の開口とを結ぶ直線に対して前記導体板の前記一側に位置すだけの長さを有するとともに、前記第2のスリットおよび前記第3のスリットの両方が、それぞれの先端が前記直線に対して前記導体板の前記他側に位置するだけの長さを有し、
前記磁気センサは、前記基板を介して前記導体板の上に設けられ、且つ、上面視において、前記第1のスリットの内側または前記第2のスリットの内側の少なくとも一方に配置され、
前記基板は、前記磁気センサが実装された面と反対側の面で前記導体板と固定されており、且つ、上面視において、前記第1のスリット、前記第2のスリット、前記第3のスリット、および前記第4のスリットと重なるように配置される、
電流センサ。
The current to be measured flows along a path including a section extending between the first opening and the second opening formed on one side and the other side in the uniaxial direction and at least partially changing the direction in which the current flows. Conductor plate and
A substrate fixed on one surface of the conductor plate and
A magnetic sensor provided at a position corresponding to the section on the substrate and detecting a magnetic field generated by a current flowing through the section is provided.
The section includes first and second sections whose directions change to one side and the other side in a direction intersecting the uniaxial direction, respectively.
The conductor plate extends inward from the outer edge of the conductor plate in a direction in which at least the tip end side intersects the uniaxial direction, and extends from the outer edge of the other side of the conductor plate to the first section. The slit, the second slit extending from the outer edge of the conductor plate on the one side to the second section, and the one of the conductor plate arranged between the first opening and the first slit. A fourth slit extending inward from the outer edge of the side, arranged between the second opening and the second slit, and extending inward from the outer edge of the other side of the conductor plate. Slits and are formed,
The direction crossing the axial direction, both of the first slit and the fourth slit, each tip connecting the said first opening and said second opening located on the surface of the conductor plate and has a length of just by position on the one side of the conductor plate with respect to the straight line, both of the second slit and the third slit, said conductive plate each of tip relative to the straight line Has a length sufficient to be located on the other side of the
The magnetic sensor is provided on the conductor plate via the substrate, and is arranged at least one of the inside of the first slit or the inside of the second slit in a top view.
The substrate is fixed to the conductor plate on a surface opposite to the surface on which the magnetic sensor is mounted, and the first slit, the second slit, and the third slit are viewed from above. , And are arranged so as to overlap the fourth slit.
Current sensor.
前記基板は、フレキシブルなプリント配線基板である、請求項1に記載の電流センサ。 The current sensor according to claim 1, wherein the board is a flexible printed wiring board. 前記基板は、前記磁気センサを支持する本体部と、前記磁気センサの信号を伝送する配線パターンが設けられ、前記本体部から前記導体板外に延伸する延伸部と、を有する、請求項1又は2に記載の電流センサ。 The substrate has a main body portion that supports the magnetic sensor, and an extension portion that is provided with a wiring pattern for transmitting a signal of the magnetic sensor and extends from the main body portion to the outside of the conductor plate. 2. The current sensor according to 2. 前記磁気センサを封止するパッケージをさらに備え、
前記磁気センサの裏面側が、前記基板に対向する前記パッケージの一面上に露出する、請求項1から3のいずれか一項に記載の電流センサ。
Further provided with a package for sealing the magnetic sensor
The current sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein the back surface side of the magnetic sensor is exposed on one surface of the package facing the substrate.
前記パッケージは、前記磁気センサの検出信号を処理する信号処理ICを前記磁気センサとともに封止する、請求項4に記載の電流センサ。 The current sensor according to claim 4, wherein the package seals a signal processing IC that processes a detection signal of the magnetic sensor together with the magnetic sensor. 前記基板に対向する前記パッケージの前記一面に対する他面側で、前記磁気センサに対向して配置される第1の磁性材料をさらに備える、請求項4又は5に記載の電流センサ。 The current sensor according to claim 4 or 5, further comprising a first magnetic material facing the magnetic sensor on the other side of the package facing the substrate with respect to the one side. 前記導体板は、前記基板より大きな厚みを有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 6, wherein the conductor plate has a thickness larger than that of the substrate. 前記磁気センサは、前記第1及び第2区間に対応する前記基板上の位置にそれぞれ設けられる第1及び第2磁気センサを含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 7, wherein the magnetic sensor includes first and second magnetic sensors provided at positions on the substrate corresponding to the first and second sections, respectively. 前記第1及び第2区間は、前記一軸方向に連なって並ぶ、請求項1から8のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 8, wherein the first and second sections are arranged in a row in the uniaxial direction. 前記第1及び第2区間は、前記交差する方向に分かれて並ぶ、請求項1から8のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 8, wherein the first and second sections are arranged separately in the intersecting directions. 前記第1及び第2磁気センサの出力信号の差分より前記被測定電流の量を算出する、請求項8並びに請求項8を参照する請求項9および10のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 9 and 10, which calculates the amount of the current to be measured from the difference between the output signals of the first and second magnetic sensors, and claims 8. 前記基板は、前記第1のスリットおよび前記第2のスリットの少なくとも一部を覆う、請求項1から11のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 11, wherein the substrate covers at least a part of the first slit and the second slit. 前記導体板の前記一面に対する他面側に、前記磁気センサに対向して配置される第2の磁性材料をさらに備える、請求項1から12のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 12, further comprising a second magnetic material arranged so as to face the magnetic sensor on the other side of the conductor plate with respect to the one surface. 前記第1のスリットおよび前記第2のスリットの少なくとも一方の内に、前記磁気センサに対向して配置される第2の磁性材料をさらに備える、請求項1から12のいずれか一項に記載の電流センサ。 The invention according to any one of claims 1 to 12, further comprising a second magnetic material arranged so as to face the magnetic sensor in at least one of the first slit and the second slit. Current sensor. 前記導体板の前記一面に対する他面側に前記磁気センサに対向して配置される平板部と、該平板部上に立設して前記第1のスリットおよび前記第2のスリットの少なくとも一方の内に配置される立設部と、を有する第2の磁性材料をさらに備える、請求項1から12のいずれか一項に記載の電流センサ。 A flat plate portion arranged on the other side of the conductor plate on the other side of the conductor plate facing the magnetic sensor, and at least one of the first slit and the second slit standing on the flat plate portion. The current sensor according to any one of claims 1 to 12, further comprising a second magnetic material having an upright portion arranged in. 前記導体板と前記第2の磁性材料との間に設けられる絶縁部材をさらに備える、請求項13に記載の電流センサ。 The current sensor according to claim 13, further comprising an insulating member provided between the conductor plate and the second magnetic material. 前記第2の磁性材料は、非導電性材料を含む、請求項13から15のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 13 to 15, wherein the second magnetic material includes a non-conductive material. 前記第1のスリットおよび前記第2のスリットの少なくとも一部に絶縁性の接着剤又は樹脂が充填されている、請求項1から17のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 17, wherein at least a part of the first slit and the second slit is filled with an insulating adhesive or resin. 前記導体板と前記基板との間に設けられる別の絶縁部材をさらに備える、請求項1から18のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 18, further comprising another insulating member provided between the conductor plate and the substrate. 前記基板に設けられる配線パターンは、前記導体板から絶縁されている、請求項1から19のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 19, wherein the wiring pattern provided on the substrate is insulated from the conductor plate. 前記磁気センサは化合物半導体で形成される、請求項1から20のいずれか一項に記載の電流センサ。 The current sensor according to any one of claims 1 to 20, wherein the magnetic sensor is made of a compound semiconductor. 前記磁気センサ及び前記信号処理ICは同一のシリコン基板上に形成される、請求項5に記載の電流センサ。 The current sensor according to claim 5, wherein the magnetic sensor and the signal processing IC are formed on the same silicon substrate.
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