JP2015185889A - 磁気結合型アイソレータ - Google Patents
磁気結合型アイソレータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015185889A JP2015185889A JP2014058218A JP2014058218A JP2015185889A JP 2015185889 A JP2015185889 A JP 2015185889A JP 2014058218 A JP2014058218 A JP 2014058218A JP 2014058218 A JP2014058218 A JP 2014058218A JP 2015185889 A JP2015185889 A JP 2015185889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- current line
- signal current
- magnetically coupled
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 280
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 71
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 49
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001313 Cobalt-iron alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005303 antiferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N iridium manganese Chemical compound [Mn].[Ir] SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N iron manganese Chemical compound [Mn].[Fe] DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni] ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N manganese platinum Chemical compound [Mn].[Pt] IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】信号が重畳された電流を流す信号用電流線1と、信号用電流線1に電流が流れる事により発生する磁界を検出する磁界検出装置10と、信号用電流線1と磁界検出装置10との間を電気的に絶縁する絶縁基板2とを備え、信号用電流線1は、磁界検出装置10に対し磁界を一方向に印加可能に構成され、磁界検出装置10は、長軸と、長軸と直交する短軸とを有する磁気抵抗効果素子を含む。磁気抵抗効果素子は、無磁界において磁化方向が長軸に沿った方向に向いている第2強磁性層とが順番に積層した積層構造を有して、第1強磁性層の磁化方向は、信号用電流線1に電流が流れることにより生じる磁界の方向に沿った方向に固定されている。第2強磁性層の磁化方向は、信号用電流線1に電流が流れることにより発生する磁界に応じて変化する。
【選択図】図1
Description
はじめに、図1〜図4を参照して、実施の形態1に係る磁気結合型アイソレータ100について説明する。実施の形態1に係る磁気結合型アイソレータ100は、信号が重畳された電流を流す信号用電流線1が絶縁基板2の裏面上に、信号用電流線1に電流が流れることにより発生する磁界を検出する磁界検出装置10が絶縁基板2の表面上にそれぞれ設けられていることにより構成されている。
次に、図7および図8を参照して、実施の形態2に係る磁気結合型アイソレータ100について説明する。実施の形態2に係る磁気結合型アイソレータ100は、基本的には実施の形態1に係る磁気結合型アイソレータ100と同様の構成を備えるが、磁性体コアとしての集磁コア41および磁気シールド43をさらに備えている点で異なる。
次に、図9を参照して、実施の形態3に係る磁気結合型アイソレータ100について説明する。実施の形態3に係る磁気結合型アイソレータ100は、基本的には実施の形態1に係る磁気結合型アイソレータ100と同様の構成を備えるが、磁界検出装置12が複数の直列接続素子32A,32B,32C,32Dからなるブリッジ回路として構成されている点で異なる。
次に、図10を参照して、実施の形態4に係る磁気結合型アイソレータ100について説明する。実施の形態4に係る磁気結合型アイソレータ100は、基本的には実施の形態1に係る磁気結合型アイソレータ100と同様の構成を備えるが、固定層54の磁化方向R(図10参照)が磁気抵抗効果素子3の長軸方向(+X方向)に固定されている点で異なる。すなわち、磁気抵抗効果素子3の長軸方向が、信号用電流線1に流れる電流により発生する磁界と同じ方向となるように配置されている点で異なる。
次に、図12を参照して、実施の形態5に係る磁気結合型アイソレータ100について説明する。実施の形態5に係る磁気結合型アイソレータ100は、基本的には実施の形態3に係る磁気結合型アイソレータ100と同様の構成を備えるが、ブリッジ回路を構成する複数の直列接続素子33A〜33Dが、実施の形態1に係る直列接続素子31Aに代えて実施の形態4に係る直列接続素子31Cで構成されている点で異なる。
次に、図13〜図15を参照して、実施の形態6に係る磁気結合型アイソレータ101について説明する。実施の形態6に係る磁気結合型アイソレータ101は、基本的には実施の形態1に係る磁気結合型アイソレータ100と同様の構成を備えるが、絶縁基板2の裏面に設けられている信号用電流線1に代わって、絶縁基板2および磁界検出装置10を内部に配置したソレノイドコイル8が形成されている点で異なる。
Claims (10)
- 信号が重畳された電流を流す信号用電流線と、
前記信号用電流線に電流が流れることにより発生する磁界を検出する磁界検出装置と、
前記信号用電流線と前記磁界検出装置との間を電気的に絶縁する絶縁基板とを備え、
前記信号用電流線は、前記磁界検出装置に対し磁界を一方向に印加可能に構成されており、
前記磁界検出装置は、長軸と前記長軸と直交する短軸とを有する磁気抵抗効果素子を含み、
前記磁気抵抗効果素子は、反強磁性層と、第1強磁性層と、非磁性層と、形状磁気異方性を有し、無磁界において磁化方向が前記長軸に沿った方向に向いている第2強磁性層とが順番に積層した積層構造を有しており、
前記第1強磁性層の磁化方向は、前記信号用電流線に電流が流れることにより生じる磁界の方向に沿った方向に固定されており、
前記第2強磁性層の磁化方向は、前記信号用電流線に電流が流れることにより発生する磁界に応じて変化する、磁気結合型アイソレータ。 - 前記信号用電流線は、一方向に線状に延びるように形成されている、請求項1に記載の磁気結合型アイソレータ。
- 前記信号用電流線は、前記磁界検出装置および前記絶縁基板を取り囲むように巻回したソレノイドコイルとして形成されている、請求項1に記載の磁気結合型アイソレータ。
- 前記磁気抵抗効果素子は複数形成されており、
複数の前記磁気抵抗効果素子は互いに直列に接続されており、
複数の前記磁気抵抗効果素子の短軸方向は、それぞれ前記信号用電流線に電流が流れることにより生じる磁界の方向に沿って設けられている、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の磁気結合型アイソレータ。 - 前記信号用電流線に電流が流れることにより発生する磁界の向きと直交する方向に沿った磁界を発生させるバイアス磁界発生部をさらに備える、請求項4に記載の磁気結合型アイソレータ。
- 前記磁気抵抗効果素子は複数形成されており、
複数の前記磁気抵抗効果素子は互いに直列に接続されており、
複数の前記磁気抵抗効果素子の長軸方向は、それぞれ前記信号用電流線に電流が流れることにより生じる磁界の方向に沿って設けられている、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の磁気結合型アイソレータ。 - 複数の前記磁気抵抗効果素子はブリッジ回路を成しており、
前記ブリッジ回路において直列に接続されている複数の前記磁気抵抗効果素子はそれぞれの前記第1強磁性層の磁化方向が互いに反対方向を向いて接続されている、請求項4〜請求項6のいずれか1項に記載の磁気結合型アイソレータ。 - 前記信号用電流線に電流が流れることにより生じる磁界の方向に沿って前記信号用電流線および前記絶縁基板の周囲を囲み、前記磁界検出装置を挟むような開口部分を有する磁性体コアをさらに備える、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の磁気結合型アイソレータ。
- 前記磁性体コアは複数に分割可能に設けられている、請求項8に記載の磁気結合型アイソレータ。
- 前記信号用電流線、前記絶縁基板、および前記磁界検出装置を囲むように設けられている磁気シールドをさらに備える、請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の磁気結合型アイソレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014058218A JP6099588B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 磁気結合型アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014058218A JP6099588B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 磁気結合型アイソレータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015185889A true JP2015185889A (ja) | 2015-10-22 |
JP6099588B2 JP6099588B2 (ja) | 2017-03-22 |
Family
ID=54352035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014058218A Expired - Fee Related JP6099588B2 (ja) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 磁気結合型アイソレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6099588B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019168239A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | Tdk株式会社 | 磁気センサ装置 |
JP2019174196A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | Tdk株式会社 | 磁気センサおよび磁気センサシステム |
CN111693911A (zh) * | 2019-03-11 | 2020-09-22 | Tdk株式会社 | 磁传感器装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6069906A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-20 | Canon Inc | アイソレ−タ |
JP2006514283A (ja) * | 2003-02-11 | 2006-04-27 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積センサ |
JP2007067750A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Nec Corp | アイソレータ |
JP2010101882A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Omron Corp | 磁界検出素子および信号伝達素子 |
-
2014
- 2014-03-20 JP JP2014058218A patent/JP6099588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6069906A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-20 | Canon Inc | アイソレ−タ |
JP2006514283A (ja) * | 2003-02-11 | 2006-04-27 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積センサ |
JP2007067750A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Nec Corp | アイソレータ |
JP2010101882A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-05-06 | Omron Corp | 磁界検出素子および信号伝達素子 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JIM DAUGHTON: "Spin-Dependent Sensors", PROCEEDINGS OF THE IEEE, vol. 91, no. 5, JPN6017001299, May 2003 (2003-05-01), US, pages 681 - 686, XP011065145, ISSN: 0003481634 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019168239A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | Tdk株式会社 | 磁気センサ装置 |
JP2019174196A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | Tdk株式会社 | 磁気センサおよび磁気センサシステム |
CN111693911A (zh) * | 2019-03-11 | 2020-09-22 | Tdk株式会社 | 磁传感器装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6099588B2 (ja) | 2017-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7948349B2 (en) | Magnetic coupler | |
US10254315B2 (en) | Current sensor, current measuring module, and smart meter | |
US10295578B2 (en) | Current sensor and smart meter | |
US8487612B2 (en) | Current sensor | |
US6577124B2 (en) | Magnetic field sensor with perpendicular axis sensitivity, comprising a giant magnetoresistance material or a spin tunnel junction | |
US20180038899A1 (en) | Current sensor, current measuring module, and smart meter | |
US8791692B2 (en) | Magnetic position detecting device | |
WO2012026255A1 (ja) | 磁気平衡式電流センサ | |
JP2011101026A (ja) | 磁気抵抗型積層構造体ならびに該構造体を備えたグラジオメータ | |
JP6610746B1 (ja) | 磁気センサ | |
US11467232B2 (en) | Magnetoresistive sensor and fabrication method for a magnetoresistive sensor | |
JPWO2008105228A1 (ja) | 磁気センサモジュール及び、ピストン位置検出装置 | |
JP2007024598A (ja) | 磁気センサ | |
JP6099588B2 (ja) | 磁気結合型アイソレータ | |
JP2015135267A (ja) | 電流センサ | |
JP2013055281A (ja) | 電流センサ | |
JP2017228688A (ja) | 磁気センサおよび電流センサ | |
KR102183263B1 (ko) | 자기 센서 및 전류 센서 | |
JP2019138807A (ja) | 磁気センサおよび電流センサ | |
JP2019086290A (ja) | 磁気センサ | |
US8270127B2 (en) | Magnetic coupling-type isolator | |
EP3851864B1 (en) | Magnetic sensor and current sensor | |
JP2013047610A (ja) | 磁気平衡式電流センサ | |
CN111033778B (zh) | 交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置 | |
JP4575602B2 (ja) | 磁気検知素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6099588 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |