JP2015162593A - 有機半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート絶縁膜3の表面を親液性表面3aと撥液性表面3bに区画し、有機半導体薄膜4の形成予定位置のみを親液性表面3aとすることで、有機半導体薄膜4を所望位置にのみ形成する。また、親液性表面3aをゲート電極2の厚みによって構成されたゲート絶縁膜3の突出部の上面にのみ形成するのではなく、突出部の端部に形成される段差部の上面や側面から底面に至るまで、つまり段差部の角部にも形成されるようにする。これにより、親液性表面3aを段差部に形成していない場合と比較して、初めから段差部にも適切にインク11が残るようにすることができる。したがって、長手方向(ゲート電極2の長手方向と直行する方向)に結晶方位が揃った単一結晶によって有機半導体薄膜4を形成することが可能となる。
【選択図】図2
Description
本発明の一実施形態にかかる有機半導体装置として、有機薄膜トランジスタを例に挙げて説明する。本実施形態で説明する有機薄膜トランジスタは、例えば有機EL素子などに適用される。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して有機半導体薄膜4のレイアウトを変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
3a 親液性表面
3b 撥液性表面
4 有機半導体薄膜
5 ソース電極
6 ドレイン電極
10 ノズル
11 インク
Claims (7)
- 段差部を有する下地部材(1〜3)と、
前記段差部の上面を含めた前記下地部材の上に有機半導体の構成材料を溶媒に溶かしたインク(11)を塗布し、該インクを乾燥させることで形成した有機半導体薄膜(4)と、を有する有機半導体装置であって、
前記下地部材の表面のうち、前記段差部の上面から側面および底面に至る部分に前記インクが塗布される親液性表面(3a)が構成され、該親液性表面に前記有機半導体薄膜が形成されており、前記下地部材の表面のうち、前記親液性表面とは異なる部分に前記インクが弾かれる撥液性表面(3b)が構成されていることを特徴とする有機半導体装置。 - 前記有機半導体薄膜は、前記段差部においてくびれさせられた凹部(4a)を有するライン状とされていることを特徴とする請求項1に記載の有機半導体装置。
- 前記下地部材が、基材(1)と、前記基材の上において所定の厚みで形成された前記ゲート電極(2)、および、該ゲート電極の表面と側面および前記基材のうち前記ゲート電極から露出した部分の表面上に形成されることで前記ゲート電極の厚みによる段差部が引き継がれた突出部を有するゲート絶縁膜(3)とを有して構成され、
前記ゲート絶縁膜の表面に、前記ゲート絶縁膜における前記突出部の上面および該突出部の端部に位置する段差部の上面から側面に至り、さらに該段差部の底面に至るようにライン状に前記親液性表面が構成されていると共に、該親液性表面上に前記有機半導体薄膜が形成されており、
前記有機半導体薄膜のうち、前記ゲート電極と対向している部分をチャネル領域として、該チャネル領域の両側に互いに離間してソース電極(5)およびドレイン電極(6)が配置されたボトムゲートトップコンタクトの有機トランジスタを有していることを特徴とする請求項1または2に記載の有機半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜が無機材料で構成されていることを特徴とする請求項3に記載の有機半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜は原子層堆積法によって形成され、所定の厚みで形成された前記ゲート電極による段差を引き継いで形成されていることを特徴とする請求項4に記載の有機半導体装置。
- 前記ゲート電極は、一方向を長手方向とするライン状とされており、
前記有機半導体薄膜は、前記ゲート電極の長手方向に対して垂直方向が長手方向となるライン状に形成されており、該有機半導体薄膜の長手方向に結晶方位が揃った単一結晶で構成されていることを特徴とする請求項3ないし5のいずれか1つに記載の有機半導体装置。 - 請求項3ないし6のいずれか1つに記載の有機半導体装置の製造方法であって、
前記基材を用意する工程と、
前記基材の上に、一方向を長手方向とするライン状の前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆いつつ、前記基材のうち前記ゲート電極と異なる露出部分を覆うことで、前記ゲート電極の厚みによる突出部を有する前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の表面において、前記ゲート電極の長手方向に対して垂直な方向を長手方向とするライン状の前記親液性表面と、該親液性表面と異なる部分に前記撥液性表面とを構成する工程と、
前記親液性表面の長手方向に沿って、該長手方向の一方の先端から他方の先端に向けて前記インクを塗布し、前記インクの塗布開始位置となる前記一方の先端から乾燥させて結晶化させることで前記有機半導体薄膜を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする有機半導体装置の製造方法。
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