JP2015172183A - 導電性組成物 - Google Patents

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    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29357—Cobalt [Co] as principal constituent
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    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936—Iron [Fe] as principal constituent
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    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29369—Platinum [Pt] as principal constituent
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    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29373—Rhodium [Rh] as principal constituent
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    • H01L2224/29376—Ruthenium [Ru] as principal constituent
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    • H01L2224/29299—Base material
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Abstract

【課題】高い導電性と基材に対する高い密着性とを実現できる導電性組成物を提供する。【解決手段】導電性組成物は、フレーク状（又は二次元的）に金属結晶が成長した結晶構造を有する金属フレークと、芳香族アミン骨格を有する樹脂成分（例えば、エポキシ樹脂と芳香族アミン系硬化剤で構成された硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物など）とを含んでいる。【選択図】なし

Description

本発明は、導電性接着剤、電極などを形成するのに有用な導電性組成物、およびこの導電性組成物により形成された導電性部位（導電性接着層、電極、配線など）を含む成形体（導電性成形体）に関する。
銀ペーストなどの導電性金属粉（導電性フィラー）を含む導電性組成物（導電性ペースト）は、電子部品などの電極や回路を形成するために用いられている。このうち熱可塑性あるいは熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストでは、通常、使用している樹脂の収縮によって導電性フィラー同士が接触して導電性が発現しており、また、樹脂（バインダー）が存在することによって基材に対する密着性又は接着性が担保されている。そのため、このようなバインダーを含む導電性ペーストにおいては、十分な導電性を得るためには、導電性金属粉間の接触面積を大きくすることが重要となる。このような観点から、導電性金属粉として、金属フレーク（フレーク状金属粉）を用いる試みがなされている。
例えば、特開２００８−１７１８２８号公報（特許文献１）には、フレーク状の銀粉および有機樹脂を含む導電性ペーストが開示されている。この文献は、有機樹脂として、ポリエステル樹脂、変性ポリエステル樹脂（ウレタン変性ポリエステル樹脂など）、ポリエーテルウレタン樹脂、ポリカーボネートウレタン樹脂、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリアミドイミド、ニトロセルロース、セルロース・アセテート・ブチレート、セルロース・アセテート・プロピオネートなどの有機樹脂を幅広く例示しており、特に、実施例では耐屈曲性などの観点からポリエステル樹脂およびウレタン変性ポリエステル樹脂を使用している。
また、特開２０１２−９２４４２号公報（特許文献２）には、平均粒径とＢＥＴ比表面積とが特定の関係にあるフレーク状銀粉が開示されている。そして、この文献には、導電性ペーストに用いる樹脂として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂などを例示し、実施例ではポリエステル樹脂を使用している。
このような導電性ペーストはある程度の導電性を示すものの、さらなる導電性や接着性の改善が望まれている。
特開２００８−１７１８２８号公報（特許請求の範囲、段落［００１４］〜［００２２］、実施例） 特開２０１２−９２４４２号公報（特許請求の範囲、段落［００２６］、実施例）
従って、本発明の目的は、樹脂成分を含んでいても、優れた導電性を実現できる導電性組成物およびこの導電性組成物で形成された導電性部位を有する成形体を提供することにある。
本発明の他の目的は、基材に対する密着性又は接着性を損なうことなく、導電性を改善又は向上できる導電性組成物およびこの導電性組成物で形成された導電性部位を有する成形体を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、導電性および放熱性に優れた導電性接着剤およびこの導電性接着剤により直接接着された接合基材を備えた成形体を提供することにある。
本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意検討した結果、導電性組成物において、金属フレーク（フレーク状金属粉）と特定の樹脂成分とを組み合わせることにより、高い導電性が得られること、高い導電性と、基材に対する優れた密着性又は接着性とを両立できること、さらには、高い放熱性が要求される導電性接着剤用途などにおいても、十分な導電性と放熱性（さらには密着性）を担保できることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明の導電性組成物は、導電性金属粉と樹脂成分とを含む組成物であって、導電性金属粉が金属フレークを含み、樹脂成分が芳香族アミン骨格（又は芳香族アミン又は芳香族アミン由来の骨格）を含む。なお、「芳香族アミン骨格を有する樹脂成分」とは、硬化又は固化した状態で芳香族アミン骨格又は残基（特に、芳香族ポリアミン骨格又は残基）を有する樹脂成分を意味し、芳香族アミン（特に芳香族ポリアミン）を反応成分として用いた樹脂のみならず、樹脂と芳香族アミン（特に芳香族ポリアミン）とを含む樹脂組成物も包含する。
このような組成物において、金属フレークは、少なくとも、金属（又は金属結晶）がフレーク状（又は二次元的）に成長（又は結晶成長）した結晶構造を有する金属フレークを含んでいる。例えば、Ｘ線回折における（１１１）面、（２００）面の回折積分強度を、それぞれ、Ｉ１１１、Ｉ２００とするとき、前記金属フレークは、下記式で表される値Ｘが３０％以下（例えば、２０％以下）の金属フレークであってもよい。
Ｘ＝［Ｉ２００／（Ｉ１１１＋Ｉ２００）］×１００（％）
前記樹脂成分は、熱硬化性樹脂成分であってもよい。代表的な態様では、樹脂成分は、熱硬化性樹脂（又は熱硬化性樹脂前駆体）および硬化剤（又は架橋剤）を含む熱硬化性樹脂組成物であり、熱硬化性樹脂及び／又は硬化剤が芳香族アミン骨格を含んでいてもよい。このような熱硬化性樹脂組成物において、硬化剤は芳香族アミン系硬化剤を含んでいてもよい。より具体的には、樹脂成分は、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂（例えば、エポキシ当量が６００ｇ／ｅｑ以下のエポキシ樹脂）と、硬化剤（芳香族アミン系硬化剤を含む）とを含むエポキシ樹脂組成物であってもよい。芳香族アミン系硬化剤は、例えば、芳香環に直接アミノ基が置換した構造を有する芳香族アミン系硬化剤であってもよい。
硬化剤は、下記式（１）で表される芳香族ポリアミンを含んでもよい。
Figure 2015172183
 （式中、環Ｚは、それぞれ独立して、アレーン環を示し、Ａはアルキレン基若しくはアルキリデン基、シクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基、アリーレン基、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、又はスルホニル基を示し、Ｒはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を示し、ｍは０又は１を示し、ｎは、それぞれ独立して、０〜４の整数を示す）
樹脂成分の割合は、金属フレーク１００重量部に対して、例えば、１〜５０重量部程度であってもよい。
本発明の導電性組成物は、導電性接着剤（例えば、ダイボンドペースト）、例えば、金属基材と半導体基材とを接着させるための導電性接着剤であってもよい。
本発明には、前記導電性組成物で形成された導電性部位（又は導電膜）を少なくとも有する成形体（導電性成形体、導電性部材）も含まれる。このような成形体（電気・電子部品など）は、２つの基材と、この基材間に介在し、かつ２つの基材を接着させる導電性接着剤とで構成された接合基材を備えた成形体（又は接合部材）であって、導電性接着剤が前記導電性組成物により形成された導電性部位である成形体（又は接合部材）であってもよい。このような成形体は、例えば、金属基材（リードフレームなど）と、半導体基材（半導体チップなどの電子部品が搭載された基材など）と、これらの基材間に介在し、かつ両者を接着させる前記導電性組成物（又は接着層）とで形成してもよい。
さらに、本発明は、前記Ｘ線回折による導電性部位の前記値Ｘが３０％以下（例えば、２０％以下）である導電性成形体も含む。
本発明の導電性組成物では、バインダーとしての樹脂成分を含むにもかかわらず、優れた導電性を実現できる。しかも、基材に対する密着性又は接着性を損なうことなく高い導電性を実現できる。また、本発明の導電性組成物は、導電性と放熱性（熱伝導性）にも優れているため、導電性接着剤として有用である。
＜導電性組成物＞
本発明の導電性組成物は、特定の導電性金属粉および特定の樹脂成分で構成されている。
［導電性金属粉］
導電性金属粉は、少なくとも金属フレーク（フレーク状金属粉、板状金属粉、鱗片状金属粉）を含んでいる。
（金属フレーク）
金属フレークを構成する金属（金属原子）としては、例えば、遷移金属（例えば、チタン、ジルコニウムなどの周期表第４族金属；バナジウム、ニオブなどの周期表第５族金属；モリブデン、タングステンなどの周期表第６族金属；マンガン、レニウムなどの周期表第７族金属；鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、白金などの周期表第８〜１０族金属；銅、銀、金などの周期表第１１族金属など）、周期表第１２族金属（例えば、亜鉛、カドミウムなど）、周期表第１３族金属（例えば、アルミニウム、ガリウム、インジウムなど）、周期表第１４族金属（例えば、ゲルマニウム、スズ、鉛など）、周期表第１５族金属（例えば、アンチモン、ビスマスなど）などが挙げられる。金属は単独で又は２種以上組み合わせてもよい。
金属は、金属単体の他、金属の合金、又は金属と非金属との化合物（例えば、金属酸化物、金属水酸化物、金属硫化物、金属炭化物、金属窒化物、金属ホウ化物など）の形態であってもよい。通常、金属は、金属単体、又は金属合金である場合が多い。代表的な金属は、周期表第８〜１０族金属（鉄、ニッケル、ロジウム、パラジウム、白金など）、周期表第１１族金属（銅、銀、金など）、周期表第１３族金属（アルミニウム、インジウムなど）、周期表第１４族金属（スズなど）、及びこれらの合金などを含む。特に、金属は、少なくとも銀などの貴金属（特に周期表第１１族金属）を含む金属（例えば、金属単体、金属合金）、特に貴金属単体（例えば、銀単体など）であるのが好ましい。これらの金属で形成されたフレークは単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
金属フレークは、（ｉ）金属（又は金属結晶）がフレーク状（又は二次元的）に成長（又は結晶成長）した結晶構造（結晶構造１）を有する金属フレーク、（ｉｉ）多数の結晶子が集成した結晶構造（結晶構造２）を有する金属微粒子（又は球状微粒子）のフレーク化（又は扁平化）物などのいずれであってもよい。金属フレークは、少なくとも前記金属フレーク（ｉ）を含んでいる。
なお、金属フレーク（ｉ）では、結晶単体を成長させてフレーク状の金属に成長させた結晶構造を主に有するのに対し、金属フレーク（ｉｉ）では、通常、多数の結晶子が集成した結晶構造を有する金属微粒子（又はその凝集物）をフレーク化（又は扁平化）するため、フレーク化物もまた、多数の結晶子が集成した結晶構造を主に有することになる。また、金属フレーク（ｉｉ）では、物理的にフレーク化させるため、金属表面に微細な凹凸が生成しやすい。
結晶構造１を主に有する金属フレーク（ｉ）は、結晶構造２に比べて、結晶粒界における抵抗が小さいため好適であるものの、結晶面の中でフレークの大部分の面積を占める板面［例えば、銀フレークのような面心立方格子である場合は主に（１１１）面］の表面エネルギーが低く、界面での金属結合も生じがたいため、十分な導電性を担保できなくなる場合がある。一方、金属フレーク（ｉｉ）は、結晶構造２に起因して、結晶構造１に比べて、結晶粒界での抵抗が大きくなるが、表面の微細な凹凸に起因してか、結晶構造１に比べて、金属フレーク界面での焼結性が大きくなり、金属結合による低抵抗化も期待できる。
このような観点から、金属フレークは、所望の用途や導電性などに応じて適宜選択すればよいが、本発明では、特に、金属フレーク（ｉ）を好適に用いてもよい。このような金属フレーク（ｉ）であっても、樹脂成分と組み合わせることにより、金属フレーク同士の十分な接触を確保できるためか、高い導電性を担保でき、さらには、これらの成分が相乗的に作用して、金属フレーク（ｉｉ）を用いた場合に比べてより一層高い導電性を実現できる。
なお、金属フレークにおける結晶性の程度は、Ｘ線回折における回折強度を指標として見積もることができる。粉末Ｘ線回折法では、結晶成長により異方性（配向性）が付与された結晶構造１を有する金属フレークにおいては、平面又は板面に対する回折は、主に（１１１）面に対応し大きな強度で現われるが、厚みを形成している面に対する回折は、主に（２００）面に対応し、その強度は極端に小さく現れる。一方、多数の結晶子が集成した金属フレーク（ｉｉ）においては、異方性（配向性）が小さく、（１１１）面、（２００）面からの回折強度の差異が小さくなる。そのため、（１１１）面の強度が大きく、（２００）面の強度が小さいほど、結晶構造１の割合が大きいということになる。具体的には、Ｘ線回折（２θ／θスキャン法）における（１１１）面及び（２００）面の回折積分強度を、それぞれ、Ｉ１１１及びＩ２００とするとき、下記式で表される値Ｘが、３０％以下（例えば、０〜２５％）、好ましくは２０％以下（例えば、０〜１８％）、さらに好ましくは１５％以下（例えば、０〜１２％）、特に１０％以下（例えば、０〜９％）となる金属フレークを、主に結晶構造１を有する金属フレーク（すなわち、金属フレーク（ｉ））としてもよい。値Ｘは、例えば、１〜１０％、好ましくは２〜７．５％程度であってもよい。なお、前記Ｘ線回折による値Ｘを単に「値Ｘ」という場合がある。
Ｘ＝［Ｉ２００／（Ｉ１１１＋Ｉ２００）］×１００（％）
このような金属フレークを使用すると、成形後（例えば、導電性組成物を硬化処理した後）においても、上記Ｘの値を維持した（又は金属フレークの結晶状態を保持した）導電性部位や導電性接着剤を形成でき、高い導電性の導電性成形体を形成できる。
なお、金属フレーク（ｉｉ）において、前記値Ｘは、２５％超（例えば、２７〜４０％）、好ましくは３０％以上（例えば、３２〜４０％）程度であってもよく、通常、２７〜３５％程度であってもよい。
金属フレークは、市販品を用いてもよく、慣用の方法により調製してもよい。例えば、金属フレーク（ｉ）は、特許第３４２９９８５号公報、特許第４１４４８５６号公報、特許第４３９９７９９号公報、特開２００９−１４４１８８号公報などに記載の製造方法を用いて合成でき、これらの文献に記載の金属フレークを使用できる。また、金属フレーク（ｉｉ）は、前記特許文献１や２に記載の方法を用いて合成してもよい。
金属フレークの平均粒径は、例えば、０．１〜２０μｍ、好ましくは０．３〜１５μｍ（例えば、０．５〜１２μｍ）、さらに好ましくは０．７〜１０μｍ（例えば、０．８〜７μｍ）程度であってもよく、通常１〜１０μｍ程度であってもよい。なお、金属フレークの平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定法などを利用して測定できる。このような測定法では、平均粒径（中心粒径）は体積基準の値として測定される。
金属フレークの平均厚みは、例えば、５〜１０００ｎｍ、好ましくは２０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは５０〜３００ｎｍであってもよく、通常、１０〜３００ｎｍ程度であってもよい。
また、金属フレークのアスペクト比（平均粒径／平均厚み）は、例えば、５〜１００、好ましくは７〜５０、さらに好ましくは１０〜３０程度であってもよい。
金属フレークのＢＥＴ比表面積は、０．３〜７ｍ２／ｇ程度の範囲から選択でき、例えば、０．５〜６ｍ２／ｇ、好ましくは１〜５ｍ２／ｇ、さらに好ましくは１．２〜４ｍ２／ｇ程度であってもよく、通常、１〜５ｍ２／ｇ程度であってもよい。
金属フレークのタップ密度は、０．１〜７ｇ／ｃｍ３（例えば、０．２〜６ｇ／ｃｍ３）程度の範囲から選択でき、例えば、０．３〜５ｇ／ｃｍ３、好ましくは０．５〜４．５ｇ／ｃｍ３、さらに好ましくは１〜４ｇ／ｃｍ３程度であってもよく、通常、１．２〜４ｇ／ｃｍ３（例えば、１．５〜３．５ｇ／ｃｍ３）程度であってもよい。
（金属粒子）
本発明の組成物において、金属フレークは、導電性、流動性を調整するため、前記Ｘ値が２０％より大きい金属粒子と組み合わせて用いてもよい。金属粒子と組み合わせることで、導電性、ペーストの流動性を調整できる。金属粒子の形態は、Ｘ値が２０％より大きい粒子であればよく、球状、繊維状などであってもよい。なお、金属粒子を形成する金属は、前記と同様であり、金属フレークと同種又は異種であってもよい。金属粒子は、単独で又は２種以上組み合わせてもよい。なお、金属粒子は、市販品を用いてもよく、慣用の方法により調製してもよい。
なお、金属フレークの平均粒径と金属粒子の平均粒径との割合（比）は、例えば、前者／後者＝２／１〜１０００／１（例えば、３／１〜５００／１）、好ましくは４／１〜３００／１（例えば、５／１〜２００／１）、さらに好ましくは１０／１〜１００／１程度であってもよい。金属粒子の平均粒径も、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定法などを利用して測定できる。
金属フレークと金属粒子（球状金属粒子など）との割合は、前者／後者（重量比）＝１００／０〜５／９５（例えば、９９／１〜１０／９０）程度の範囲から選択でき、例えば、９５／５〜２５／７５（例えば、９０／１０〜３０／７０）好ましくは８５／１５〜４０／６０（例えば、８０／２０〜４５／５５）程度であってもよく、９９／１〜３０／７０程度であってもよい。
［樹脂成分］
本発明において、導電性組成物を構成する樹脂成分は、芳香族アミン骨格（又は芳香族アミン由来の骨格）を有する。金属フレークと芳香族アミン骨格を有する樹脂成分とを組み合わせることにより、高い導電性を実現でき、基板に対する十分な密着性を担保できる。このような理由は定かではないが、芳香族アミン骨格を有する樹脂成分が、金属フレーク同士の接触や焼結（金属結合の形成）を促進する場合がある他、硬化又は固化後に形成される剛直な芳香族アミン骨格を有する樹脂構造と、金属フレークにより形成される剛直なメタルネットワーク構造との相性の良さも想定される。
芳香族アミン骨格を有する樹脂成分は、硬化又は固化した状態で芳香族アミン骨格又は残基（特に、芳香族ジアミンを含む芳香族ポリアミン骨格又は残基）を有する樹脂成分であればよく、（ａ）芳香族アミン（特に、芳香族ジアミンを含む芳香族ポリアミン）を反応成分（重合成分、又は修飾（又は変性）成分）として用いた樹脂、（ｂ）樹脂と、この樹脂と反応する成分［例えば、熱硬化性樹脂と反応する硬化剤（例えば、芳香族アミン（特に、芳香族ジアミンを含む芳香族ポリアミン）系硬化剤を含む硬化剤）］とを含む樹脂組成物も包含する。
前記樹脂（ａ）は、樹脂の態様に応じて芳香族アミン骨格又は残基を含んでおり、芳香族アミンのアミノ基は、遊離のアミノ基（又はイミノ基）を形成していてもよい。
前記樹脂（ａ）は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれであってもよい。熱可塑性樹脂としては、芳香族アミンを重合成分（又はモノマー）とする樹脂［例えば、芳香族ジアミン（後述の芳香族アミン系硬化剤など）を含むジアミン成分を用いたポリアミド樹脂；芳香族アミン骨格を有するラジカル重合性モノマー（例えば、２−エチルアミノフェニル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸４−（ベンゾイルアミノ）フェニルなど）を重合成分とする付加重合系樹脂（（メタ）アクリル樹脂など）など］などが挙げられる。また、熱可塑性樹脂は、アミノ基に対して反応性を有する熱可塑性樹脂を、芳香族アミン（特に、芳香族ポリアミン）で修飾又は変性した樹脂であってもよい。前記アミノ基に対して反応性を有する熱可塑性樹脂としては、カルボキシル基を有する樹脂（（メタ）アクリル酸などのカルボキシル基含有重合性単量体を重合成分とする（メタ）アクリル系単独又は共重合体、カルボキシル基や酸無水物基を有するポリエステル樹脂など）、エポキシ基を有する樹脂（グリシジル（メタ）アクリレートを重合成分とする（メタ）アクリル系単独又は共重合体など）、イソシアネート基を有する樹脂（ウレタン系樹脂など）などが例示できる。これらの熱可塑性樹脂は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
好ましい樹脂（ａ）は、熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂としては、芳香族アミン（ジアミンなどの芳香族ポリアミン）を重合成分（又はモノマー）とする樹脂、例えば、グリシジルアミン型芳香族エポキシ樹脂、アニリン樹脂、フェノール樹脂（アニリンなどの芳香族アミンを共縮合したフェノール樹脂など）、アミノ樹脂（アニリンなどの芳香族アミンを共縮合したアミノ樹脂など）などが例示できる。
さらに、芳香族アミン骨格を有する樹脂成分は、前記樹脂組成物（ｂ）であるのが好ましく、この樹脂組成物（ｂ）の樹脂は、熱硬化性樹脂であるのが好ましい。すなわち、前記樹脂組成物（ｂ）は、熱硬化性樹脂（又は熱硬化性樹脂前駆体）および硬化剤（又は架橋剤）を含み、熱硬化性樹脂及び／又は硬化剤が芳香族アミン骨格を含む。特に、熱硬化性樹脂と、芳香族アミン系硬化剤を含む硬化剤とで熱硬化性樹脂組成物を構成するのが好ましい。芳香族アミン系硬化剤を用いると、より一層効率よく高い導電性を実現できる。その理由は明確ではないが、金属フレークと芳香族アミン骨格との相互作用により、導電性が向上するものと思われる。
樹脂組成物（ｂ）の熱硬化性樹脂として、上記樹脂（ａ）で例示の樹脂を用いる場合、硬化剤としては、アミノ基に対して反応性を有する慣用の硬化剤、例えば、酸無水物系硬化剤、イソシアネート系硬化剤などが例示できる。樹脂組成物（ｂ）の熱硬化性樹脂としては、上記樹脂（ａ）で例示の樹脂の他、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂（イソシアネート基を有するポリイソシアネート樹脂）、（メタ）アクリル樹脂又はスチレン系樹脂（カルボキシル基や酸無水物基、グリシジル基、イソシアネート基を有する（メタ）アクリル樹脂やスチレン系樹脂など）、ポリイミド樹脂（酸無水物基を有するポリアミック酸など）などが例示できる。これらの熱硬化性樹脂は単独で又は２種以上組み合わせてもよい。この場合、硬化剤としては、後述する芳香族アミン系硬化剤を含む硬化剤が用いられる。例えば、樹脂組成物（ｂ）は、ポリイソシアネート化合物（又はイソシアネート基を有するポリイソシアネート樹脂）と、硬化剤（芳香族アミン系硬化剤を含む）とを含むポリイソシアネート樹脂組成物であってもよく、エポキシ樹脂と、硬化剤（芳香族アミン系硬化剤を含む）とを含むエポキシ樹脂組成物であってもよい。
なお、芳香族アミン骨格を有する樹脂成分が、前記樹脂（ａ）であるとき、芳香族アミン骨格（芳香族アミン由来の骨格）の割合は、例えば、樹脂成分全体の１重量％以上（例えば、２〜１００重量％）、好ましくは３重量％以上（例えば、５〜９０重量％）、さらに好ましくは５重量％以上（例えば、１０〜８０重量％）程度であってもよい。
芳香族アミン骨格を有する樹脂成分が樹脂組成物（ｂ）であるとき、樹脂成分全体に対する芳香族アミン骨格の割合（例えば、芳香族アミン系硬化剤の割合）は、樹脂成分全体の１重量％以上（例えば、２〜８０重量％）、好ましくは５〜５０重量％、さらに好ましくは１０〜３０重量％程度であってもよい。なお、芳香族アミン系硬化剤の割合は、例えば、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、０．１〜５００重量部、好ましくは１〜３００重量部、さらに好ましくは３〜１５０重量部、特に５〜１００重量部程度であってもよい。
以下に、好ましい熱硬化性樹脂組成物として、主剤としてエポキシ樹脂を含み、硬化剤として芳香族アミン系硬化剤を含む樹脂組成物について説明する。
（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂は、通常、少なくとも多官能エポキシ樹脂を含んでおり、多官能エポキシ樹脂は、例えば、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型、脂環式型などのいずれであってもよい。多官能エポキシ樹脂は、脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、芳香族エポキシ樹脂、含窒素型エポキシ樹脂（含窒素型多官能エポキシ樹脂、例えば、トリグリシジルイソシアヌレートなど）などであってもよい。多官能エポキシ樹脂において、分子中のエポキシ基の数は、エポキシ樹脂の種類に応じて、２以上、例えば、２〜１５０（例えば、２〜１００）、好ましくは２〜８０（例えば、２〜５０）、さらに好ましくは２〜３０程度であってもよい。エポキシ樹脂は、単独で又は２種以上組み合わせてもよい。
脂肪族エポキシ樹脂のうちジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂としては、例えば、アルカンポリオールポリグリシジルエーテル（ブタンジオール、ネオペンチルグリコールなどのアルカンジオール；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのポリＣ２−４アルカンジオール；トリメチロールプロパン、グリセリン、ペンタエリスリトールなどのアルカントリ乃至ヘキサオールから選択されたアルカンポリオールのジ乃至ヘキサグリシジルエーテルなど）、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルなどが例示できる。グリシジルエステル型エポキシ樹脂としては、シクロアルカンジカルボン酸（１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸など）、ダイマー酸グリシジルエステルなどが例示できる。
脂環族エポキシ樹脂としては、例えば、アルカンポリオールとエポキシシクロアルカンカルボン酸とのエステル（例えば、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート；２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールと３，４−エポキシシクロヘキサンカルボン酸とのトリエステルなど）などが例示できる。
芳香族エポキシ樹脂は、グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型芳香族エポキシ樹脂、グリシジルアミン型芳香族エポキシ樹脂を含んでいる。
グリシジルエーテル型芳香族エポキシ樹脂としては、例えば、アレーングリシジルエーテル類［例えば、ジグリシジルオキシベンゼン類、ジグリシジルオキシナフタレン（例えば、２，６−ジ（グリシジルオキシ）ナフタレン、２，７−ジ（グリシジルオキシ）ナフタレンなどのポリグリシジルオキシナフタレン類）、４，４’−ジグリシジルオキシビフェニル、２，２’−ジグリシジルオキシビナフタレンなど］；ビスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラック型エポキシ樹脂などが例示できる。
ビスフェノール型エポキシ樹脂としては、ビスフェノール類又はそのアルキレンオキシド（例えば、エチレンオキシド、プロピレンオキシドなどのＣ２−４アルキレンオキシド）付加体のジグリシジルエーテルが挙げられる。ビスフェノール類としては、例えば、ビフェノール、ビナフトールなどのビ（ヒドロキシアレーン）類；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＥ、ビスフェノールＦなどのビス（ヒドロキシフェニル）Ｃ１−１０アルカン；２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビスフェノールＧなどのビス（Ｃ１−１０アルキル−ヒドロキシフェニル）Ｃ１−１０アルカン；ビスフェノールＰＨなどのビス（ヒドロキシＣ６−１０アリールフェニル）Ｃ１−１０アルカン；ビスフェノールＺ、ビスフェノールＴＭＣなどのビス（ヒドロキシフェニル）Ｃ５−１０シクロアルカン；ビスフェノールＡＰ、ビスフェノールＢＰ；ビスフェノールＡＦ；ビスフェノールＳ；ビスフェノールＭ；ビスフェノールＰ；ビスナフトール類（例えば、１，１’−メチレンビス（ヒドロキシナフタレン）などのビス（ヒドロキシナフチル）Ｃ１−１０アルカン）などが挙げられる。なお、ビスフェノール類のアルキレンオキシド付加体において、ビスフェノール類のヒドロキシル基１モルに対するアルキレンオキシドの付加モル数は、例えば、１モル以上（例えば、１〜２０モル）、好ましくは１〜１５モル、さらに好ましくは１〜１０モル程度であってもよい。
ノボラック型エポキシ樹脂としては、フェノール類を重合成分とするノボラック樹脂のグリシジルエーテルが挙げられる。フェノール類としては、例えば、フェノール；アルキルフェノール（例えば、クレゾール、エチルフェノール、ｓ−ブチルフェノール、ｔ−ブチルフェノール、デシルフェノール、ドデシルフェノールなどのＣ１−１２アルキルフェノール、好ましくはＣ１−４アルキルフェノール）、アラルキルフェノール（例えば、１，１−ジメチル−１−フェニルメチルフェノールなどのＣ６−１０アリールＣ１−１０アルキルフェノール）などの置換フェノール；ナフトール類（例えば、ナフトールなど）、ビスフェノール類（前記例示のビスフェノール類）などが挙げられる。これらのフェノール類は、単独で又は２種以上組み合わせてノボラック樹脂を構成してもよい。
代表的なノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂（例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂など）、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂（例えば、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂など）、変性ノボラック型エポキシ樹脂［例えば、アラルキルノボラック型エポキシ樹脂（例えば、キシリレン骨格含有フェノールノボラック樹脂など）、ジシクロペンタジエン骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂（例えば、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、ビフェニル骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂（例えば、ビフェニル骨格含有フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、臭素化ノボラック型エポキシ樹脂（例えば、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂）など］などが挙げられる。
なお、ノボラック型エポキシ樹脂の数平均分子量は、例えば、１０００〜１００００００、好ましくは２０００〜１０００００、さらに好ましくは３０００〜２５０００程度であってもよい。
グリシジルエステル型芳香族エポキシ樹脂としては、例えば、芳香族ジカルボン酸（フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタレンジカルボン酸など）のジグリシジルエステルなどが例示できる。
グリシジルアミン型芳香族エポキシ樹脂としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリン；テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、テトラグリシジルメタキシリレンジアミンなどのテトラ乃至オクタグリシジルポリアミン；トリグリシジルパラアミノフェノール；Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−４−グリシジルオキシアニリン（又はＮ，Ｎ−ビス（２，３−エポキシプロピル）−４−（２，３−エポキシプロポキシ）アニリン）などが挙げられる。
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に限定されず、８００ｇ／ｅｑ以下（例えば、５０〜７５０ｇ／ｅｑ）程度の範囲から選択でき、例えば、７００ｇ／ｅｑ以下（例えば、７０〜６５０ｇ／ｅｑ）、好ましくは６００ｇ／ｅｑ以下（例えば、８０〜５５０ｇ／ｅｑ）、特に５００ｇ／ｅｑ以下（例えば、１００〜４５０ｇ／ｅｑ）程度であってもよい。
エポキシ樹脂は、単官能エポキシ樹脂であってもよい。単官能エポキシ樹脂は反応性希釈剤として使用する場合が多い。単官能エポキシ樹脂としては、例えば、グリシジルエーテル類（例えば、フェニルグリシジルエーテル、ｏ−フェニルフェニルグリシジルエーテルなどの芳香族モノグリシジルエーテル）、シクロアルケンオキシド類（例えば、４−ビニルエポキシシクロヘキサン、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジアルキルエステルなど）などが例示できる。
なお、多官能エポキシ樹脂と単官能エポキシ樹脂との割合は、前者／後者（重量比）＝１００／０〜３０／７０程度の範囲から選択でき、例えば、９９／１〜４０／６０（例えば、９７／３〜５０／５０）、好ましくは９５／５〜６０／４０（例えば、９５／５〜７０／３０）程度であってもよい。
（芳香族アミン系硬化剤）
芳香族アミン系硬化剤としては、ジアミンなどの芳香族ポリアミン、例えば、パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミンなどのジアミノＣ６−１０アレーン；トルエンジアミンなどのジアミノ−モノ乃至トリＣ１−４アルキルＣ６−１０アレーン；キシリレンジアミンなどのジ（アミノＣ１−４アルキル）Ｃ６−１０アレーンなどの他、下記式（１）で表される芳香族ポリアミン（ビスアリールポリアミン）などが例示できる。
Figure 2015172183
（式中、環Ｚは、それぞれ独立して、アレーン環を示し、Ａはアルキレン基若しくはアルキリデン基、シクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基、アリーレン基、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、又はスルホニル基を示し、Ｒはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を示し、ｍは０又は１を示し、ｎは、それぞれ独立して、０〜４の整数を示す）
環Ｚで表されるアレーン環としては、ベンゼン環、ナフタレン環などのＣ６−１０アレーン環が例示できる。環Ｚはベンゼン環である場合が多い。Ａで表されるアルキレン基又はアルキリデン基としては、メチレン基、エチレン基、エチリデン基、プロピレン基、２−プロピリデン基、２−ブチリデン基などの直鎖状又は分岐鎖状Ｃ１−６アルキレン基又はアルキリデン基が例示できる。これらのアルキレン基又はアルキリデン基には、アリール基（フェニル基などのＣ６−１０アリール基）、ハロゲン原子などが置換していてもよい。シクロアルキレン基又はシクロアルキリデン基としては、１，４−シクロヘキシレン基、シクロヘキシリデン基などのＣ４−１０シクロアルキレン基又はシクロアルキリデン基などが例示でき、アリーレン基としては、フェニレン基などのＣ６−１０アリーレン基、４，４’−ビフェニレン基、フルオレン−９，９−ジイル基などが例示できる。Ａは、酸素原子又はエーテル基（−Ｏ−）、硫黄原子又はチオ基（−Ｓ−）、スルフィニル基（−ＳＯ−）、スルホニル基（−ＳＯ２−）であってもよい。
係数ｍは０又は１であり、ｍ＝０の化合物はビアリール化合物を形成する。
Ｒで表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基などのＣ１−６アルキル基が例示できる。シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基などのＣ５−８シクロアルキル基が例示でき、アリール基としては、フェニル基などのＣ６−１０アリール基が例示でき、アラルキル基としては、ベンジル基などのＣ６−８アリール−Ｃ１−２アルキル基などが例示できる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などのＣ１−６アルコキシ基などが例示できる。ハロゲン原子は、フッ素、塩素、臭素原子などを含む。好ましいＲは、アルキル基（メチル基などのＣ１−４アルキル基）である。なお、複数の置換基Ｒが存在する場合、置換基Ｒの種類は同一又は異なっていてもよい。
係数ｎは０〜４の整数から選択でき、通常、０〜２（例えば、１又は２）であってもよい。
なお、環Ｚがベンゼン環であるとき、アミノ基は３−位又は４−位（特に４−位）に結合している場合が多く、置換基Ｒは３−位，４−位及び／又は５−位（特に３−位及び／又は５−位）に結合している場合が多い。
前記式（１）で表されるビスアリールポリアミンとしては、例えば、ジアミノビアレーン（４，４’−ジアミノビフェニルなど）；ビス（アミノアリール）アルカン（例えば、ジ（４−アミノフェニル）メタンなどのジ（アミノＣ６−１０アリール）Ｃ１−６アルカン）；ビス（アミノ−アルキルアリール）アルカン（例えば、ビス（３−エチル−４−アミノフェニル）メタン、ビス（３−エチル−５−メチル−４−アミノフェニル）メタンなどのジ（アミノ−Ｃ１−４アルキルＣ６−１０アリール）Ｃ１−６アルカン）；ビス（アミノアリール）エーテル（例えば、ジアミノジフェニルエーテルなどのジ（アミノＣ６−１２アリール）エーテル、好ましくはジ（アミノＣ６−１０アリール）エーテルなど）；ビス（アミノアリール）スルフィド（例えば、ジアミノジフェニルスルフィドなどのジ（アミノＣ６−１２アリール）スルフィド、好ましくはジ（アミノＣ６−１０アリール）スルフィドなど）；ビス（アミノアリール）スルホン（例えば、ジアミノジフェニルスルホンなどのジ（アミノＣ６−１２アリール）スルホン、好ましくはジ（アミノＣ６−１０アリール）スルホンなど）；ビス（アミノアリールアルキル）アレーン（例えば、１，３−ビス［２−（４−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、１，４−ビス［２−（４−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼンなどのビス（アミノＣ６−１０アリールＣ１−１０アルキル）Ｃ６−１０アレーンなど）；ジ（アミノアリールオキシ）アレーン（例えば、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンなどのジ（アミノＣ６−１２アリールオキシ）Ｃ６−１２アレーン、好ましくはジ（アミノＣ６−１０アリールオキシ）Ｃ６−１０アレーン）などが例示できる。
これらの芳香族アミン系硬化剤は、単独で又は２種以上組み合わせてもよい。好ましい硬化剤としては、ビスフェノール系ポリアミン、特に、式（１）で表される化合物、例えば、芳香環に直接アミノ基が置換した芳香族アミン［例えば、ポリ（アミノアリール）アルカン、ジ（アミノアリール）エーテル、ジ（アミノアリール）スルホンなど］などが例示できる。
なお、芳香族アミン系硬化剤は、必要であれば他の硬化剤と組み合わせてもよい。他の硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン系硬化剤（例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ジエチルアミノプロピルアミンなどの（ポリ）アルキレンポリアミンなど）、脂環族アミン系硬化剤（例えば、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカンなどの単環式脂肪族ポリアミン；ノルボルナンジアミンなどの架橋環式ポリアミンなど）、イミダゾール系硬化剤［イミダゾール類（例えば、２−メチルイミダゾール、２−へプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのアルキルイミダゾール；２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールなどのアリールイミダゾール）、イミダゾール類の塩（例えば、ギ酸塩、フェノール塩、フェノールノボラック塩などの有機塩；炭酸塩などの塩）、エポキシ化合物（例えば、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルなどのポリエポキシ化合物）とイミダゾール類との反応物（又は付加物）など］、フェノール樹脂系硬化剤（例えば、前記ノボラック型エポキシ樹脂の項で例示のノボラック樹脂など）、酸無水物系硬化剤（例えば、ドデセニル無水コハク酸、アジピン酸無水物などの脂肪族カルボン酸無水物；テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などの脂環族カルボン酸無水物；無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物などの芳香族カルボン酸無水物）、ポリアミノアミド系硬化剤、ポリメルカプタン系硬化剤、潜在性硬化剤（三フッ化ホウ素−アミン錯体、ジシアンジアミド、カルボン酸ヒドラジドなど）などが挙げられる。これらの硬化剤は、単独で又は２種以上組み合わせてもよい。なお、硬化剤は、硬化促進剤として作用する場合もある。
なお、芳香族アミン系硬化剤と他の硬化剤との割合は、前者／後者（重量比）＝１００／０〜３０／７０程度の範囲から選択でき、９９．５／０．５〜４０／６０（例えば、９９／１〜５０／５０）、好ましくは９８／２〜７０／３０（例えば、９７／３〜８０／２０）程度であってもよい。
また、硬化剤（又は芳香族アミン系硬化剤）の割合は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、例えば、１〜２００重量部、好ましくは２〜１５０重量部、さらに好ましくは３〜１００重量部程度であってもよく、通常、５〜８０重量部（例えば、１０〜６０重量部）程度であってもよい。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対して、硬化剤の官能基（アミノ基など）の割合は、例えば、０．１〜４．０当量、好ましくは０．３〜２．０当量、さらに好ましくは０．５〜１．５当量程度であってもよい。
エポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤を含んでいてもよい。硬化促進剤としては、慣用の硬化促進剤、例えば、ホスフィン類（例えば、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、フェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリアルキルホスフィンなど）、アミン類［例えば、ピペリジン、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリエチレンジアミン、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジンなどの第２〜３級アミン類又はその塩など］などが挙げられる。なお、前記例示の硬化剤（例えば、イミダゾール類など）も硬化促進剤として機能する場合がある。硬化促進剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。
硬化促進剤の割合は、例えば、エポキシ樹脂１００重量部に対して、０．０１〜５０重量部、好ましくは０．１〜３０重量部程度であってもよく、通常、０．５〜３０重量部（例えば、１〜２５重量部）程度であってもよい。
芳香族アミン骨格を有する樹脂成分（例えば、エポキシ樹脂組成物など）の割合は、金属フレーク１００重量部に対して、例えば、１〜５０重量部（例えば、２〜４０重量部）、好ましくは３〜３０重量部（例えば、４〜２５重量部）、さらに好ましくは５〜２０重量部（例えば、５〜１５重量部）程度であってもよく、通常、３〜１５重量部（例えば、５〜１０重量部）程度であってもよい。本発明では、金属フレークと特定の樹脂成分とを組み合わせることにより、樹脂成分の割合が大きくても、導電性や密着性を向上できる。
（他の成分）
本発明の導電性組成物には、必要であれば、慣用の添加剤、例えば、着色剤（染顔料など）、色相改良剤、染料定着剤、金属腐食防止剤、安定剤（酸化防止剤、紫外線吸収剤など）、界面活性剤又は分散剤、分散安定化剤、増粘剤又は粘度調整剤、チクソトロピー性賦与剤、レベリング剤又は光沢付与剤、保湿剤、消泡剤、殺菌剤、充填剤などを添加してもよい。これらの添加剤は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
また、本発明の導電性組成物は、溶媒（又は分散媒）を含んでいてもよい。このような組成物（特にペースト状組成物）は、コーティング用組成物（コーティング用導電性組成物）として好適である。溶媒としては、例えば、アルコール類［例えば、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、デカノールなどの脂肪族アルコール；シクロアルカノール類（シクロヘキサノールなど）、テルピネオール、ジヒドロテルピネオールなどのテルペンアルコール類などの脂環族アルコール；ベンジルアルコールなどの芳香脂肪族アルコール；多価アルコール類（エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコールなどの（ポリ）アルカンポリオールなど）］、グリコールエーテル類（例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブなどのセロソルブ類；ジエチレングリコールモノメチルエーテル（メチルカルビトール）、エチルカルビトール、プロピルカルビトール、ブチルカルビトールなどのカルビトール類；トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテルなどのポリエチレングリコールモノＣ１−６アルキルエーテルなど）、グリコールエーテルエステル類（例えば、セロソルブアセテート類、カルビトールアセテート類など）、炭化水素類［例えば、脂肪族炭化水素類（例えば、ヘキサン、オクタンなど）、脂環式炭化水素類（シクロヘキサンなど）、ハロゲン化炭化水素類（塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタンなど）、芳香族炭化水素類（例えば、トルエン、キシレンなど）など］、エステル類（例えば、酢酸メチル、酢酸エチルなど）、アミド類（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなど）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフランなど）などが挙げられる。これらの溶媒は単独で又は２種以上組み合わせてもよい。
なお、溶媒を含む導電性組成物（又は導電性ペースト）において、固形分濃度は、例えば、１０〜９９重量％程度の範囲から選択でき、例えば、２０〜９５重量％、好ましくは３０〜９０重量％（例えば、５０〜９０重量％）、さらに好ましくは６０〜８５重量％であり、通常、５０〜９０重量％（例えば、６０〜８０重量％）程度であってもよい。
また、本発明の導電性組成物（特に溶媒を含む導電性組成物）の粘度は、例えば、２５℃において、１〜５００Ｐａ・ｓ（例えば、３〜３００Ｐａ・ｓ）、好ましくは５〜２５０Ｐａ・ｓ（例えば、７〜２００Ｐａ・ｓ）、さらに好ましくは１０〜１５０Ｐａ・ｓ程度であってもよい。粘度が小さすぎると、塗布（例えば、ディスペンス塗布）の際に液垂れの虞があり、粘度が大きすぎると糸曳きが発生する虞がある。
なお、本発明の導電性組成物は、各成分を混合することにより調製でき、例えば、金属フレークを、樹脂成分と（さらに必要に応じて他の成分と）溶媒（又は分散媒）とを含む系中に分散させることにより調製してもよい。
［導電性組成物の用途および成形体］
本発明の導電性組成物（又は導電性ペースト）は、導電性（又は導電性部位）を要する種々の成形体（導電性成形体）を形成するのに有用である。例えば、本発明の導電性組成物は、基材上に配線や回路（導電路又は電極）を形成するための組成物として利用できる。特に、本発明の導電性組成物は、高い導電性や熱伝導性を実現できるとともに、基材に対する密着性又は接着性に優れているため、導電性接着剤として好適である。
すなわち、導電性成形体は、本発明の導電性組成物で形成された導電性部位（又は導電膜）を少なくとも有する。より具体的には、配線又は回路用途においては、導電性成形体は、基材上に導電性組成物で形成された導電性部位を、配線又は回路（又は電極）として利用できる。また、導電性接着剤用途では、導電性成形体は、２つの基材と、この基材間に介在し、２つの基材を接着（直接接着）させる導電性接着剤とを含む接合基材（接合部材）を備えており、前記導電性接着剤が、導電性組成物により形成されている。
このような成形体は、基材上に導電性組成物を塗布（又はコーティング）し、固化又は硬化処理することで得ることができる。なお、導電性組成物は、通常、基材に形成した接着層上に形成してもよく、基材上に他の接着層などを形成することなく直接塗布してもよい。
基材（又は基板）は、無機材料（無機素材）及び／又は有機材料（有機素材）で形成してもよい。無機材料としては、例えば、ガラス類（ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、クラウンガラス、バリウム含有ガラス、ストロンチウム含有ガラス、ホウ素含有ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、結晶化透明ガラス、シリカガラス、石英ガラス、耐熱ガラスなど）、セラミックス、金属（アルミニウム、銅、金、銀など）、半導体（例えば、導体、半導体、絶縁体などで形成された半導体など）が挙げられる。セラミックスとしては、例えば、金属酸化物（酸化珪素、石英、アルミナ又は酸化アルミニウム、ジルコニア、サファイア、フェライト、チタニア又は酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、ムライト、ベリリアなど）、金属窒化物（窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化炭素、窒化チタンなど）、金属炭化物（炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンなど）、金属ホウ化物（ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウムなど）、金属複酸化物［チタン酸金属塩（チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛、チタン酸ニオブ、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウムなど）、ジルコン酸金属塩（ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛など）など］が例示できる。
有機材料としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル系樹脂、スチレン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂［ポリアルキレンアリレート系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのホモ又はコポリアルキレンアリレートなど）、ポリアリレート系樹脂や液晶ポリマーを含む］、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリイミド系樹脂、セルロース誘導体、フッ素樹脂などが挙げられる。
これらの材料のうち、耐熱性の高い材料、例えば、半導体、ガラス、金属などの無機材料、エンジニアリングプラスチック［例えば、芳香族ポリエステル系樹脂（ポリエチレンナフタレートなどのポリアルキレンアリレート系樹脂、ポリアリレート系樹脂など）、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂など］、液晶ポリマー、フッ素樹脂などのプラスチックが好ましい。
なお、導電性組成物で構成された導電性接着剤は、同一又は異なる２つの基材を接着してもよい。例えば、金属基材と金属基材とを接着してもよく、金属基材と半導体の基材とを接着してもよい。なお、金属同士の接着において、非金属の基材（例えば、半導体、プラスチックなど）上に形成された金属又はセラミック膜（蒸着などによる金属膜、金属酸化物膜など）を接着させてもよい。より具体的な例としては、例えば、半導体分野においては、一方の基材としてのリードフレーム［例えば、金属（銅、銅合金、アルミニウムなど）で形成されたリードフレーム、金属で形成され、さらにめっき処理されたリードフレームなど］と、他方の基材としての半導体基板（又は半導体チップ）［例えば、半導体基材（シリコン基板など）、半導体基材（シリコン基板など）上に金属膜（チタン、白金、金など）、回路、電極などの導電膜（ＩＴＯ膜など）が形成された半導体チップなど］とを導電性接着剤（ダイボンドペースト）で接着させてもよい。
基材の表面には、酸化処理［表面酸化処理、例えば、放電処理（コロナ放電処理、グロー放電など）、酸処理（クロム酸処理など）、紫外線照射処理、焔処理など］、表面凹凸処理（溶剤処理、サンドブラスト処理など）などの表面処理を施してもよい。
基材の厚みは、用途に応じて選択でき、例えば、０．００１〜１０ｍｍ、好ましくは０．０１〜５ｍｍ、さらに好ましくは０．０５〜３ｍｍ程度であってもよい。
基材に対する導電性組成物のコーティング方法としては、例えば、フローコーティング法、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、キャスト法、バーコーティング法、カーテンコーティング法、ロールコーティング法、ディッピング法、スリット法、フォトリソグラフィ法、種々の印刷法（スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、グラビアコーティング法、インクジェット法）などが例示できる。導電性組成物は、用途に応じて、基材の全面に対して少なくとも一部（一部又は全部）に適用してもよい。例えば、配線又は回路を形成する場合には、導電性組成物によりパターン状の塗膜を形成してもよく、導電性接着剤として用いる場合には、２つの基材間の被接着部位に対応させて導電性組成物の塗膜を形成してもよい。なお、パターン状に塗膜を形成する場合には、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、凹版印刷法（例えば、グラビア印刷法など）、オフセット印刷法、凹版オフセット印刷法、フレキソ印刷法などを利用してコーティングしてもよい。
塗布後は、自然乾燥又は加熱して乾燥してもよい。加熱温度は、溶媒の種類に応じて選択でき、例えば、５０〜２００℃、好ましくは８０〜１８０℃、さらに好ましくは１００〜１５０℃（特に１１０〜１４０℃）程度である。加熱時間は、例えば、１分〜３時間、好ましくは５分〜２時間、さらに好ましくは１０分〜１時間程度である。
未硬化（前駆体）状態の塗膜は、通常、硬化処理に供される。硬化処理は、通常、少なくとも加熱（又は焼成又は加熱処理）により行うことができる。加熱温度（熱処理温度）は、例えば、１００〜３５０℃、好ましくは１２０〜３２０℃、さらに好ましくは１５０〜３００℃（例えば、１８０〜２５０℃）程度であってもよい。また、加熱時間は、加熱温度などに応じて、例えば、１０分〜５時間、好ましくは１５分〜３時間、さらに好ましくは２０分〜１時間程度であってもよい。
得られた導電性部位又は導電膜（硬化処理後の塗膜、焼結パターン）の厚みは、用途に応じて０．０１〜１００００μｍ程度の範囲から選択でき、例えば、０．０１〜１００μｍ、好ましくは０．１〜５０μｍ、さらに好ましくは０．３〜３０μｍ（特に０．５〜１０μｍ）程度であってもよい。本発明では、比較的厚膜、例えば、０．３μｍ以上（例えば、０．３〜１００μｍ）、好ましくは０．５μｍ以上（例えば、０．５〜５０μｍ）、さらに好ましくは１μｍ以上（例えば、１〜３０μｍ）程度の厚みの金属膜を形成してもよい。このような厚膜であっても、基材に対する密着性を損なうことなく、高い導電膜を形成できる。
本発明の前記導電性成形体において、基材間に介在する導電性部位の値Ｘは３０％以下（例えば、２５％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、特に３％以下）であってもよい。本発明において、値Ｘは、基材と接触する側（基材側）や表面側で測定した値を採用できる。なお、導電性部位の前記値Ｘは測定部位（厚み方向の部位）によって、やや異なる場合があるが、そのような場合でも値Ｘは上記範囲内にある場合が多い。例えば、薄膜（例えば、厚み２００〜４００μｍ程度の薄膜）の表面側で測定した値Ｘは、１０％以下、好ましくは５％以下（例えば、０．５〜３％）、より好ましくは３％以下（例えば、１〜２．５％）である。また、導電性部位の厚みが大きくなると、導電性部位の中心部（表面部から離れた内部）では、配向性の低下に伴って値Ｘが大きくなる傾向を示す。例えば、厚み５ｍｍ程度の厚膜の導電性部位（導電膜）の内部（厚み方向の中央部付近でカットした測定面）の値Ｘは、３０％を超えてもよいが、通常、３０％以下（例えば、５〜２７％）、好ましくは２５％以下（例えば、２０〜２５％）程度であってもよい。
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。実施例および比較例で用いた各種成分は、以下の通りである。
（芳香族アミン樹脂成分Ａ）
ビスフェノールＡプロポキシジグリシジルエーテル（和光純薬工業（株）製、エポキシ当量２２８ｇ／ｅｑ）３．７５重量部に対して、芳香族ポリアミン［東京化成製、４，４’−メチレンビス（２−エチル−６−メチルアニリン）］１．２５重量部を混合し、芳香族アミン樹脂成分Ａを作製した。
（芳香族アミン樹脂成分Ｂ）
ビスフェノールＡプロポキシジグリシジルエーテル（和光純薬工業（株）製、エポキシ当量２２８ｇ／ｅｑ）３．７３重量部に対して、芳香族ポリアミン（和光純薬工業（株）製、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル）１．２７重量部を混合し、芳香族アミン樹脂成分Ｂを作製した。
（芳香族アミン樹脂成分Ｃ）
フェノールノボラック型エポキシ樹脂（三菱化学製、「ｊＥＲ１５２」、エポキシ当量１７４ｇ／ｅｑ）３．５６重量部に対して、芳香族ポリアミン［東京化成製、４，４’−メチレンビス（２−エチル−６−メチルアニリン）］１．４４重量部を混合し、芳香族アミン樹脂成分Ｃを作製した。
（非芳香族アミン樹脂成分Ａ）
ビスフェノールＡプロポキシジグリシジルエーテル（和光純薬工業（株）製、エポキシ当量２２８ｇ／ｅｑ）４．７５重量部に対して、ジシアンジアミド（三菱化学製、「ＤＩＣＹ−７」）０．２５重量部を混合し、非芳香族アミン樹脂成分Ａを作製した。
（非芳香族アミン樹脂成分Ｂ）
ビスフェノールＡプロポキシジグリシジルエーテル（和光純薬工業（株）製、エポキシ当量２２８ｇ／ｅｑ）４．１７重量部に対して、イミダゾール類（イミダゾール系エポキシアダクト硬化剤、味の素ファインテクノ製、ＰＮ−２３）０．８３重量部を混合し、非芳香族アミン樹脂成分Ｂを作製した。
（非芳香族アミン樹脂成分Ｃ）
ビスフェノールＡプロポキシジグリシジルエーテル（和光純薬工業（株）製、エポキシ当量２２８ｇ／ｅｑ）２．８４重量部に対して、メチル−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物（和光純薬工業（株）製）２．０７重量部、ベンジルジメチルアミン０．０１重量部を混合し、非芳香族アミン樹脂成分Ｃを作製した。
（銀フレークＡ）
特許第４１４４８５６号公報の実施例２に準じて、銀フレークＡを作製した。得られた銀フレークＡの平均粒径（Ｄ５０）は６．２μｍであり、値Ｘは５．０１％であった。
（銀フレークＢ）
特許第４３９９７９９号公報の実施例２に準じて、銀フレークＢを作製した。得られた銀フレークＡの平均粒径（Ｄ５０）は２．２μｍであり、値Ｘは７．８８％であった。
（銀フレークＣ）
市販の銀フレーク（三井金属鉱業（株）製、「Ｑ０３Ｒフレーク２」）を用いた。この銀フレークは、銀塩の液相還元により調製した球状銀粉をボールミルで扁平化したものであり、平均粒径（Ｄ５０）は１．１μｍであり、値Ｘは３０．８％であった。
なお、以下に、各種物性・特性の測定方法又は評価方法を示す。
（平均粒径）
銀フレークの平均粒径（Ｄ５０）は、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（日機装製、「マイクロトラック」）を用いて測定された体積基準中心粒径である。
（結晶性）
銀フレークの結晶性は、以下のようにして測定した。
押しリングを試料ホルダーの試料面から約２ｍｍ下げた位置に付け、銀フレーク粉末を入れた。試料面をガラス板に密着させた後、反対側から押し治具で押しリングを押し、試料面が平らになるように銀フレーク粉末を固め、測定試料を作製した。
Ｘ線回折装置（ＲＩＧＡＫＵ製、ＲＩＮＴ１２００）を使用し、測定条件は２θ/θスキャン法、Ｘ線の波長はＣｕＫα線（λ＝０．１５４１８ｎｍ）、走査角３５−５５°で行い、銀由来の約３８°の（１１１）面および約４４°の（２００）面からの回折ピークの積分強度値をそれぞれＩ１１１、Ｉ２００とし、値Ｘ＝［Ｉ２００／（Ｉ１１１＋Ｉ２００）］×１００（％）を算出した。
また、導電性組成物（又はその硬化物）の結晶性は、以下のように測定した。
導電性組成物をポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）板上にアプリケータで塗布し、１２０℃で３０分間、続けて２００℃で９０分間加熱し、厚み約２００〜４００μｍのフィルム状硬化物を作製した。ポリテトラフルオロエチレン板からフィルム状硬化物を剥離し、アプリケータで塗布された面（表面側）およびＰＴＦＥ板に接していた面（ＰＴＦＥ側）について、それぞれ上記銀フレークと同様の条件でＸ線回折の測定を行い、値Ｘを算出した。
（比抵抗）
導電性組成物をスライドガラスにアプリケーターを用いて塗布し、１２０℃、３０分間乾燥後、２００℃で９０分間焼成して厚み１５μｍの導電膜を形成し、四探針法による表面抵抗と触針式膜厚計による膜厚から比抵抗を算出した。
（剥離試験）
導電性組成物をスライドガラス（基板）にアプリケーターを用いて塗布し、１２０℃、３０分間乾燥後、２００℃で９０分間焼成して厚み１５μｍの導電膜を形成した。
ガラス基板上に形成された導電膜に幅２４ｍｍのセロハンテープ（ニチバン社製）を貼り付け、５ｋｇ重程度の荷重をかけた後、導電膜とセロハンテープの間の気泡がなくなるよう荷重を擦過させることによって、気泡を除去してセロハンテープと基板を密着させた。その後、基板を固定してセロハンテープを持ち上げ、基板とテープの角度が約９０度になるように注意しながら約０．６秒の速度で一気に引き剥がし、テープに導電膜の剥離が全く付着していない場合に密着性が良好である（○）と判定し、導電膜の一部或いは全てが剥離している場合に密着性が良好でない（×）と判定した。
（接着強度）
導電性組成物を用いて、厚み２ｍｍの銅板に３．５ｍｍ×３．５ｍｍのシリコンチップを貼り付け、１２０℃で３０分間乾燥後、２００℃で９０分間焼成して、シリコンチップを銅板と接着させた後、剪断強度を測定することで評価した。なお、シリコンチップは、シリコン上に、チタン、白金、金の順にスパッタリングした蒸着膜を備えており、接着面を金の蒸着面とした。硬化後の接着層の厚みは３０μｍであった。なお、接着強度は、４つのサンプルについて測定した。
（熱伝導率）
測定した比抵抗値を用い、ヴィーデマン・フランツ則による式 λ＝Ｌ×Ｔ/ρｖ（λは熱伝導率、Ｌはローレンツ数（２．４４×１０−８Ｗ・Ω・Ｋ−２）、Ｔは絶対温度（２９８Ｋ）、ρｖは比抵抗）を用いて、熱伝導率を測定した。
（実施例１）
１００重量部の銀フレークＡ、５重量部の芳香族アミン樹脂成分Ａ、溶媒としてのトリエチレングリコールモノブチルエーテル（和光純薬工業（株）製）１０重量部を三本ロールで混練し、導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で１．９２％、ＰＴＦＥ側で１．６５％であった。
（実施例２）
実施例１において、５重量部の芳香族アミン樹脂成分Ａに代えて、５重量部の芳香族アミン樹脂成分Ｂを用いる以外、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で１．５４％、ＰＴＦＥ側で１．４４％であった。
（実施例３）
実施例１において、５重量部の芳香族アミン樹脂成分Ａに代えて、５重量部の芳香族アミン樹脂成分Ｃを用いる以外、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは表面側で１．６４％、ＰＴＦＥ側で１．２３％であった。
（実施例４）
実施例１において、芳香族アミン樹脂成分Ａを５重量部に代えて７．５重量部用いる以外、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で１．１３％、ＰＴＦＥ側で１．０４％であった。
（実施例５）
実施例１において、芳香族アミン樹脂成分Ａを５重量部に代えて１０重量部用いる以外、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で１．２８％、ＰＴＦＥ側で１．２３％であった。
（実施例６）
実施例１において、１００重量部の銀フレークＡに代えて１００重量部の銀フレークＢを用いる以外、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で３．７４％、ＰＴＦＥ側で２．２５％であった。
（比較例１）
実施例１において、５重量部の芳香族アミン樹脂成分Ａに代えて、５重量部の非芳香族アミン樹脂成分Ａを用いたこと以外は、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で１．４２％、ＰＴＦＥ側で１．１１％あった。
（比較例２）
実施例１において、５重量部の芳香族アミン樹脂成分Ａに代えて、５重量部の非芳香族アミン樹脂成分Ｂを用いたこと以外は、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で１．６２％、ＰＴＦＥ側で１．５４％あった。
（比較例３）
実施例１において、５重量部の芳香族アミン樹脂成分Ａに代えて、５重量部の非芳香族アミン樹脂成分Ｃを用いたこと以外は、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で１．７９％、ＰＴＦＥ側で１．８６％あった。
（比較例４）
実施例１において、１００重量部の銀フレークＡに代えて１００重量部の銀フレークＣを用いる以外、実施例１と同様にして導電性組成物を得た。そして、得られた導電性組成物について、各種特性を評価した。なお、硬化物の値Ｘは、表面側で３０．８％、ＰＴＦＥ側で３０．４％であった。
結果を表１に示す。なお、表１において、「アミン型」とは「アミン樹脂成分」の略称を意味する。
Figure 2015172183
表１において、結晶性が大きい（値Ｘが小さい）銀フレークと芳香族アミン樹脂成分とを用いた実施例１〜６では、高い導電性（小さい比抵抗）、及び高い放熱性（大きい熱伝導率）が得られたほか、基材に対する密着性（剥離試験、せん断強度）も高かった。これに対して、結晶性が大きい（値Ｘが小さい）銀フレークを用いても、樹脂成分が非芳香族アミン型である比較例１〜３では、導電性が小さく（比抵抗が大きく）、放熱性も小さく（熱伝導率が小さく）、基材に対する密着性もやや小さくなった。また、芳香族アミン樹脂成分を用いても、銀フレークの結晶性が小さい（値Ｘが大きい）比較例４では、導電性が小さく（比抵抗が大きく）、放熱性も小さく（熱伝導率が小さく）、基材に対する密着性もやや小さくなった。
なお、以下のようにして、前記実施例及び比較例の導電性組成物の厚膜内部の値Ｘを測定した。導電性組成物を成形型（深さ５ｍｍ、直径１０ｍｍφ）に注いで成形し、成形型を外した後、１２０℃で３０分間、続けて２００℃で９０分間加熱して厚膜硬化物を作製した。この試料を厚み方向の中央部でカットし、切断面について値Ｘを測定した。結果を表２に示す。
Figure 2015172183
表２から、結晶性金属フレークを用いた実施例１〜６及び比較例１〜３では厚膜内部の値Ｘが２２〜２５％と、薄膜の表面部に比べて大きくなった。一方、結晶性の小さい金属フレークを用いた比較例４では薄膜の表面部と同等の値Ｘを示し、３５％と大きかった。
本発明の導電性組成物は、高い導電性を実現できるため、種々の用途、例えば、配線、回路、電極などを形成するための組成物や、導電性接着剤などとして利用できる。特に、高い密着性を損なうことなく、高い導電性や放熱性を実現できるため、２つの基材間を接着する導電性接着剤として好適である。

Claims (12)

  1. 導電性金属粉と樹脂成分とを含む組成物であって、導電性金属粉が、少なくとも、フレーク状に金属結晶が成長した結晶構造を有する金属フレークを含み、前記樹脂成分が芳香族アミン骨格を含む、導電性組成物。
  2. Ｘ線回折における（１１１）面、（２００）面の回折積分強度を、それぞれ、Ｉ１１１、Ｉ２００とするとき、金属フレークが、下記式で表される値Ｘが３０％以下の金属フレークである請求項１に記載の導電性組成物。
    Ｘ＝［Ｉ２００／（Ｉ１１１＋Ｉ２００）］×１００（％）
  3. 樹脂成分が、熱硬化性樹脂および硬化剤を含む熱硬化性樹脂組成物であり、熱硬化性樹脂及び／又は硬化剤が芳香族アミン骨格を含む請求項１又は２に記載の導電性組成物。
  4. 熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であり、硬化剤が芳香族アミン系硬化剤である請求項３に記載の導電性組成物。
  5. 硬化剤が、芳香環に直接アミノ基が置換した構造を有する芳香族アミン系硬化剤である請求項３又は４に記載の導電性組成物。
  6. 硬化剤が、下記式（１）で表される芳香族ポリアミンを含む請求項３〜５のいずれかの項に記載の導電性組成物。
    Figure 2015172183
     （式中、環Ｚは、それぞれ独立して、アレーン環を示し、Ａはアルキレン基若しくはアルキリデン基、シクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基、アリーレン基、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、又はスルホニル基を示し、Ｒはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を示し、ｍは０又は１を示し、ｎはそれぞれ独立して０〜４の整数を示す）
  7. 樹脂成分の割合が、金属フレーク１００重量部に対して１〜５０重量部である請求項１〜６のいずれかの項に記載の導電性組成物。
  8. 導電性接着剤である請求項１〜７のいずれかの項に記載の導電性組成物。
  9. 金属基材と半導体基材とを接着させるための導電性接着剤である請求項１〜８のいずれかの項に記載の導電性組成物。
  10. 請求項１〜９のいずれかの項に記載の導電性組成物で形成された導電性部位を少なくとも有する導電性成形体。
  11. ２つの基材と、この基材間に介在し、かつ２つの基材を接着させる導電性接着剤とで構成された接合基材を備えた成形体であって、導電性部位としての導電性接着剤が請求項１〜９のいずれかの項に記載の導電性組成物により形成されている請求項１０記載の導電性成形体。
  12. Ｘ線回折における（１１１）面、（２００）面の回折積分強度を、それぞれ、Ｉ１１１、Ｉ２００とするとき、下記式で表される値Ｘが導電性部位で３０％以下である請求項１０又は１１に記載の導電性成形体。
    Ｘ＝［Ｉ２００／（Ｉ１１１＋Ｉ２００）］×１００（％）
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020063433A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 東洋紡株式会社 熱伝導性樹脂組成物

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6928106B2 (ja) * 2017-11-01 2021-09-01 富士フイルム株式会社 音響整合層用樹脂組成物、硬化物、音響整合シート、音響波プローブ、音響波測定装置、音響波プローブの製造方法、及び音響整合層用材料セット
CN113416389B (zh) * 2021-07-28 2022-05-13 四川大学 一种环氧基二维片状金属纳米填料的超高各向同性导热材料及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145601A (ja) * 1985-12-19 1987-06-29 住友ベークライト株式会社 導電性樹脂ペ−スト
JPH11343397A (ja) * 1998-02-23 1999-12-14 Delphi Technol Inc 導電性エポキシ樹脂
JP2002050227A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性樹脂ペースト及び半導体装置
JP2006111903A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Shoei Chem Ind Co 高結晶性フレーク状銀粉末とその製造方法
JP2011187194A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性ペースト
JP5827203B2 (ja) * 2012-09-27 2015-12-02 三ツ星ベルト株式会社 導電性組成物
JP5859949B2 (ja) * 2012-09-27 2016-02-16 三ツ星ベルト株式会社 導電性組成物

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431874A (en) 1987-07-29 1989-02-02 Sumitomo Bakelite Co Electroconductive resin paste for semiconductor
US4912179A (en) * 1988-03-30 1990-03-27 Toa Nenryo Kogyo Kabushiki Kaisha Bisphenol A epoxy resin mixtures with aromatic di-secondary amine
JP3429985B2 (ja) 1997-10-02 2003-07-28 三井金属鉱業株式会社 六角板状結晶銀粒子からなる銀粉の製造方法
JP4144856B2 (ja) * 2002-11-29 2008-09-03 三井金属鉱業株式会社 極薄板状銀粒子からなる銀粉の製造方法
JP2009144188A (ja) 2007-12-12 2009-07-02 Fujifilm Corp 平板状金属粒子及びその製造方法、並びに平板状金属粒子含有組成物、及び赤外線吸収材料
JP2008171828A (ja) 2008-03-26 2008-07-24 Toyobo Co Ltd 導電性ペースト及びこれを用いた印刷回路
CN101935438B (zh) 2010-09-27 2012-05-09 彩虹集团公司 一种填充通孔的树脂组合物及其制备方法
JP5847516B2 (ja) 2010-10-01 2016-01-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 フレーク状銀粉及び導電性ペースト
US8419981B2 (en) 2010-11-15 2013-04-16 Cheil Industries, Inc. Conductive paste composition and electrode prepared using the same
MY165723A (en) 2011-05-23 2018-04-20 Kaneka Corp Conductive film, current collector using same, battery and bipolar battery
KR101355852B1 (ko) * 2011-08-11 2014-01-27 제일모직주식회사 반도체용 접착 조성물 및 이를 포함하는 접착 필름
JP5642147B2 (ja) * 2012-12-27 2014-12-17 学校法人 関西大学 熱伝導性導電性接着剤組成物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145601A (ja) * 1985-12-19 1987-06-29 住友ベークライト株式会社 導電性樹脂ペ−スト
JPH11343397A (ja) * 1998-02-23 1999-12-14 Delphi Technol Inc 導電性エポキシ樹脂
JP2002050227A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性樹脂ペースト及び半導体装置
JP2006111903A (ja) * 2004-10-13 2006-04-27 Shoei Chem Ind Co 高結晶性フレーク状銀粉末とその製造方法
JP2011187194A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性ペースト
JP5827203B2 (ja) * 2012-09-27 2015-12-02 三ツ星ベルト株式会社 導電性組成物
JP5859949B2 (ja) * 2012-09-27 2016-02-16 三ツ星ベルト株式会社 導電性組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020063433A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 東洋紡株式会社 熱伝導性樹脂組成物
JP7395933B2 (ja) 2018-10-17 2023-12-12 東洋紡株式会社 熱伝導性樹脂組成物

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